JPH06294908A - 液晶表示装置のカラーフィルターおよびその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置のカラーフィルターおよびその製造方法

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JPH06294908A
JPH06294908A JP31088193A JP31088193A JPH06294908A JP H06294908 A JPH06294908 A JP H06294908A JP 31088193 A JP31088193 A JP 31088193A JP 31088193 A JP31088193 A JP 31088193A JP H06294908 A JPH06294908 A JP H06294908A
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pattern
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resist
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Won-Ho Kim
元浩 金
Donguk Choi
東旭 崔
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Samsung Electronics Co Ltd
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 マスクを容易にアラインするためのアライン
パターンの具備されたカラーフィルターおよびその製造
方法とアラインキーパターンを利用したマスクのアライ
ン方法を提供する。 【構成】 基板上にレーザービームの回折光が生成でき
る段差を有するアラインキーパターンを形成し、前記ア
ラインキーパターンを覆う第１レジスト層を形成する。
前記アラインキーパターンにレーザービームを照射し回
折された光を検出し前記レジスト層を露光するためのマ
スクをアラインする。 【効果】 これにより、正確な波形図が検出でき、自動
的にマスクをアラインする工程が容易に遂行できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカラーフィルターおよび
その製造方法に係り、特にアラインキーパターンを含
み、液晶表示装置に使用されるカラーフィルターおよび
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】カラー液晶表示装置は画像を表示するこ
とに使用され、このような装置は多数の透明な走査電極
の形成されている基板と前記走査電極と対向する多数の
信号電極の形成された基板より構成された二つの基板、
これら両基板の間に具備された液晶、これら両基板の外
側に具備された分光板および前記走査電極と関連しレッ
ド、グリーンおよびブルーの原色で染色されたカラーフ
ィルターを具備する。また、前記カラーフィルターは薄
膜トランジスターを活性素子として使用するアクチブマ
トリックス液晶表示装置に適用される。走査電極と信号
電極の交叉点は一つの画素を成し、近所の三つの画素が
カラーイメージの一成分を構成する。
【０００３】前記ディスプレイ装置に使用されるカラー
フィルターは基板上に形成された透明な信号電極上に形
成される。このようなカラーフィルターはカゼインまた
はゼラチンのようなたんぱく質よりなる染色性の基質を
塗布して形成される。カラーフィルターの基質は誘電物
質であり、液晶はカラーフィルターと走査電極の間に位
置する。
【０００４】このようなカラーフィルターにおいて、各
カラーのカラーパターンは非常に正確に形成され液晶装
置の画素が十分に表示できるべきである。従って、この
ようなカラーフィルターを製造するためには、それぞれ
のカラーに対応し染色性の気質を形成した後、フォトリ
ソグラフィー工程を遂行する。
【０００５】このような従来のカラーフィルターを製造
する方法では、レッド、グリーンおよびブルーカラーパ
ターンを形成するために、基板上にクロムＣｒを利用し
アラインキーパターンを形成させた後、カラーレジスト
を塗布しカラーレジスト層を形成する。次に、レーザー
ビームを利用し基板を移動させ前記アラインキーをター
ゲットとして使用しマスクに自動アラインした後、通常
のフォトリソグラフィー技術により前記カラーレジスト
層をパタニングする。
【０００６】図１ないし図３は従来の方法により、カラ
ーフィルターのレッド、グーリンおよびブルーレジスト
パターンを形成する工程を示すためのアラインキーパタ
ーン部分の断面図である。
【０００７】前記図１ないし図３で、符号１１は基板、
１２はアラインキーパターン、１３はレッドレジスト
層、１４はグリーンレジスト層、１５はブルーレジスト
層、１６は酸化防止膜、１７はレーザービームをそれぞ
れ示す。図１ないし図３で、それぞれの断面形はカラー
層を除いては同一の構造でなっている。図１を参照し従
来のアラインキーパターンおよびこれを利用したカラー
パターンの形成方法を説明する。
【０００８】まず、基板１１上に約１５００オングスト
ロームの厚さでクロムを蒸着しクロム層を形成した後、
通常のフォトリソグラフィー工程を利用し前記クロム層
をパタニングしてアラインキーパターン１２を形成させ
る。次に、レッドレジストを塗布しレッドレジスト層１
３を形成し、その上に酸化防止膜１６を形成させた後、
波長が約６３３ｎｍ位のレーザービーム１７を利用し前
記アラインキーをターゲットとして使用しマスクを自動
アラインした後、通常のフォトリソグラフィー技術を利
用し前記レッドレジスト１２をパタニングしてレッドカ
ラーパターンを形成する。
【０００９】また、前記のクロムよりなるアラインキー
１２をターゲットとして使用し他のマスクをアラインし
前記と同一の製造方法を通じて図２および図３のように
グリーンおよびブルーカラーパターンが形成できる。
【００１０】しかしながら、グリーンおよびブルーレジ
スト１４および１５はレーザービームの透過率が非常に
低い（ほぼゼロ）。図１１は波長によるブルー、グリー
ンおよびレッドレジスト層の透過率を示すグラフであ
る。同図で、符号３１はブルーレジスト層の透過率を示
し、符号３２はグリーンレジスト層の透過率を、符号３
３はレッドレジスト層の透過率を示す。従って、グリー
ンおよびブルーレジストを塗布しカラーレジスト層を形
成する場合には、レーザービームの反射光が感知できな
いので自動アライナー装置がアラインキーを認識するの
に困難があった。即ち、レッドカラーレジスト１３の場
合には６３３ｎｍ位の波長を有するレーザービーム透過
率が９０％以上なのでレーザービームがアラインキーパ
ターンで反射され自動アライナーから反射光の信号が容
易に検出できるので自動アラインが可能である。ところ
が、グリーンとブルーカラーレジスト層１４、１５は図
１１で分かるように、前記レーザービームの波長で透過
率がゼロに近い。また、クロムよりなるアラインパター
ンの厚さが薄くて、パターン段差のほとんどないアライ
ンキーパターンを使用すれば光が大部分吸収されるの
で、アラインキーパターンで反射される光の量がほぼな
い。
【００１１】図４は前記従来の方法で形成される基板上
のアラインキーパターンとマスク上のアラインキーパタ
ーンの平面図式図であり、図５は前記図４に示したアラ
インキーパターンの反射光から検出される波形図であ
る。
【００１２】図４でａ1 およびｃ1 、ａ2 およびｃ2 は
基板上に形成されたアラインキーパターンであり、ｂ1
およびｂ2 はマスク上に形成されたアラインキーパター
ンである。マスク上のアラインキーパターンｂ1 および
ｂ2 でのレーザーの反射ビームを測定し図４のように、
基板に形成されたアラインキーパターンの中央に整合す
る。図５はマスクがアラインされた時、前記図４の一群
のアラインキーパターンａ1 、ｂ1 およびｃ1 またはａ
2 、ｂ2 およびｃ2 からオシロスコープを利用して収得
した波形図である。図５で、波形図Ａ1 はレッドレジス
ト層を形成した場合に収得した波形図であり、波形図Ｂ
1 はブルーまたはグリーンレジストを塗布した時収得し
た波形図である。図５に示したように、ブルーまたはグ
リーンカラーレジスト層を形成した場合には、反射波の
検出信号がほとんど発生せずアライン工程を遂行するの
が困難である。従って、マスクの自動アラインのために
はアラインキーパターンの上部のカラーレジストを取り
除く必要がある。このためには、アセトンまたは現像液
等の溶剤でキーパターン上部を手動的に擦って拭き取り
前記アラインキーパターンの上部のカラーレジスト層の
一部を取り除きアラインキーを露出させるべきである。
これは手動作業により生産性および製造収率の低下をも
たらす。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はアライ
ンキーパターンの段差を大きくして回折光の信号が検出
できるようにカラーレジストより構成されたアラインキ
ーパターンの具備されたカラーフィルターを提供するこ
とである。
【００１４】本発明の他の目的はアラインキーパターン
の段差を利用し収得した回折光の信号を検出しレジスト
パターンを形成するカラーフィルターの製造方法を提供
することである。
【００１５】本発明のまた他の目的は前記アラインキー
パターンを利用したマスクのアライン方法を提供するこ
とである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明は基板と、前記基板上にマスクをアライ
ンするために基板の所定部分に形成されており、一定の
大きさの段差を有し、レーザービームを照射する場合に
回折光を生成するアラインキーパターンを含むことを特
徴とするカラーフィルターを提供する。次の段階で前記
アラインキーパターンを使用し露光させる第１レジスト
層が基板上に形成されている。第１レジスト層はレーザ
ービームが透過率の少ないカラーレジストより構成さ
れ、前記アラインキーパターンを覆っている。第１レジ
スト層は望ましくはレーザービームの透過率が９０％以
下であるブルーまたはグリーンレジストより構成されて
いる。
【００１７】前記した本発明の他の目的を達成するため
に本発明は基板上に第１レジスト層を形成する段階と、
前記第１レジスト層をパタニングし所定の第１レジスト
パターンと後続くアライン工程のための第１アラインキ
ーパターンを同時に形成する段階を含むカラーフィルタ
ーの製造方法を提供する。レッドレシズトを使用して第
１レジスト層を形成する。前記第１アラインキーパター
ンを形成した後、前記第１アラインキーパターンを覆い
グリーンまたはブルーレジストより構成された第２レジ
スト層を形成し、前記第１アラインキーパターンによる
段差の形成されている部分の第２レジスト層の傾斜面か
らのレーザービームの回折光を利用し第２レジスト層を
露光するためのマスクをアラインする。
【００１８】前記した本発明の他の目的を達成するため
に、本発明は基板上にレーザービームの回折光が生成で
きる段差を有するアラインキーパターンを形成する段階
と、前記アラインキーパターンを覆う第１レジスト層を
形成する段階と、前記アラインキーパターンにレーザー
ビームを照射し回折された光を検出し信号を発生する段
階と、前記信号により前記第１レジスト層を露光するた
めのマスクをアラインする段階を含むことを特徴とする
露光マスクのアライン方法を提供する。
【００１９】本発明はまた、基板上に遮光層を形成する
段階と、前記遮光層をパタニングし第１アラインキーパ
ターンと遮光性パターンを形成する段階と、前記第１ア
ラインキーパターンおよび遮光性パターンの形成された
基板上にレッドレジスト層を形成する段階と、前記第１
アラインキーパターンを利用し前記レッドレジスト層を
パタニングしレッドカラーパターンおよびグリーンカラ
ーレジストのアラインキー位置の遮光性のパターン上に
所定の段差を有し、グリーンレジストを露光するための
第２アラインキーパターンを同時に形成する段階と、前
記第２アラインキーパターンの形成されている結果物上
にグリーンレジスト層を形成する段階と、前記第２アラ
インキーパターンを利用し前記グリーンレジスト層をパ
タニングしグリーンレジストパターンとブルーレジスト
のアラインキーパターンの形成されるレッドレジストパ
ターンの一部上に第３アラインキーパターンを同時に形
成する段階と、前記第３アラインキーパターンの形成さ
れている結果物上にブルーレジスト層を形成する段階
と、前記第３アラインキーパターンを使用し前記ブルー
レジスト層をパタニングしブルーレジストパターンを形
成させる工程を具備してなることを特徴とするカラーフ
ィルター製造方法を提供する。前記レッドレジスト層を
パタニングする段階は前記第１アラインキーパターンに
短波長レーザービームを照射し、前記第１アラインキー
パターンから前記短波長レーザービームの反射光を検出
し信号を生成し、前記信号により前記レッドレジスト層
を露光するためのマスクをアラインして遂行する。前記
グリーンレジスト層をパタニングする段階は前記第２ア
ラインキーパターンに短波長レーザービームを照射し、
前記第２アラインキーパターンの段差から前記短波長レ
ーザービームの回折光を検出して信号を生成し、前記信
号により前記グリーンレジスト層を露光するためのマス
クをアラインする。また、前記ブルーレジスト層をパタ
ニングする段階は前記第３アラインキーパターンに短波
長レーザービームを照射し、前記第３アラインキーパタ
ーンの段差から前記短波長レーザービームの回折光を検
出して信号を生成し、前記信号によりブルーレジスト層
を露光するためのマスクをアラインする。
【００２０】
【作用】本発明の方法によれば、レッドおよびグリーン
カラーパターンを形成する際それぞれグリーンおよびブ
ルーカラーレジストのアラインメントに使用できるよう
にカラーレジストを利用したアラインキーパターンを形
成する。前記アラインキーパターンの段差上部のグリー
ンおよびブルーカラーレジストの傾斜面から反射される
回折光を検出して信号を生成し、前記信号によりグリー
ンおよびブルーレジスト層を露光するためのマスクをア
ラインする。従って、自動アライン工程が容易に遂行で
きる。
【００２１】
【実施例】以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に
説明する。
【００２２】図６ないし図８は本発明の一例によるカラ
ーフィルターのレッド、グリーンおよびブルーレジスト
層を露光するためのマスクをアラインするためのアライ
ンキーパターンおよびその形成方法を示す。
【００２３】図６は第１アラインキーパターン２２′を
形成し、第１レジスト層を露光するためのマスクをアラ
インする段階を示す。
【００２４】図６を参照すれば、基板２１上に約１５０
０オングストロームの厚さで遮光性物質のクロムを蒸着
し遮光層のクロム層を形成した後、通常のフォトリソグ
ラフィー工程を利用し前記クロム層をパタニングして第
１アラインキーパターン２２′を形成させる。ここで、
前記第１アラインキーパターン２２′の形成の際に基板
２１上にカラーフィルターの遮光性パターンであるブラ
ックマトリックス（図７の２２）が形成される。次に、
レッドレジストを１ないし２μｍ、望ましくは約１．６
μｍの厚さで塗布し第１レジスト層であるレッドレジス
ト層２３を形成し、その上に０．８ないし１．０μｍの
厚さで第１酸化防止膜２６Ａを形成する。次に波長が約
６３３ｎｍ位のレーザービーム２７を利用し前記アライ
ンキーをターゲットとして使用しレッドレジスト層２３
を露光するためのマスクを自動アラインする。即ち、第
１アラインキーパターン２２′上にレーザービーム２７
を照射し第１アラインキーパターン２２′から反射され
た光を検出して信号を生成する。前記マスクは前記信号
によりアラインされる。次に、通常のフォトリソグラフ
ィー技術を利用し前記レッドレジスト層２３をパタニン
グしてレッドレジストパターン（図示せず）を形成す
る。第１酸化防止膜２６Ａをフォトリソグラフィー工程
中の露光段階の後、現像段階の前に取り除く。
【００２５】この際、第１アラインキーパターン２２の
形成部分と他の所に後続き形成される第２レジスト層を
露光するためのマスクをアラインするために第２アライ
ンキーパターン（図７の２３′）を形成する。具体的に
は、グリーンレジスト層を露光するためのマスクをアラ
インするためのアラインキーパターンの形成される位置
にレッドレジストよりなる第２アラインキーパターン２
３′を前記レッドレジストパターンと同時に形成する。
【００２６】図７は第２アラインキーパターン２３′を
形成し第１レジスト層を露光するためのマスクをアライ
ンする段階を示す。図７に示した断面図は前記図６に示
した第１アラインキーパターンの形成部分と他の所に形
成される第２アラインキーパターンを示す。
【００２７】図７で、前記図６の段階で形成されたブラ
ックマトリックス２２の基板２１上に存し、前記ブラッ
クマトリックス２２上には図６の段階で形成された第２
アラインキーパターン２３′が存する。図６の段階で収
得した結果物上に、グリーンレジストを塗布し第２レジ
スト層であるグリーンレジスト層２４を形成する。グリ
ーンレジスト層２４上に、０．６〜１．０μｍ厚さの第
２酸化防止膜２６Ｂを形成させた後、波長が約６００〜
７００ｎｍ位のレーザービーム２７を照射する。第２ア
ラインキーパターン２３′の段差形成部分のグリーンレ
ジスト層２４の傾斜面から誘発される回折光を検出し信
号を形成し、前記信号によりグリーンレジスト層２４を
露光するためのマスクを自動アラインする。次に、後続
くフォトリソグラフィー方法により、前記グリーンレジ
スト層２４をパタニングしてグリーンカラーパターン
（図示せず）を形成する。この際、ブルーレジスト層の
アラインキーパターンの形成される位置に前記グリーン
レジストよりなる第３アラインキーパターン（図８の２
４′）が形成される。次に、第２酸化防止膜２６Ｂをフ
ォトリソグラフィー工程中の露光段階の後、現像段階の
前に取り除く。
【００２８】図８は第３アラインキーパターン２４′を
利用し第３レジスト層を露光するためのマスクをアライ
ンする段階を示す。図８に示した断面図は前記図６およ
び図７に示した第１および第２アラインキーパターン２
２′および２３′の形成部分と他の所に形成される第３
アラインキーパターン２４′を示す。
【００２９】図８で前記図６の段階で形成されたブラッ
クマトリックス２２が基板２１上に存し、前記ブラック
マトリックス２２上には図６の段階で形成された第２レ
ジストパターン２３Ａがあり、その上には図７の段階で
形成された第３アラインキーパターン２４′が存する。
図７の段階で収得した結果物上に、ブルーレジストを塗
布し第３レジスト層であるブルーレジスト層２５を形成
する。ブルーレジスト層２５上に、０．６〜１．０μｍ
厚さの第３酸化防止膜２６Ｃを形成した後、波長が約６
００〜７００ｎｍ位のレーザービーム２７を第３アライ
ンキーパターン２４′上に照射し前記第３アラインキー
パターン２４′の段差形成部分であるブルーレジスト層
２５の傾斜面から誘発される回折光を検出し信号を発生
し、前記信号によりブルーレジスト層２５を露光するた
めのマスクを自動アラインする。次に、後続くフォトリ
ソグラフィー方法により前記ブルーレジスト層２５をパ
タニングしてブルーレジストパターン（図示せず）を形
成する。
【００３０】図９は前記図７に示した本発明の第２アラ
インキーパターンとマスク上のアラインキーパターンの
平面図式図であり、図１０は前記図９に示したアライン
キーパターンの反射光から検出される波形図である。
【００３１】図９で符号３０はマスク上に形成されたア
ラインキーパターンを示すことを除いては、他の参照番
号は図７の場合と同一の部材を示す。図１０はマスクが
アラインされた際、前記図９の一群のアラインキーパタ
ーン２３′および３０からオシロスコープを利用し収得
した波形図である。図１０で、波形図Ａ2 は第２アライ
ンキーパターンから収得し、波形図Ｂ2 はマスク上のア
ラインキーパターンから収得したものである。図１０に
示したように、正確な波形図が検出でき、本発明の方法
により、アラインキーパターンを形成する場合に自動的
にマスクをアラインする工程を容易に遂行し得る。
【００３２】本発明によるカラーフィルター製造方法
で、レッドおよびグリーンレジストパターンを形成する
際、それぞれグリーンおよびブルーレジスト層のアライ
ンメントに使用できるように前記レッドおよびグリーン
レジストを利用しアラインキーパターンを形成する。収
得したアラインキーパターンによるグリーンおよびブル
ーレジスト層の段差傾斜面から反射されるレーザービー
ムの回折光を検出し図１０に示したような信号が得られ
る。これを利用しグリーンおよびブルーレジストを露光
するためのマスクを自動アラインするのが可能である。
【００３３】
【発明の効果】従来の方法のように、キーパターンの部
分のフォトレジストを手作業で取り除かなくてもアライ
ン工程が自動的に遂行できるので、工程が簡略化され、
作業時間が短縮され、スループットが向上される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の方法により、カラーフィルターのレッ
ド、グリーンおよびブルーカラーパターンを形成する工
程を示すためのアラインキーパターン部分の断面図であ
る。
【図２】 従来の方法により、カラーフィルターのレッ
ド、グリーンおよびブルーカラーパターンを形成する工
程を示すためのアラインキーパターン部分の断面図であ
る。
【図３】 従来の方法により、カラーフィルターのレッ
ド、グリーンおよびブルーカラーパターンを形成する工
程を示すためのアラインキーパターン部分の断面図であ
る。
【図４】 前記従来の方法で形成される基板上のアライ
ンキーパターンとマスク上のアラインキーパターンの平
面図式図である。
【図５】 前記図４に示したアラインキーパターンの反
射光から検出される波形図である。
【図６】 本発明の一例によるカラーフィルターのレッ
ド、グリーンおよびブルーレジスト層を露光するための
マスクをアラインするためのアラインキーパターンおよ
びその形成方法を示す。
【図７】 本発明の一例によるカラーフィルターのレッ
ド、グリーンおよびブルーレジスト層を露光するための
マスクをアラインするためのアラインキーパターンおよ
びその形成方法を示す。
【図８】 本発明の一例によるカラーフィルターのレッ
ド、グリーンおよびブルーレジスト層を露光するための
マスクをアラインするためのアラインキーパターンおよ
びその形成方法を示す。
【図９】 本発明のアラインキーパターンとマスク上の
アラインキーパターンの平面図式図である。
【図１０】 前記図９に示したアラインキーパターンの
回折光から検出される波形図である。
【図１１】 レーザービームの波長によるブルー、グリ
ーンおよびレッドレジストの透過率を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
１１…基板、 １２…アライン
キーパターン、１３…レッドレジスト層、
１４…グリーンレジスト層、１５…ブルーレジスト層、
１６…酸化防止膜、１７…レーザービー
ム、 ２１…基板、２２…ブラックマトリ
ックス、 ２２′…第１アラインキーパターン、
２３…レッドレジスト層、 ２３′…第２ア
ラインキーパターン ２３Ａ…第２レジストパターン、 ２４…グリーン
レジスト層、２４′…第３アラインキーパターン、 ２
５…ブルーレジスト層、２６Ａ…第１酸化防止膜、
２６Ｂ…第２酸化防止膜、２６Ｃ…第３酸化防
止膜、 ２７…レーザービーム、 ３０…マスク上に形成されたアラインキーパターン、 ３１…ブルーレジスト層の透過率を示すグラフ、 ３２…グリーンレジスト層の透過率を示すグラフ、 ３３…レッドレジスト層の透過率を示すグラフ、 Ａ1 …レッドレジスト層を形成した場合に収得した波
形、 Ｂ1 …ブルーまたはグリーンレジストを塗布した時、収
得した波形、 Ａ2 …第２アラインキーパターンから収得した波形、 Ｂ2 …マスク上のアラインキーパターンから収得した波
形、 ａ1 、ａ2 、ｃ1 、ｃ2 …基板上に形成されたアライン
キーパターン、 ｂ1 、ｂ2 …マスク上に形成されたアラインキーパター
ン。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、 前記基板上にマスクをアラインするために基板の所定部
    分上に、一定の大きさの段差を有して形成され、レーザ
    ービームが照射された際、前記段差により回折光が生成
    されるアラインキーパターンを含むことを特徴とするカ
    ラーフィルター。
  2. 【請求項２】 前記アラインキーパターンを使用し露光
    する第１レジスト層を更に含み、前記第１レジスト層は
    前記アラインキーパターンを覆い前記基板上に形成され
    ていることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ
    ー。
  3. 【請求項３】 前記第１レジスト層はブルーまたはグリ
    ーンレジストより構成されたことを特徴とする請求項２
    記載のカラーフィルター。
  4. 【請求項４】 基板と、 前記基板の第１部分上に形成された第１カラーレジスト
    パターンと、 前記基板の第２部分上に形成されており、レーザービー
    ムが照射された時、回折光が生成できる段差を有し、前
    記第１カラーレジストパターンと同一の物質より構成さ
    れた第１アラインキーパターンと、 前記第１カラーレジストパターンおよび前記第１アライ
    ンキーパターンの形成された基板上に形成され、前記第
    １アラインキーパターンを覆う第２カラーレジストパタ
    ーンを含むカラーフィルター。
  5. 【請求項５】 前記第１カラーレジストパターンはレッ
    ドレジストより構成され、前記第２カラーレジストパタ
    ーンはブルーレジストパターンであることを特徴とする
    請求項４記載のカラーフィルター。
  6. 【請求項６】 基板上に第１レジスト層を形成する段階
    と、 前記第１レジスト層をパタニングし第１レジストパター
    ンと後続くマスクアライン工程のための段差を有する第
    １アラインキーパターンを同時に形成する段階を含むカ
    ラーフィルターの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記第１レジスト層はレッドレジストよ
    りなることを特徴とする請求項６記載のカラーフィルタ
    ーの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記第１アラインキーパターンを形成し
    た後、前記第１アラインキーパターンを覆う第２レジス
    ト層を形成する段階と、 前記第１アラインキーパターンによる段差の形成された
    部分の第２レジスト層の傾斜面からのレーザービームの
    回折光を利用し第２レジスト層を露光するためのマスク
    をアラインするための段階を更に含むことを特徴とする
    請求項６記載のカラーフィルターの製造方法。
  9. 【請求項９】 基板上にレーザービームの回折光を生成
    するための段差を有するアラインキーパターンを形成す
    る段階と、 前記アラインキーパターンを覆う第１レジスト層を形成
    する段階と、 前記アラインキーパターンにレーザービームを照射し回
    折された光を検出し信号を生成する段階と、 前記信号により前記第１レジスト層を露光するためのマ
    スクをアラインする段階を含むことを特徴とする露光マ
    スクのアライン方法。
  10. 【請求項１０】 基板上に遮光層を形成する段階と、 前記遮光層をパタニングし第１アラインキーパターンと
    遮光性パターンを形成する段階と、 前記第１アラインキーパターンおよび遮光性パターンの
    形成された基板上にレッドレジスト層を形成する段階
    と、 前記第１アラインキーパターンを利用し前記レッドレジ
    スト層をパタニングしレッドレジストパターンおよびグ
    リーンレジスト層のアラインキーパターンの形成される
    位置の遮光層上に所定の段差を有する第２アラインキー
    パターンを同時に形成する段階と、 前記第２アラインキーパターンの形成されている結果物
    上にグリーンレジスト層を形成する段階と、 前記第２アラインキーパターンを利用し前記グリーンレ
    ジスト層をパタニングしグリーンレジストパターンとブ
    ルーレジストのアラインキーパターンの形成される位置
    のレッドレジストパターン上に所定の段差を有する第３
    アラインキーパターンを同時に形成する段階と、 前記第３アラインキーパターンの形成されている結果物
    上にブルーレジスト層を形成する段階と、 前記第３アラインキーパターンを使用し前記ブルーレジ
    スト層をパタニングしブルーレジストパターンを形成さ
    せる工程を具備してなることを特徴とするカラーフィル
    ター製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記レッドレジスト層をパタニングす
    る段階は、 前記第１アラインキーパターンに短波長レーザービーム
    を照射する段階と、 前記第１アラインキーパターンから前記短波長レーザー
    ビームの反射光を検出し信号を生成する段階と、 前記信号により前記レッドレジスト層を露光するための
    マスクをアラインする段階を含むことを特徴とする請求
    項１０記載のカラーフィルター製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記グリーンレジスト層をパタニング
    する段階は、 前記第２アラインキーパターンに短波長レーザービーム
    を照射する段階と、 前記第２アラインキーパターンの段差から前記短波長レ
    ーザービームの回折光を検出して信号を生成する段階
    と、 前記信号により前記グリーンレジスト層を露光するため
    のマスクをアラインする段階を含むことを特徴とする請
    求項１０記載のカラーフィルター製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記ブルーレジスト層をパタニングす
    る段階は、 前記第３アラインキーパターンに短波長レーザービーム
    を照射する段階と、 前記第３アラインキーパターンの段差から前記短波長レ
    ーザービームの回折光を検出して信号を生成する段階
    と、 前記信号により前記ブルーレジスト層を露光するための
    マスクをアラインする段階を含むことを特徴とする請求
    項１０記載のカラーフィルター製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第１アラインキーパターンは、ク
    ロムまたは酸化クロムより構成されていることを特徴と
    する請求項１０記載のカラーフィルター製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5953204A (en) * 1994-12-27 1999-09-14 Asahi Glass Company Ltd. Electric double layer capacitor
JP2007065665A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Asml Netherlands Bv デバイス製造方法、マスクおよびデバイス

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960003482B1 (ko) * 1992-12-14 1996-03-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치의 칼라 필터 제조방법
JP3422923B2 (ja) * 1998-01-26 2003-07-07 シャープ株式会社 カラーフィルタの製造方法およびアライメントマーク
JP3538073B2 (ja) * 1999-07-29 2004-06-14 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 Ｔｆｔを搭載する基板側に色層を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
EP1271243A3 (en) * 2001-06-19 2003-10-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image forming material, color filter master plate, and color filter
KR100483358B1 (ko) * 2001-09-07 2005-04-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100796486B1 (ko) * 2001-09-28 2008-01-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 제조방법
KR100469561B1 (ko) * 2002-12-24 2005-02-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 컬러필터 기판 제조 방법
US20050162400A1 (en) * 2004-01-23 2005-07-28 Au Optronics Corporation Position encoded sensing device and a method thereof
KR101385141B1 (ko) * 2008-04-21 2014-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 이의 제조방법
CN104777664A (zh) * 2015-04-28 2015-07-15 深圳市华星光电技术有限公司 黑色矩阵的制作方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS607764B2 (ja) * 1976-04-28 1985-02-27 キヤノン株式会社 走査型光検出装置
US4343878A (en) * 1981-01-02 1982-08-10 Amdahl Corporation System for providing photomask alignment keys in semiconductor integrated circuit processing
DE3305281A1 (de) * 1983-02-16 1984-08-16 Censor Patent- Und Versuchs-Anstalt, Vaduz Verfahren zum projektionskopieren von masken auf ein werkstueck
JPS60201628A (ja) * 1984-03-26 1985-10-12 Sharp Corp 半導体集積回路の製造方法
JPS60206136A (ja) * 1984-03-30 1985-10-17 Fujitsu Ltd マスク位置合わせ方法
JPS60233823A (ja) * 1984-05-07 1985-11-20 Hitachi Ltd フレネルゾ−ンタ−ゲツト
DE3534609A1 (de) * 1985-09-27 1987-04-02 Siemens Ag Verfahren zur automatisierten, unter verwendung von justiermarken erfolgender justierung mehrerer masken bei einem projektions-belichtungsverfahren
JPS6279619A (ja) * 1985-10-02 1987-04-13 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハアライメントマ−ク及びその形成方法
JPS62108206A (ja) * 1985-11-06 1987-05-19 Canon Inc カラ−フィルタ−の製造方法
JPS6326634A (ja) * 1986-07-18 1988-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
US4786148A (en) * 1986-12-10 1988-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Color filter having different primary color pigment densities, inter alia
US5262257A (en) * 1989-07-13 1993-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Mask for lithography
KR920005444B1 (ko) * 1989-12-02 1992-07-04 삼성전자 주식회사 칼라필터 및 그 제조방법
JPH03248414A (ja) * 1990-02-26 1991-11-06 Mitsubishi Electric Corp 選択的な表面反応を利用した微細パターンの形成方法
US5053299A (en) * 1990-05-25 1991-10-01 Eastman Kodak Company Method of making color filter arrays
KR920004861A (ko) * 1990-08-10 1992-03-28 김광호 컬러필터의 제조방법
US5059500A (en) * 1990-10-10 1991-10-22 Polaroid Corporation Process for forming a color filter
JP2752528B2 (ja) * 1991-04-11 1998-05-18 キヤノン株式会社 カラー液晶パネルの製造装置
JP2949391B2 (ja) * 1992-08-04 1999-09-13 日石三菱株式会社 カラーフィルターの製造法
KR960003482B1 (ko) * 1992-12-14 1996-03-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치의 칼라 필터 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5953204A (en) * 1994-12-27 1999-09-14 Asahi Glass Company Ltd. Electric double layer capacitor
JP2007065665A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Asml Netherlands Bv デバイス製造方法、マスクおよびデバイス
JP4658004B2 (ja) * 2005-08-30 2011-03-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． デバイス製造方法

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