NL8802760A - Detectieschakeling voor het waarnemen van de toestand van een smeltstuk. - Google Patents
Detectieschakeling voor het waarnemen van de toestand van een smeltstuk. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8802760A NL8802760A NL8802760A NL8802760A NL8802760A NL 8802760 A NL8802760 A NL 8802760A NL 8802760 A NL8802760 A NL 8802760A NL 8802760 A NL8802760 A NL 8802760A NL 8802760 A NL8802760 A NL 8802760A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- transistor
- circuit according
- melting
- connection
- transistors
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
- G11C17/18—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
- G01R31/74—Testing of fuses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/02—Details
- H02H3/04—Details with warning or supervision in addition to disconnection, e.g. for indicating that protective apparatus has functioned
- H02H3/046—Signalling the blowing of a fuse
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
ï ΐ Ί t Ν.Ο.35446 I ~t έ
Detectieschakeling voor het waarnemen van de toestand van een smelt-stuk
ACHTERGROND VAN DE UITVINDING
5 De regering heeft rechten op deze uitvinding conform kontrakt-nummer DNA001-83-C-0241 verleend door het Defensie Nucleaire Agentschap.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op het gebied van programmeerbare smeltstukschakelingen. Meer in het bijzonder heeft het be-10 trekking op een schakeling voor de detectie van de toestand van een smeltstuk, zoals een smeltgeleider.
Het is gebruikelijk in de vervaardiging van geïntegreerde schakelingen met een groot oppervlak dat er defekten optreden. Om het rendement van een schakeling te vergroten, is het gebruikelijk dat deze 15 redundante schakel ingeiementen bevat waarmee defekte schakel ingeiemen-ten vervangen kunnen worden. In geheugeninrichting kunnen bijvoorbeeld additionele kolommen of rijen opgenomen worden op de chip. Tijdens keuring van de schakeling, kunnen smeltstukken dan zo geconditioneerd worden dat zij defekte geheugencellen kunnen vervangen door niet-defekte 20 redundante elementen.
Een andere toepassing voor een detectieschakelsysteem voor het waarnemen van de toestand van een smeltstuk is als een ingang naar een logische functieschakeling. Gebaseerd op de toestand van een geprogrammeerde smeltstuk, zal de logische schakeling een geselecteerde logische 25 functie vervullen.
Gewone smeltstukken van een geïntegreerde schakeling zijn ofwel van het laser geblazen type, laser uitgegloeide type, ofwel van het elektrisch geblazen type. Ongeacht het gebruikte type smeltstuk, moet de te programmeren schakeling in staat zijn om de toestand van zijn 30 smeltstukken te detecteren zodat hij zijn bedoelde functie kan uitvoeren. De meeste conventionele detectieschakelingen voor een smeltstuk bevatten versterkings- of verzwakkingsschakelingen waarmee interne zwevende knooppunten geëlimineerd kunnen worden. Deze schakelingen zijn dikwijls complex, terwijl ze soms extra verwerkingsstappen vereisen.
35 Sommige van deze conventionele schakelingen maken het mogelijk dat er een gestadige stroom vloeit afhankelijk van de toestand van het smeltstuk, en bezitten daarom minimale vermogensvereisten.
SAMENVATTING VAN DE UITVINDING
40 De onderhavige uitvinding verschaft een detectieschakeling voor >8802760 ΐ 4 2 het waarnemen van de toestand van een smeltstuk. In de voorkeursuitvoering wordt de smeltstukstruktuur opgenomen in de schakeling zodat er een flipflop geproduceerd wordt» en wordt er CMOS-technologie toegepast om een laag energieverbruik te bereiken. De toestand van een smeltstuk 5 wordt inherent gedetecteerd wanneer de energietoevoer van een schakeling wordt opgevoerd, en er zijn geen klokpulsen nodig. De schakeling is functioneel stabiel en onafhankelijk van de gebruikte smeltveilig-heidstechnologie. De schakeling is ook inherent ongevoelig voor de ef-fekten van globaal of locaal ionizerende straling.
10
KORTE BESCHRIJVING VAN DE FIGUREN
Figuur 1 toont een schema van een schakeling volgens een voorkeursuitvoering van de onderhavige uitvinding;
Figuur 2 toont een schema van een schakeling volgens een andere 15 uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; en
Figuur 3 toont een schema van een schakeling volgens een derde uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
BESCHRIJVING VAN DE VOORKEURSUITVOERING 20 Figuur 1 is een gedetailleerd schematisch diagram van een program meerbare schakeling voor een smeltstuk volgens een voorkeursuitvoering van de onderhavige uitvinding. Een aansluitklem voor een positieve spanningstoevoer, Vqo, wordt aangesloten aan een aansluitklem van smeltveiligheid 1, aan de bron S van een p-kanaaltransistor QP en aan 25 een aansluitklem van een initialisatie-element, weergegeven als een condensator Cq. De andere aansluitklem van smeltstuk 1, knooppunt A, wordt aangesloten aan de afvoer D van een transistor QN en aan de poort van QP. De afvoer D, van QP, knooppunt B, wordt aangesloten aan de· poort van QN en aan de andere aansluitklem van het initialisatie- 30 element (Cq) en is ook Vu-t. De Bron S van QN wordt aangesloten aan aarde, Vgs· Smeltstuk 2 wordt in serie geschakeld tussen de poort van QN en aarde.
Het doel van het initialisatie-element is om de transistoren in te schakelen gedurende het opvoeren van de energietoevoer. Door een 35 stroompad te verschaffen tussen de poort van QN en de energietoevoer, of tussen de poort van QP en aarde gedurende opvoering van de energie toevoer, zullen de transistoren hun drempel spanning van de aan-toestand bereiken. Wanneer de transistoren eenmaal ingesteld zijn, zal de schakeling een stabiele toestand bereiken afhankelijk van de toestand van 4Q het smeltstuk vanwege een positieve terugkoppellus die later besproken .8802760 ϊ 3 * zal worden. Het initialisatie-element kan een condensator of andere inrichting zijn, zoals een transistor, die een stroompad verschaft gedurende het opvoeren van de energietoevoer van de schakeling. Zoals getoond in figuur 2, kan het initialisatie-element parallel aangebracht 5 worden met QN in plaats van parallel met QP zoals in figuur 1. Als alternatief kunnen er twee initialisatie-elementen gebruikt worden zoals getoond in figuur 3. De drie weergegeven uitvoeringsvormen van de schakeling zijn in hoofdzaak gelijk.
De juiste detectie van de toestand van een smeltveiligheid vereist 10 het juist functioneren van het (de) initialisatie-element(en) (zoals verder hieronder besproken). Daarom wordt er sterk de voorkeur aan gegeven om condensatoren Cc te gebruiken van het type dat als initialisa-tie-element(en) de meeste stabiliteit biedt in verschillende omgevingen. De dunne filmcondensator biedt in dit opzicht om twee redenen 15 meer stabiliteit dan de overgangscondensator.
Op de eerste plaats zal in een omgeving die electron-gatparen kan opwekken in bijvoorbeeld silicon (bijvoorbeeld als gevolg van straling of hitte), de resulterende stroom door de p-n-overgang van een overgangscondensator de nettocapaciteit reduceren of zelfs tenietdoen. Dit 20 is niet het geval met de dunne filmcondensator aangezien de dunne film-metaaleleketrode door een diëlektrische laag gescheiden wordt van het onderliggende gedoteerde halfgeleidergebied. Op de tweede plaats steunt de overgangscondensator op een ruimteladings- of depletiegebied nabij de overgang zodat er capaciteit verschaft wordt. De breedte van dit 25 overgangsgebied is een functie van de toegevoerde spanning en temperatuur. Daarentegen is de capaciteit van de dunne filmcondensator in hoofdzaak onafhankelijk van de toegevoerde spanning en de temperatuur.
Dunne filmcondensatoren kunnen zo afgesteld worden dat ze geselecteerde condensatorwaarden verschaffen.
30 In de voorkeursuitvoering van de onderhavige uitvinding zijn QN en QP MOStransistoren, typisch toegepast in een CMOS-technologie. De smeltstukken kunnen stroken zijn van geleidend polysilicon dat geblazen kan worden door een laser. In die geblazen, veranderen de smeltstukken van een geleidende toestand naar een niet geleidende toestand.
35 Voor juiste werking van de voorkeursuitvinding, moeten beide smeltstukken dezelfde toestand hebben; dat betekent: ofwel beide geleidend ofwel beide niet-geleidend.
In een normale werkingswijze, is aansluitklem Vqd aangesloten op een positieve spanningsbron van ongeveer 5 volt, en uitsluitklem 40 V$$ wordt aangesloten op een aardpotentiaal. Wanneer smeltstukken 1 .8802760
V
“ί 4 en 2 geleidend zijn, wordt knooppunt A aangesloten op de energiebron via smeltstuk 1 en wordt daarbij opgeladen tot een positieve spanning, die ervoor zorgt dat transistor QP minder geleidend wordt. Wanneer transistor QP minder geleidend wordt, neemt de spanning bij knooppunt B 5 af door de ontladende werking van smeltstuk 2 wat ervoor zorgt dat transistor QN minder geleidend wordt. Op dezelfde manier neemt, terwijl QN minder geleidend wordt, in knooppunt A de spanning toe hetgeen ervoor zorgt dat QP nog minder geleidend wordt, enzovoort. Deze positieve terugkoppellus heeft als gevolg dat zowel QP als QN volledig worden 10 uitgeschakeld,· waarbij de statische energietoevoerstroom gereduceerd wordt tot het niveau van parasitaire overgangslekkage en waarbij een knooppunt B en knooppunt A spanning uit wordt geproduceerd gelijk aan het aardpotentiaal, en resp. voedingsbronpotentiaal.
Voor het geval dat de smeltstukken geleidend zijn is, als het ge-15 leidingsvermogen van het smeltstuk groot wordt gemaakt in vergelijking tot de geleidbaarheid van QP en QN, de enige stabiele toestand voor de schakeling is dat knooppunt A gelijk is aan de voedingsbronspanning, en dat knooppunt B gelijk is aan het aardpotentiaal. Als er bijvoorbeeld polysilicon, dat een specifieke plaatweerstand heeft van 100 ohm per 20 vierkant wordt gebruikt als het smeltstukmateriaal, dan kan de ontwerper de weerstand van de smeltveiligheid kiezen door het aantal vierkan ten zodanig te variëren dat het smeltstuk geleidingsvermogen groter is dan het maximale geleidingsvermogen van de transistoren. Als de smelt-veil igheid 5 vierkanten lang is, is de totale smeltveiligheidsweerstand 25 500 ohm. De transistoren moeten een weerstand hebben die ruwweg twee tot vier keer groter is dan 500 ohm. De typische transistor zou dan een breedte- lengteverhouding hebben van minder dan 10. De exacte verhouding is afhankelijk van procesomstandigheden en moet zodanig gekozen worden dat hij past bij bijzondere fabricagewerkwijzen.
30 In het tegengestelde geval als de smeltveiligheden niet-geleidend zijn neemt, terwijl het energieverbruik van de schakeling wordt opgevoerd en Vgg toeneemt van af 0 volt, neemt knooppunt B spanning toe als gevolg van de werking van het initialisatie-element (bijvoorbeeld de capacitieve koppelwerking van condensator Cq met de energiebron 35 Vqd). Door het initialisatie-element aan te passen zodat er een knooppunt B-spanning geproduceerd wordt die voldoende is om ervoor te zorgen dat QN ingeschakeld wordt, ontlaadt knooppunt A hetgeen QP inschakelt, waarbij knooppunt B stijgt tot Vgg en de positieve terugkoppellus voltooid-wordt. Zowel QP als QN zullen ingeschakeld blijven 40 met een aanvoerstroom die bijna gelijk is aan 0 en knooppunt A en .8802760
V
5 '* knooppunt B resp. gelijk zijn aan de voedingsbronpotentiaal en aard-potentiaal. Omgekeerd zou deze zelfde initialisatie uitgevoerd kunnen worden door ontlading van knooppunt A zodat QP omgezet wordt. QP laadt dan knooppunt B op waarbij QN wordt ingeschakeld en waarbij de positie--5 ve terugkoppellus wordt voltooid.
Een functionele samenvatting wordt gegeven in tabel 1
Tabel 1
10 Toestand van smeltstuk 1 en 2 Iqd V
geleidend 0 V$$ Vqq niet-geleidend 0 V$$ 15
Het uitgangssignaal wordt afgenomen van de afvoerkoppeling van elke transistor. Ofwel V ofwel ofwel beiden kunnen gebruikt worden om een redundant schakel systeem te sturen. Zodoende produceren de in de figuren weergegeven flipflop of bistabiele detec-20 tieschakelingen voor een smeltstuk een uitgangsniveau van ofwel aarde of Vqd, afhankelijk van de toestand van de smeltstukken, zonder de noodzaak tot klokken, aanvullen of gelijkstroomenergieverbruik. De beschreven schakelingen zijn stabiel en hebben een functionaliteit die onafhankelijk is van de gebruikte smeltstuktechnologie.
25 De schakelingen zijn ook in hoge mate ongevoelig voor verstoring door een tijdafhankelijk stralingsverschijnsel, dat een lading produceert die opgenomen kan worden door schakelingsknooppunten. Als gevolg van het hoge geleidingsvermogen van de smeltstukken is er een zeer grote hoeveelheid straling vereist om de knooppuntspanningen beduidend te 30 veranderen. Wanneer de smeltstukken niet-geleidend zijn, is de inherente toestand van de schakeling zodanig dat er geen halfgeleider p-n-overgangen omgekeerd worden voorgespannen. Omdat de opname van lading als gevolg van straling dikwijls de omgekeerde spanning op een p-n-overgang vermindert, versterkt elke ladingsopname die uit een stra-35 lingsverschijnsel resulteert slechts de toestand van de schakeling, en knooppunten A en B zijn daarom inherent stabiel. Zodoende zijn de schakelingen inherent ongevoelig voor voorbijgaande ioniserende straling.
.8802760
Claims (13)
1. Schakel inrichting voor het waarnemen van de toestand van twee smeltstukverbindingen, in het bijzonder in geïntegreerde schakel- 5 kringen of logische schakelingen, met het kenmerk, dat aan ingangs-klemmen (VDD, VSS) van de schakeling een voedings gelijkspanning is gelegd en aan met de smeltstukverbindingen (1, 2) evenals met de ingangs-klemmen verbonden uitgangsklemmen (V, V) een eerste vastgesteld signaal aanwezig is, wanneer beide smeltstukverbindingen geleidend zijn, en een 10 tweede vastgesteld signaal aanwezig is, wanneer beide smeltstukverbindingen niet stroomgeleidend zijn.
2. Schakeling volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat hij twee, samen met de smeltstukverbindingen (1, 2) een flipflop-schakeling vormende transistoren (QP, QN) evenals ten minste een met een van de 15 transistoren parallel geschakeld initialisatie-element (Cc) bezit.
3. Schakeling volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het initialisatie-element (Cc) een condensator is.
4. Schakeling volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de condensator (Cc) een metaallaag bezit, die door een isoleerlaag van een daar- 20 onder liggende gedoteerde halfgeleiderzone gescheiden is.
5. Schakeling volgens een van de conclusies 1 tot 4, met het kenmerk, dat de smeltstukverbindingen (1, 2) uit geleidend polysilicon bestaan.
6. Schakeling volgens een van de conclusies 1 tot 5, met het 25 kenmerk, dat de ene transistor (QP) een p-kanaal-MOS-transistor en de andere transistor (QN) een n-knaal-MOS-transistor is.
7. Schakeling volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de transistoren CMOS-transistoren zijn.
8. Schakeling volgens een van de conclusies 1 tot en met 7, 30 gekenmerkt door a) een aan een eerste voedingsspaningsaansluiting (VDD) aangesloten eerste ingangsklem evenals een aan een tweede voedingsspannings-aansluiting (VSS) aangesloten tweede ingangsklem; b) een uit de eerste smeltstukverbinding (1) en een eerste transistor 35 (QN) bestaande, tussen de beide voedingsaansluitingen geschakelde eerste serieschakeling; c) een uit een tweede transistor (QP) en de tweede smeltstukverbinding (2) bestaande, eveneens tussen de beide voedingsaansluitingen geschakelde tweede serieschakeling; 40 d) een eerste elektrische verbinding tussen het verbindingspunt (A) »8802760 * 7 e van een eerste transistor CQN) en een eerste smeltstukverbinding (1) enerzijds en de stuurelektrode van de tweede transistor (QP) anderzijds; e) een tweede elektrische verbinding tussen het verbindingspunt (B) 5 van de tweede transitor (QP) en de tweede smeltstukverbinding (2) enerzijds en de stuurelektrode van de eerste transistor (QN) anderzijds.
9. Schakeling volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat een eerste uitgangsklem (V) aan de eerste elektrische verbinding en een tweede 10 uitgangsklem (V) aan de tweede elektrische verbinding aangesloten is.
10. Schakeling volgens conclusie 9, waarbij elke transistor een bronelektrode (S), een afvoerelektrode (D) evenals een stuurelektrode bezit, met het kenmerk dat a) de afvoerelektrode (D) van de eerste transistor (QN) op de stuur-15 elektrode van de tweede transistor (QP) en de afvoerelektrode (0) van de tweede transistor (QP) op de stuurelektrode van de eerste transistor (QN) aangesloten is; b) de eerste smeltstukverbinding (1) tussen bronelektrode ($) en de stuurelektrode van de tweede transistor (QP) en de tweede smelt- 20 stukverbinding (2) tussen bronelektrode (S) en de stuurelektrode van de eerste transistor (QN) ligt; c) De positieve pool (VDD) van de voedingsspanning met de bronelektrode (S) van de tweede transistor (QP) en aardpotentiaal (VSS) met de bronelektrode (S) van de eerste transistor (QN) in verbin- 25 ding staat.
11. Schakeling volgens conclusie 10, met het kenmerk dat de uit-gangsklemmen (V, V) aan de afvoerelektroden (D) van de beide transisto-ren (QN, QP) aangesloten zijn.
12. Schakeling volgens een van de conclusies 1 tot 11, met het 30 kenmerk, dat het eerste vooraf bepaalde uitgangssignaal praktisch overeenkomt met de potentiaal van de ene voedingsspanningaansluitklem (VDD) en het tweede vooraf bepaalde uitgangssignaal praktisch overeenkomt met de potentiaal van de andere voedingsspanningaansluitingsklem (VSS).
13. Schakeling volgens een van de conclusies 2 tot 12, met het 35 kenmerk dat met elk van de beide transistoren (QN, QP) een initialisa- tie-element, bij voorkeur een condensator (Cc) in serie geschakeld is. .8802760
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/129,891 US4837520A (en) | 1985-03-29 | 1987-11-12 | Fuse status detection circuit |
US12989187 | 1987-11-12 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8802760A true NL8802760A (nl) | 1989-06-01 |
NL193349B NL193349B (nl) | 1999-03-01 |
NL193349C NL193349C (nl) | 1999-07-02 |
Family
ID=22442077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8802760A NL193349C (nl) | 1987-11-12 | 1988-11-09 | Detectieschakeling voor het detecteren van de toestand van twee smeltstukverbindingen. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4837520A (nl) |
JP (1) | JP2628359B2 (nl) |
KR (1) | KR960001304B1 (nl) |
DE (1) | DE3837800A1 (nl) |
NL (1) | NL193349C (nl) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4908525A (en) * | 1989-02-03 | 1990-03-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Cut-only CMOS switch for discretionary connect and disconnect |
DE58908287D1 (de) * | 1989-06-30 | 1994-10-06 | Siemens Ag | Integrierte Schaltungsanordnung. |
JPH03225868A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子とそれを用いた撮像装置 |
US5163168A (en) * | 1990-03-30 | 1992-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pulse signal generator and redundancy selection signal generator |
US5208775A (en) * | 1990-09-07 | 1993-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dual-port memory device |
US5051691A (en) * | 1990-09-13 | 1991-09-24 | Samsung Semiconductor, Inc. | Zero power dissipation laser fuse signature circuit for redundancy in vlsi design |
US5334880A (en) * | 1991-04-30 | 1994-08-02 | International Business Machines Corporation | Low voltage programmable storage element |
JPH0575031A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
FR2684206B1 (fr) * | 1991-11-25 | 1994-01-07 | Sgs Thomson Microelectronics Sa | Circuit de lecture de fusible de redondance pour memoire integree. |
JP3362873B2 (ja) * | 1992-08-21 | 2003-01-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5440246A (en) * | 1994-03-22 | 1995-08-08 | Mosel Vitelic, Incorporated | Programmable circuit with fusible latch |
US6191928B1 (en) | 1994-05-27 | 2001-02-20 | Littelfuse, Inc. | Surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components |
US5790008A (en) * | 1994-05-27 | 1998-08-04 | Littlefuse, Inc. | Surface-mounted fuse device with conductive terminal pad layers and groove on side surfaces |
US5974661A (en) * | 1994-05-27 | 1999-11-02 | Littelfuse, Inc. | Method of manufacturing a surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components |
US5552757A (en) * | 1994-05-27 | 1996-09-03 | Littelfuse, Inc. | Surface-mounted fuse device |
US5959445A (en) * | 1995-09-29 | 1999-09-28 | Intel Corporation | Static, high-sensitivity, fuse-based storage cell |
US5789970A (en) * | 1995-09-29 | 1998-08-04 | Intel Corporation | Static, low current, low voltage sensing circuit for sensing the state of a fuse device |
US5731733A (en) * | 1995-09-29 | 1998-03-24 | Intel Corporation | Static, low current sensing circuit for sensing the state of a fuse device |
US5699032A (en) * | 1996-06-07 | 1997-12-16 | Littelfuse, Inc. | Surface-mount fuse having a substrate with surfaces and a metal strip attached to the substrate using layer of adhesive material |
US5977860A (en) * | 1996-06-07 | 1999-11-02 | Littelfuse, Inc. | Surface-mount fuse and the manufacture thereof |
DE19631130C2 (de) * | 1996-08-01 | 2000-08-17 | Siemens Ag | Fuse-Refresh-Schaltung |
US5731734A (en) * | 1996-10-07 | 1998-03-24 | Atmel Corporation | Zero power fuse circuit |
US5889414A (en) * | 1997-04-28 | 1999-03-30 | Mosel Vitelic Corporation | Programmable circuits |
US5896059A (en) * | 1997-05-09 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Decoupling capacitor fuse system |
GB2325527B (en) * | 1997-05-23 | 2002-03-27 | Texas Instruments Ltd | Detecting the state of an electrical conductor |
JPH10332786A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
KR100425441B1 (ko) * | 1997-06-23 | 2004-05-24 | 삼성전자주식회사 | 비 메모리를 위한 퓨징 장치 및 방법 |
US5999037A (en) * | 1997-07-31 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Circuit for operating a control transistor from a fusible link |
US6014052A (en) * | 1997-09-29 | 2000-01-11 | Lsi Logic Corporation | Implementation of serial fusible links |
US5999038A (en) * | 1998-09-24 | 1999-12-07 | Atmel Corporation | Fuse circuit having zero power draw for partially blown condition |
US6084803A (en) * | 1998-10-23 | 2000-07-04 | Mosel Vitelic, Inc. | Initialization of non-volatile programmable latches in circuits in which an initialization operation is performed |
US6163492A (en) | 1998-10-23 | 2000-12-19 | Mosel Vitelic, Inc. | Programmable latches that include non-volatile programmable elements |
JP2001307480A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
US6671834B1 (en) | 2000-07-18 | 2003-12-30 | Micron Technology, Inc. | Memory redundancy with programmable non-volatile control |
US7034652B2 (en) * | 2001-07-10 | 2006-04-25 | Littlefuse, Inc. | Electrostatic discharge multifunction resistor |
CN1541437A (zh) * | 2001-07-10 | 2004-10-27 | 力特保险丝有限公司 | 网络设备用静电放电装置 |
FR2836752A1 (fr) * | 2002-02-11 | 2003-09-05 | St Microelectronics Sa | Cellule memoire a programmation unique |
US6878004B2 (en) * | 2002-03-04 | 2005-04-12 | Littelfuse, Inc. | Multi-element fuse array |
US7132922B2 (en) * | 2002-04-08 | 2006-11-07 | Littelfuse, Inc. | Direct application voltage variable material, components thereof and devices employing same |
CN100350606C (zh) * | 2002-04-08 | 2007-11-21 | 力特保险丝有限公司 | 使用压变材料的装置 |
US7183891B2 (en) * | 2002-04-08 | 2007-02-27 | Littelfuse, Inc. | Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices |
WO2005053993A2 (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Littelfuse, Inc. | Vehicle electrical protection device and system employing same |
US6995601B2 (en) * | 2004-01-14 | 2006-02-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fuse state detection circuit |
US8134445B2 (en) * | 2004-04-20 | 2012-03-13 | Cooper Technologies Company | RFID open fuse indicator, system, and method |
US7369029B2 (en) * | 2004-04-20 | 2008-05-06 | Cooper Technologies Company | Wireless communication fuse state indicator system and method |
US20070194942A1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-08-23 | Darr Matthew R | Circuit protector monitoring assembly, system and method |
US8169331B2 (en) * | 2004-09-10 | 2012-05-01 | Cooper Technologies Company | Circuit protector monitoring assembly |
BRPI0515159A (pt) * | 2004-09-10 | 2008-07-08 | Cooper Technologies Co | sistema e método para monitoramento e gerenciamento protetor de circuito |
JP4584658B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2010-11-24 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
US20060087397A1 (en) * | 2004-10-26 | 2006-04-27 | Cooper Technologies Company | Fuse state indicating optical circuit and system |
US20060232904A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Supply voltage independent sensing circuit for electrical fuses |
US7276955B2 (en) * | 2005-04-14 | 2007-10-02 | Micron Technology, Inc. | Circuit and method for stable fuse detection |
US7983024B2 (en) * | 2007-04-24 | 2011-07-19 | Littelfuse, Inc. | Fuse card system for automotive circuit protection |
US8963590B2 (en) * | 2007-06-13 | 2015-02-24 | Honeywell International Inc. | Power cycling power on reset circuit for fuse initialization circuitry |
JP5458236B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2014-04-02 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 電気ヒューズ判定回路及び判定方法 |
US20090161470A1 (en) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Micron Technology, Inc. | Circuit for dynamic readout of fused data in image sensors |
DE102008048830B4 (de) * | 2008-09-25 | 2010-11-04 | Austriamicrosystems Ag | Schaltungsanordnung mit Schmelzsicherung und Verfahren zum Ermitteln eines Zustands einer Schmelzsicherung |
TWM424608U (en) * | 2011-11-04 | 2012-03-11 | Richtek Technology Corp | Fuse circuit for final test trimming of integrated circuit chip |
KR20140085245A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 퓨즈 센싱 회로를 갖는 반도체 장치 |
US9583297B2 (en) * | 2014-04-04 | 2017-02-28 | Eaton Corporation | Remote fuse operation indicator assemblies and related systems and methods |
US10360988B2 (en) | 2016-11-02 | 2019-07-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for protection against inadvertent programming of fuse cells |
US10255982B2 (en) * | 2016-11-02 | 2019-04-09 | Skyworks Solutions, Inc. | Accidental fuse programming protection circuits |
KR20190086948A (ko) | 2018-01-15 | 2019-07-24 | 주식회사 카라신 | 간이침대 고정형 침낭 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0083031A2 (en) * | 1981-12-17 | 1983-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device having a programming circuit |
US4613959A (en) * | 1984-01-06 | 1986-09-23 | Thomson Components-Mostek Corportion | Zero power CMOS redundancy circuit |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2230753C2 (de) * | 1972-06-23 | 1983-10-27 | Lucien Ferraz & Cie. S.A., 69003 Lyon | Schaltung zur Zustandskontrolle einer elektrischen Sicherung |
US3872450A (en) * | 1973-06-21 | 1975-03-18 | Motorola Inc | Fusible link memory cell for a programmable read only memory |
GB1553250A (en) * | 1976-08-03 | 1979-09-26 | Nat Res Dev | Unidirectional signal paths |
US4346459A (en) * | 1980-06-30 | 1982-08-24 | Inmos Corporation | Redundancy scheme for an MOS memory |
US4446534A (en) * | 1980-12-08 | 1984-05-01 | National Semiconductor Corporation | Programmable fuse circuit |
US4532607A (en) * | 1981-07-22 | 1985-07-30 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Programmable circuit including a latch to store a fuse's state |
US4417154A (en) * | 1982-02-08 | 1983-11-22 | Motorola, Inc. | Circuit for applying a high voltage signal to a fusible link |
FR2526225B1 (fr) * | 1982-04-30 | 1985-11-08 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation d'un condensateur integre, et dispositif ainsi obtenu |
JPS6015946A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-26 | Hitachi Ltd | 集積回路 |
US4590388A (en) * | 1984-04-23 | 1986-05-20 | At&T Bell Laboratories | CMOS spare decoder circuit |
-
1987
- 1987-11-12 US US07/129,891 patent/US4837520A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-08 DE DE3837800A patent/DE3837800A1/de not_active Ceased
- 1988-11-09 NL NL8802760A patent/NL193349C/nl not_active IP Right Cessation
- 1988-11-11 JP JP63285578A patent/JP2628359B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-12 KR KR1019880014896A patent/KR960001304B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0083031A2 (en) * | 1981-12-17 | 1983-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device having a programming circuit |
US4613959A (en) * | 1984-01-06 | 1986-09-23 | Thomson Components-Mostek Corportion | Zero power CMOS redundancy circuit |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
W. RITMANICH: "Understand the limits of passive analog IC components", ELECTRICAL DESIGN NEWS, vol. 30, no. 23, October 1985 (1985-10-01), NEWTON, MASSACHUSETTS, USA, pages 155 - 158, XP000096730 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960001304B1 (ko) | 1996-01-25 |
KR890008849A (ko) | 1989-07-12 |
DE3837800A1 (de) | 1989-05-24 |
JPH021145A (ja) | 1990-01-05 |
JP2628359B2 (ja) | 1997-07-09 |
US4837520A (en) | 1989-06-06 |
NL193349B (nl) | 1999-03-01 |
NL193349C (nl) | 1999-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL8802760A (nl) | Detectieschakeling voor het waarnemen van de toestand van een smeltstuk. | |
KR950010870B1 (ko) | 반도체 집적회로 | |
US7978540B2 (en) | Extraction of a binary code based on physical parameters of an integrated circuit via programming resistors | |
US6965503B2 (en) | Electro-static discharge protection circuit | |
US7502264B2 (en) | On-chip EE-PROM programming waveform generation | |
JPH0951266A (ja) | 基板電圧を所望の値に維持するための回路及び方法 | |
US20090002119A1 (en) | Fuse sensing scheme | |
US4855613A (en) | Wafer scale integration semiconductor device having improved chip power-supply connection arrangement | |
US20090219746A1 (en) | Circuit Arrangement Comprising a Non-Volatile Memory Cell and Method | |
US20020141273A1 (en) | Address generating circuit | |
US20080150593A1 (en) | Power-On Reset Circuit | |
US5812001A (en) | Power-on reset circuit for resetting semiconductor integrated circuit | |
JPS6238026A (ja) | パワ−オンリセツト回路構成 | |
US4786828A (en) | Bias scheme for achieving voltage independent capacitance | |
US6414536B1 (en) | Electrically adjustable CMOS integrated voltage reference circuit | |
JP2006012211A (ja) | 半導体集積回路 | |
EP0053653A1 (en) | A voltage-temperature insensitive on-chip reference voltage source compatible with VLSI manufacturing techniques | |
US4594688A (en) | Power supply circuit for flip-flop memory | |
US3876887A (en) | Mos amplifier | |
US6775165B2 (en) | Current switching sensor detector | |
US4320312A (en) | Smaller memory cells and logic circuits | |
KR19980024247A (ko) | 전류 모드 센스 증폭기 | |
US6215170B1 (en) | Structure for single conductor acting as ground and capacitor plate electrode using reduced area | |
US6724676B1 (en) | Soft error improvement for latches | |
US5212413A (en) | Stable, programmable low-dissipation reference circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
CNR | Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection) |
Free format text: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
|
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Effective date: 20081109 |