NL8802760A - Detectieschakeling voor het waarnemen van de toestand van een smeltstuk. - Google Patents

Detectieschakeling voor het waarnemen van de toestand van een smeltstuk. Download PDF

Info

Publication number
NL8802760A
NL8802760A NL8802760A NL8802760A NL8802760A NL 8802760 A NL8802760 A NL 8802760A NL 8802760 A NL8802760 A NL 8802760A NL 8802760 A NL8802760 A NL 8802760A NL 8802760 A NL8802760 A NL 8802760A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
transistor
circuit according
melting
connection
transistors
Prior art date
Application number
NL8802760A
Other languages
English (en)
Other versions
NL193349B (nl
NL193349C (nl
Original Assignee
Honeywell Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honeywell Inc filed Critical Honeywell Inc
Publication of NL8802760A publication Critical patent/NL8802760A/nl
Publication of NL193349B publication Critical patent/NL193349B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL193349C publication Critical patent/NL193349C/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/14Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
    • G11C17/18Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/50Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
    • G01R31/74Testing of fuses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/02Details
    • H02H3/04Details with warning or supervision in addition to disconnection, e.g. for indicating that protective apparatus has functioned
    • H02H3/046Signalling the blowing of a fuse

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

ï ΐ Ί t Ν.Ο.35446 I ~t έ
Detectieschakeling voor het waarnemen van de toestand van een smelt-stuk
ACHTERGROND VAN DE UITVINDING
5 De regering heeft rechten op deze uitvinding conform kontrakt-nummer DNA001-83-C-0241 verleend door het Defensie Nucleaire Agentschap.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op het gebied van programmeerbare smeltstukschakelingen. Meer in het bijzonder heeft het be-10 trekking op een schakeling voor de detectie van de toestand van een smeltstuk, zoals een smeltgeleider.
Het is gebruikelijk in de vervaardiging van geïntegreerde schakelingen met een groot oppervlak dat er defekten optreden. Om het rendement van een schakeling te vergroten, is het gebruikelijk dat deze 15 redundante schakel ingeiementen bevat waarmee defekte schakel ingeiemen-ten vervangen kunnen worden. In geheugeninrichting kunnen bijvoorbeeld additionele kolommen of rijen opgenomen worden op de chip. Tijdens keuring van de schakeling, kunnen smeltstukken dan zo geconditioneerd worden dat zij defekte geheugencellen kunnen vervangen door niet-defekte 20 redundante elementen.
Een andere toepassing voor een detectieschakelsysteem voor het waarnemen van de toestand van een smeltstuk is als een ingang naar een logische functieschakeling. Gebaseerd op de toestand van een geprogrammeerde smeltstuk, zal de logische schakeling een geselecteerde logische 25 functie vervullen.
Gewone smeltstukken van een geïntegreerde schakeling zijn ofwel van het laser geblazen type, laser uitgegloeide type, ofwel van het elektrisch geblazen type. Ongeacht het gebruikte type smeltstuk, moet de te programmeren schakeling in staat zijn om de toestand van zijn 30 smeltstukken te detecteren zodat hij zijn bedoelde functie kan uitvoeren. De meeste conventionele detectieschakelingen voor een smeltstuk bevatten versterkings- of verzwakkingsschakelingen waarmee interne zwevende knooppunten geëlimineerd kunnen worden. Deze schakelingen zijn dikwijls complex, terwijl ze soms extra verwerkingsstappen vereisen.
35 Sommige van deze conventionele schakelingen maken het mogelijk dat er een gestadige stroom vloeit afhankelijk van de toestand van het smeltstuk, en bezitten daarom minimale vermogensvereisten.
SAMENVATTING VAN DE UITVINDING
40 De onderhavige uitvinding verschaft een detectieschakeling voor >8802760 ΐ 4 2 het waarnemen van de toestand van een smeltstuk. In de voorkeursuitvoering wordt de smeltstukstruktuur opgenomen in de schakeling zodat er een flipflop geproduceerd wordt» en wordt er CMOS-technologie toegepast om een laag energieverbruik te bereiken. De toestand van een smeltstuk 5 wordt inherent gedetecteerd wanneer de energietoevoer van een schakeling wordt opgevoerd, en er zijn geen klokpulsen nodig. De schakeling is functioneel stabiel en onafhankelijk van de gebruikte smeltveilig-heidstechnologie. De schakeling is ook inherent ongevoelig voor de ef-fekten van globaal of locaal ionizerende straling.
10
KORTE BESCHRIJVING VAN DE FIGUREN
Figuur 1 toont een schema van een schakeling volgens een voorkeursuitvoering van de onderhavige uitvinding;
Figuur 2 toont een schema van een schakeling volgens een andere 15 uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding; en
Figuur 3 toont een schema van een schakeling volgens een derde uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
BESCHRIJVING VAN DE VOORKEURSUITVOERING 20 Figuur 1 is een gedetailleerd schematisch diagram van een program meerbare schakeling voor een smeltstuk volgens een voorkeursuitvoering van de onderhavige uitvinding. Een aansluitklem voor een positieve spanningstoevoer, Vqo, wordt aangesloten aan een aansluitklem van smeltveiligheid 1, aan de bron S van een p-kanaaltransistor QP en aan 25 een aansluitklem van een initialisatie-element, weergegeven als een condensator Cq. De andere aansluitklem van smeltstuk 1, knooppunt A, wordt aangesloten aan de afvoer D van een transistor QN en aan de poort van QP. De afvoer D, van QP, knooppunt B, wordt aangesloten aan de· poort van QN en aan de andere aansluitklem van het initialisatie- 30 element (Cq) en is ook Vu-t. De Bron S van QN wordt aangesloten aan aarde, Vgs· Smeltstuk 2 wordt in serie geschakeld tussen de poort van QN en aarde.
Het doel van het initialisatie-element is om de transistoren in te schakelen gedurende het opvoeren van de energietoevoer. Door een 35 stroompad te verschaffen tussen de poort van QN en de energietoevoer, of tussen de poort van QP en aarde gedurende opvoering van de energie toevoer, zullen de transistoren hun drempel spanning van de aan-toestand bereiken. Wanneer de transistoren eenmaal ingesteld zijn, zal de schakeling een stabiele toestand bereiken afhankelijk van de toestand van 4Q het smeltstuk vanwege een positieve terugkoppellus die later besproken .8802760 ϊ 3 * zal worden. Het initialisatie-element kan een condensator of andere inrichting zijn, zoals een transistor, die een stroompad verschaft gedurende het opvoeren van de energietoevoer van de schakeling. Zoals getoond in figuur 2, kan het initialisatie-element parallel aangebracht 5 worden met QN in plaats van parallel met QP zoals in figuur 1. Als alternatief kunnen er twee initialisatie-elementen gebruikt worden zoals getoond in figuur 3. De drie weergegeven uitvoeringsvormen van de schakeling zijn in hoofdzaak gelijk.
De juiste detectie van de toestand van een smeltveiligheid vereist 10 het juist functioneren van het (de) initialisatie-element(en) (zoals verder hieronder besproken). Daarom wordt er sterk de voorkeur aan gegeven om condensatoren Cc te gebruiken van het type dat als initialisa-tie-element(en) de meeste stabiliteit biedt in verschillende omgevingen. De dunne filmcondensator biedt in dit opzicht om twee redenen 15 meer stabiliteit dan de overgangscondensator.
Op de eerste plaats zal in een omgeving die electron-gatparen kan opwekken in bijvoorbeeld silicon (bijvoorbeeld als gevolg van straling of hitte), de resulterende stroom door de p-n-overgang van een overgangscondensator de nettocapaciteit reduceren of zelfs tenietdoen. Dit 20 is niet het geval met de dunne filmcondensator aangezien de dunne film-metaaleleketrode door een diëlektrische laag gescheiden wordt van het onderliggende gedoteerde halfgeleidergebied. Op de tweede plaats steunt de overgangscondensator op een ruimteladings- of depletiegebied nabij de overgang zodat er capaciteit verschaft wordt. De breedte van dit 25 overgangsgebied is een functie van de toegevoerde spanning en temperatuur. Daarentegen is de capaciteit van de dunne filmcondensator in hoofdzaak onafhankelijk van de toegevoerde spanning en de temperatuur.
Dunne filmcondensatoren kunnen zo afgesteld worden dat ze geselecteerde condensatorwaarden verschaffen.
30 In de voorkeursuitvoering van de onderhavige uitvinding zijn QN en QP MOStransistoren, typisch toegepast in een CMOS-technologie. De smeltstukken kunnen stroken zijn van geleidend polysilicon dat geblazen kan worden door een laser. In die geblazen, veranderen de smeltstukken van een geleidende toestand naar een niet geleidende toestand.
35 Voor juiste werking van de voorkeursuitvinding, moeten beide smeltstukken dezelfde toestand hebben; dat betekent: ofwel beide geleidend ofwel beide niet-geleidend.
In een normale werkingswijze, is aansluitklem Vqd aangesloten op een positieve spanningsbron van ongeveer 5 volt, en uitsluitklem 40 V$$ wordt aangesloten op een aardpotentiaal. Wanneer smeltstukken 1 .8802760
V
“ί 4 en 2 geleidend zijn, wordt knooppunt A aangesloten op de energiebron via smeltstuk 1 en wordt daarbij opgeladen tot een positieve spanning, die ervoor zorgt dat transistor QP minder geleidend wordt. Wanneer transistor QP minder geleidend wordt, neemt de spanning bij knooppunt B 5 af door de ontladende werking van smeltstuk 2 wat ervoor zorgt dat transistor QN minder geleidend wordt. Op dezelfde manier neemt, terwijl QN minder geleidend wordt, in knooppunt A de spanning toe hetgeen ervoor zorgt dat QP nog minder geleidend wordt, enzovoort. Deze positieve terugkoppellus heeft als gevolg dat zowel QP als QN volledig worden 10 uitgeschakeld,· waarbij de statische energietoevoerstroom gereduceerd wordt tot het niveau van parasitaire overgangslekkage en waarbij een knooppunt B en knooppunt A spanning uit wordt geproduceerd gelijk aan het aardpotentiaal, en resp. voedingsbronpotentiaal.
Voor het geval dat de smeltstukken geleidend zijn is, als het ge-15 leidingsvermogen van het smeltstuk groot wordt gemaakt in vergelijking tot de geleidbaarheid van QP en QN, de enige stabiele toestand voor de schakeling is dat knooppunt A gelijk is aan de voedingsbronspanning, en dat knooppunt B gelijk is aan het aardpotentiaal. Als er bijvoorbeeld polysilicon, dat een specifieke plaatweerstand heeft van 100 ohm per 20 vierkant wordt gebruikt als het smeltstukmateriaal, dan kan de ontwerper de weerstand van de smeltveiligheid kiezen door het aantal vierkan ten zodanig te variëren dat het smeltstuk geleidingsvermogen groter is dan het maximale geleidingsvermogen van de transistoren. Als de smelt-veil igheid 5 vierkanten lang is, is de totale smeltveiligheidsweerstand 25 500 ohm. De transistoren moeten een weerstand hebben die ruwweg twee tot vier keer groter is dan 500 ohm. De typische transistor zou dan een breedte- lengteverhouding hebben van minder dan 10. De exacte verhouding is afhankelijk van procesomstandigheden en moet zodanig gekozen worden dat hij past bij bijzondere fabricagewerkwijzen.
30 In het tegengestelde geval als de smeltveiligheden niet-geleidend zijn neemt, terwijl het energieverbruik van de schakeling wordt opgevoerd en Vgg toeneemt van af 0 volt, neemt knooppunt B spanning toe als gevolg van de werking van het initialisatie-element (bijvoorbeeld de capacitieve koppelwerking van condensator Cq met de energiebron 35 Vqd). Door het initialisatie-element aan te passen zodat er een knooppunt B-spanning geproduceerd wordt die voldoende is om ervoor te zorgen dat QN ingeschakeld wordt, ontlaadt knooppunt A hetgeen QP inschakelt, waarbij knooppunt B stijgt tot Vgg en de positieve terugkoppellus voltooid-wordt. Zowel QP als QN zullen ingeschakeld blijven 40 met een aanvoerstroom die bijna gelijk is aan 0 en knooppunt A en .8802760
V
5 '* knooppunt B resp. gelijk zijn aan de voedingsbronpotentiaal en aard-potentiaal. Omgekeerd zou deze zelfde initialisatie uitgevoerd kunnen worden door ontlading van knooppunt A zodat QP omgezet wordt. QP laadt dan knooppunt B op waarbij QN wordt ingeschakeld en waarbij de positie--5 ve terugkoppellus wordt voltooid.
Een functionele samenvatting wordt gegeven in tabel 1
Tabel 1
10 Toestand van smeltstuk 1 en 2 Iqd V
geleidend 0 V$$ Vqq niet-geleidend 0 V$$ 15
Het uitgangssignaal wordt afgenomen van de afvoerkoppeling van elke transistor. Ofwel V ofwel ofwel beiden kunnen gebruikt worden om een redundant schakel systeem te sturen. Zodoende produceren de in de figuren weergegeven flipflop of bistabiele detec-20 tieschakelingen voor een smeltstuk een uitgangsniveau van ofwel aarde of Vqd, afhankelijk van de toestand van de smeltstukken, zonder de noodzaak tot klokken, aanvullen of gelijkstroomenergieverbruik. De beschreven schakelingen zijn stabiel en hebben een functionaliteit die onafhankelijk is van de gebruikte smeltstuktechnologie.
25 De schakelingen zijn ook in hoge mate ongevoelig voor verstoring door een tijdafhankelijk stralingsverschijnsel, dat een lading produceert die opgenomen kan worden door schakelingsknooppunten. Als gevolg van het hoge geleidingsvermogen van de smeltstukken is er een zeer grote hoeveelheid straling vereist om de knooppuntspanningen beduidend te 30 veranderen. Wanneer de smeltstukken niet-geleidend zijn, is de inherente toestand van de schakeling zodanig dat er geen halfgeleider p-n-overgangen omgekeerd worden voorgespannen. Omdat de opname van lading als gevolg van straling dikwijls de omgekeerde spanning op een p-n-overgang vermindert, versterkt elke ladingsopname die uit een stra-35 lingsverschijnsel resulteert slechts de toestand van de schakeling, en knooppunten A en B zijn daarom inherent stabiel. Zodoende zijn de schakelingen inherent ongevoelig voor voorbijgaande ioniserende straling.
.8802760

Claims (13)

1. Schakel inrichting voor het waarnemen van de toestand van twee smeltstukverbindingen, in het bijzonder in geïntegreerde schakel- 5 kringen of logische schakelingen, met het kenmerk, dat aan ingangs-klemmen (VDD, VSS) van de schakeling een voedings gelijkspanning is gelegd en aan met de smeltstukverbindingen (1, 2) evenals met de ingangs-klemmen verbonden uitgangsklemmen (V, V) een eerste vastgesteld signaal aanwezig is, wanneer beide smeltstukverbindingen geleidend zijn, en een 10 tweede vastgesteld signaal aanwezig is, wanneer beide smeltstukverbindingen niet stroomgeleidend zijn.
2. Schakeling volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat hij twee, samen met de smeltstukverbindingen (1, 2) een flipflop-schakeling vormende transistoren (QP, QN) evenals ten minste een met een van de 15 transistoren parallel geschakeld initialisatie-element (Cc) bezit.
3. Schakeling volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het initialisatie-element (Cc) een condensator is.
4. Schakeling volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de condensator (Cc) een metaallaag bezit, die door een isoleerlaag van een daar- 20 onder liggende gedoteerde halfgeleiderzone gescheiden is.
5. Schakeling volgens een van de conclusies 1 tot 4, met het kenmerk, dat de smeltstukverbindingen (1, 2) uit geleidend polysilicon bestaan.
6. Schakeling volgens een van de conclusies 1 tot 5, met het 25 kenmerk, dat de ene transistor (QP) een p-kanaal-MOS-transistor en de andere transistor (QN) een n-knaal-MOS-transistor is.
7. Schakeling volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de transistoren CMOS-transistoren zijn.
8. Schakeling volgens een van de conclusies 1 tot en met 7, 30 gekenmerkt door a) een aan een eerste voedingsspaningsaansluiting (VDD) aangesloten eerste ingangsklem evenals een aan een tweede voedingsspannings-aansluiting (VSS) aangesloten tweede ingangsklem; b) een uit de eerste smeltstukverbinding (1) en een eerste transistor 35 (QN) bestaande, tussen de beide voedingsaansluitingen geschakelde eerste serieschakeling; c) een uit een tweede transistor (QP) en de tweede smeltstukverbinding (2) bestaande, eveneens tussen de beide voedingsaansluitingen geschakelde tweede serieschakeling; 40 d) een eerste elektrische verbinding tussen het verbindingspunt (A) »8802760 * 7 e van een eerste transistor CQN) en een eerste smeltstukverbinding (1) enerzijds en de stuurelektrode van de tweede transistor (QP) anderzijds; e) een tweede elektrische verbinding tussen het verbindingspunt (B) 5 van de tweede transitor (QP) en de tweede smeltstukverbinding (2) enerzijds en de stuurelektrode van de eerste transistor (QN) anderzijds.
9. Schakeling volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat een eerste uitgangsklem (V) aan de eerste elektrische verbinding en een tweede 10 uitgangsklem (V) aan de tweede elektrische verbinding aangesloten is.
10. Schakeling volgens conclusie 9, waarbij elke transistor een bronelektrode (S), een afvoerelektrode (D) evenals een stuurelektrode bezit, met het kenmerk dat a) de afvoerelektrode (D) van de eerste transistor (QN) op de stuur-15 elektrode van de tweede transistor (QP) en de afvoerelektrode (0) van de tweede transistor (QP) op de stuurelektrode van de eerste transistor (QN) aangesloten is; b) de eerste smeltstukverbinding (1) tussen bronelektrode ($) en de stuurelektrode van de tweede transistor (QP) en de tweede smelt- 20 stukverbinding (2) tussen bronelektrode (S) en de stuurelektrode van de eerste transistor (QN) ligt; c) De positieve pool (VDD) van de voedingsspanning met de bronelektrode (S) van de tweede transistor (QP) en aardpotentiaal (VSS) met de bronelektrode (S) van de eerste transistor (QN) in verbin- 25 ding staat.
11. Schakeling volgens conclusie 10, met het kenmerk dat de uit-gangsklemmen (V, V) aan de afvoerelektroden (D) van de beide transisto-ren (QN, QP) aangesloten zijn.
12. Schakeling volgens een van de conclusies 1 tot 11, met het 30 kenmerk, dat het eerste vooraf bepaalde uitgangssignaal praktisch overeenkomt met de potentiaal van de ene voedingsspanningaansluitklem (VDD) en het tweede vooraf bepaalde uitgangssignaal praktisch overeenkomt met de potentiaal van de andere voedingsspanningaansluitingsklem (VSS).
13. Schakeling volgens een van de conclusies 2 tot 12, met het 35 kenmerk dat met elk van de beide transistoren (QN, QP) een initialisa- tie-element, bij voorkeur een condensator (Cc) in serie geschakeld is. .8802760
NL8802760A 1987-11-12 1988-11-09 Detectieschakeling voor het detecteren van de toestand van twee smeltstukverbindingen. NL193349C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/129,891 US4837520A (en) 1985-03-29 1987-11-12 Fuse status detection circuit
US12989187 1987-11-12

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8802760A true NL8802760A (nl) 1989-06-01
NL193349B NL193349B (nl) 1999-03-01
NL193349C NL193349C (nl) 1999-07-02

Family

ID=22442077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8802760A NL193349C (nl) 1987-11-12 1988-11-09 Detectieschakeling voor het detecteren van de toestand van twee smeltstukverbindingen.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4837520A (nl)
JP (1) JP2628359B2 (nl)
KR (1) KR960001304B1 (nl)
DE (1) DE3837800A1 (nl)
NL (1) NL193349C (nl)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4908525A (en) * 1989-02-03 1990-03-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Cut-only CMOS switch for discretionary connect and disconnect
DE58908287D1 (de) * 1989-06-30 1994-10-06 Siemens Ag Integrierte Schaltungsanordnung.
JPH03225868A (ja) * 1990-01-30 1991-10-04 Hitachi Ltd 固体撮像素子とそれを用いた撮像装置
US5163168A (en) * 1990-03-30 1992-11-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pulse signal generator and redundancy selection signal generator
US5208775A (en) * 1990-09-07 1993-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Dual-port memory device
US5051691A (en) * 1990-09-13 1991-09-24 Samsung Semiconductor, Inc. Zero power dissipation laser fuse signature circuit for redundancy in vlsi design
US5334880A (en) * 1991-04-30 1994-08-02 International Business Machines Corporation Low voltage programmable storage element
JPH0575031A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Matsushita Electron Corp 半導体装置
FR2684206B1 (fr) * 1991-11-25 1994-01-07 Sgs Thomson Microelectronics Sa Circuit de lecture de fusible de redondance pour memoire integree.
JP3362873B2 (ja) * 1992-08-21 2003-01-07 株式会社東芝 半導体装置
US5440246A (en) * 1994-03-22 1995-08-08 Mosel Vitelic, Incorporated Programmable circuit with fusible latch
US6191928B1 (en) 1994-05-27 2001-02-20 Littelfuse, Inc. Surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components
US5790008A (en) * 1994-05-27 1998-08-04 Littlefuse, Inc. Surface-mounted fuse device with conductive terminal pad layers and groove on side surfaces
US5974661A (en) * 1994-05-27 1999-11-02 Littelfuse, Inc. Method of manufacturing a surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components
US5552757A (en) * 1994-05-27 1996-09-03 Littelfuse, Inc. Surface-mounted fuse device
US5959445A (en) * 1995-09-29 1999-09-28 Intel Corporation Static, high-sensitivity, fuse-based storage cell
US5789970A (en) * 1995-09-29 1998-08-04 Intel Corporation Static, low current, low voltage sensing circuit for sensing the state of a fuse device
US5731733A (en) * 1995-09-29 1998-03-24 Intel Corporation Static, low current sensing circuit for sensing the state of a fuse device
US5699032A (en) * 1996-06-07 1997-12-16 Littelfuse, Inc. Surface-mount fuse having a substrate with surfaces and a metal strip attached to the substrate using layer of adhesive material
US5977860A (en) * 1996-06-07 1999-11-02 Littelfuse, Inc. Surface-mount fuse and the manufacture thereof
DE19631130C2 (de) * 1996-08-01 2000-08-17 Siemens Ag Fuse-Refresh-Schaltung
US5731734A (en) * 1996-10-07 1998-03-24 Atmel Corporation Zero power fuse circuit
US5889414A (en) * 1997-04-28 1999-03-30 Mosel Vitelic Corporation Programmable circuits
US5896059A (en) * 1997-05-09 1999-04-20 International Business Machines Corporation Decoupling capacitor fuse system
GB2325527B (en) * 1997-05-23 2002-03-27 Texas Instruments Ltd Detecting the state of an electrical conductor
JPH10332786A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Nec Kyushu Ltd 半導体装置
KR100425441B1 (ko) * 1997-06-23 2004-05-24 삼성전자주식회사 비 메모리를 위한 퓨징 장치 및 방법
US5999037A (en) * 1997-07-31 1999-12-07 International Business Machines Corporation Circuit for operating a control transistor from a fusible link
US6014052A (en) * 1997-09-29 2000-01-11 Lsi Logic Corporation Implementation of serial fusible links
US5999038A (en) * 1998-09-24 1999-12-07 Atmel Corporation Fuse circuit having zero power draw for partially blown condition
US6084803A (en) * 1998-10-23 2000-07-04 Mosel Vitelic, Inc. Initialization of non-volatile programmable latches in circuits in which an initialization operation is performed
US6163492A (en) 1998-10-23 2000-12-19 Mosel Vitelic, Inc. Programmable latches that include non-volatile programmable elements
JP2001307480A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US6671834B1 (en) 2000-07-18 2003-12-30 Micron Technology, Inc. Memory redundancy with programmable non-volatile control
US7034652B2 (en) * 2001-07-10 2006-04-25 Littlefuse, Inc. Electrostatic discharge multifunction resistor
CN1541437A (zh) * 2001-07-10 2004-10-27 力特保险丝有限公司 网络设备用静电放电装置
FR2836752A1 (fr) * 2002-02-11 2003-09-05 St Microelectronics Sa Cellule memoire a programmation unique
US6878004B2 (en) * 2002-03-04 2005-04-12 Littelfuse, Inc. Multi-element fuse array
US7132922B2 (en) * 2002-04-08 2006-11-07 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, components thereof and devices employing same
CN100350606C (zh) * 2002-04-08 2007-11-21 力特保险丝有限公司 使用压变材料的装置
US7183891B2 (en) * 2002-04-08 2007-02-27 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices
WO2005053993A2 (en) * 2003-11-26 2005-06-16 Littelfuse, Inc. Vehicle electrical protection device and system employing same
US6995601B2 (en) * 2004-01-14 2006-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fuse state detection circuit
US8134445B2 (en) * 2004-04-20 2012-03-13 Cooper Technologies Company RFID open fuse indicator, system, and method
US7369029B2 (en) * 2004-04-20 2008-05-06 Cooper Technologies Company Wireless communication fuse state indicator system and method
US20070194942A1 (en) * 2004-09-10 2007-08-23 Darr Matthew R Circuit protector monitoring assembly, system and method
US8169331B2 (en) * 2004-09-10 2012-05-01 Cooper Technologies Company Circuit protector monitoring assembly
BRPI0515159A (pt) * 2004-09-10 2008-07-08 Cooper Technologies Co sistema e método para monitoramento e gerenciamento protetor de circuito
JP4584658B2 (ja) * 2004-09-13 2010-11-24 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置
US20060087397A1 (en) * 2004-10-26 2006-04-27 Cooper Technologies Company Fuse state indicating optical circuit and system
US20060232904A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Supply voltage independent sensing circuit for electrical fuses
US7276955B2 (en) * 2005-04-14 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Circuit and method for stable fuse detection
US7983024B2 (en) * 2007-04-24 2011-07-19 Littelfuse, Inc. Fuse card system for automotive circuit protection
US8963590B2 (en) * 2007-06-13 2015-02-24 Honeywell International Inc. Power cycling power on reset circuit for fuse initialization circuitry
JP5458236B2 (ja) * 2007-11-02 2014-04-02 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 電気ヒューズ判定回路及び判定方法
US20090161470A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 Micron Technology, Inc. Circuit for dynamic readout of fused data in image sensors
DE102008048830B4 (de) * 2008-09-25 2010-11-04 Austriamicrosystems Ag Schaltungsanordnung mit Schmelzsicherung und Verfahren zum Ermitteln eines Zustands einer Schmelzsicherung
TWM424608U (en) * 2011-11-04 2012-03-11 Richtek Technology Corp Fuse circuit for final test trimming of integrated circuit chip
KR20140085245A (ko) * 2012-12-27 2014-07-07 에스케이하이닉스 주식회사 퓨즈 센싱 회로를 갖는 반도체 장치
US9583297B2 (en) * 2014-04-04 2017-02-28 Eaton Corporation Remote fuse operation indicator assemblies and related systems and methods
US10360988B2 (en) 2016-11-02 2019-07-23 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for protection against inadvertent programming of fuse cells
US10255982B2 (en) * 2016-11-02 2019-04-09 Skyworks Solutions, Inc. Accidental fuse programming protection circuits
KR20190086948A (ko) 2018-01-15 2019-07-24 주식회사 카라신 간이침대 고정형 침낭

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0083031A2 (en) * 1981-12-17 1983-07-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device having a programming circuit
US4613959A (en) * 1984-01-06 1986-09-23 Thomson Components-Mostek Corportion Zero power CMOS redundancy circuit

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2230753C2 (de) * 1972-06-23 1983-10-27 Lucien Ferraz & Cie. S.A., 69003 Lyon Schaltung zur Zustandskontrolle einer elektrischen Sicherung
US3872450A (en) * 1973-06-21 1975-03-18 Motorola Inc Fusible link memory cell for a programmable read only memory
GB1553250A (en) * 1976-08-03 1979-09-26 Nat Res Dev Unidirectional signal paths
US4346459A (en) * 1980-06-30 1982-08-24 Inmos Corporation Redundancy scheme for an MOS memory
US4446534A (en) * 1980-12-08 1984-05-01 National Semiconductor Corporation Programmable fuse circuit
US4532607A (en) * 1981-07-22 1985-07-30 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Programmable circuit including a latch to store a fuse's state
US4417154A (en) * 1982-02-08 1983-11-22 Motorola, Inc. Circuit for applying a high voltage signal to a fusible link
FR2526225B1 (fr) * 1982-04-30 1985-11-08 Radiotechnique Compelec Procede de realisation d'un condensateur integre, et dispositif ainsi obtenu
JPS6015946A (ja) * 1983-07-08 1985-01-26 Hitachi Ltd 集積回路
US4590388A (en) * 1984-04-23 1986-05-20 At&T Bell Laboratories CMOS spare decoder circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0083031A2 (en) * 1981-12-17 1983-07-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device having a programming circuit
US4613959A (en) * 1984-01-06 1986-09-23 Thomson Components-Mostek Corportion Zero power CMOS redundancy circuit

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
W. RITMANICH: "Understand the limits of passive analog IC components", ELECTRICAL DESIGN NEWS, vol. 30, no. 23, October 1985 (1985-10-01), NEWTON, MASSACHUSETTS, USA, pages 155 - 158, XP000096730 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR960001304B1 (ko) 1996-01-25
KR890008849A (ko) 1989-07-12
DE3837800A1 (de) 1989-05-24
JPH021145A (ja) 1990-01-05
JP2628359B2 (ja) 1997-07-09
US4837520A (en) 1989-06-06
NL193349B (nl) 1999-03-01
NL193349C (nl) 1999-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8802760A (nl) Detectieschakeling voor het waarnemen van de toestand van een smeltstuk.
KR950010870B1 (ko) 반도체 집적회로
US7978540B2 (en) Extraction of a binary code based on physical parameters of an integrated circuit via programming resistors
US6965503B2 (en) Electro-static discharge protection circuit
US7502264B2 (en) On-chip EE-PROM programming waveform generation
JPH0951266A (ja) 基板電圧を所望の値に維持するための回路及び方法
US20090002119A1 (en) Fuse sensing scheme
US4855613A (en) Wafer scale integration semiconductor device having improved chip power-supply connection arrangement
US20090219746A1 (en) Circuit Arrangement Comprising a Non-Volatile Memory Cell and Method
US20020141273A1 (en) Address generating circuit
US20080150593A1 (en) Power-On Reset Circuit
US5812001A (en) Power-on reset circuit for resetting semiconductor integrated circuit
JPS6238026A (ja) パワ−オンリセツト回路構成
US4786828A (en) Bias scheme for achieving voltage independent capacitance
US6414536B1 (en) Electrically adjustable CMOS integrated voltage reference circuit
JP2006012211A (ja) 半導体集積回路
EP0053653A1 (en) A voltage-temperature insensitive on-chip reference voltage source compatible with VLSI manufacturing techniques
US4594688A (en) Power supply circuit for flip-flop memory
US3876887A (en) Mos amplifier
US6775165B2 (en) Current switching sensor detector
US4320312A (en) Smaller memory cells and logic circuits
KR19980024247A (ko) 전류 모드 센스 증폭기
US6215170B1 (en) Structure for single conductor acting as ground and capacitor plate electrode using reduced area
US6724676B1 (en) Soft error improvement for latches
US5212413A (en) Stable, programmable low-dissipation reference circuit

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
CNR Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection)

Free format text: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Effective date: 20081109