MX2007006728A - Componente electronico que comprende un modulador. - Google Patents

Abstract

La invencion se relaciona con un componente electronico, especialmente un transportador RFID, y con un documento de seguridad que comprende dicho componente electronico. El componente electronico comprende un modulador para modular una senal portadora, el modulador estando constituido de cuando menos dos transistores (72, 73) de efecto de campo organicos.

Description

COMPONENTE ELECTRÓNICO QUE COMPRENDE UN MODULADOR La invención se relaciona con un componente electrónico que comprende un modulador para modular una señal portadora. Los transpondedores RFID (RFID = Identificación de Frecuencia de Radio) se emplean cada vez más para proporcionar mercancía, artículos o documentos se seguridad con información que se puede leer electrónicamente. De esta manera se están empleando por ejemplo como código de barras electrónico para artículos de consumidor, como etiqueta de equipaje para identificar equipaje o como elemento de seguridad que se incorpora en la encuademación de un pasaporte y almacena información de autenticación. En este caso, los transpondedores RFID usualmente se construyen de la manera descrita en EUA 5,528,22, por ejemplo . El transpondedor RFID esencialmente comprende dos componentes, una antena y un chip de silicio. La antena y el chip de silicio están montados en un substrato portador común y conectados eléctricamente entre sí por medio de conexiones de contacto. El portador de RF transmitido por la estación de base re retroalimenta a la estación de base y en este caso un artículo adicional de información se modula a la señal de retroalimentación de conformidad con un protocolo de información previamente programado. Además, WO 99/30432 describe un transpondedor RFID que tiene un circuito integrado construido substancialmente de material orgánico, el circuito integrado proporcionando la función de un generador de código de ID. El transpondedor RFID se construye de componentes eléctricos basados en tecnología de silicio convencional, v.gr., un diodo rectificador, y de componentes semiconductores orgánicos, el generador IC de código de ID (IC = Circuito Integrado) . Además, DE 101 41 440 Cl describe un transpondedor RFID construido, - con la excepción de la antena, substancialmente de componentes orgánicos. En estos transpondedores RFID, la señal portadora emitida por una estación de base se acopla en un circuito resonante de antena del transpondedor RFID y el voltaje inducido luego se rectifica. El voltaje rectificado suministra un IC lógico del transpondedor RFID que impulsa un transistor de modulación. El transistor de modulación es impulsado por el IC lógico con una señal binaria que contiene una secuencia de bits, de manera que la atenuación del circuito resonante se modula de conformidad con la señal binaria. El comportamiento de radiación de la antena que cambia como resultado de esto se detecta por la estación de base y se adquiere como señal de respuesta del transpondedor RFID. La ventaja de dicho transpondedor RFID es que los componentes electrónicos basados en electrónicos orgánicos (electrónicos plásticos) se pueden producir a costo significativamente inferior, de modo que los transpondedores RFID se pueden usar para aplicaciones extremadamente económicas, Los transpondedores RFID, por ejemplo como etiquetas de radio electrónico, de esta manera pueden formar un reemplazo para el código de barras. Sin embargo, los circuitos orgánicos son significativamente más lentos que los circuitos basados en silicio convencionales. Los bloques de construcción básicos de circuitos orgánicos son transistores de efecto de campo orgánicos, denominados OFETs. Estos transistores se basan en el principio de acumulación de portador de carga más bien que en el principio de invasión de portador de carga, que resulta en velocidades de conmutación bajas en comparación con los transistores de silicio y un comportamiento de conmutación diferente (v.gr., inapropiabilidad para voltaje de CA) .

Estas propiedades reducen el uso de estos transistores en métodos tradicionales de modulación de múltiples pasos. Un objeto de la presente invención, entonces, es especificar un dispositivo mejorado para modulación efectiva y confiable de una señal de portador, en particular para transpondedores RFID orgánicos. De conformidad con la invención este objeto se logra mediante un componente electrónico, en particular un transpondedor RFID, que tiene un modulador para modular una señal portadora que se forma de cuando menos dos transistores de efecto de campo orgánicos (72, 73) . En este caso, la invención se base en la comprensión que, por medio de dos o más transistores de efecto de campo orgánicos, moduladores novedosos para modular una señal portador se pueden crear que utilizan las propiedades particulares y el comportamiento de conmutación particular de los transistores de efecto de campo orgánicos para la modulación de la señal portadora. La invención hace posible, con disposición de componentes extremadamente baja, realizar métodos de modulación de múltiples pasos poderosos y de esta manera aumentar la cantidad de información que se puede transmitir.

Un transistor de efecto de campo orgánico, denominado como OFET a continuación, tiene cuando menos tres electrodos, una capa semiconductora orgánica, y una capa aislante. El OFET está dispuesto en un substrato portador, que se puede formar como una película oligomérica. Un substrato compuesto de un semiconductor orgánico forma un canal conductivo, las secciones de extremo del cual se forman por un electrodo de fuente y un electrodo de drenaje.

El canal conductivo está cubierto con una capa de aislamiento, en la que un electrodo de puerta se dispone. La conductividad del canal conductivo se puede alterar mediante aplicación de un voltaje de fuente de puerta UGs entre el electrodo de puerta y el electrodo de fuente. En el caso de semiconductores orgánicos, este efecto se basa esencialmente en la llamada conducción de agujero, "agujeros" en la red de cristal que sirven como portadores de carga que se densifican si se aplica un voltaje Ups de voltaje de drenaje-fuente entre el electrodo de fuente y el electrodo de drenaje. La conductividad eléctrica, consecuentemente, se eleva entre el electrodo de drenaje y el electrodo de fuente, en cuyo caso las resistencias de reversa y avance que se pueden lograr de un OFET subsecuentemente también difieren significativamente de aquellos de un transistor creado usando tecnología de silicio tradicional, en vista del diferente principio funcional de un OFET. La capa semiconductora orgánica comprende por ejemplo polímeros conjugados, tales como politiofenos, politienilenvinilenos o derivados de polifluoreno, que se aplican de solución mediante revestimiento de hilado, revestimiento con cuchilla o impresión. Las llamadas "moléculas pequeñas", es decir oligómeros tales como sexitiofeno o pentaceno, que se depositan con vapor mediante una técnica de vacío, también son apropiados como capa semiconductora orgánica. Se provee que los cuando menos dos OFETs formen una carga variable para modulación de la señal portadora. De esta manera, dos o más bits se pueden transmitir simultáneamente puesto que aún dos OFETs del mismo tipo pueden asumir tres estados si están conectados en paralelo. El primer estado se ocasiona por ninguno de los dos OFETs siendo impulsado, con el resultado de que una resistencia total que es igual a la mitad de la resistencia de reversa de un OFET se forma. El segundo estado se ocasiona por uno de los dos OFETs siendo impulsado. De esta manera, la resistencia de dicho un OFET disminuye a una resistencia de avance. La resistencia total de los dos OFETs es el producto de ambas resistencias divididas entre la suma de ambas resistencias y, debido a la resistencia reducida de dicho un OFET, por lo tanto es inferior que en el primer estado arriba descrito. El tercer estado se ocasiona, entonces, por ambos OFETs siendo impulsados. La resistencia total de los dos OFETs es entonces igual a la mitad de la resistencia de avance de un OFET. La ganancia en información transmisible que se logra por medio de la invención se puede utilizar en este caso para aumentar el régimen de datos transmitidos a través de la interfaz de aire, para propósitos de sincronización o para detección/corrección de error - dependiendo del sistema de codificación utilizado. La disposición de circuito inventivo compensa de esta manera la desventaja de la baja frecuencia de conmutación de OFETs en vista de la transmisión simultáneamente posible de una pluralidad de bits y en vista de las posibilidades de esta manera también abiertas para procesamiento en paralelo en un IC lógico orgánico conectado al modulador. Al eliminar las desventajas cuando se usan OFETs en transpondedores RFID, las ventajas de los OFETs son de significado particular. El hecho de que los OFETs se pueden producir efectivamente en costo y en pocos pasos de trabajo por medio de un método de impresión significa no solamente que los costos de fabricación son muy bajos, sino también que los costos de desarrollo y el tiempo de desarrollo se reducen. También es ventajoso que los OFETs se puedan hacer especialmente de manera individual para su propósito de uso. Es particularmente ventajoso formar el modulador con cuando menos dos OFETs diferentemente formados. De esta manera, por vía de ejemplo, dos o más OFETs están conectados hasta lo que tienen un perfil diferente del comportamiento de resistencia interna y/o una conmutación diferente. Un bit en el espacio de código de esta manera se puede asignar a la respuesta de señal específica de cada uno de los OFETs al cambio en el nivel de puerta desde el nivel bajo al nivel elevado (y también viceversa) en sí. Una superposición de estas respuestas de señal se obtienen conectando los diferentes OFETs en paralelo y/o en serie, con el resultado que, cuando se utilizan OFETs diferentes, un juego de caracteres de 2n caracteres diferentes se puede obtener. Es particularmente ventajoso en este caso si las propiedades diferentes de los OFETs y también la interconexión de los OFETs se seleccionan de modo que las respuestas de señal sobrepuestas de manera de suma representen funciones mutuamente ortogonales. Aún cuando la descodificación de la información codificada hacia la señal portadora por medio de dicho modulador requiere un circuito de evaluación complejo, que se puede realizar solamente con dificultad por medio de un circuito orgánico, en el caso de un transpondedor RFID la respuesta de regreso del transpondedor RFID se evalúa mediante la estación de base, en la que un circuito de evaluación en tecnología de silicio tradicional se usa entonces de preferencia. A fin de formar un modulador con cuando menos dos OFETs diferente formados, se puede hacer provisión para formar los OFETs con diferentes geometrías, por ejemplo formarlos con diferentes longitudes de canal y/o diferentes anchuras de canal. Estos parámetros se pueden alterar fácilmente y optimizar en pocos pasos de conformidad con e método de prueba error debido a su fácil capacidad de producción descrita más arriba. También se puede hacer provisión de formar los OFETs con diferentes capas semiconductoras, en particular para variar el espesor de canal o para utilizar un material semiconductor que tiene una conductividad o adulteración diferente. En este caso, también, son posibles cambios a corto aviso debido a que las substancias de partida están disponibles como pastas o tintas. Estas variaciones descritas de la construcción de los OFETs hacen posible formar los OFETs con un comportamiento de conmutación diferente y perfil de resistencia interna. Es particularmente ventajoso si los cuando menos dos diferentes OFETs tienen resistencias internas diferentes en el estado conectado (resistencia de avance y/o en el estado desconectado (resistencia de reversa) y los OFETs están conectados entre sí en conexión paralela y/o en conexión en serie. En este caso, se puede proveer que los OFETs en una conexión paralela formen la carga variable. Una conexión paralela de dos OFETs que tienen diferentes resistencias de avance pueden ya formar cuatro estados, para ser precisos, como se explica completamente más arriba, a través de un cambio en la resistencia total de dos OFETs conectados en paralelo. Un estado respectivamente diferente se puede entonces formar por la impulsión opcional de los dos OFETs puesto que los dos OFETs luego se forman con una resistencia de avance diferente. Además se puede proveer que los dos o más OFETs se modulen de manera diferente con voltajes de puerta diferentes puesto que la resistencia de avance del OFET depende del voltaje de puerta aplicado. Los OFETs también se pueden formar con un comportamiento de conmutación diferente cambiando la geometría y/o el material semiconductor. Además de esta manera es posible usar OFETs que exhiben diferentes formas de borde en el caso de un cambio en la señal de entrada y las formas de borde del cual difieren en particular en términos de su inclinación de borde. Para OFETs rápidos, un perfil de conmutación casi rectangular es característico, es decir, que cuando el OFET es impulsado, conmuta sin retraso significativo del nivel bajo al nivel elevado, y viceversa. Los OFETs lentos, en contraste, conmutan con un retraso. Es decir equivalente a un borde de conmutación inclinado. Un OFET lento, por lo tanto, tiene un borde de conmutación más grandemente inclinado que un OFET rápido. Por medio de dos o más OFETs, es posible de esta manera formar un borde de conmutación con inclinación cambiante y, bajo ciertas circunstancias los bordes de conmutación que cambian en regiones. La información de esta manera se codifica por ejemplo en la inclinación de borde de los bordes (modulación de inclinación de borde) . Adicionalmente, también es posible combinar los esquemas de modulación arriba descritos. Como ya se describió arriba, además de una conexión paralela de los OFETs, también se puede proveer que los OFETs estén dispuestos en una conexión en serie. Dado el diseño apropiado, los OFETs también pueden tener una conductancia finita en el estado desconectado, de manera que los estados descritos más arriba para la conexión paralela también se pueden asumir en una conexión en serie de OFETs. De conformidad con una modalidad de ejemplo preferida de la invención, el componente electrónico además tiene un circuito lógico binario orgánico, las puertas de los OFETs estando conectadas a • salidas respectivamente asignadas del circuito lógico orgánico y los OFETs siendo impulsados por el circuito lógico binario para la transmisión simultánea de dos o más bits por medio de un método de modulación de múltiples etapas. Si los OFETs están formados por n OFETs diferentes, entonces los OFETs serán impulsados por el circuito lógico binario para la transmisión simultánea de 2n bits. De esta manera, por vía de ejemplo, 8 bits se pueden transmitir simultáneamente por medio de 3 OFETs. El modulador puede estar formado como un elemento de película delgada impreso en un substrato portador, en particular una película portadora. Se puede hacer provisión para películas portadoras preferidas debido a que transpondedores RFID particularmente fuertes que se pueden doblar en uso se pueden producir de esta manera. Este proceso de producción se puede formar como un proceso de rodillo a rodillo continuo. Sin embargo, también es posible proporcionar un substrato rígido, por ejemplo un substrato de vidrio. En modalidades adicionales, se puede hacer provisión para formar el modulador en forma ópticamente transparente y/u ópticamente invisible. Dicha modalidad puede ser particularmente ventajosa en conjunción con elementos de presentación o elementos de seguridad ópticos. Se puede proveer que los OFETs provistos para la modulación de carga de la señal portadora sean impulsados individual y/o conjuntamente con un voltaje de puerta idéntico correspondiente al nivel elevado del conjunto lógico. De esta manera, el conjunto lógico para impulsar el modulador se puede formar de una manera particularmente sencilla . También se puede proveer que los OFETs para modular la señal portadora sean impulsados con diferentes voltajes de puerta. Por vía de ejemplo, de esta manera es posible disponer una pluralidad de antenas diseñadas para diferentes bandas de frecuencia en un transpondedor RFID, cuyas antenas están en cada caso conectadas a un rectificador y un capacitor para proporcionar diferentes potenciales de suministro. Los potenciales de voltaje de suministro diferentes proporcionados se usan para operar el conjunto lógico. Puesto que diferentes potenciales de voltaje de suministro están disponibles en el caso de un componente electrónico de este tipo, es posible de una manera sencilla que los OFETs usados para modular la señal portadora sean impulsados con diferentes voltajes de puerta. El componente electrónico de conformidad con la invención puede ser, por ejemplo, parte de un documento de seguridad, boleto o etiqueta de mercancía. Además, también es posible que el componente electrónico de conformidad con la invención no para proporcionar lea función de un transpondedor RFID, sino más cualquier otra función deseada. De esta manera es posible por ejemplo, que el componente electrónico comprenda un oscilador que genere la señal portadora modulada por el modulador. La invención se explicará ahora con mayor detalle sobre la base de una pluralidad de modalidades de ejemplo con ayuda de los dibujos que se acompañan. En las figuras: La figura 1 muestra un diagrama de bloque de un circuito transpondedor; La figura 2 muestra un diagrama de circuito básico de un circuito transpondedor; La figura 3 muestra una ilustración básica de un diagrama de modulación de conformidad con el ramo anterior; La figura 4 muestra un diagrama de circuito básico de un modulador para una primera modalidad de ejemplo de la invención; La figura 5 muestra un primer diagrama de modulación, en particular para el modulador de conformidad con la figura 4; La figura 6 muestra un segundo diagrama de modulación, en particular del modulador de conformidad con la figura 4; La figura 7 muestra un diagrama de circuito básico de un modulador para una segunda modalidad de ejemplo de la invención. La figura 1 muestra un transpondedor 10 que comprende un circuito 12 transpondedor y una antena 14. El circuito 12 transpondedor está esencialmente formado de un componente 121 lógico y un componente 12m de modulación. El transpondedor 10 está de preferencia formado como un transpondedor con componentes electrónicos orgánicos, tales como OFETs por ejemplo. El componente de modulación 12m se refiere a continuación como modulador. El OFET es un transistor de efecto de campo orgánico que tiene cuando menos tres electrodos y una capa aislante. El OFET está dispuesto en un substrato portador, que se puede formar como una película. Un substrato compuesto de un semiconductor orgánico forma un canal conductivo entre un electrodo de fuente y un electrodo de drenaje. El canal conductivo está cubierto con una capa de aislamiento, sobre la que está dispuesto un electrodo de puerta. La conductividad del canal conductivo se puede alterar mediante aplicación de un voltaje de puerta-fuente UGS entre el electrodo de puerta y el electrodo de fuente. Consecuentemente, la resistencia entre el electrodo de drenaje y el electrodo de fuente disminuye después de la aplicación del voltaje de puerta-fuente UGs y ocurre un flujo de corriente entre el electrodo de fuente y el electrodo de drenaje si el voltaje de drenaje-fuente UPS se aplica. Un OFET por lo tanto es esencialmente un resistor controlable. Un artículo de información binaria se almacena en el componente 121 lógico del transpondedor ilustrado en la figura 1, dicha información siendo transmitida al componente 12m de modulación durante la activación del transpondedor , como resultado de lo cual la antena 14 conectada al componente 12m de modulación emite una señal modulada con la información binaria. Dicha señal se puede evaluar en un receptor y proporciona información acerca de la identidad del objeto conectado al transpondedor 10. El objeto puede ser un artículo de mercancía o un documento de seguridad. La figura 2 luego muestra un diagrama de circuito de una modalidad de ejemplo del transpondedor 10. Los elementos idénticos están designados por símbolos de referencia idénticos. La antena 14 forma junto con un capacitor 16 un circuito 18 resonante eléctrico sintonizado a una frecuencia portadora. El circuito 18 resonante está conectado a la entrada de un rectificador 20, como resultado de lo cual se proporciona un voltaje de CD en la salida del rectificador 20 si se induce un voltaje eléctrico en el circuito 18 resonante mediante un campo electromagnético generado por un transmisor externo. En el lado de voltaje de suministro, el componente 121 lógico y el modulador 12m están conectados a la salida del rectificador 20. En este caso, también es posible acoplar al circuito resonante un rectificador de puente en lugar de un simple diodo rectificador, y de esta manera usar ambos medios ciclos para el suministro de energía del componente lógico y del modulador. Adicionalmente, también es posible disponer, entre el modulador y el componente lógico, un capacitor de almacenamiento adicional protegido contra descarga con respecto al modulador por medio de un diodo, el capacitor de almacenamiento efectuando un suministro de energía confiable y constante del componente lógico. Además, es posible, como se indica en la figura 2, disponer el modulador 12m corriente abajo del rectificador o corriente arriba del rectificador 20 (representado por líneas de guiones) . La salida del componente lógico está conectada a la entrada del modulador 12m. De esta manera, la información almacenada en el componente 121 lógico se transmite al modulador 12m. La modalidad de ejemplo ilustrada en la figura 2 involucra modulación de carga de la señal portador, es decir, que la amplitud de la señal portadora de alta frecuencia se modula. La figura 3 luego muestra un diagrama de modulación de conformidad con el ramo anterior. El nivel S de señal puede asumir los valores L para el nivel bajo y H para el nivel alto, equivalentes a las señales 0 y 1 binarias. La figura 3 ilustra la secuencia de carácter binario 10101100, en donde un binario 1 se designa mediante 30h, un binario 0 se designa mediante 301 y dos binarios sucesivos ls se designan mediante 32h y dos Os sucesivos se designan mediante 321. De esta manera, un tiempo correspondiente al número de caracteres binarios o bits se requiere para la transmisión de una secuencia de carácter binario . La figura 4 muestra una primera modalidad de ejemplo de un modulador 12m, formado como una conexión paralela de dos OFETs 42 y 44 que tienen diferentes curvas características . Las dos puertas de los OFETs 42, 44 están conectadas a las dos salidas del componente 121 lógico. Las dos fuentes de los OFETs 42, 44 están conectadas a una línea de tierra GND, y los dos drenajes de los OFETs 42, 44 están conectados a un voltaje UB de operación.

La figura 5 muestra entonces un primer diagrama de modulación que se puede formar por medio de una disposición de circuito de conformidad con la figura 4. Se puede proveer que los dos OFETs 42 y 44 conectados en paralelo se formen con un perfil de resistencia diferente. Para este propósito, se puede proveer, por ejemplo, que el primer OFET se forme con una primera geometría, por ejemplo con una primera sección transversal de canal, y el segundo OFET se forme con una segunda geometría, por ejemplo con una segunda sección transversal de canal. De esta manera, se forma una resistencia de avance diferente para el mismo voltaje de puerta-fuente . Por lo tanto, si como se ilustra en la figura 5, Primeramente solo el primer OFET 42 se impulsa, una señal 50h que tiene un nivel H2 de señal se forma. En el caso en donde solamente el segundo OFET 44 se impulsa, se forma una señal 52h que tiene un nivel H2 de señal. Si ambos OFETs 42, 44 se impulsan, se forma una señal 54h que tiene un nivel de señal H3. en la modalidad de ejemplo ilustrada, la siguiente relación se mantiene verdadera entre los niveles de señal Hl a H3: L < Hl < H2 < H3. Si ninguno de los dos OFETs se impulsa, se forma una señal que tiene un nivel de señal bajo L. De esta manera, la cantidad de información que se puede transmitir dentro de un período de tiempo se aumenta puesto que el espacio de número que se puede transmitir está ahora extendido de 0, l a 0, 1, 2, 3. Una transformación del sistema de número por lo tanto es posible de esta manera. El uso de más de dos OFETs paralelos se puede proveer en este caso. Por vía de ejemplo, tres OFETs conectados en paralelo se pueden proporcionar a fin de codificar una señal octal. Si n OFETs conectados en paralelo se proporcionan, 2n diferentes niveles de señal se pueden transmitir. En este caso, es ventajoso para las resistencias de avance de los diferentes OFETs se seleccionan de modo que los 2n niveles de señal diferentes se sucedan entre sí de manera equidistante. El nivel de señal resultante en cada caso para los diferentes estados de conmutación de los n OFETs diferentes es en este caso calculado de la suma de las conductancias de los OFETs individuales. También se puede proveer, sin embargo, que el primero y segundo OFET se formen con geometría idéntica y tengan diferentes voltajes de puerta-fuente aplicados a los mismos, con el resultado de que se forma una resistencia diferente entre los electrodos de drenaje y fuente de los dos OFETs. También se puede hacer provisión para operar una pluralidad de OFETs con diferentes geometrías y diferentes voltajes de puerta-fuente. La figura 6 luego muestra un diagrama de modulación con modulación de inclinación de borde. Mientras que en la modalidad de ejemplo de conformidad con la figura la información se codifica en el valor de amplitud y la inclinación de los bordes no recibe ningún significado, en la modalidad de ejemplo de conformidad con la figura 6 los tiempos de elevación diferentes de diferentes OFETs que resulta durante la transición del nivel bajo al nivel elevado se utilizan deliberadamente para codificación de información. A fin de forma la modulación de inclinación de borde ilustrada en la figura 6, se provee que los dos OFETs 42 y 44 de conformidad con la figura 4 tengan un comportamiento de conmutación diferente. Esto se puede lograr por ejemplo por medio de material semiconductor diferentemente formado o por medio de diferentes longitudes de canal o una anchura de canal diferente. Si el primer OFET 42 formado con un tiempo de elevación corto se impulsa, se forma una señal- 60h elevada que tiene bordes inclinados.

Si el segundo OFET 44 formado con un tiempo de elevación largo se impulsa, se forma un señal elevada 62h que tiene bordes poco profundos. En el caso en donde ambos OFETs 42, 44 son impulsados simultáneamente, una señal 64h elevada resulta que tiene un primer borde 64 parcial inclinado y un segundo borde 64f parcial oco profundo y una amplitud de señal formada como la suma de las dos amplitudes de señal de los dos OFETs 42, 44. Como se puede discernir en la figura 6, la señal 64h elevada se forma con amplitud doble puesto que resulta de la superposición de las señales elevadas 60h y 62h. Cuatro estados de la señal portadora pueden nuevamente formarse por medio de dos OFETs formados de manera diferente, la señal portadora modulada siendo redundante en vista de la formación simultánea de diferentes amplitudes y diferentes bordes de señal. La desmodulación de la señal de esta manera se puede basar en la inclinación de borde promedio, en la inclinación de borde en la región delantera del borde y/o en el máximo o valor de amplitud promedio. De conformidad con la modalidad de ejemplo de conformidad con la figura 5, en este casi también es posible proporcionar más de dos OFETs paralelos que tienen un comportamiento de conmutación diferente. Si n OFETs conectados en paralelo se proporcionan, se pueden transmitir 2n niveles de señal diferentes. Adicionalmente, también es posible combinar las modalidades de ejemplo de conformidad con la figura 5 y la figura 6 entre sí y conectar hasta n OFETs diferentes entre sí en una conexión en paralelo, cuyos OFETs difieren en cada caso entre sí en términos de su resistencia de avance o su característica de respuesta. La figura 7 muestra una segunda modalidad de ejemplo de un circuito modulador. Los dos OFETs 42, 44 están ahora conectados en serie. El OFET 42 está conectado mediante el drenaje al voltaje de operación Us y por la fuente al drenaje del OFET 44. La fuente del OFET 44 está conectada a la línea de tierra GND. Las dos salidas del componente 121 lógico están conectadas a las dos puertas de los OFETs 42, 44. Esta disposición de circuito puede asimismo usarse para generar las formas de señal ilustradas en las figuras 5 y 6 si las resistencias de reversa de los OFETs 42 y 44 se seleccionan para ser correspondientemente bajas. La disposición de circuito ilustrada en la figura 4 se puede preferir, sin embargo, si solamente un voltaje Us de operación bajo se proporciona. También es posible proporcionar disposiciones de circuito que combinan conexión paralela y conexión en serie entre sí.

Claims (14)

1. REIVINDICACIONES 1.- Un componente electrónico que comprende una antena, un capacitor y que comprende un modulador para modular una señal portadora, el componente electrónico teniendo además un rectificador y el modulador estando conectado a la salida del rectificador, caracterizado en que el modulador se forma de cuando menos dos transistores de efecto de campo orgánicos diferentes que se forman con diferentes capas semiconductoras y/o con diferentes geometrías, de modo que cuando menos dos diferentes transistores de efecto de campo orgánicos tengan resistencias internas diferentes en el estado conectado y/o en el desconectado y/o tengan un comportamiento de conmutación diferente, y están conectados hasta en el componente electrónico de tal manera que forman una carga variable para modulación de carga de la señal portadora.
2. 2.- El modulador de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado en que los transistores de efecto de campo orgánicos están conectados en una conexión en paralelo y/o conexión en serie.
3. 3.- El componente electrónico de conformidad con una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado en que cuando menos dos transistores de efecto de campo diferentes exhiben diferentes formas de borde cuando cambia la señal de entrada, que difieren en particular en términos de su inclinación de borde.
4. 4.- El componente electrónico de conformidad con una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado en que cuando menos dos transistores de efecto de campo orgánicos diferentes se forman con diferentes geometrías, por ejemplo se forman con diferentes longitudes de canal y/o diferentes anchuras de canal .
5. 5.- El componente electrónico de conformidad con una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado en que los cuando menos dos transistores de campo orgánicos diferentes tienen capas semiconductoras que difieren en términos de su espesor, adulteración o conductividad.
6. 6.- El componente electrónico de conformidad con una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado en que las puertas de los transistores de efecto de campo orgánicos están conectados a las salidas de un circuito lógico binario.
7. 7.- El componente electrónico de conformidad con una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado en que el circuito lógico binario es un circuito lógico binario orgánico .
8. 8.- El componente electrónico de conformidad con la reivindicación 6 o reivindicación 7, cdaracterizado en que los transistores de efecto de campo orgánicos son impulsados por el circuito lógico binario para la transmisión simultánea de dos o más bits por medio de un método de modulación de múltiples etapas.
9. 9.- El componente electrónico de conformidad con la reivindicación 8, caracterizado en que los transistores de efecto de campo orgánicos se forman de por n transistores de efecto de campo orgánicos que son impulsados por el circuito lógico binario para transmisión simultánea de 2n bits .
10. 10.- el componente electrónico de conformidad con la reivindicación 9, caracterizado en que n diferentes transistores de efecto de campo orgánicos tienen diferentes resistencias internas en el estado conectado y los n diferentes transistores de efecto de campo orgánicos están conectados en conexión en paralelo.
11. 11.- El componente electrónico de conformidad con la reivindicación 9, caracterizado en que los n diferentes transistores de efecto de campo orgánicos tienen diferentes formas de borde durante la transición de estado y los n diferentes transistores de efecto de campo orgánicos están conectados en conexión en paralelo.
12. 12.- El componente electrónico de conformidad con una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado en que la geometría de los transistores de efecto de campo orgánicos se forma mediante polímeros semiconductores impresos y/o tintas de impresión conductivas y/o capas metálicas .
13. 13.- El componente electrónico de conformidad con una de las reivindicaciones anteriores, caracterizado en que el componente electrónico se forma por un cuerpo de película flexible de múltiples capas.
14. 14.- Un documento de seguridad, en particular documento valioso, tarjeta de identidad, etiqueta de mercancía o boleto, que comprende un componente electrónico de conformidad con la reivindicación 1.