JPS6265477A - 有機薄膜整流素子 - Google Patents
有機薄膜整流素子Info
- Publication number
- JPS6265477A JPS6265477A JP60205726A JP20572685A JPS6265477A JP S6265477 A JPS6265477 A JP S6265477A JP 60205726 A JP60205726 A JP 60205726A JP 20572685 A JP20572685 A JP 20572685A JP S6265477 A JPS6265477 A JP S6265477A
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- JP
- Japan
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- film
- thin film
- molecules
- organic
- electron
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/611—Charge transfer complexes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は有ｉ薄膜を用いに金ｊＫ／有Ｉａ薄膜／金属ｌ
ｉｔ造の整流素子に関する。
ｉｔ造の整流素子に関する。
近年、ラングミュア・ブロジェット法（以下、ＬＢ法）
に代表される有機分子の超ＷＩＩＩ形成技術の連層によ
り、有機薄膜を用いた素子の検討が活発化している。ジ
ーラム（Ｄｕｈｒａｉ ）大学のロバーツ（Ｇ、 Ｇ、
Ｒｏ、ｂｅｒｔｓ）の、有薄膜躾を絶縁膜として用い
たＭＩＳ素子の研究を代表として、この種の研究が各研
究機関で行われている。有機材料中では一般に、無機半
導体と比較して電子移動度が小さいため、これまで超高
速素子への応用例は発表されていない。
に代表される有機分子の超ＷＩＩＩ形成技術の連層によ
り、有機薄膜を用いた素子の検討が活発化している。ジ
ーラム（Ｄｕｈｒａｉ ）大学のロバーツ（Ｇ、 Ｇ、
Ｒｏ、ｂｅｒｔｓ）の、有薄膜躾を絶縁膜として用い
たＭＩＳ素子の研究を代表として、この種の研究が各研
究機関で行われている。有機材料中では一般に、無機半
導体と比較して電子移動度が小さいため、これまで超高
速素子への応用例は発表されていない。
無機半導体材料を用いた素子においても、サブｐｓｅｃ
の動作速度を有する非線形素子の提案は、分子線エピタ
キシー沫（ＭＢＥ法）で形成したＧａＡＳ−ＡβＧａＡ
ＳヘテＯ接合を用いた超格子素子等に僅かに見られるに
過ぎない。しかしこの様な無機半導体を用いた超格子素
子は、極めて高価な製膜装置と厳密なｔｉＩＩＩＩｌを
必要とする。また高速化のためには、各層の厚みを数１
０人といった薄いものにすることが必要である。この様
な薄い無機半導体ａｒｍを用いた素子では、ヘテロ接合
界面の結晶性劣化のために再現性が悪り、°また熱的に
極めて不安定なものとなり、耐久性に乏しい。
の動作速度を有する非線形素子の提案は、分子線エピタ
キシー沫（ＭＢＥ法）で形成したＧａＡＳ−ＡβＧａＡ
ＳヘテＯ接合を用いた超格子素子等に僅かに見られるに
過ぎない。しかしこの様な無機半導体を用いた超格子素
子は、極めて高価な製膜装置と厳密なｔｉＩＩＩＩｌを
必要とする。また高速化のためには、各層の厚みを数１
０人といった薄いものにすることが必要である。この様
な薄い無機半導体ａｒｍを用いた素子では、ヘテロ接合
界面の結晶性劣化のために再現性が悪り、°また熱的に
極めて不安定なものとなり、耐久性に乏しい。
本発明は上記した点に鑑みなされたもので、有機分子の
薄膜を用いて超＾速のスイッチング動作を可能とした有
！Ｉ薄躾整流素子を提供することを目的とする。
薄膜を用いて超＾速のスイッチング動作を可能とした有
！Ｉ薄躾整流素子を提供することを目的とする。
本発明は、金属／有機３１１１／金属の接合構造を用い
、その有機薄膜を、ドナー性有機分子即ちイオン化ポテ
ンシャル＜ｉｐ）が小さく他の分子に電子を供給して自
らはプラスのイオン状態になり易い分子を含む薄膜と、
アクセプタ性有機分子即ち電子親和力（Ｅ）が大きく他
の分子から電子を受取り自らはマイナスのイオン状態に
なり易い分子を含む薄膜の積層構造として、整流特性を
実現したものである。
、その有機薄膜を、ドナー性有機分子即ちイオン化ポテ
ンシャル＜ｉｐ）が小さく他の分子に電子を供給して自
らはプラスのイオン状態になり易い分子を含む薄膜と、
アクセプタ性有機分子即ち電子親和力（Ｅ）が大きく他
の分子から電子を受取り自らはマイナスのイオン状態に
なり易い分子を含む薄膜の積層構造として、整流特性を
実現したものである。
有機分子の特徴として、分子設計と化学合成により、そ
のイオン化ポテンシャル（ＩＰ）と電子親和力（Ｅ）の
値を任意に制御できること、更にこれらの値が広範囲に
わたっていること、が挙げられる。これは、無機材料に
はない有機材料に特有のものである。しかも、しＢ法に
代表される有機ＩＩＩの形成技術の進歩により、多種多
様の分子の単分子膜や超薄膜が均一かつ欠陥のない状態
で形成できる。
のイオン化ポテンシャル（ＩＰ）と電子親和力（Ｅ）の
値を任意に制御できること、更にこれらの値が広範囲に
わたっていること、が挙げられる。これは、無機材料に
はない有機材料に特有のものである。しかも、しＢ法に
代表される有機ＩＩＩの形成技術の進歩により、多種多
様の分子の単分子膜や超薄膜が均一かつ欠陥のない状態
で形成できる。
従って本発明ｆは好ましくは、有Ｉｌｌ薄膜はＬＢ法に
より形成される単分子ｉＩあるいは単分子膜を数層重ね
た超ｉ１１［を用いる。有機物質中を動く電子または正
孔は一般に無機半導体中より速度が遅いが、数人〜数１
０人といった超薄膜を用いることにより、十分高速度の
電荷移動が可能であり、また実際にＬＢ法によりその様
な膜形成が可能であるからである。
より形成される単分子ｉＩあるいは単分子膜を数層重ね
た超ｉ１１［を用いる。有機物質中を動く電子または正
孔は一般に無機半導体中より速度が遅いが、数人〜数１
０人といった超薄膜を用いることにより、十分高速度の
電荷移動が可能であり、また実際にＬＢ法によりその様
な膜形成が可能であるからである。
また有機分子は閉殻構造をしているため、金属との界面
に形成される界面単位の数は比較的少ない。
に形成される界面単位の数は比較的少ない。
（発明の効果〕
本発明によれば、十分に薄い２種の有機’ａｍを金属の
間に挟むという簡単な構成で、応答速度の速いＩｌ流素
子が得られる。しかも、無機半導体の超格子構造を形成
する場合に比べると、製膜が容易であり、接合界面の結
晶性劣化という問題もないため、熱的安定性に優れ、価
格の点でも有利になる。従って本発明の整流素子は、各
種論理素子や記憶素子等への応用が期待される。
間に挟むという簡単な構成で、応答速度の速いＩｌ流素
子が得られる。しかも、無機半導体の超格子構造を形成
する場合に比べると、製膜が容易であり、接合界面の結
晶性劣化という問題もないため、熱的安定性に優れ、価
格の点でも有利になる。従って本発明の整流素子は、各
種論理素子や記憶素子等への応用が期待される。
（発明の実施例）
以下本発明の詳細な説明する。
へλ基板上に、ドナー性分子としてテトラチアフルバレ
ン（ＴＴＦ）を用いたＬＢＩＩを１０１形成し、更にそ
の上にアクセプタ分子としてテトラシアノキノジメタン
（ＴＣＮＱ）を用いたＬＢＩＩＩを１０１形成した。そ
してこの上にＡ２電橿を蒸着法により形成した。
ン（ＴＴＦ）を用いたＬＢＩＩを１０１形成し、更にそ
の上にアクセプタ分子としてテトラシアノキノジメタン
（ＴＣＮＱ）を用いたＬＢＩＩＩを１０１形成した。そ
してこの上にＡ２電橿を蒸着法により形成した。
第１図はこのようにして形成された整流素子を示す、１
がＡｇ基板、２がドナー性分子を含むＬＢＩＩ、３はア
クセプタ性分子を含むしＢ膜、４はＡβ電極である。
がＡｇ基板、２がドナー性分子を含むＬＢＩＩ、３はア
クセプタ性分子を含むしＢ膜、４はＡβ電極である。
第２図はこの整流素子の動作を説明するためのバンド図
である。（ａ）は零バイアス時であり、ドナー性分子を
含むＬＢＩｌｌＩ３のイオン化ポテンシャルｌｐｏは小
さく、アクセプタ性分子を含むＬＢＢａＯ電子親和力Ｅ
Ａは大きく、これらの差は例えば１８Ｖ程度以下になっ
ている。（ｂ）は順方向バイアス即ちへβ電極４側が正
となる電圧を印加した場合であり、ドナー性分子を含む
１８ｍ２の電子状態からアクセプタ性分子を含むＬＢＢ
ａＯ電子状態に電子遷移を生じ、順方向電流が流れる。
である。（ａ）は零バイアス時であり、ドナー性分子を
含むＬＢＩｌｌＩ３のイオン化ポテンシャルｌｐｏは小
さく、アクセプタ性分子を含むＬＢＢａＯ電子親和力Ｅ
Ａは大きく、これらの差は例えば１８Ｖ程度以下になっ
ている。（ｂ）は順方向バイアス即ちへβ電極４側が正
となる電圧を印加した場合であり、ドナー性分子を含む
１８ｍ２の電子状態からアクセプタ性分子を含むＬＢＢ
ａＯ電子状態に電子遷移を生じ、順方向電流が流れる。
逆バイアス時には、アクセプタ性分子を含むＬＢＢａＯ
電子状態とドナー性分子を含むＬＢＩＩ２の電子状態の
間のポテンシャル・バリアが高いため電子遷移が起こら
ず、電流は流れない。
電子状態とドナー性分子を含むＬＢＩＩ２の電子状態の
間のポテンシャル・バリアが高いため電子遷移が起こら
ず、電流は流れない。
第３図はこの実施例の整流素子について測定した電流−
電圧特性である。図示のように整流特性、即ちダイオー
ド特性を示す。
電圧特性である。図示のように整流特性、即ちダイオー
ド特性を示す。
またこの実施例の整流素子の周波数応答特性を測定した
ところ、５００ Ｇ ）ｌｚまで応答することが確認さ
れ、高速スイッチング動作が可能であることが明らかに
なった。
ところ、５００ Ｇ ）ｌｚまで応答することが確認さ
れ、高速スイッチング動作が可能であることが明らかに
なった。
本実施例の整流素子での整流特性のメカニズムと高速応
答特性の理由を少し詳しく説明すると、以下の通りであ
る。バイアス零の状態でドナー性分子を含む１Ｂ１１２
の電子状態を占有していた電子は、バイアス電圧が、 （（ｌｐｏ−ＥＡ）−ｅ２／ａ）／ｅ ［Ｖ］を越え
ると、アクセプタ性分子を含むＬＢ膜３の電子状態へと
遷移する。Ｉｐｏが小さく、ＥＡが大きく、その差が１
ｅＶ程度の本実施例の場合これが順方向電流となる。−
８２／ａは、ドナー性分子層に生じる正孔とアクセプタ
性分子層に生じる電子のクーロン・ポテンシャルである
。そしてドナー性分子を含むＬＢＢ２Ｏ電子親和力とア
クセプタ性分子を含むＬＢＩＩ３のイオン化ポテンシャ
ルの差は大きく、従って逆バイアスでは電子遷移は生じ
ない。
答特性の理由を少し詳しく説明すると、以下の通りであ
る。バイアス零の状態でドナー性分子を含む１Ｂ１１２
の電子状態を占有していた電子は、バイアス電圧が、 （（ｌｐｏ−ＥＡ）−ｅ２／ａ）／ｅ ［Ｖ］を越え
ると、アクセプタ性分子を含むＬＢ膜３の電子状態へと
遷移する。Ｉｐｏが小さく、ＥＡが大きく、その差が１
ｅＶ程度の本実施例の場合これが順方向電流となる。−
８２／ａは、ドナー性分子層に生じる正孔とアクセプタ
性分子層に生じる電子のクーロン・ポテンシャルである
。そしてドナー性分子を含むＬＢＢ２Ｏ電子親和力とア
クセプタ性分子を含むＬＢＩＩ３のイオン化ポテンシャ
ルの差は大きく、従って逆バイアスでは電子遷移は生じ
ない。
一方、上述の電子遷移は、遷移に関連する各々の電子状
態間の遷移行列要素ＨＨの大きざによって支配され、遷
移に要する時間はその遷移行列要素Ｈｉｔの逆数に比例
する。遷移行列要素Ｈｉｆは、ドナー性分子、アクセプ
タ性分子の種類、その間の距離および位置関係によって
決まるが、両分子を適当に選ぶことにより、１ｍｅＶ〜
１ｅＶの範囲のものを設定することが可能である。従っ
てスイッチング時間が１ｐｓｅｃ〜１ｏ″３ｐＳｅＣと
極めて高速のスイッチング動作が可能となるのである。
態間の遷移行列要素ＨＨの大きざによって支配され、遷
移に要する時間はその遷移行列要素Ｈｉｔの逆数に比例
する。遷移行列要素Ｈｉｆは、ドナー性分子、アクセプ
タ性分子の種類、その間の距離および位置関係によって
決まるが、両分子を適当に選ぶことにより、１ｍｅＶ〜
１ｅＶの範囲のものを設定することが可能である。従っ
てスイッチング時間が１ｐｓｅｃ〜１ｏ″３ｐＳｅＣと
極めて高速のスイッチング動作が可能となるのである。
本発明は上記した実施例に限られるものではない。例え
ばドナー性分子は上記実施例のＴＴＦの他に、以下のよ
うなものを用い得る。
ばドナー性分子は上記実施例のＴＴＦの他に、以下のよ
うなものを用い得る。
ジメチルテトラチアフルバレン（ＤＭＴＴＦ）、テトラ
メチルチアフルバレン（ＴＭＴＴＦ）、ヘキサメチレン
テトラチアフルバレン（ＨＭＴＴＦ）、ジセレナジチア
フルバレン（ＤＳＤＴＦ）、ジメチルジセレナジチアフ
ルバレン（ＤＭＤＳＤＴＦ）、ヘキサメチレンジセレナ
ジチアフルバレン（ＨＭＤＳＤＴＰ） 、テトラセレナ
フルバレン（ＴＳＦ）、テトラメチルテトラセレナフル
バレン（ＴＭＴＳＦ）、ヘキサメチレンテトラセレナフ
ルバレン（ＨＭＴＳＦ）、テトラセレノテトラセン（Ｔ
ＳＴ） 、キノリン（Ｑ）、ｎ−メチルキノリニウムヨ
ーダイト（ＮＭＱ） 、アクリジン（Ａｄ）、ｎ−メチ
ルツェナジニウム メチルスルフエイト（ＮＭＰ＞、１
．２−ジ（ｎ−ｘチル−４−ピリジウム）エチル ヨー
ダイト（（ＤＥＰＥ）２３１２−）。
メチルチアフルバレン（ＴＭＴＴＦ）、ヘキサメチレン
テトラチアフルバレン（ＨＭＴＴＦ）、ジセレナジチア
フルバレン（ＤＳＤＴＦ）、ジメチルジセレナジチアフ
ルバレン（ＤＭＤＳＤＴＦ）、ヘキサメチレンジセレナ
ジチアフルバレン（ＨＭＤＳＤＴＰ） 、テトラセレナ
フルバレン（ＴＳＦ）、テトラメチルテトラセレナフル
バレン（ＴＭＴＳＦ）、ヘキサメチレンテトラセレナフ
ルバレン（ＨＭＴＳＦ）、テトラセレノテトラセン（Ｔ
ＳＴ） 、キノリン（Ｑ）、ｎ−メチルキノリニウムヨ
ーダイト（ＮＭＱ） 、アクリジン（Ａｄ）、ｎ−メチ
ルツェナジニウム メチルスルフエイト（ＮＭＰ＞、１
．２−ジ（ｎ−ｘチル−４−ピリジウム）エチル ヨー
ダイト（（ＤＥＰＥ）２３１２−）。
またアクセプタ性分子としても上記実施例のＴＣＮＱの
他に以下のようなものを用い得る。
他に以下のようなものを用い得る。
２−メチル−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタ
ン（ＭＴＣＮＱ＞、２．５−ジメチル−７，７，８，８
−テトラシアノキノジメタン（ＤＭＴＣＮＱ）、２．５
−ジエチル−７，７，８゜８−テトラシアノキシメタン
（ＤＥＴＣＮＱ）、２−メトキシ−７，７，８，８−テ
トラシアノキノジメタン（ＭＯＴＣＮＱ）、２．５−ジ
メトキシ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン
（ＤＭＯＴＣＮＱ）、２−メトキシ−５−エトキシ−７
，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ｌｖｌＯＥ
ＯＴｃＮＱ）、２−メトキシジヒドロジオキサベンゾ−
７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＭＯＤＯ
ＴＣＮＱ） 、２−クロ０−７．７．８．８−テトラシ
アノキノジメタン〈ＣＴＣＮＱ）、２−プロモーフ、７
．８．８−テトラシアノキノジメタン（ＢＴＣＮＱ）、
２．５−ジブＯモーフ、７．８．８−テトラシアノキノ
ジメタン（ＤＢＴＣＮＱ）、２．５−ショート−７゜７
．８．８−テトラシアノキノジメタン（ＤＩＴＣＮＱ）
、２−クロロ−５−メチル−７，７，８゜８−テトラシ
アノキノジメタン（ＣＭＴＣＮＱ）、２−ブロモ−５−
メチル−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（
ＢＭＴＣＮＱ）、２−ヨード−５−メチル−７，７，８
，８−テトラシアノキノジメタン（Ｉ ＭＴＣＮＱ ＞
、 １１．１１．１２゜１２−テトラシアノ−２，６
−ナフドキノジメタン（ＴＮＡＰ）、１．１．２．３，
４．４−ヘキサシアノブタジェン（）−１ｃＢ）、ナト
リウム １３゜１３、１４．１４−テトラシアノジフェ
ノキノジメタン（ＮａＴＣＤＱ）、テトラシアノエチレ
ン（ＴＣＮＥ）、０−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン
、２．６−ナフドキノン、ジフェノキノン、テトラシア
ノキノン（ＴＣＮＤＱ）、ｐ−フルオラニル、テトラク
ロロジフェノキノン。
ン（ＭＴＣＮＱ＞、２．５−ジメチル−７，７，８，８
−テトラシアノキノジメタン（ＤＭＴＣＮＱ）、２．５
−ジエチル−７，７，８゜８−テトラシアノキシメタン
（ＤＥＴＣＮＱ）、２−メトキシ−７，７，８，８−テ
トラシアノキノジメタン（ＭＯＴＣＮＱ）、２．５−ジ
メトキシ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン
（ＤＭＯＴＣＮＱ）、２−メトキシ−５−エトキシ−７
，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ｌｖｌＯＥ
ＯＴｃＮＱ）、２−メトキシジヒドロジオキサベンゾ−
７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＭＯＤＯ
ＴＣＮＱ） 、２−クロ０−７．７．８．８−テトラシ
アノキノジメタン〈ＣＴＣＮＱ）、２−プロモーフ、７
．８．８−テトラシアノキノジメタン（ＢＴＣＮＱ）、
２．５−ジブＯモーフ、７．８．８−テトラシアノキノ
ジメタン（ＤＢＴＣＮＱ）、２．５−ショート−７゜７
．８．８−テトラシアノキノジメタン（ＤＩＴＣＮＱ）
、２−クロロ−５−メチル−７，７，８゜８−テトラシ
アノキノジメタン（ＣＭＴＣＮＱ）、２−ブロモ−５−
メチル−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（
ＢＭＴＣＮＱ）、２−ヨード−５−メチル−７，７，８
，８−テトラシアノキノジメタン（Ｉ ＭＴＣＮＱ ＞
、 １１．１１．１２゜１２−テトラシアノ−２，６
−ナフドキノジメタン（ＴＮＡＰ）、１．１．２．３，
４．４−ヘキサシアノブタジェン（）−１ｃＢ）、ナト
リウム １３゜１３、１４．１４−テトラシアノジフェ
ノキノジメタン（ＮａＴＣＤＱ）、テトラシアノエチレ
ン（ＴＣＮＥ）、０−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン
、２．６−ナフドキノン、ジフェノキノン、テトラシア
ノキノン（ＴＣＮＤＱ）、ｐ−フルオラニル、テトラク
ロロジフェノキノン。
また上記実施例ではドナー性分子層とアクセプタ性分子
層のみの積層構造により整流特性を得るようにしたが、
これらの間に絶縁性の有機分子を用いた超１１１１を介
在させてもよい。
層のみの積層構造により整流特性を得るようにしたが、
これらの間に絶縁性の有機分子を用いた超１１１１を介
在させてもよい。
第１図は本発明の一実施例の有機１１ＩＩＩ流素子を示
す図、第２図（ａ）（ｂ）はその整流特性を説明するた
めのバンド図、第３図は同じく得られた整流特性を示す
図である。 １・・・Ａｎ基板、２・・・ドナー性分子を含むＬＢＩ
ｍ、３・・・アクセプタ性分子を含むＬＢＩＭ、４・・
・Ａ２電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 Ｃａ”）（ｂ） 第２図
す図、第２図（ａ）（ｂ）はその整流特性を説明するた
めのバンド図、第３図は同じく得られた整流特性を示す
図である。 １・・・Ａｎ基板、２・・・ドナー性分子を含むＬＢＩ
ｍ、３・・・アクセプタ性分子を含むＬＢＩＭ、４・・
・Ａ２電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 Ｃａ”）（ｂ） 第２図
Claims (3)
- （１）金属／有機薄膜／金属の接合構造を有し、有機薄
膜をドナー性有機分子を含む薄膜とアクセプタ性有機分
子を含む薄膜の積層構造としたことを特徴とする有機薄
膜整流素子。 - （２）ドナー性有機分子を含む薄膜とアクセプタ性有機
分子を含む薄膜の間に絶縁性有機分子からなる薄膜を介
在させた特許請求の範囲第１項記載の有機薄膜整流素子
。 - （３）有機薄膜はラングミュア・ブロジェット法により
形成される特許請求の範囲第１項記載の有機薄膜整流素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60205726A JPS6265477A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 有機薄膜整流素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60205726A JPS6265477A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 有機薄膜整流素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265477A true JPS6265477A (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=16511658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60205726A Pending JPS6265477A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 有機薄膜整流素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265477A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2217910B (en) * | 1988-03-29 | 1992-05-27 | Toshiba Kk | Organic thin film device |
| US6960489B2 (en) | 2000-09-01 | 2005-11-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for structuring an OFET |
| US7786818B2 (en) | 2004-12-10 | 2010-08-31 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Electronic component comprising a modulator |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP60205726A patent/JPS6265477A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2217910B (en) * | 1988-03-29 | 1992-05-27 | Toshiba Kk | Organic thin film device |
| US6960489B2 (en) | 2000-09-01 | 2005-11-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for structuring an OFET |
| US7786818B2 (en) | 2004-12-10 | 2010-08-31 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Electronic component comprising a modulator |
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