KR101219068B1 - 반도체 장치 및 이를 이용한 무선 통신 시스템 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 164
- 238000004891 communication Methods 0.000 title abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 29
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 65
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 2
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 244000144972 livestock Species 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
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Abstract
본 발명의 반도체 장치는 충분히 초기화될 수 있으며, 이것은 무선 통신을 통해 데이터를 송수신한다. 반도체 장치는 안테나, 전원 회로, 전원 회로에 의해 생성된 DC 전압을 전원 전압으로 이용하는 회로, 및 저항를 포함한다. 안테나는 한 쌍의 단자들을 포함하고, 무선 신호(변조된 반송파)를 수신한다. 전원 회로는 제 1 단자 및 제 2 단자를 포함하고, 수신한 무선 신호(변조된 반송파)를 이용하여 제 1 단자와 제 2 단자 사이에 DC 전압을 생성한다. 저항은 제 1 단자와 제 2 단자 사이에 연결된다. 이 방법으로, 반도체 장치 및 무선 통신 시스템은 데이터를 정확하게 송수신할 수 있다.
반도체 장치, 박막 트랜지스터, 무선태그, 전원전압, 반송파
Description
본 발명은 무선 통신을 통해 데이터를 송수신할 수 있는 반도체 장치에 관한 것이다. 이러한 반도체 장치는 무선 태그, RF 태그, RFID 태그, IC 태그, ID 태그, 전자 태그, 트랜스폰더(transponder), 무선 메모리, RFID 칩, 무선 칩, ID 칩, 무선 IC 카드, 또는 ID 카드 등으로 불린다. 특히, 본 발명은 안테나를 통해 리더(reader)/라이터(writer)로부터 생성된 무선 신호들을 수신하고 동작에 필요한 전원 전압을 생성하는 반도체에 관한 것이다.
최근, 유비쿼터스 정보 사회로 불리는 것과 같이, 사람들이 자신이 원하는 시간과 장소에서 정보 네트워크에 액세스할 수 있도록 환경이 관리되고 있다. 이러한 환경에서, 개인 인증 기술이 주목을 받고 있으며, 이에 따라 ID(Identification number)가 각 객체에 할당됨으로써 객체의 이력이 분류되고, 제조, 또는 관리 등이 촉진된다. 특히, 무선 통신을 통해 데이터를 송수신할 수 있는 반도체 장치(이하, 무선 태그(wireless tag)라고도 불림)가 이용되기 시작하였다.
도 3A는 무선 태그를 이용한 무선 통신 시스템의 예를 도시한다. 무선 통신 시스템은 리더/라이터(300), 제어 단말기(302), 및 무선 태그(303)로 구성된다. 제어 단말기(302)는 리더/라이터(300)를 제어한다. 데이터는 리더/라이터(300)에 연결된 안테나(301)와 무선 태그(303)의 안테나(304) 사이에서 무선으로 송수신 된다.
무선 데이터 전송 및 수신은 다음과 같이 수행된다. 무선 태그(303)의 안테나(304)는 리더/라이터(300)에 연결된 안테나(301)로부터 출력되는 무선 신호를 수신한다. 무선 신호는 전송된 데이터에 대응하여 변조된 전자기파이다. 데이터를 전송하기 위한 전자기파는 반송파(carrier wave)이다. 무선 신호는 또한 데이터에 대응하여 변조된 반송파라고도 불린다. 무선 신호(변조된 반송파(330))는 안테나(304)에 의해 수신되고, 처리되어야 하는 무선 태그(303)의 신호 처리 회로(305)로 입력된다. 이 방식에서, 무선 태그(303)는 무선 신호(변조된 반송파(330))에 포함된 데이터를 얻는다. 후속하여, 응답 데이터를 포함하는 신호가 신호 처리 회로(305)로부터 출력된다. 무선 태그(303)의 안테나(304)는 출력된 신호에 대응하는 무선 신호(변조된 반송파(330))를 리더/라이터(300)에 연결된 안테나(301)로 전송한다. 무선 신호(변조된 반송파(330))는 안테나(301)에 의해 수신되고, 리더/라이터(300)는 응답 데이터를 얻고, 제어 단말기(302)에 응답 데이터를 축적한다.
무선 태그(303)의 안테나(304)는 리더/라이터(300)에 연결된 안테나(301)로부터 출력된 무선 신호(변조된 반송파(330))를 수신하고, 무선 신호(변조된 반송파(330))는 대역-통과 필터(306)를 통해 무선 태그(303)의 전원 회로(307)로 입력된다. 전원 회로(307)는 입력된 무선 신호(변조된 반송파(330))로부터 무선 태 그(303)의 내부 회로(신호 처리 회로(305) 등에 상응하는)를 구동하기 위한 전원 전압을 생성한다.
특히, 전원 회로(307)는 입력된 무선 신호(변조된 반송파(330))를 DC 신호로 변환하는 정류 회로(rectifying circuit; 308), 및 DC 신호를 평활화하는(smooth) 유지 용량(holding capacitor)을 포함한다. 이 방식에서, 전원 회로(307)는 제 1 단자(310)와 제 2 단자(311) 간에 DC 전압을 생성한다. 생성된 DC 전압은 무선 태그(303)의 내부 회로에 전원 전압으로 제공된다.
전술한 바와 같은 무선 신호(변조된 반송파(330))를 이용하여 내부 회로 구동용 전원 전압을 생성하는 무선 태그는 예컨대, 특허 문서 1에 개시되어 있다.
[특허 문서 1]
일본 특허 공개 번호 제 2002-319007 호
도 3A에 도시된 바와 같은 무선 태그(303)를 이용하는 무선 통신 시스템에서, 무선 신호(변조된 반송파(330))와 무선 신호(변조된 반송파(330))를 이용하여 생성된 전원 전압 간의 관계는 도 3B에서 개략적으로 도시된다. 제 1 단자(310)의 전위(332)가 상수로 고정되는 반면, 전원 전압은 제 2 단자(311)의 전위(331)의 변화에 의해 표현된다. 도 3B에 도시된 바와 같이, 무선 신호(변조된 반송파(330))가 리더/라이터(300)에 연결된 안테나(301)로부터 출력되는 주기(주기 1로 표시) 및 무선 신호가 전혀 출력되지 않는 주기(주기 2라 표시)가 교번하여 정상적으로 제공된다. 무선 신호(변조된 반송파(330))가 전혀 출력되지 않는 주기에서는, 전원 전압이 제로로 감소되거나 제 2 단자(311)의 전위(331)가 제 1 단자(310)의 전위(332)에 가깝게 감소될 것이 요구된다.
무선 태그(303)의 전원 전압을 제로 또는 제로에 가까운 레벨로 주기적으로 감소시킴으로써 무선 태그(303)의 회로를 초기화시키기 위해, 무선 신호(변조된 반송파(330))가 입력되지 않는 주기(주기 2)에서, 전원 전압이 제로로 감소되거나 제 2 단자(311)의 전위(331)가 제 1 단자(310)의 전위(332)에 가깝게 감소된다. 이 방법에서, 새로운 무선 신호(변조된 반송파(330))가 수신될 때마다 무선 태그(303)의 회로를 초기화시킴으로써, 무선 태그(303)는 규격에 따라 정확하게 리더/라이터(300)로부터 전송된 신호를 수신할 수 있으며, 동시에 규격에 따른 신호는 리더/라이터(300)에 정확히 전송될 수 있다.
그러나, 실제에서는, 전원 전압이 제로로 감소되지 않거나, 제 2 단자(311)의 전위가 제 1 단자(310)의 전위에 가깝게 감소되지 않는 문제가 있다. 즉, ΔV 이상의 전원 전압이 주기 2에서 조차 항상 발생하는 문제가 있다. 특히, 전술한 문제는 높은 전원 전압을 얻기 위해 전원 회로(307)의 유지 용량(309)의 용량을 대략 수백 pF 크기로 설정했을 때 큰 문제가 된다.
주기 2에서, 전원 전압(제 1 단자(310)와 제 2 단자(311) 간의 전압)이 제로가 되지 않거나 제 2 단자(311)의 전위가 제 1 단자(310)의 전위에 가깝게 되지 않으면 무선 태그(303)는 충분히 초기화되지 못할 수 있다. 초기화되지 못하면, 무선 태그(303)는 리더/라이터(300)로부터 전송된 신호를 수신하지 못하며, 리더/라이터(300)에 응답하는 신호를 전송하지 못한다. 또한, 초기화가 수행되지 않는 경우, 일단 무선 태그(303)가 신호를 수신하는 데 실패하면, 무선 태그(303)에 의해 수행되는 이후의 동작들이 작동하지 않아 종료한다.
전술한 관점에서, 본 발명에서는 반도체 장치의 초기화가 충분히 수행되어, 무선 통신을 통해 데이터를 송수신한다.
반송파로부터 전원 전압을 생성하는 본 발명의 반도체 장치에서, 저항은 전원 전압을 반도체 장치의 내부 회로에 인가하는 한 쌍의 단자들(제 1 단자 및 제 2 단자) 간에 연결된다.
즉, 본 발명의 반도체 장치는, 안테나, 전원 회로, 전원 회로에 의해 생성된 DC 전압을 전원 전압으로 이용하는 회로, 및 저항을 포함한다. 안테나는 한 쌍의 단자들을 포함하고, 무선 신호(변조된 반송파)를 수신한다. 전원 회로는 제 1 단자 및 제 2 단자를 포함하고, 수신한 무선 신호(변조된 반송파)를 이용하여 제 1 단자와 제 2 단자 사이에 DC 전압을 생성한다. 저항은 제 1 단자와 제 2 단자 사이에 연결된다.
본 발명의 반도체 장치는 충분히 초기화될 수 있다. 따라서, 본 발명의 반도체 장치는 데이터를 정확하게 송수신할 수 있다. 또한, 본 발명의 반도체 장치는 일단 신호를 수신하는 데 실패한 경우에도 초기화될 수 있으며, 따라서 이후의 동작들이 정확하게 수행될 수 있다. 이 방법으로, 고 실현성을 가진 반도체 장치 및 반도체 장치를 이용하는 무선 통신 시스템이 제공된다.
도 1은 본 발명의 반도체 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 반도체 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 3A는 종래 반도체 장치의 구성을 도시하는 도면이고, 도 3B는 그 특성을 나타내는 도면.
도 4A는 본 발명의 반도체 장치의 특성들을 도시하는 도면이고, 도 4B는 종래 반도체 장치의 특성들을 도시하는 도면.
도 5는 리더/라이터의 구성을 도시하는 도면.
도 6A 내지 6D는 본 발명의 반도체 장치의 안테나들의 구조들을 도시하는 도면들.
도 7A 내지 7C는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 도면들이고, 도 7D는 그 응용을 도시하는 도면.
도 8A 내지 8C는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 도면들.
도 9는 본 발명의 반도체 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 10은 안테나 이외에 본 발명의 반도체 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 11은 본 발명의 반도체 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 12A는 본 발명의 반도체 장치의 특성을 도시하는 도면이고, 도 12B는 종래 반도체 장치의 특성을 도시하는 도면.
도 13A 및 13B는 본 발명의 반도체 장치를 이용하는 시스템들을 도시하는 도면들.
도 14A 내지 14E는 본 발명의 반도체 장치의 애플리케이션들을 도시하는 도면들.
도 15A 및 15B는 각각 반도체 장치의 배선들을 배열하는(lead) 종래 방법과 본 발명의 방법을 나타내는 도면들.
도 16은 본 발명의 반도체 장치의 구성을 도시하는 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 저항 101: 반도체 장치
200: 대역-통과 필터 201: 복조 회로
202: 분석 회로 203: 메모리
204: 인코딩 회로 205: 변조 회로
300: 리더/라이터 301: 안테나
302: 제어 단말기 303: 무선 태그
304: 안테나 305: 신호 처리 회로
306: 대역-통과 필터 307: 전원 회로
308: 정류 회로 309: 유지 용량
310: 제 1 단자 311: 제 2 단자
330: 변조된 반송파 331: 제 2 단자(311)의 전위
332: 제 1 단자(310)의 전위 340: 두께
341: 캐리어 이동 방향 351: 수직 방향
352: 접촉 홀 361, 362, 363: 배선
401: 제 1 신호 402: 제 2 신호
444: 파형 500: 리더/라이터
501: 발진 회로 502: 인코딩 회로
503: 변조 회로 504: 증폭 회로
505: 안테나 506: 대역-통과 필터
507: 증폭 회로 508: 복조 회로
509: 분석 회로 510: 제어 단말기
600: 기판 601: 소자 그룹
602: 단자부 603: 도전성 입자
604: 수지 610: 기판
660: 반도체층 661: 기저막
662: 반도체층 662a: 채널 형성 영역
662b: 불순물 영역 662c: 낮은 농도의 불순물 영역
663: 제 1 절연막 664: 게이트 전극
665: 제 3 절연막 666: 배선
667: 제 2 절연막 668: 제 4 절연막
701: 가요성 기판 720: 무선 태그
801: 가요성 보호층 802: 안테나
803: 가요성 보호층 804: 소자 그룹
805: 소스 및 드레인 중 하나
806: 소스 및 드레인 중 다른 하나
807: 게이트 전극 880: 기판
881: 트랜지스터 901: 공진 용량
902: 클록 보정/카운터 회로 903: 코드 추출/인식 결정 회로
904: 메모리 컨트롤러 905: 마스크 롬
1000: 회로 1301: 디스플레이부
1302: 리더/라이터 1303: 물건
1304: 리더/라이터 1305: 물건
1501a: 모서리 부분 1501b: 모서리 부분
1501c: 모서리 부분 1502a: 모서리 부분
1502b: 모서리 부분 1502c: 모서리 부분
본 발명은 수반하는 도면들을 참조하여 실시 형태들 및 실시예들에 의해 전체적으로 설명되지만, 다양한 변경 및 수정들이 이루어질 수 있음은 당업자에게 자명하다. 그러므로, 그러한 변경들 및 수정들이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 그들은 본 발명에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
(실시 형태 1)
본 발명의 반도체 장치는 도 1을 참조하여 설명하기로 한다. 도 1과 도 3A 및 3B에서 동일한 구성들은 동일한 참조번호들로 표시되었음을 주의해야 한다. 반도체 장치(101)는 안테나(304), 대역-통과 필터(306), 전원 회로(307), 전원 회로(307)에 의해 생성된 DC 전압을 전원 전압으로 이용하는 회로(신호 처리 회로(305)가 대표적으로 도시됨), 및 저항(100)을 포함한다. 안테나(304)는 한 쌍의 단자들을 포함하고, 무선 신호(변조된 반송파)를 수신한다. 대역-통과 필터(306)는 안테나(304)의 한 쌍의 단자들 중 하나와 전원 회로(307)의 입력 사이에 연결된다. 전원 회로(307)는 제 1 단자(310)와 제 2 단자(311)를 포함하고, 수신한 무선 신호(변조된 반송파)를 이용하여 제 1 단자(310)와 제 2 단자(311) 간에 DC 전압을 생성한다. 저항(100)은 제 1 단자(310)와 제 2 단자(311) 사이에 연결된다.
동일한 전위들이 안테나(304)의 한 쌍의 단자들 중 다른 하나와 제 1 단자(310)에 인가될 수 있다. 안테나(304)의 한 쌍의 단자들 중 다른 하나와 제 1 단자(310)는 접지될 수 있다.
또한, 전원 회로(307)는 정류 회로(308) 및 유지 용량(309)으로 구성될 수 있다. 정류 회로(308)는 무선 신호(변조된 반송파)를 정류하여 그것을 DC 신호로 변환한다. 유지 용량(309)은 정류 회로(308)에서 출력되는 DC 신호를 평활화한다. 유지 용량(309)에 의해 평활화된 신호는 제 1 단자(310)와 제 2 단자(311) 사이에 DC 전압으로 출력된다. 전파 정류(full-wave rectification)를 수행하는 회로 또는 반파 정류(half-wave rectification)를 수행하는 회로 중 어느 하나가 정류 회로(308)로 이용될 수 있다.
반도체층을 이용하여 형성된 저항이 저항(100)으로 이용될 수 있다. 예를 들어, 신호 처리 회로(305)는 박막 트랜지스터를 이용하여 형성되고, 저항(100)은 박막 트랜지스터의 활성층(active layer)으로 기능하는 반도체 층과 동시에 형성되는 반도체층을 이용하여 형성될 수 있다. 이 경우, 도전성을 부여하는 불순물 원소들이 저항(100)을 형성하는 반도체층에 첨가될 수 있다. 도전성을 부여하는 불순물 원소들이 첨가된 반도체층을 이용하여 형성된 저항에서, 저항의 변동률이 도전성을 부여하는 불순물 원소들이 첨가되지 않은 반도체층을 이용하여 형성된 저항에서보다 작아질 수 있다. 특히, 폴리크리스탈린 반도체막을 저항(100)을 형성하는 반도체층으로 이용하는 경우, 막의 결정도(crystallinity)의 편차에 의해 유발되는 저항의 편차가 두드러진다. 그러므로, 저항(100)을 형성하는 반도체층에 도전성을 부여하는 불순물 원소들을 첨가하는 것이 효과적이다.
도전성을 부여하는 불순물 원소들은 대략 박막 트랜지스터의 영역을 형성하는 채널에 첨가되는 것과 동일한 농도로, 저항(100)을 형성하는 반도체층에 첨가될 수 있다. 반도체층으로서 CVD 방법 등으로 형성된 비결정질 반도체막을 이용하는 경우, 형성된 비결정질 반도체막이 약간 N-형 도전성을 갖는다고 알려져 있다. 도전성을 부여하는 불순물 원소들을 비결정질 반도체막에 첨가함으로써, 반도체막의 도전성은 거의 내재적일 수 있고, 그의 높은 저항성이 얻어질 수 있다. 저항이 신호 처리 회로(305)를 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 공정들을 이용하여 형성될 수 있으므로, 반도체 장치의 제조 비용은 절감되고 그 산출이 개선될 수 있다.
다이오드 또는 박막 트랜지스터가 저항(100)으로 이용될 수 있다. 예를 들어, 다이오드-접속된(그 드레인 및 게이트가 전기적으로 접속된) 박막 트랜지스터가 이용될 수도 있다.
반송파의 주파수는 서브밀리파로서 300 GHz ~ 3 THz, 밀리미터파로서 30 ~ 300 GHz, 마이크로파로서 3 ~ 30 GHz, 극초단파로서 300 MHz ~ 3 GHz, 초고주파로서 30 ~ 300 MHz, 단파로서 3 ~ 30 MHz, 중파로서 300 KHz ~ 3 MHz, 장파로서 30 ~ 300 kHz, 초장파로서 3 ~ 30 kHz 중 임의의 하나가 될 수 있다.
안테나(304)는 다이폴 안테나(dipole antenna), 패치 안테나(patch antenna), 루프 안테나(loop antenna) 및 야기 안테나(yagi antenna) 중 임의의 하나가 될 수 있다.
무선 신호는 전자기 결합 방법, 전자기 유도 방법, 및 전파 방법 중 임의의 하나에 의해 안테나(304)에 의해 송수신 될 수 있다.
본 발명의 무선 통신 시스템은 반도체 장치(101), 주지의 구성을 가진 리더/라이터, 리더/라이터와 연결된 안테나, 및 리더/라이터를 제어하기 위한 제어 단말기를 이용할 수 있다. 반도체 장치(101)와 리더/라이터에 연결된 안테나는, 공간 분할 다중 방식(Space Division Multiplex method), 편광 분할 다중 방법(Polarization Division Multiplex method), 주파수 분할 다중 방법(Frequency Division Multiplex method), 시간 분할 다중 방법(Time Division Multiplex method), 코드 분할 다중 방법(Code Division Multiplex method), 및 직교 주파수 분할 다중 방법(Orthogonal Frequency Division Multiplex method) 중 임의의 하나를 적용하여, 일방 통신 또는 양방 통신한다.
도 4A는 반도체 장치(101)를 이용하는 본 발명의 무선 통신 시스템에서 무선 신호(변조된 반송파)를 이용하여 생성된 전원 전압(제 1 단자(310)의 전위(332)가 상수로 고정되는 반면, 제 2 단자(311)의 전위(331)가 변동되는 것으로 표현됨)과 무선 신호(변조된 반송파)와의 관계를 보여주고 있다. 도 4B는 종래 반도체 장치(무선 태그(303))를 이용하는 무선 통신 시스템에서 무선 신호(변조된 반송파)를 이용하여 생성되는 전원 전압과 무선 신호(변조된 반송파)와의 관계를 보여주고 있다.
도 4A 및 4B에서, 제 1 신호(401)는 리더/라이터로부터 전송된 데이터에 대응되는 신호이다. 진폭이 변조된 반송파는 예로서 제 1 신호(401)로 이용되었다. 반송파는 아날로그 변조 또는 디지털 변조에 의해 변조되고, 이것은 진폭 변조, 위상 변조, 주파수 변조, 및 스펙트럼 확산 중 임의의 하나가 채용될 수 있다.
본 발명의 반도체 장치를 이용하는 무선 통신 시스템은 무선 신호(변조된 반송파(330))가 입력되지 않는 주기 2에서 제 2 단자(311)의 전위(331)를 제 1 단자(310)의 전위(332)에 가깝게 감소시키거나, 또는 전원 전압을 제로로 감소시킬 수 있다. 그러므로, 리더/라이터로부터 전송된 제 1 신호(401)를 수신하는 반도체 장치는 응답 데이터에 대응하는 제 2 신호(402)를 전송한다. 이 방법에서, 반도체 장치는 정상적으로 데이터를 송수신한다.
반면, 도 4B에 도시된 바와 같이, 종래 반도체 장치를 이용하는 무선 통신 시스템은 무선 신호(변조된 반송파(330))가 입력되지 않는 주기(주기 2)에서 제 2 단자(311)의 전위(331)를 제 1 단자(310)의 전위(332)에 가깝게 감소시키거나, 또는 전원 전압을 제로로 감소시킬 수 없다. 그러므로, ΔV 또는 ΔV 이상의 전원 전압이 항상 생성된다. 그 결과, 리더/라이터로부터 전송되는 제 1 신호(401)를 수신하는 반도체 장치는 응답하지 못하고(도 4B의 파형들(444) 참조), 이는 데이터 전송 및 수신에서의 고장을 일으킨다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 데이터 전송 및 수신을 정상적으로 수행하는 반도체 장치 및 반도체 장치를 이용하는 무선 통신 시스템을 제공할 수 있다.
(실시 형태 2)
본 실시 형태에서는, 실시 형태 1에서 설명된 반도체 장치(101)의 신호 처리 회로(305)의 예가 도 2를 참조하여 설명된다. 도 1과 동일한 도 2의 구성들은 동일한 참조 번호들로 표시되었고, 이에 관한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
신호 처리 회로(305)는 대역-통과 필터(200), 복조 회로(demodulation circuit; 201), 분석 회로(202), 및 메모리(203)를 포함한다. 안테나(304)를 통해 수신된 무선 신호(변조된 반송파)는 대역-통과 필터(200)를 통해 복조 회로(201)로 입력된다. 복조 회로(201)는 무선 신호(변조된 반송파)를 통해 정보를 복조한다. 분석 회로(202)는 복조 회로(201)로 복조된 정보를 분석하여 대응하는 데이터를 출력한다. 메모리(203)는 분석 회로(202)에 의해 분석된 데이터에 기초하여 동작한다. 즉, 메모리(203)는 분석 회로(202)에 의해 분석된 데이터를 저장한다. 대안적으로, 메모리(203)는 메모리(203)에 저장된 데이터를 읽어낸다. 메모리(203)에 저장된 데이터는 반도체 장치(101)가 제조될 때 저장된 데이터이거나, 또는 무선 통신을 통해 반도체 장치(101)에 의해 수신되어 메모리(203)에 저장된 데이터일 수 있다. 재기록 가능한 메모리와 재기록 가능하지 않은 메모리 중 하나 또는 둘 모두 메모리(203)로 이용될 수 있음을 주의해야 한다.
반도체 장치에 제공된 메모리(203)는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), FeRAM(Ferroelectic Random Access Memory), mask ROM(Read Only Memory), EPROM(Electrically Programmable Read Only Memory), EEPROM(Electrically Erasible and Programmable Read Only Memory), 또는 플래시 메모리일 수 있다.
신호 처리 유닛(305)은 인코딩 회로(204) 및 변조 회로(modulation circuit; 205)를 더 포함할 수 있다. 인코딩 회로(204)는 메모리(203)에 저장된 데이터를 미리 결정된 규격에 따라 인코딩하여 그것을 대응하는 정보로 변환한다. 변조 회로(205)는 변조된 신호를 인코딩 회로(204)에 의해 인코딩된 정보에 따라 출력한다.
인코딩 회로(204)는 예컨대, 맨체스터 인코딩, NRZ(Non Return Zero) 인코딩, 및 밀러 인코딩(Miller encoding)과 같은 규격에 기초하여 인코딩할 수 있는 회로 구성을 갖는다.
도 2는 대역-통과 필터(306)에 추가하여 대역-통과 필터(200)가 설치된 예를 보여주고 있으며, 본 발명은 이에 한정되지는 않는다. 대역-통과 필터(200) 및 대역-통과 필터(306)가 공통으로 이용될 수 있다.
본 실시 형태는 실시 형태 1과 결합하여 자유롭게 구현될 수 있다.
(실시 형태 3)
본 실시 형태에서는, 실시 형태 1 및 2에서 설명된 반도체 장치(101)를 이용하는 무선 통신 시스템의 리더/라이터의 예를 도 5를 참조하여 설명하기로 한다.
리더/라이터(500)는 발진 회로(oscillation circuit; 501), 인코딩 회로(502), 변조 회로(503), 증폭 회로(504), 대역-통과 필터(506), 증폭 회로(507), 복조 회로(508), 및 분석 회로(509)를 포함한다. 또한, 안테나(505)가 리더/라이터(500)에 연결된다.
우선, 리더/라이터(500)가 신호를 전송하는 경우를 설명한다. 발진 회로(501)는 미리 결정된 주파수의 신호를 생성한다. 생성된 신호는 변조 회로(503)로 입력된다. 인코딩 회로(502)는 제어 단말기(510)로부터 입력된 전송 데이터를 인코딩하여 그것을 대응하는 정보로 변환한다. 변조 회로(503)는 인코딩된 정보에 따라서 신호를 변조한다. 변조된 신호는 증폭 회로(504)로 입력되어 그곳에서 증폭된다. 증폭된 신호는 안테나(505)를 통해 무선 신호(변조된 반송파)로 전송된다.
다음으로, 리더/라이터(500)가 신호를 수신하는 경우를 설명한다. 무선 신호(변조된 반송파)가 안테나(505)에 의해 수신된다. 수신된 무선 신호(변조된 반송파)는 노이즈 등을 제거하기 위해 대역-통과 필터(506)로 입력된다. 대역-통과 필터(506)를 통과한 신호는 증폭 회로(507)로 입력되어 그곳에서 증폭된다. 증폭된 신호는 복조 회로(508)로 입력된다. 복조 회로(508)는 입력된 신호로부터 정보를 복조한다. 복조된 정보는 분석 회로(509)로 입력된다. 분석 회로(509)는 입력된 정보를 분석하여 수신 데이터를 취득한다. 취득된 수신 데이터는 제어 단말 기(510)로 출력된다.
인코딩 회로(502)는 예컨대, 맨체스터 인코딩, NRZ(Non Return Zero) 인코딩, 및 밀러 인코딩과 같은 규격에 기초하여 인코딩할 수 있는 회로 구성을 갖는다.
안테나(505)는 다이폴 안테나, 패치 안테나, 루프 안테나, 및 야기 안테나 중 어느 하나가 될 수 있다.
무선 신호(변조된 반송파)는 전자기 결합 방법, 전자기 유도 방법, 및 전파 방법 중 어느 하나에 의해 안테나(505)에 의해 송수신 될 수 있다.
본 실시 형태는 실시 형태 1 및 2와 결합되어 자유롭게 구현될 수 있다.
[실시예 1]
본 실시예에서는, 본 발명의 반도체 장치의 상세 구성을 도 6A 내지 7D를 참조하여 설명하기로 한다.
도 6A 내지 6D는 도 1 및 2에서 도시한 반도체 장치(101)의 안테나(304)의 구성예들을 도시한다. 안테나(304)는 두 가지 방법들로 설치될 수 있다. 도 6A 및 6C는 한 가지 방법(이하 제 1 안테나 구성이라 함)을 도시하고, 도 6B 및 6D는 다른 한 가지 방법(이하, 제 2 안테나 구성이라 함)을 도시한다. 도 6C는 도 6A의 A-A'의 단면도, 도 6D는 도 6B의 B-B'의 단면도이다.
제 1 안테나 구성에서, 안테나(304)는 복수의 소자들(이하, 소자 그룹(601)이라 함)(도 6A 및 6C 참조)이 제공된 기판(600) 위에 제공된다. 소자 그룹(601)이 본 발명의 반도체 장치의 안테나 이외의 회로들을 형성한다. 소자 그룹(601)은 복수의 박막 트랜지스터들 및 저항(100)을 포함한다. 저항(100)은 박막 트랜지스터의 활성층으로 기능하는 반도체층(662)과 동시에 형성되는 반도체층(660)을 이용하여 형성된다. 도시된 구성에서, 안테나(304)로 기능하는 도전막은 소자 그룹(601)에서 박막 트랜지스터의 드레인 또는 소스에 연결된 배선과 동일한 층에 제공된다. 그러나, 안테나(304)로 기능하는 도전막은 소자 그룹(601)의 박막 트랜지스터의 게이트 전극(664)과 동일한 층에, 또는 소자 그룹(601)을 덮기 위해 제공되는 절연막 위에 제공될 수도 있다.
제 2 안테나 구성에서, 단자부(602)는 소자 그룹(601)이 제공된 기판(600)상에 제공된다. 기판(600)과 상이한 기판인 기판(610)상에 설치된 안테나(304)는 단자부(602)(도 6B 및 6D 참조)에 연결된다. 도시된 구성에서, 소자 그룹(601)의 박막 트랜지스터의 드레인 또는 소스에 접속된 배선의 일부가 단자부(602)로 이용된다. 안테나(304)가 제공된 기판(610) 및 기판(600)은 단자부(602)가 접하도록 서로 부착된다. 도전성 입자(603) 및 수지(604)가 기판(600)과 기판(610) 사이에 설치된다. 안테나(304)와 단자부(602)는 도전성 입자들(603)에 의해 전기적으로 접속된다.
소자 그룹(601)의 구성 및 제조 방법이 설명된다. 복수의 대형 기판 위에 형성되고 후에 분할하여 대형 기판을 자름으로써 완성되도록 함으로써, 소자 그룹(601)은 저렴하게 마련될 수 있다. 예를 들어, 기판(600)으로서는 바륨 보로실리케이트 유리 및 알루미노 보로실리케이트 유리와 같은 유리 기판, 석영 기판, 또는 세라믹 기판 등이 이용될 수 있다. 또한, 그 위에 절연막이 형성된 반도체 기 판이 이용될 수도 있다. 예컨대, 플라스틱과 같은 유연성을 가진 합성 수지의 형태의 기판이 이용될 수 있다. 기판의 표면은 CMP 방법 등에 의해 문지름으로써 평탄화될 수 있다. 또한, 유리 기판, 석영 기판, 또는 반도체 기판을 문지름으로써 얇게 형성되는 기판이 또한 이용될 수도 있다.
기저막(661)이 기판(600) 위에 제공될 때, 예컨대, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 실리콘 질산화물과 같은 절연막이 이용될 수 있다. 기저막(661)은 예컨대, 기판(600)에 포함된 알칼리성 토금속 또는 나트륨과 같은 알칼리 금속이 반도체층(662)에 분산되는 것을 방지하고, 역으로 박막 트랜지스터의 특성들에 영향을 미칠 수 있다. 도 6C 및 6D에서, 기저막(661)이 단일막으로 형성되었으나, 2 이상의 막들로 형성될 수도 있다. 기저막(661)은 예컨대, 석영 기판을 이용하는 경우와 같이 불순물들의 분산이 큰 문제가 되지 않는 경우, 항상 설치가 요구되지는 않는다는 것을 주의해야 한다.
고밀도의 플라즈마가 기판(600)의 표면에 직접 적용될 수 있음을 주의해야 한다. 예컨대, 고밀도 플라즈마는 2.45 GHz의 고주파를 이용하여 생성된다. 1011 ~ 1013cm-3의 전자 밀도, 2 eV 이하의 전자 온도, 및 5 eV 이하의 이온 에너지를 가진 고밀도 플라즈마가 이용됨을 주의해야 한다. 이 방법에서, 낮은 전자 온도 특성을 가진 고밀도 플라즈마는 활성종들의 낮은 운동에너지를 갖고, 따라서 종래 플라즈마 처리에 비해 적은 플라즈마 손상 및 결점들을 가진 막이 형성될 수 있다. 플라즈마는 무선 주파수 여기(radio frequency excitation)를 이용하여 플라즈마 처리 장치를 이용함으로써 생성될 수 있고, 이는 방사성 슬롯 안테나(radial slot antenna)를 적용한다. 무선 주파수를 생성하는 안테나 및 기판(600)은 20 ~ 80 mm(바람직하게는 20 ~ 60 mm)의 거리에 위치한다.
질소(N) 및 희가스(적어도 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 및 크세논 중 적어도 하나를 함유)를 포함하는 분위기(atmosphere), 질소, 수소(H), 및 희가스를 포함하는 분위기, 또는 암모니아(NH3) 및 희가스를 포함하는 분위기에서 고밀도 플라즈마 처리를 수행함으로써, 기판(600)의 표면이 질화될 수 있다. 기판이 유리, 석영, 또는 실리콘 웨이퍼 등으로 형성되는 경우, 실리콘 질화물을 주요 성분으로 함유하는 기판(600)의 표면상에 형성된 질화층이 기판(600) 쪽으로부터 분산되는 불순물들에 대한 블록킹 층으로 이용될 수 있다. 실리콘 산화막 또는 실리콘 산화질화막이 기저막(661)으로 이용되도록 플라즈마 CVD 방법에 의해 질화층 위에 형성될 수도 있다.
실리콘 산화물 또는 실리콘 산화질화물로 형성된 기저막(661)의 표면에 동일한 고밀도 플라즈마 처리를 함으로써, 표면과 표면으로부터 1 ~ 10 nm 깊이가 질화될 수 있다. 이러한 극도의 얇은 실리콘 질화층은 그것이 블록킹 층으로 기능하고 그 위에 형성된 반도체층(660) 및 반도체층(662)에 응력을 덜 가지기 때문에 바람직하다.
임의의 형태로 처리된 비결정질 반도체막 또는 결정질 반도체막이 반도체층(662) 및 반도체층(660)으로 이용될 수 있다. 또한, 유기 반도체막이 이용될 수 있다. 결정질 반도체막은 비결정질 반도체막을 결정화하여 얻어질 수 있다. 레이저 결정화 방법, RTA 또는 소둔로(annealing furnace)를 이용한 열 결정화 방법(thermal crystallization method), 또는 결정화를 증진시키는 금속 원소를 이용한 열 결정화 방법 등이 결정화 방법으로 이용될 수 있다. 반도체층(662)은 영역(662a)과 도전성을 부여하는 불순물 원소들이 첨가된 한 쌍의 불순물 영역들(662b)을 형성하는 채널을 포함한다. 여기에 도시된 구조는, 불순물 영역들(662b)보다 더 낮은 농도의 불순물 원소들이 첨가된 낮은 농도의 불순물 영역(662c)이 영역(662a)과 도전성을 부여하는 불순물 원소들이 첨가된 한 쌍의 불순물 영역들(662b)을 형성하는 채널 사이에 마련된 구조이나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 낮은 농도의 불순물 영역(662c)은 필수적으로 설치될 필요는 없다. 도전성을 부여하는 불순물 원소들은 반도체층(660)의 전체 표면에 첨가되거나 또는 거기에 첨가되지 않을 수도 있다. 도전성을 부여하는 불순물 원소들이 첨가되는 경우, 도전성을 부여하는 불순물 원소들은 대략 박막 트랜지스터의 한 쌍의 불순물 영역들(662b)과 동일한 농도로 반도체층(660)에 첨가되거나, 도전성을 부여하는 불순물 원소들이 대략 낮은 농도의 불순물 영역(662c)과 동일한 농도로 첨가될 수 있다.
반도체층(662), 반도체층(660), 및 이들과 동시에 형성되는 배선은, 기판(600)의 상부 표면에서 수직으로 볼 때 모서리들이 둥글게 되도록 배열되는 것이 바람직함을 주의해야 한다. 도 15A 및 15B는 배선들을 배열하는 방법을 보여주는 개략도들이다. 도 15A 및 15B에서, 방향(351)은 기판(600)의 상부 표면에 수직이다. 배선들(361)은 반도체층과 동시에 형성된다. 도 15A는 배선들을 배열하는 종래 방법을 보여준다. 도 15B는 배선들을 인입하는 본 발명의 방법을 보여주고 있다. 본 발명의 배선(361)의 모서리 부분들(1502a)은 종래 배선(361)의 모서리 부분들(1501a)과 비교할 때 둥글다. 둥근 모서리 부분들은 먼지 등이 배선의 모서리 부분들에 남게 되는 것을 방지할 수 있다. 이 방법에서, 먼지들로 인한 반도체 장치의 결함들이 감소될 수 있고, 산출이 개선될 수 있다.
도전성을 부여하는 불순물 원소들은 박막 트랜지스터의 채널 형성 영역(662a)에 첨가될 수 있다. 이 방법에서, 박막 트랜지스터의 문턱 전압값은 제어될 수 있다. 이 경우, 도전성을 부여하는 불순물 원소들이 반도체층(660)에 대략 박막 트랜지스터의 채널 형성 영역(662a)과 동일한 농도로 첨가될 수 있다.
실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 실리콘 질화산화물 등으로 형성되는 복수의 층들의 적층 또는 단일층이 제 1 절연막(663)으로 이용될 수 있다. 이 경우, 고밀도 플라즈마가 산화된 분위기(atmosphere) 또는 질화된 분위기에서 제 1 절연막(663)의 표면에 이용됨으로써, 제 1 절연막(663)은 밀도가 높아지도록 산화 또는 질화처리될 수 있다. 고밀도 플라즈마는 예컨대, 전술한 바와 같이 2.45 GHz의 고주파수를 이용하여 생성된다. 1011 ~ 1013/cm-3 이상의 전자 밀도, 및 2 eV 이하의 전자 온도, 및 5 eV 이하의 이온 에너지를 가진 고밀도 플라즈마가 이용됨을 주의해야 한다. 플라즈마는 무선 주파수 여기(radio frequency excitation)를 이용하여 플라즈마 처리 장치를 이용함으로써 생성될 수 있고, 이는 방사성 슬롯 안테 나(radial slot antenna)를 적용한다. 고밀도 플라즈마를 생성하기 위한 장치에서, 무선 주파수를 생성하는 안테나 및 기판(600)은 20 ~ 80 mm(바람직하게는 20 ~ 60 mm)의 거리에 위치한다.
제 1 절연막(663)을 형성하기 전에, 반도체층(662) 및 반도체층(660)의 표면들에 고밀도 플라즈마 처리를 가함으로써, 반도체층(662)의 표면이 산화 또는 질화될 수 있다. 이때, 300 ~ 450℃의 온도에서 기판(600)을 산화된 분위기 또는 질화된 분위기에서 처리를 수행함으로써, 그 위에 형성되는 제 1 절연막(663)과의 양호한 계면이 형성될 수 있다.
질화된 분위기로서, 질소(N) 및 희가스(적어도 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 및 크세논 중 적어도 하나를 함유)를 포함하는 분위기(atmosphere), 질소, 수소(H), 및 희가스를 포함하는 분위기, 또는 암모니아(NH3) 및 희가스를 포함하는 분위기가 이용될 수 있다. 산화된 분위기로서, 산소(O) 및 희가스를 포함하는 분위기, 산소 및 수소(H), 및 희가스를 포함하는 분위기, 또는 일산화이질소(N2O) 및 희가스를 포함하는 분위기가 이용될 수 있다.
게이트 전극(664)으로서, 탄탈륨, 텅스텐, 티타늄, 몰리브덴, 알루미늄, 구리, 크롬, 및 네오디뮴 중에서 선택된 원소, 합금 또는 상기 원소들을 복수 포함하는 화합물이 이용될 수 있다. 대안적으로, 상기 원소, 합금 또는 그 화합물로 형성된 적층 구조 또는 단일층 구조가 또한 적용될 수 있다. 도면들(도 6C, 도 6D)에서, 게이트 전극(664)은 2-층 구조를 갖는다. 게이트 전극(664) 및 게이트 전극(664)과 동시에 형성되는 배선은, 기판(600)의 상부 표면에 수직으로 보았을 때, 그 모서리 부분들이 둥글게 되도록 배열하는 것이 바람직하다. 게이트 전극(664) 및 배선은 도 15B에 도시된 방법과 유사하게 배열될 수 있다. 게이트 전극(664) 및 게이트 전극(664)과 동시에 형성되는 배선은 도면들에서 배선(362)으로 도시되었다. 본 발명의 배선(362)의 둥근 모서리 부분들(1502b)은 종래 배선(362)의 모서리 부분들(1501b)과 비교할 때, 먼지들 등이 배선의 모서리 부분들에 남는 것을 방지할 수 있다. 이 방법에서, 먼지들로 인한 반도체 장치의 결함들이 감소되고 산출이 개선될 수 있다.
박막 트랜지스터는 반도체층(662), 게이트 전극(664), 및 반도체층(662)과 게이트 전극(664) 사이에서 게이트 절연막으로 기능하는 제 1 절연막(663)으로 형성된다. 본 실시예에서, 박막 트랜지스터는 탑 게이트 구조(top gate structure)이지만, 반도체층 아래에 게이트 전극을 가진 바텀 게이트 트랜지스터(bottom gate transistor), 또는 반도체층 위 아래에 게이트 전극들을 가진 듀얼 게이트 트랜지스터(dual gate transistor)일 수도 있다.
제 2 절연막(667)은 예컨대, 이온 불순물들을 막기 위한 장벽 특성을 갖는 실리콘 질화막과 같은 절연막이다. 제 2 절연막(667)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화질화물로 형성된다. 제 2 절연막(667)은 반도체층(662) 및 반도체층(660)의 오염을 방지하는 보호막으로서 기능한다. 수소 가스를 주입하고 제 2 절연막(667)을 적층한 후 전술한 고밀도 플라즈마 처리를 가함으로써, 제 2 절연막(667)이 수소화될 수 있다. 대안으로, 제 2 절연막(667)은 주입된 암모니아 가 스(NH3)에 의해 질화 및 수소화될 수 있다. 반면, 산화-질화 처리 및 수소화 처리는 수소 가스와 함께 산소, 또는 일산화이질소(N20) 가스 등을 주입함으로써 수행될 수 있다. 이 방법에 의해 질화 처리, 산화 처리, 또는 산화-질화 처리를 수행함으로써, 제 2 절연막(667)의 표면이 밀도가 높아질 수 있다. 이 방법에서, 보호막으로서의 제 2 절연막(667)의 기능이 개선될 수 있다. 제 2 절연막(667)에 주입된 수소는 400 ~ 450℃의 열처리가 가해질 때 유출되고, 이에 따라 반도체층(662) 및 반도체층(660)은 수소화될 수 있다. 수소화는 제 1 절연막(663)을 이용하는 수소화와 함께 조합하여 수행될 수 있다.
제 3 절연막(665)은 무기 절연막 또는 유기 절연막의 적층 구조 또는 단일 층 구조로 형성될 수 있다. 무기 절연막으로서, CVD 법에 의해 형성된 실리콘 산화막, 또는 SOG(Spin On Glass) 법에 의해 형성된 실리콘 산화막 등이 이용될 수 있다. 유기 절연막으로서, 폴리이미드, 폴리아미드, BCB(벤조시클로부텐), 아크릴 수지, 포지티브형 감광 유기 수지, 또는 네거티브형 감광 유기 수지 등이 이용될 수 있다.
제 3 절연막(665)은 실리콘(Si) 및 산소(0)의 결합으로 형성되는 골격 구조를 갖는 재료로 형성될 수 있다. 적어도 수소를 포함하는 유기기(알킬기 또는 방향족 탄화수소)가 이 재료의 치환기(substituent)로서 이용된다. 대안적으로, 플루오르기(fluoro group)가 치환기로 이용될 수 있다. 또한 대안적으로, 적어도 수소를 포함하는 유기기 및 플루오르기가 치환기로 이용될 수 있다.
배선(666)으로서, 알루미늄, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 구리, 탄탈륨, 금, 및 망간 중에서 선택된 하나의 원소 또는 이 원소들 복수를 포함하는 합금이 이용될 수 있다. 대안적으로, 상기 원소, 합금 또는 그 화합물로 형성된 적층 구조 또는 단일층 구조가 이용될 수 있다. 도면(도 6C, 6D)에서, 단일층 구조가 예로서 도시되었다. 배선은 기판(600)의 상부 표면에 수직으로 보았을 때, 그 모서리 부분들이 둥글게 되도록 배열하는 것이 바람직함을 주의해야 한다. 배선은 도 15B에 도시된 방법과 유사하게 배열될 수 있다. 배선(666)은 도면들에서 배선(363)으로 도시되었다. 종래 배선(363)의 모서리 부분들(1501c)과 비교할 때, 본 발명의 배선(363)의 모서리 부분들(1502c)을 둥글게 함으로써, 먼지들 등이 배선의 모서리 부분들에 남는 것을 방지할 수 있다. 이 방법에서, 먼지들로 인한 반도체 장치의 결함들이 감소되고 산출량이 개선될 수 있다. 도 6A 및 6C에 도시된 구조들에서, 배선(666)은 박막 트랜지스터의 드레인 및 소스에 연결된 배선으로 기능하며, 또한 안테나(304)로서 기능한다. 도 6B 및 도 6D에 도시된 구조들에서, 배선은 박막 트랜지스터의 드레인 및 소스에 연결된 배선으로 기능하고, 또한 단자 부분(602)으로 기능한다. 도 15A 및 도 15B에서, 배선(666)과 박막 트랜지스터의 드레인 및 소스를 연결하기 위한 접촉 홀(352)이 제공된다.
안테나(304)는 예컨대, 금, 은, 및 구리와 같은 나노-입자들을 함유하는 도전성 페이스트(conductive paste)를 이용하여 액적 토출법(droplet discharge method)에 의해 형성될 수 있다. 액적 토출법은 예컨대, 잉크젯 방법 또는 디스펜서 방법과 같이 액적들(droplets)을 토출하여 패턴을 형성하는 방법에 대한 집합적 인 용어이며, 이것은 재료의 이용 효율을 개선시키는 장점 등을 갖는다.
도 6A 및 도 6C에 도시된 구조들에서, 제 4 절연막(668)이 배선(666) 위에 형성된다. 제 4 절연막(668)으로서, 무기 절연막 또는 유기 절연막의 적층 구조 또는 단일층 구조가 이용될 수 있다. 제 4 절연막(668)은 안테나(304)의 보호층으로서 기능한다.
기판(600) 위에 형성된 소자 그룹(601)(도 7A 참조)은 있는 그대로 이용될 수 있으나, 소자 그룹(601)은 기판(600)(도 7B 참조)을 기판(600)에서 벗겨져서 가요성 기판(flexible substrate; 701)(도 7C 참조)에 부착될 수 있다. 가요성 기판(701)은 가요성을 가지며, 이에 대해서는 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 또는 폴리에더 설폰 등으로 형성된 플라스틱 기판, 또는 세라믹 기판 등이 이용될 수 있다.
소자 그룹(601)은 (A)미리 기판(600)과 소자 그룹(601) 사이에 박리층(peeling layer)을 제공하고 식각제를 이용하여 박리층을 제거하거나, (B) 식각제를 이용하여 박리층을 부분적으로 제거하고 기판(600)으로부터 소자 그룹(601)을 물리적으로 벗겨내거나, 또는 (C) 그 위에 소자 그룹(601)이 형성된 높은 내열성(heat resistance)을 가진 기판(600)을 기계적으로 제거하거나 또는 용액 또는 가스로 식각하여 그것을 제거함으로써, 기판(600)에서 벗겨낼 수 있다. 물리적으로 벗겨내는 것은 예컨대, 초음파, 노즐로부터 불어오는 바람의 압력 등에 의해 인가되는 힘과 같은 외부 힘(external stress)에 의해 벗겨지는 것에 대응함을 주의해야 한다.
상기 방법들(A) 및 (B)는 높은 내열성을 가진 기판(600)과 소자 그룹(601) 사이에 금속 산화막을 제공하고 소자 그룹(601)을 벗겨내기 위해 결정화에 의해 금속 산화막을 약화시키거나, 또는 높은 내열성을 가진 기판(600)과 소자 그룹(601) 사이에 수소를 함유하는 비결정질 실리콘 막을 제공하고 소자 그룹(601)을 벗겨내기 위해 레이저 광 조사 또는 식각에 의해 비결정질 실리콘 막을 제거함으로써 구체적으로 실현된다.
벗겨지는 소자 그룹(601)은 상품화된 접착제 예컨대, 에폭시 수지-기초 접착제(epoxy resin-based adhesive) 또는 수지 첨가제(resin additive)를 이용하여 가요성 기판(701)에 부착될 수 있다.
소자 그룹(601)이 소자 그룹(601)과 안테나가 전기적으로 접속하도록 안테나가 그 위에 형성된 가요성 기판(701)에 부착되면, 얇고, 경량이며, 떨어질 때 충격을 견딜 수 있는 반도체 장치가 완성된다(도 7C 참조). 가요성 기판이 이용될 때, 저렴한 반도체 장치가 제공될 수 있다. 또한, 가요성 기판이 가요성을 갖기 때문에 그것은 곡면 또는 불규칙한 표면에 부착될 수 있고, 다양한 애플리케이션들이 실현될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 반도체 장치의 일 형태로서 무선 태그(720)가 예컨대, 약 병의 하나와 같은 표면에 단단히 부착될 수 있다(도 7D 참조). 또한, 기판(600)을 재이용함으로써, 반도체 장치가 저렴한 비용으로 제조될 수 있다.
본 실시예는 전술한 실시 형태들과 결합되어 자유롭게 구현될 수 있다.
[실시예 2]
본 실시예에서는, 도 8A 내지 도 8C를 참조하여 가요성 구조를 가진 본 발명의 반도체 장치를 설명하기로 한다. 도 8A에서, 반도체 장치는 가요성 보호층(801), 안테나(802)를 포함하는 가요성 보호층(803), 및 기판의 박막 및 박리 공정에 의해 형성된 소자 그룹(804)을 포함한다. 소자 그룹(804)은 예컨대, 예컨대 실시예 1에 설명된 소자 그룹(601)의 구조와 유사한 구조를 가질 수 있다. 보호층(803) 상에 형성된 안테나(802)는 소자 그룹(804)에 전기적으로 접속된다. 도 8A에서, 안테나(802)는 보호층(803) 위에만 형성되지만, 본 발명은 이 구조에 한정되지 않으며, 안테나(802)가 보호층(801) 상에 또한 형성될 수도 있다. 실리콘 질화막 등으로 형성된 장벽막(barrier film)은 소자 그룹(804)과 보호층(801) 사이, 또는 소자 그룹(804)과 보호층(803) 사이에 형성될 수 있음을 주의해야 한다. 그 결과, 개선된 실현성을 가진 반도체 장치가 소자 그룹(804)을 오염시키지 않고 제공될 수 있다.
안테나(802)는 은, 구리 또는 은 또는 구리가 도금된 금속으로 형성될 수 있다. 소자 그룹(804)과 안테나(802)는 이방성 도전막(anisotropic conductive film)을 이용하고 자외선 처리 또는 초음파 처리를 하여 서로 접착될 수 있다. 소자 그룹(804)과 안테나(802)는 도전성 페이스트를 이용하여 서로 부착될 수 있음을 주의해야 한다.
보호층(801) 및 보호층(803)에 의해 소자 그룹(804)을 삽입함으로써 반도체 장치가 완성된다(도 8A의 화살표 참조).
도 8B는 이 방법으로 형성된 반도체 장치의 단면 구조를 보여준다. 삽입된 소자 그룹(804)은 5 ㎛ 이하의 두께(340), 또는 바람직하게는 0.1 ~ 3 ㎛의 두께를 갖는다. 또한, 겹치는 보호층(801) 및 보호층(803)이 d의 두께를 가질 때, 보호층(801) 및 보호층(803) 각각은 (d/2)±30 ㎛의 두께, 더 바람직하게는, (d/2)±10 ㎛의 두께를 갖는 것이 좋다. 또한, 보호층(801) 및 보호층(803) 각각은 10 ~ 200 ㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 소자 그룹(804)은 10 ㎜ 제곱(100 ㎟) 이하의 면적, 더 바람직하게는 0.3 ~ 4 ㎜ 제곱(0.09 ~ 16 ㎟)의 면적을 갖는 것이 바람직하다.
유기 수지 재료로 형성되는 보호층(801)과 보호층(803)은 구부러짐(bending)에 대해 높은 저항성을 갖는다. 기판의 박막 및 박리 프로세스에 의해 형성된 소자 그룹(804)은 또한 단결정 반도체와 비교할 때 구부러짐에 대해 더 높은 저항성을 갖는다. 소자 그룹(804), 보호층(801), 및 보호층(803)은 간격 없이 서로 단단히 부착될 수 있기 때문에, 완성된 무선 태그는 구부러짐에 대해 높은 저항성을 갖는다. 보호층(801) 및 보호층(803)에 의해 둘러싸인 소자 그룹(804)은 임의의 물체 내부 또는 표면 위에 설치되거나 종이에 임베딩될 수 있다.
소자 그룹(804)을 포함하는 반도체 장치를 곡면을 갖는 기판에 부착하는 경우를 도 8C를 참조하여 설명한다. 도 8C에서, 소자 그룹(804)으로부터 선택된 하나의 트랜지스터(881)가 도시되었다. 트랜지스터(881)에서, 전류는 게이트 전극(807)의 전위에 따라 소스 및 드레인 중 하나(805)로부터 소스 및 드레인 중 다른 하나(806)로 흐른다. 트랜지스터(881)는 트랜지스터(881)의 전류 흐름 방향(캐리어 이동 방향(341))과 기판(880)의 아크의 방향이 오른쪽 각도들에서 교차하도록 제공된다. 그러한 배치를 갖는 경우, 트랜지스터(881)는 기판(880)이 구부러지고 아크를 그릴 때조차도 스트레스에 의해 영향을 덜 받으며, 이에 따라 소자 그룹(804)에 포함된 트랜지스터(881)의 특성들에서의 변동들이 억제될 수 있다.
본 실시예는 전술한 실시 형태들 및 실시예 1과 결합되어 자유롭게 구현될 수 있다.
[실시예 3]
본 실시예에서는, 도 9를 참조하여 본 발명의 반도체 장치의 보다 상세한 구성을 설명하기로 한다. 도 9에서 도 1 및 2에서와 동일한 부분들은 동일한 참조 번호들로 표시되었으며, 이에 대한 설명은 생략되었음을 주의해야 한다.
도 9에 도시된 반도체 장치(101)는 안테나(304)에 병렬로 연결된 공진 용량(resonant capacitor; 901)을 포함한다. 공진 용량(901)을 가지면서, 소정의 주파수의 무선 신호들이 용이하게 수신될 수 있다.
또한, 분석 회로(202)는 클록 보정/카운터 회로(902) 및 코드 추출/인식 결정 회로(903)를 포함한다. 클록 보정/카운터 회로(902)는 수신된 신호로부터 다른 회로를 제어하기 위한 제어 신호를 생성한다. 코드 추출/인식 결정 회로(903)는 미리 결정된 규칙에 따라 제어 신호를 이용함으로써 복조 회로(210)로부터 출력되는 정보를 분석한다. 이 방법에서, 분석 회로(202)는 정보를 분석하여 출력한다.
메모리(203)는 메모리 컨트롤러(904) 및 마스크 롬(905)을 포함한다. 메모리 컨트롤러(904)는 분석 회로(202)로부터 출력된 데이터를 이용하여 마스크 ROM을 동작하기 위한 신호를 생성한다. 이 방법에서, 메모리 컨트롤러(904)는 메모 리(203)가 정보를 출력하는 동안 마스크 ROM(905)으로부터 출력된 정보를 제어한다.
도 9에 도시된 반도체 장치(101)에서, 용량들은 예로서 대역-통과 필터(306) 및 대역-통과 필터(200)로 이용된다. 대역-통과 필터(306)인 용량의 한 쌍의 전극들 중 하나가 안테나(304)의 한 쌍의 단자들 중 하나에 연결되고, 대역-통과 필터(306)인 용량의 다른 전극은 전원 회로(307)의 입력에 연결된다. 대역-통과 필터(200)인 용량의 한 쌍의 전극들 중 하나는 안테나(304)의 한 쌍의 단자들 중 하나에 연결되고, 대역-통과 필터(200)인 용량의 다른 전극은 복조 회로(201)의 입력에 연결된다. 대역-통과 필터(306)로서의 용량과 대역-통과 필터(200)로서의 용량은 공통으로 이용될 수 있음을 주의해야 한다(도 16의 대역-통과 필터(3060)).
본 실시예는 전술한 실시 형태들 및 실시예 1 및 2와 결합되어 자유롭게 구현될 수 있다.
[실시예 4]
본 실시예에서는, 실시예 3에서 도 9를 참조하여 설명했던 반도체 장치를 실질적으로 제조한 예를 도 10 및 도 11을 참조하여 설명하기로 한다.
도 10은 반도체 장치(101)의 안테나(304) 이외의 회로(1000)를 보여주는 마스크 레이아웃(mask layout)이다. 도 10에서, 도 9와 동일한 구성들에 대해서는 동일한 참조 번호들을 부여하며 이에 관한 설명은 생략하기로 한다. 저항(100)은 다른 회로를 형성하는 박막 트랜지스터의 활성층으로의 기능을 가진 반도체층과 동시에 형성되는 반도체층을 이용하여 형성된다.
도 11은 안테나(304)를 포함하는 반도체 장치(101)의 마스크 레이아웃이다. 도 11에서 도 9와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하였으며, 이에 관한 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예는 전술한 실시 형태들 및 실시예들 1 내지 3과 결합되어 자유롭게 구현될 수 있다.
[실시예 5]
도 12A 및 12B는 본 발명의 반도체 장치(101)의 특성들의 측정 결과들을 보여주고 있다. 측정은 저항(100)의 전기 저항을 500 kΩ ~ 2 MΩ 범위에서 변화시킴으로써 수행되었다. 비교를 위해, 저항(100)이 없는 샘플이 제조되고 측정되었다. 측정 결과로서, 리더/라이터에 연결된 안테나에 인가된 신호들의 파형들(도면들에서는 RW 출력으로 표현됨) 및 리더/라이터에 데이터의 송수신을 수행하는 반도체 장치의 전원 전압의 파형들(도면들에서는 전원 전압으로 표현됨)이 도시되었다. 반송파의 주파수는 13.56 MHz로 설정되었다. 제 1 단자(310)의 전위는 접지 전위(도면들에서는 GND로 표현됨)로 설정되었다. 유지 용량(309)은 500pF의 전기 용량을 가지는 것으로 설정된다. 도 12A 및 12B에서, 도 4A 및 4B와 동일한 부분들에 대해서는 동일한 참조 번호들을 부여하였다. 도 4A 및 4B에 도시된 변조된 반송파들의 파형들은 도 12A 및 12B의 RW 출력들에 대응한다.
도 12A는 전기 저항 500 kΩ을 가진 저항(100)을 이용하여 반도체 장치(101)의 특성들의 측정 결과를 도시한다. 도 12B는 저항(100)이 없는 반도체 장치(종래 반도체 장치)의 특성들의 측정 결과를 도시한다.
도 12A에 도시된 바와 같이, 반도체 장치(101)에서, 전력 전압은 제로이고, 또는 제 2 단자(311)의 전위는 RW 출력이 없는 주기(주기 2)에서의 제 1 단자(310)의 전위에 가깝다. 또한, 제 1 신호(401)가 반도체 장치(101)로 출력될 때, 제 2 신호가 제 1 신호(401)에 응답하여 반도체 장치(101)로부터 출력되며, 이는 RW 출력으로 보여진다. 반면, 도 12B에 도시된 종래 반도체 장치의 측정 결과에서는, 전원 전압이 제로가 아니거나, 또는 제 2 단자(311)의 전위가 RW 출력이 없는 주기(주기 2)에서의 제 1 단자(310)의 전위에 가깝지 않다. 또한, 제 1 신호(401)가 RW 출력으로 반도체 장치로 출력될 때조차도 제 1 신호(401)에 응답하는 신호가 반도체 장치(101)로부터 출력되지 않는다(도 12B의 파형들(444)을 참조).
이 방법에서, 500 kΩ ~ 2 MΩ의 전기 저항을 가진 저항(100)을 이용함으로써, 반도체 장치(101)는 초기화되고 정상적으로 동작할 수 있다.
도 12A 및 12B에서 전원 전압은 제 1 신호(401)가 리더/라이터로부터 출력될 때 변화됨을 주의해야 한다(도 12A 및 12B에서 401'로 표현됨). 또한, 반도체 장치(101)가 응답할 때, 즉, 제 2 신호(402)가 출력될 때, 전원 전압은 변화한다(도 12A에서 402'로 표현됨). 이러한 전원 전압에서의 변화들은 본 발명의 효과를 없애지 않는다.
본 발명은 전술한 실시 형태들 및 실시예 1 내지 4와 결합하여 자유롭게 구현될 수 있다.
[실시예 6]
본 실시예에서는 도 13A 및 13B를 참조하여 본 발명의 반도체 장치(101)의 애플리케이션들을 설명하기로 한다. 반도체 장치(101)는 종이 화폐, 동전들, 증권들, 무기명 채권들, 증서들(운전면허 또는 주거 카드; 도 14A 참조), 포장 용기들(랩핑 종이 또는 병; 도 14B 참조), DVD 소프트웨어, 컴팩트 디스크 및 비디오 테이프와 같은 기록 매체(도 14C 참조)에 적용될 수 있다. 또한, 반도체 장치(101)는 차량 및 모터 사이클들과 같은 운송 수단들(도 14D 참조), 가방들 및 안경들과 같은 개인 용품들, 식료품, 옷, 생활 용품들, 및 전자 디바이스들에 응용될 수 있다. 전자 디바이스들은 액정 디스플레이장치들, EL 디스플레이장치들, 텔레비전 장치들(간단히 텔레비전 또는 텔레비전 수상기로도 불림), 및 휴대용 전화기들 등을 포함한다.
반도체 장치(101)는 물체의 표면에 부착되거나 물체에 고정되도록 임베딩될 수 있다. 예를 들어, 반도체 장치(101)는 책의 종이 또는 유기 수지의 형태의 포장의 유기 수지에 임베딩되는 것이 바람직하다. 반도체 장치(101)를 종이 화폐, 동전들, 증권들, 무기명 채권들, 및 증서들 등에 설치함으로써 그 유사품을 방지할 수 있다. 또한, 반도체 장치(101)를 포장 용기들, 기록 매체들, 개인 용품들, 식료품들, 옷들, 생활 용품들, 및 전자 디바이스 등에 설치함으로써, 렌탈 상점의 시스템 및 검사 시스템의 효율이 촉진될 수 있다. 반도체 장치(101)를 동물과 같은 생물들에 삽입함으로써, 각 생물이 쉽게 식별될 수 있다. 예를 들어, 무선 태그를 가축들과 같은 생물들에 삽입함으로써, 그 생년, 성별, 및 양육 등을 쉽게 알 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 장치(101)는 어떤 물건(생물들을 포함)에도 응용될 수 있다.
반도체 장치(101)는 무선 통신을 통해 데이터를 송수신할 수 있고, 다양한 형태로 처리될 수 있고, 선택된 주파수에 따라 광범위한 방향성 및 인식 영역을 갖는 등의 점에서 많은 장점을 갖는다.
다음으로, 도 13A 및 13B를 참조하여 반도체 장치(101)를 이용한 시스템의 한 형태를 설명하기로 한다. 리더/라이터(1302)가 디스플레이부(1301)를 포함하는 휴대용 단말기의 한쪽 표면에 설치된다. 반도체 장치(101)는 물건(1303)의 한쪽 표면에 설치된다(도 13A 참조). 리더/라이터(1302)가 물건(1303)에 부착된 반도체 장치(101)에 가까이 가면, 디스플레이부(1301)는 원료, 원산지, 매 공정의 검사 결과, 유통 기록, 및 물건의 설명과 같은 물건에 관한 정보를 표시한다. 또 다른 시스템으로서, 컨베이어 벨트로 물건(1305)을 운반하는 경우, 물건(1305)은 리더/라이터(1304) 및 반도체 장치(101)를 이용하여 검사될 수 있다(도 13B 참조). 이 방법에서, 본 발명의 반도체 장치(101)를 시스템에 적용함으로써, 정보를 쉽게 얻을 수 있고 고기능성과 고부가가치를 가진 시스템이 제공될 수 있다.
본 발명은 전술한 실시 형태들 및 실시예들 1 내지 5와 결합되어 자유롭게 구현될 수 있다.
본 출원은 일본특허청에 2005년 5월 19일 제출된, 일본 특허 출원 제 2005- 147059인, 여기서 참조에 의해 통합된 전체 내용에 기초한다.
Claims (54)
- 변조된 반송파를 송수신하기 위한 안테나;제 1 단자 및 제 2 단자를 포함하고, 상기 변조된 반송파에 의해 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 간에 DC 전압을 발생시키는 전원 회로;상기 DC 전압을 전원 전압으로서 이용하는 회로; 및상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자에 접속된 저항을 포함하고,상기 DC 전압을 상기 전원 전압으로서 이용하는 상기 회로는, 상기 변조된 반송파를 복조하는 복조 회로, 상기 복조 회로에 의해 복조된 데이터를 분석하는 분석 회로, 및 상기 분석 회로에 의해 분석된 상기 데이터에 기초하여 동작하는 메모리를 포함하는, 반도체 장치.
- 변조된 반송파를 송수신하기 위한 안테나;제 1 단자 및 제 2 단자를 포함하고, 상기 변조된 반송파에 의해 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 간에 DC 전압을 발생시키는 전원 회로;상기 DC 전압을 전원 전압으로서 이용하는 회로; 및상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자에 접속된 저항을 포함하고,상기 전원 회로는 상기 변조된 반송파를 정류하고 상기 변조된 반송파를 DC 신호로 변환하는 정류 회로 및 상기 정류 회로로부터 출력된 상기 DC 신호를 평활화하는 유지 용량(holding capacitor)을 포함하고,상기 전원 회로는 상기 유지 용량에 의해 평활화된 상기 신호를 상기 DC 전압으로서 출력하는, 반도체 장치.
- 한 쌍의 단자들을 포함하고, 변조된 반송파를 송수신하는 안테나;상기 안테나의 상기 한 쌍의 단자들 중 하나에 접속된 대역-통과 필터;제 1 단자 및 제 2 단자를 포함하고, 상기 대역-통과 필터를 통해서 입력된 상기 변조된 반송파에 의해 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 간에 DC 전압을 발생시키는 전원 회로;상기 DC 전압을 전원 전압으로서 이용하는 회로; 및상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자에 접속된 저항을 포함하고,상기 DC 전압을 상기 전원 전압으로서 이용하는 상기 회로는, 상기 변조된 반송파를 복조하는 복조 회로, 상기 복조 회로에 의해 복조된 데이터를 분석하는 분석 회로, 및 상기 분석 회로에 의해 분석된 상기 데이터에 기초하여 동작하는 메모리를 포함하는, 반도체 장치.
- 한 쌍의 단자들을 포함하고, 변조된 반송파를 송수신하는 안테나;상기 안테나의 상기 한 쌍의 단자들 중 하나에 접속된 대역-통과 필터;제 1 단자 및 제 2 단자를 포함하고, 상기 대역-통과 필터를 통해서 입력된 상기 변조된 반송파에 의해 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자 간에 DC 전압을 발생시키는 전원 회로;상기 DC 전압을 전원 전압으로서 이용하는 회로; 및상기 제 1 단자 및 상기 제 2 단자에 접속된 저항을 포함하고,상기 전원 회로는 상기 대역-통과 필터를 통해서 상기 입력된 변조된 반송파를 정류하고 상기 입력된 변조된 반송파를 DC 신호로 변환하는 정류 회로 및 상기 정류 회로로부터 출력된 상기 DC 신호를 평활화하는 유지 용량을 포함하고,상기 전원 회로는 상기 유지 용량에 의해 평활화된 상기 신호를 상기 DC 전압으로서 출력하는, 반도체 장치.
- 삭제
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 안테나의 상기 한 쌍의 단자들 중 다른 하나와 상기 제 1 단자에 동일한 전위가 인가되는, 반도체 장치.
- 삭제
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 안테나의 상기 한 쌍의 단자들 중 다른 하나와 상기 제 1 단자는 접지되는, 반도체 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 DC 전압을 상기 전원 전압으로서 이용하는 상기 회로는, 상기 변조된 반송파를 복조하는 복조 회로, 상기 복조 회로에 의해 복조된 데이터를 분석하는 분석 회로, 및 상기 분석 회로에 의해 분석된 상기 데이터에 기초하여 동작하는 메모리를 포함하는, 반도체 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 12 항에 있어서,상기 DC 전압을 상기 전원 전압으로서 이용하는 상기 회로는, 상기 메모리로부터 판독된 상기 데이터를 인코딩하는 인코딩 회로, 및 상기 인코딩 회로에 의해 인코딩된 상기 데이터에 따라 반송파를 변조하는 변조 회로를 더 포함하는, 반도체 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 12 항에 있어서,상기 메모리는 DRAM, SRAM, FeRAM, 마스크 ROM, EPROM, EEPROM, 및 플래시 메모리 중 어느 하나인, 반도체 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 저항은 500 kΩ ~ 2 MΩ의 전기 저항치를 갖는, 반도체 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 저항은 반도체층에 의해 형성되는, 반도체 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 DC 전압을 상기 전원 전압으로서 이용하는 상기 회로는 박막 트랜지스터를 포함하고,상기 저항은 상기 박막 트랜지스터의 활성층으로서 기능하는 반도체층과 동시에 형성된 반도체층에 의해 형성되는, 반도체 장치.
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- 제 32 항에 있어서,도전성을 부여하는 불순물 원소가 상기 저항의 상기 반도체층에 첨가되는, 반도체 장치.
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- 제 32 항에 있어서,도전성을 부여하는 불순물 원소가 상기 박막 트랜지스터의 채널 형성 영역과 동일한 농도로 상기 저항의 상기 반도체층에 첨가되는, 반도체 장치.
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- 삭제
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 안테나는 다이폴 안테나(dipole antenna), 패치 안테나(patch antenna), 루프 안테나(loop antenna), 및 야기 안테나(Yagi antenna) 중 어느 하나인, 반도체 장치.
- 삭제
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- 삭제
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 변조된 반송파는 아날로그 변조 방식 또는 디지털 변조 방식으로 반송파를 변조함으로써 형성되는, 반도체 장치.
- 삭제
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- 삭제
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 안테나는 전자기 결합 방식, 전자기 유도 방식, 및 전파 방식 중 어느하나에 의해 상기 변조된 반송파를 송수신하는, 반도체 장치.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 DC 전압을 상기 전원 전압으로서 이용하는 상기 회로는, 상기 메모리로부터 판독된 상기 데이터를 인코딩하는 인코딩 회로, 및 상기 인코딩 회로에 의해 인코딩된 상기 데이터에 따라 반송파를 변조하는 변조 회로를 더 포함하는, 반도체 장치.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 메모리는 DRAM, SRAM, FeRAM, 마스크 ROM, EPROM, EEPROM, 및 플래시 메모리 중 어느 하나인, 반도체 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005147059 | 2005-05-19 | ||
| JPJP-P-2005-00147059 | 2005-05-19 | ||
| PCT/JP2006/310283 WO2006123826A1 (en) | 2005-05-19 | 2006-05-17 | Semiconductor device and wireless communication system using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080019627A KR20080019627A (ko) | 2008-03-04 |
| KR101219068B1 true KR101219068B1 (ko) | 2013-01-18 |
Family
ID=37431386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020077029485A KR101219068B1 (ko) | 2005-05-19 | 2006-05-17 | 반도체 장치 및 이를 이용한 무선 통신 시스템 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8018341B2 (ko) |
| EP (1) | EP1894147B1 (ko) |
| KR (1) | KR101219068B1 (ko) |
| WO (1) | WO2006123826A1 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7820495B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2007018162A1 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and wireless communication system |
| US7750403B2 (en) | 2006-06-30 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2010038581A1 (en) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR101002530B1 (ko) | 2009-02-18 | 2010-12-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 알에프아이디 통신 장치 |
| KR101156433B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| EP3831603A1 (de) | 2019-12-06 | 2021-06-09 | Windmöller & Hölscher KG | Druckmaschine mit hybrider drucktechnik |
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- 2006-05-17 US US11/919,497 patent/US8018341B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-17 WO PCT/JP2006/310283 patent/WO2006123826A1/en active Application Filing
- 2006-05-17 KR KR1020077029485A patent/KR101219068B1/ko active IP Right Grant
- 2006-05-17 EP EP06746767.0A patent/EP1894147B1/en not_active Expired - Fee Related
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- 2011-09-07 US US13/226,770 patent/US8305216B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090079572A1 (en) | 2009-03-26 |
| KR20080019627A (ko) | 2008-03-04 |
| US20110315780A1 (en) | 2011-12-29 |
| WO2006123826A1 (en) | 2006-11-23 |
| EP1894147A4 (en) | 2013-03-20 |
| EP1894147B1 (en) | 2015-10-14 |
| US8018341B2 (en) | 2011-09-13 |
| US8305216B2 (en) | 2012-11-06 |
| EP1894147A1 (en) | 2008-03-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
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Payment date: 20191127 Year of fee payment: 8 |