JP3784271B2 - 半導体集積回路とこれを搭載した非接触型情報媒体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路およびこの半導体集積回路を搭載した非接触型情報媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コイルの相互誘導現象を利用して電波による電力の供給を行うとともにデータの送受信を行うようにしたＩＣカードなどの非接触型情報媒体が実用段階に入っている。
【０００３】
非接触型情報媒体の一例としてのＩＣカードは、ＩＣカードとの間で電波の送受信を行うリーダーライタとの間で通信が可能な距離によって大きく分けて、密着型、近接型、近傍型などに分類されており、それぞれについての標準規格も整いつつある。
【０００４】
特に、リーダーライタから０ｃｍ〜１０ｃｍ程度までの距離で用いることが可能な近接型のＩＣカードは、例えば定期券などの用途に用いるとすれば、駅の改札口などで定期入れからＩＣカードを取り出すことなく、リーダーライタとの非接触状態での情報のやり取りに基づいて改札口のゲートの開閉制御を行うことも可能となるなど、きわめて広い範囲で適用する可能性を有するものである。
【０００５】
しがしながら、広い範囲で適用されるにはＩＣカードの小型軽量化が重要となり、適用範囲が広がるほどＩＣカードの取り扱いが乱雑になる場合も増加すると予想されるため、乱雑な取り扱いに対する故障のしにくさなども考慮して、ＩＣカードなどの非接触情報媒体には、複雑な回路を小さい面積に収めた半導体集積回路が搭載されるのが通常となっている。
【０００６】
以下、従来の半導体集積回路搭載の非接触型ＩＣカードに関する技術について図７〜図１０を用いて説明する。
図７は従来の非接触型ＩＣカードとリーダーライタを示す。
【０００７】
非接触型ＩＣカード６０は、非接触型ＩＣカード用ＬＳＩ６１（以下、集積回路６１と称す）とアンテナコイル６２と同調容量６３により構成されている。集積回路６１は、アナログ回路部７０とロジック回路部７１とメモリ回路部７２などにより構成している。
【０００８】
集積回路６１のパッド９０，９１には、リーダーライタ６４に接続されたアンテナコイル６５から出る電波６６の送受信を行うための前記アンテナコイル６２が接続されている。アンテナコイル６２には同調容量６３が接続されている。アンテナコイル６２は、リーダーライタ６４からの電波を受け、アンテナコイル６２の両端（パッド９０−パッド９１の間）に交流電圧が発生する。アンテナコイル６２の両端に発生した交流電圧は、アナログ回路部７０に印加される。
【０００９】
アナログ回路部７０は、整流回路８０，電源回路８１，クロック発生回路８２，復調回路８３，変調回路８４などより構成されている。アナログ回路７０において、整流回路８０および電源回路８１によって、ロジック回路部７１を動作させるための電源電圧Ｌおよびメモリ回路部７２を動作させるための電源電圧Ｈを発生する。
【００１０】
クロック発生回路８２は、アンテナコイル６２の両端に発生した交流電圧を入力信号としてクロックを生成する。このクロックＣＬＫはディジタル回路部７１およびメモリ回路部７２を動作させる。
【００１１】
非接触型ＩＣカード６０とリーダーライタ６４の間で送受信されるデータは、電波（前記交流電圧）に重畳して送受信されており、非接触型ＩＣカード６０がリーダーライタ６４からのデータを受信する場合には、ＩＣカードでは復調回路８３で復調して復調信号ＲＸＤＡＴＡを得、非接触型ＩＣカード６０がリーダーライタ６４にデータを送信する場合には、送信信号ＴＸＤＡＴＡを変調回路８４で変調している。
【００１２】
このようにＩＣカードとリーダーライタ６４の間で送受信されるデータは、ロジック回路部７１で解釈され、アドレスやデータを指定してメモリ回路部７２に蓄えられ、アドレスを指定して読み出される。
【００１３】
ここで図８および図９を用いて、アナログ回路７０の中の整流回路８０、電源回路８１と復調回路８３について説明する。
図８に示すように、アンテナコイル６２の両端に発生した交流電圧は、パッド９０，９１を介して直接に整流回路８０に入力されている。整流回路８０は、ダイオード１００，１０１から構成される倍電圧整流回路となっている。
【００１４】
電源回路８１は、シャント回路１１０と平滑容量１１１，１１２から構成されており、シャント回路１１０により電源電圧Ｈは所定の電圧にクランプされる。
整流回路８０の動作原理は図９に示す通りである。
【００１５】
図９（Ａ）は非接触ＩＣカードの通信に用いられる搬送周波数１３．５６ＭＨｚでＡＳＫ変調されたデータをリーダーライタ６４から送信している時のアンテナコイル６２の両端に発生する交流電圧１２０（パッド９０を基準とした電圧：電圧１２１）を示す。
【００１６】
リーダーライタ６４からはデジタルデータをＡＳＫ変調を行い符号化方式ＮＲＺでデータを送信している場合を考える。すなわち、リーダーライタ６４が”Ｈ”データを送信するときは、アンテナコイル両端に印加される交流電圧１２０は高いレベルとなり、リーダーライタ６４が”Ｌ”データを送信するときは、アンテナコイル両端に印加される交流電圧１２０は低いレベルとなる。
【００１７】
まず、アンテナコイル６２両端に発生した交流電圧１２０により、どのようにして電源電圧が発生するかを考える。ここで、パッド９０の端子電圧を基準電圧１２１であると考えやすい。
【００１８】
整流回路８０のダイオード１００によってマイナス成分電圧が図９のレベル１２２を発生する。平滑容量１１１によって電源電圧Ｌは平滑化される。また、整流回路８０のダイオード１０１によりプラス成分電圧が電源電圧Ｈ（図９のレベル１２３）を発生し、平滑容量１１２によって電源電圧Ｈは平滑化される。
【００１９】
ＩＣカードは、リーダーライタ６４との距離が変化するため、リーダーライタ６４から送出する電波６６が一定の場合でも、アンテナコイル６２の両端（パッド９０−パッド９１の間）に発生する交流電圧１２０は変化する。
【００２０】
すなわち、リーダーライタ６４とＩＣカードが密接する場合、交流電圧１２０のレベルが増加し、また、リーダーライタ６４とＩＣカードが離れる場合、交流電圧１２０のレベルが低下する。
【００２１】
非接触ＩＣカードの国際規格であるＩＳ１４４４３（近接型非接触ＩＣカード：通信距離約１０ｃｍ程度の規格）の場合、リーダーライタ６４のアンテナコイル６６とＩＣカードのアンテナコイルの形状にも依存するが、ＩＣカードが受信する電波６６の強度は、１０ｃｍにくらべ密着状態では５倍から１０倍変化して、集積回路６１の消費電力が電圧によらず一定であると仮定すると、電源電圧は５倍から１０倍に変化する。
【００２２】
すなわち、ＩＣカードと、リーダーライタ６４との距離が１０ｃｍの場合、電源電圧Ｈが約４ボルトであれば、ＩＣカードとリーダーライタ６４との距離が距離０ｃｍに近接すれば、電源電圧Ｈは２０ボルト以上となり内蔵する集積回路６１が破壊する。
【００２３】
そこで電源電圧をシャント回路１１０でクランプし、集積回路６１の消費電流を見かけ上大きくしている。
図１０にシャント回路１１０の電圧電流特性を示す。
【００２４】
シャント回路１１０は電流電圧特性を決定する最終段トランジスタをＭＯＳトランジスタで形成している場合、所定の閾値電圧以上で電圧の２乗関数で電流を流す。また、バイポーラトランジスタで形成している場合、所定の閾値電圧以上で電圧の指数関数で電流を流す。図１０の場合では、電源電圧Ｈが４ボルトではシャント回路１１０では、ほとんど電流を消費せず、電源電圧Ｈが、５ボルトで１０ｍＡの電流を消費する。
【００２５】
すなわち、シャント回路１１０に大きな電流が流れる状況では、電流変化が生じても電源電圧の変化は小さくなる特性を示している。
図９（Ｂ）に通信が行える遠距離での電源電圧の振る舞いを示す。
【００２６】
リーダーライタ６４が”Ｈ”データを送信するときは、電源電圧Ｈは高いレベル（約５ボルト）となり、”Ｌ”データを送信するときは、電源電圧Ｈは低いレベル（約４ボルト）となる。
【００２７】
図９（Ｃ）に通信が行える近距離での電源電圧の振る舞いを示す。
リーダーライタ６４が”Ｈ”データを送信するときは、電源電圧Ｈは高いレベル（約５．５ボルト）となり、”Ｌ”データを送信するときは、電源電圧Ｈは低いレベル（約５．３ボルト）となる。
【００２８】
すなわち、シャント回路１１０は、電源電圧Ｈが大きくなると電源電流を大きく流す（図１０参照）ため、電源電圧Ｈが高くなると、シャント回路１１０の電流を流す能力が増加し、電源電圧の変動を押さえ込んでしまう。そのため、電源電圧Ｈの変動が小さくなる。
【００２９】
従来のアナログ回路７０では復調回路８３は電源電圧を入力し、電源電圧の変化率を検出するため、通信が行える近距離では電源の変化が小さくなり、復調信号ＲＸＤＡＴＡを発生することが困難となる。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】
非接触型ＩＣカードは、通信距離が０〜２ｍｍの密着型、通信距離が０〜１０ｃｍの近接型、通信距離が０〜７０ｃｍの近傍型、通信距離が０〜１０ｍのマイクロ波に大別される。通信距離が長くなるほど技術的に困難になるが、密着型（通信距離０〜２ｍｍ）では、既に広く普及している接触型ＩＣカードと比べ特徴において大差なく、非接触型ＩＣカードのメリットを充分に出しているといえない。したがって、接触型ＩＣカードの次には、近接型の非接触型ＩＣカード（通信距離０〜１０ｃｍ）が普及していくと予想される。
【００３１】
そこで、非接触型ＩＣカード用の半導体集積回路として求められる要件は、リーダーライタから０ｃｍから１０ｃｍ程度の距離においても、内部のディジタル回路、不揮発性メモリが安定に動作するだけの電圧を発生させ、復調信号を得ることである。
【００３２】
しかしながら、リーダーライタ６４からＩＣカードが０ｃｍと密着している近距離において、従来の回路では、ロジック回路部７１やメモリ回路部７２への電源電圧Ｈや電源電圧Ｌを規格以内の電圧（５ボルト系のＬＳＩならば５．５ボルト以下）を供給しなければ、すなわちシャント回路１１０の電流消費能力を強化しなければ、半導体集積回路の正常動作を保証できない。
【００３３】
しかしながら、シャント回路１１０の電流消費能力を強化すると、電源電圧の微分波形（電源電圧Ｈの変化率を検出する）により復調動作している復調回路８３は、電源変動が小さくなるために復調が困難となる。
【００３４】
逆にシャント回路１１０の能力を低下させると、復調はできるが、アナログ回路部７０の電圧が大きくなり規格以下（５ボルト系のＬＳＩの場合５．５ボルト以下）の電圧にすることが困難になる。
【００３５】
本発明はＩＣカードがリーダーライタに密着している近距離においても安定な動作を期待できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【００３６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体集積回路は、信号入力線が一方の端に接続された第１の抵抗と、前記第１の抵抗の前記一方の端の他端が入力側に接続されて前記第１の抵抗を介して入力された受信信号を整流して電源電圧を発生する整流回路と、前記信号入力線が一方の端に接続され、前記第１の抵抗と並列に設けられた第２の抵抗と、前記第２の抵抗の前記一方の端の他端が入力側に接続されて前記第２の抵抗を介して入力された受信信号を復調する復調回路と、前記整流回路の出力側に接続されて前記電源電圧が所定の電圧値以上に超えないようにするレギュレータとを備えたことを特徴とする。
【００３７】
この構成によると、アンテナコイルから電源を作り出す系統と復調回路への系統を別々に設けることによって、復調回路入力の変化率を通信距離の遠近によらず得ることができ、この半導体集積回路を非接触型情報媒体に使用することによって動作が安定したＩＣカードなどを得ることができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１記載の半導体集積回路は、信号入力線が一方の端に接続された第１の抵抗と、前記第１の抵抗の前記一方の端の他端が入力側に接続されて前記第１の抵抗を介して入力された受信信号を整流して電源電圧を発生する整流回路と、前記信号入力線が一方の端に接続され、前記第１の抵抗と並列に設けられた第２の抵抗と、前記第２の抵抗の前記一方の端の他端が入力側に接続されて前記第２の抵抗を介して入力された受信信号を復調する復調回路と、前記整流回路の出力側に接続されて前記電源電圧が所定の電圧値以上に超えないようにするレギュレータとを備えたことを特徴とする。
【００３９】
また、前記第１の抵抗および前記第２の抵抗がポリシリコンなどの配線により形成された抵抗で構成されたことを特徴とする。
【００４０】
また、前記信号入力線と前記復調回路の入力側との間に包絡線検波回路をさらに備えたことを特徴とする。
また、前記整流回路が電圧の異なる二系統の直流電力を並列出力する倍電圧整流回路であり、前記包絡線検波回路の基準電位を前記倍電圧整流回路の低電圧出力側に接続したことを特徴とする。
【００４１】
本発明の非接触型情報媒体は、デジタルデータにより変調された搬送波を受信し、受信した搬送波を整流して必要とする電力を賄い、受信した搬送波を復調してメモリ回路部への前記デジタルデータに基づく書き込みまたは読み出しを実行し、読み出しを実行した場合には読み出したデータに基づいて搬送波を変調して出力する非接触型情報媒体において、上記の半導体集積回路を搭載したことを特徴とする。
【００４２】
以下、本発明の各実施の形態を図１〜図６に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１と図２は本発明の（実施の形態１）の非接触型情報媒体としての非接触型ＩＣカード６０を示す。なお、従来例で示した図７と同一の構成には同一の符号を付けて説明する。
【００４３】
従来例で示した図７では、復調回路８３の入力が整流回路８０の出力側に接続されていたが、この（実施の形態１）では整流回路８０の入力側と復調回路８３の入力側とが並列接続されている。
【００４４】
詳しくは、図２に示すように、集積回路６１のパッド９１には、整流回路８０の入力であるダイオード１００のアノードとダイオード１０１のカソードとの接続点が接続され、この接続点にさらに復調回路８３の入力側が接続されている。
【００４５】
復調回路８３の入力側は、復調回路８３の専用のダイオード１と平滑容量２とで構成される包絡線検波回路８５を介して整流回路８０の入力に接続されたパッド９１に接続されている。
【００４６】
リーダーライタ６４からの送信電波の包絡線信号を、ダイオード１を経由し、平滑容量２で取り出し、復調回路８３の直接入力となっている。
このように構成したため、ＩＣカード６０が近距離で動作しても安定動作するように、レギュレータとしてのシャント回路１１０で電源電圧が大きくならないように電源電圧Ｈの電圧上限を押さえ込んでも、整流用のダイオード１０１の電流供給能力を抑えれば電源電圧範囲を許容値以内にすることができ、しかも、復調回路８３の入力電圧の変動率を小さくすることなく復調回路８３に入力できる。すなわち、ＩＣカードが近距離から遠距離まで安定して、動作することが可能となる。
【００４７】
なお、この（実施の形態１）では倍電圧整流回路について説明を行ったが、全波整流回路や半波整流回路でも同様に有効である。
（実施の形態２）
図３は本発明の（実施の形態２）を示し、図２の別の具体例を表している。
【００４８】
本発明の（実施の形態１）と本発明の（実施の形態２）における非接触型ＩＣカード６０を比較すると、集積回路６１のパッド９１から抵抗３を経由してダイオード１に入力している点である。
【００４９】
また、パッド９１とダイオード１００のカソードの間にも抵抗４が介装されている。
（実施の形態１）では、ＩＣカードが近距離で動作する場合、電源電圧が大きくならないように、シャント回路１１０で電源電圧Ｈの電圧上限を押さえ込み、整流用のダイオード１０１の電流供給能力を抑えており、ダイオードには電源電圧（５．５ボルト以下）とダイオードでの降下した電圧分（２ボルト〜５ボルト程度で、通常のダイオードの閾値電圧約０．７ボルトより大きな値になる）が印加することになる。
【００５０】
すなわち、整流回路８０のダイオード１００，１０１に過大な電圧が印加されることにとなる。ダイオードは半導体内部では、ＰＮ接合や、ＭＯＳトランジスタにより形成されるため、過大な電圧が印加すると接合部分でブレークダウンを引き起こし、内部回路の誤動作や、ひいては半導体デバイスの破壊を引き起こす。
【００５１】
そこでこの（実施の形態２）では、整流回路８０の内部のダイオードなどにアンテナコイル６２を直接接続せずに、抵抗４および抵抗３を介して接続する。
抵抗３，４は半導体製造時にゲート電極を形成するポリシリコン配線などを用いるため製造コストを増加させずに形成できる。
【００５２】
ＩＣカードが近距離で動作する場合、電源電圧が大きくならないように、シャント回路１１０で電源電圧Ｈの電圧上限を押さえ込む。そのため、シャント回路１１０で電源電流が多く消費するため抵抗４に流れる電流が大きくなり、抵抗４（第１の抵抗）での電圧降下が大きくなる。
【００５３】
電源電流は約１０ｍＡ程度流れるため、抵抗４の抵抗値は５００Ωに設定すると５ボルトの電圧降下が生じる。
抵抗を挿入することにより整流回路８０の内部のダイオード１００，１０１に印加される電圧は５ボルト低くすることができ、過大な電圧の印加を防ぐことができる。
【００５４】
また、復調回路８３への入力部にも抵抗３（第２の抵抗）を挿入することにより、過電圧を防ぐことができる。そして、シャント回路１１０の特性により電源電流が大きく流れる状況であっても、抵抗４により電圧降下が生じるため、復調回路８３に入力する包絡線の電圧変化は大きくなり、復調回路の動作も安定する。
【００５５】
ＩＣカードが遠距離で動作する場合、シャント回路１１０ではほとんど電流を流さなくなり、ロジック回路７１やメモリ回路７２で消費する電流のみとなるため（約０．５ｍＡ程度）、抵抗４の抵抗値は５００Ωに設定すると０．３ボルト程度の電圧降下が生じるだけとなり、抵抗を挿入する前の回路の動作と等しくなる。
【００５６】
（実施の形態３）
図４と図５は本発明の（実施の形態３）を示し、図３の別の具体例を表している。
【００５７】
本発明の（実施の形態２）と本発明の（実施の形態３）における非接触型ＩＣカードの半導体集積回路を比較すると、復調回路８３の入力に逆向きのダイオード５と平滑容量６が併設している点である。
【００５８】
復調回路８３の動作を説明する。リーダーライタ６４から送信される電波を集積回路６１のアンテナコイル６２により受信し、アンテナコイル両端に発生した交流電圧１２０の包絡線検波した電圧を復調回路８３に入力することによる復調データＲＸＤＡＴＡを生成する。
【００５９】
図５（ａ）は非接触ＩＣカードの通信に良く用いられる搬送周波数１３．５６ＭＨｚでＡＳＫ変調されたデータをリーダーライタ６４から送信している時のアンテナコイル両端に発生する交流電圧１２０（パッド９０を基準とした電圧レベル１２１）を示す。リーダーライタ６４からはデジタルデータをＡＳＫ変調し符号化方式ＮＲＺでデータを送信している場合を考える。すなわち、リーダーライタ６４が”Ｈ”データを送信するときは、アンテナコイル両端に交流電圧１２０は高いレベルとなり、リーダーライタ６４が”Ｌ”データを送信するときは、アンテナコイル両端に交流電圧１２０は低いレベルとなる。
【００６０】
電源電圧を生成する動作を考える。ここでは、復調信号レベルが得にくい、リーダーライタ６４と集積回路６１が近距離である場合を考える。
整流回路８０のダイオード１００によってマイナス成分電圧が信号ＶＳＳ１２２を発生する。平滑容量１１１によって電源電圧Ｌは平滑化される。また、整流回路８０のダイオード１０１により、プラス成分電圧が電源電圧Ｈ（レベル１２３）を発生し、平滑容量１１２によって電源電圧Ｈは平滑化される。
【００６１】
リーダーライタ６４と集積回路６１が近距離の場合、電源電圧が上昇し過ぎないようにクランプ用にシャント回路１１０を搭載している。このため、電源電圧の変化は小さくなり、復調が困難になる。
【００６２】
そこで、（実施の形態２）で説明したように抵抗４を挿入し、シャント回路１１０による電源電圧の押さえ込みの影響を少なくして、復調回路８３への入力の変化率を大きくする対策を施している。
【００６３】
図５（ａ）に示すように、抵抗４を挿入することにより、復調回路８３に入力する電圧は大きくなる。すなわち、従来の復調回路入力は電源電圧Ｈの変動のみが入力していたが、抵抗を挿入することにより、高電圧側の信号は信号７となり、低電圧側の信号は信号６となる。
【００６４】
本発明の（実施の形態２）では、復調回路８３への入力は、高電圧側の信号７のみの入力であったが、より一層、リーダーライタ６４と集積回路６１が近距離の場合に復調回路８３の動作を安定するために、復調回路８３の入力に双方向のダイオード１，５と電圧平滑容量２，６を併設した。
【００６５】
図５（ｂ）は信号１２２（ＶＳＳ）を基準にした場合の各信号電圧を示す。信号７Ｂ、信号６Ｂは信号１２２（ＶＳＳ）を基準にした信号である。
本発明の（実施の形態２）での復調回路入力信号レベルは７Ｂの電圧変化を使用したが、本発明の（実施の形態３）に示す回路構成をとることにより、復調回路入力信号レベルは７Ｂと６Ｂとの両方の信号変化分を使用することができ入力信号変化成分が大きくすることができる。
【００６６】
（実施の形態４）
図６は本発明の（実施の形態４）を示す。
（実施の形態３）を示す図４では復調回路８３の入力部の電圧平滑容量２，６の基準電位がＶＳＳであったが、この（実施の形態４）を示す図６では電圧平滑容量２，６の基準電位が電源電圧Ｌに変更されている点が異なっている。
【００６７】
図５（ｂ）に示すように、プラス成分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２は、非対称な変化を示している。このため、通信距離の変化により、プラス成分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２の電圧変化が変わり、受信感度が変化する。
【００６８】
前記集積回路６１の内部の動作は、図５（ａ）で示すように電源電圧Ｌ（１２１）を基準として、動作している。
そのため、復調回路８３の入力部電圧（プラス成分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２）の変化の対称性を改善するために、基準電圧をＶＳＳから電源電圧Ｌに変更する。
【００６９】
この対策により、通信距離の変化に対するプラス成分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２の変化が対称となり、安定した通信特性を得ることができる。
【００７０】
【発明の効果】
以上のように本発明の半導体集積回路とこれを搭載した非接触型情報媒体は、復調回路への入力が電源電圧発生回路と並列に構成されているため、電源電圧の制御と復調感度の確保を同時に満足することができ、大幅な回路規模を必要とせずに半導体集積回路全体を安定に動作させることができる。この半導体集積回路を用いることにより、近接型（通信距離０〜１０ｃｍ）の非接触型ＩＣカードを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の（実施の形態１）の半導体集積回路を搭載した非接触型情報媒体のブロック図
【図２】同実施の形態の電圧発生回路と復調回路の構成図
【図３】本発明の（実施の形態２）の電圧発生回路と復調回路の構成図
【図４】本発明の（実施の形態３）の電圧発生回路と復調回路の構成図
【図５】同実施の形態の復調回路への入力波形図
【図６】本発明の（実施の形態４）の電圧発生回路と復調回路の構成図
【図７】従来の非接触型ＩＣカードとリーダーライタとのブロック図
【図８】同従来例の電圧発生回路と復調回路の構成図
【図９】同従来例の電源電圧発生の動作原理を説明する入出力波形図
【図１０】同従来例のシャント回路の特性図
【符号の説明】
４，３ 抵抗
６０ 非接触ＩＣカード
６１ 集積回路（非接触型ＩＣカード用ＬＳＩ）
７２ メモリ回路部
８０ 整流回路
８３ 復調回路
８５ 包絡線検波回路
１００，１０１ 倍電圧整流回路
１１０ シャント回路（レギュレータ）
Ｌ 倍電圧整流回路の低電圧出力
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路およびこの半導体集積回路を搭載した非接触型情報媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コイルの相互誘導現象を利用して電波による電力の供給を行うとともにデータの送受信を行うようにしたＩＣカードなどの非接触型情報媒体が実用段階に入っている。
【０００３】
非接触型情報媒体の一例としてのＩＣカードは、ＩＣカードとの間で電波の送受信を行うリーダーライタとの間で通信が可能な距離によって大きく分けて、密着型、近接型、近傍型などに分類されており、それぞれについての標準規格も整いつつある。
【０００４】
特に、リーダーライタから０ｃｍ〜１０ｃｍ程度までの距離で用いることが可能な近接型のＩＣカードは、例えば定期券などの用途に用いるとすれば、駅の改札口などで定期入れからＩＣカードを取り出すことなく、リーダーライタとの非接触状態での情報のやり取りに基づいて改札口のゲートの開閉制御を行うことも可能となるなど、きわめて広い範囲で適用する可能性を有するものである。
【０００５】
しがしながら、広い範囲で適用されるにはＩＣカードの小型軽量化が重要となり、適用範囲が広がるほどＩＣカードの取り扱いが乱雑になる場合も増加すると予想されるため、乱雑な取り扱いに対する故障のしにくさなども考慮して、ＩＣカードなどの非接触情報媒体には、複雑な回路を小さい面積に収めた半導体集積回路が搭載されるのが通常となっている。
【０００６】
以下、従来の半導体集積回路搭載の非接触型ＩＣカードに関する技術について図７〜図１０を用いて説明する。
図７は従来の非接触型ＩＣカードとリーダーライタを示す。
【０００７】
非接触型ＩＣカード６０は、非接触型ＩＣカード用ＬＳＩ６１（以下、集積回路６１と称す）とアンテナコイル６２と同調容量６３により構成されている。集積回路６１は、アナログ回路部７０とロジック回路部７１とメモリ回路部７２などにより構成している。
【０００８】
集積回路６１のパッド９０，９１には、リーダーライタ６４に接続されたアンテナコイル６５から出る電波６６の送受信を行うための前記アンテナコイル６２が接続されている。アンテナコイル６２には同調容量６３が接続されている。アンテナコイル６２は、リーダーライタ６４からの電波を受け、アンテナコイル６２の両端（パッド９０−パッド９１の間）に交流電圧が発生する。アンテナコイル６２の両端に発生した交流電圧は、アナログ回路部７０に印加される。
【０００９】
アナログ回路部７０は、整流回路８０，電源回路８１，クロック発生回路８２，復調回路８３，変調回路８４などより構成されている。アナログ回路７０において、整流回路８０および電源回路８１によって、ロジック回路部７１を動作させるための電源電圧Ｌおよびメモリ回路部７２を動作させるための電源電圧Ｈを発生する。
【００１０】
クロック発生回路８２は、アンテナコイル６２の両端に発生した交流電圧を入力信号としてクロックを生成する。このクロックＣＬＫはディジタル回路部７１およびメモリ回路部７２を動作させる。
【００１１】
非接触型ＩＣカード６０とリーダーライタ６４の間で送受信されるデータは、電波（前記交流電圧）に重畳して送受信されており、非接触型ＩＣカード６０がリーダーライタ６４からのデータを受信する場合には、ＩＣカードでは復調回路８３で復調して復調信号ＲＸＤＡＴＡを得、非接触型ＩＣカード６０がリーダーライタ６４にデータを送信する場合には、送信信号ＴＸＤＡＴＡを変調回路８４で変調している。
【００１２】
このようにＩＣカードとリーダーライタ６４の間で送受信されるデータは、ロジック回路部７１で解釈され、アドレスやデータを指定してメモリ回路部７２に蓄えられ、アドレスを指定して読み出される。
【００１３】
ここで図８および図９を用いて、アナログ回路７０の中の整流回路８０、電源回路８１と復調回路８３について説明する。
図８に示すように、アンテナコイル６２の両端に発生した交流電圧は、パッド９０，９１を介して直接に整流回路８０に入力されている。整流回路８０は、ダイオード１００，１０１から構成される倍電圧整流回路となっている。
【００１４】
電源回路８１は、シャント回路１１０と平滑容量１１１，１１２から構成されており、シャント回路１１０により電源電圧Ｈは所定の電圧にクランプされる。
整流回路８０の動作原理は図９に示す通りである。
【００１５】
図９（Ａ）は非接触ＩＣカードの通信に用いられる搬送周波数１３．５６ＭＨｚでＡＳＫ変調されたデータをリーダーライタ６４から送信している時のアンテナコイル６２の両端に発生する交流電圧１２０（パッド９０を基準とした電圧：電圧１２１）を示す。
【００１６】
リーダーライタ６４からはデジタルデータをＡＳＫ変調を行い符号化方式ＮＲＺでデータを送信している場合を考える。すなわち、リーダーライタ６４が”Ｈ”データを送信するときは、アンテナコイル両端に印加される交流電圧１２０は高いレベルとなり、リーダーライタ６４が”Ｌ”データを送信するときは、アンテナコイル両端に印加される交流電圧１２０は低いレベルとなる。
【００１７】
まず、アンテナコイル６２両端に発生した交流電圧１２０により、どのようにして電源電圧が発生するかを考える。ここで、パッド９０の端子電圧を基準電圧１２１であると考えやすい。
【００１８】
整流回路８０のダイオード１００によってマイナス成分電圧が図９のレベル１２２を発生する。平滑容量１１１によって電源電圧Ｌは平滑化される。また、整流回路８０のダイオード１０１によりプラス成分電圧が電源電圧Ｈ（図９のレベル１２３）を発生し、平滑容量１１２によって電源電圧Ｈは平滑化される。
【００１９】
ＩＣカードは、リーダーライタ６４との距離が変化するため、リーダーライタ６４から送出する電波６６が一定の場合でも、アンテナコイル６２の両端（パッド９０−パッド９１の間）に発生する交流電圧１２０は変化する。
【００２０】
すなわち、リーダーライタ６４とＩＣカードが密接する場合、交流電圧１２０のレベルが増加し、また、リーダーライタ６４とＩＣカードが離れる場合、交流電圧１２０のレベルが低下する。
【００２１】
非接触ＩＣカードの国際規格であるＩＳ１４４４３（近接型非接触ＩＣカード：通信距離約１０ｃｍ程度の規格）の場合、リーダーライタ６４のアンテナコイル６６とＩＣカードのアンテナコイルの形状にも依存するが、ＩＣカードが受信する電波６６の強度は、１０ｃｍにくらべ密着状態では５倍から１０倍変化して、集積回路６１の消費電力が電圧によらず一定であると仮定すると、電源電圧は５倍から１０倍に変化する。
【００２２】
すなわち、ＩＣカードと、リーダーライタ６４との距離が１０ｃｍの場合、電源電圧Ｈが約４ボルトであれば、ＩＣカードとリーダーライタ６４との距離が距離０ｃｍに近接すれば、電源電圧Ｈは２０ボルト以上となり内蔵する集積回路６１が破壊する。
【００２３】
そこで電源電圧をシャント回路１１０でクランプし、集積回路６１の消費電流を見かけ上大きくしている。
図１０にシャント回路１１０の電圧電流特性を示す。
【００２４】
シャント回路１１０は電流電圧特性を決定する最終段トランジスタをＭＯＳトランジスタで形成している場合、所定の閾値電圧以上で電圧の２乗関数で電流を流す。また、バイポーラトランジスタで形成している場合、所定の閾値電圧以上で電圧の指数関数で電流を流す。図１０の場合では、電源電圧Ｈが４ボルトではシャント回路１１０では、ほとんど電流を消費せず、電源電圧Ｈが、５ボルトで１０ｍＡの電流を消費する。
【００２５】
すなわち、シャント回路１１０に大きな電流が流れる状況では、電流変化が生じても電源電圧の変化は小さくなる特性を示している。
図９（Ｂ）に通信が行える遠距離での電源電圧の振る舞いを示す。
【００２６】
リーダーライタ６４が”Ｈ”データを送信するときは、電源電圧Ｈは高いレベル（約５ボルト）となり、”Ｌ”データを送信するときは、電源電圧Ｈは低いレベル（約４ボルト）となる。
【００２７】
図９（Ｃ）に通信が行える近距離での電源電圧の振る舞いを示す。
リーダーライタ６４が”Ｈ”データを送信するときは、電源電圧Ｈは高いレベル（約５．５ボルト）となり、”Ｌ”データを送信するときは、電源電圧Ｈは低いレベル（約５．３ボルト）となる。
【００２８】
すなわち、シャント回路１１０は、電源電圧Ｈが大きくなると電源電流を大きく流す（図１０参照）ため、電源電圧Ｈが高くなると、シャント回路１１０の電流を流す能力が増加し、電源電圧の変動を押さえ込んでしまう。そのため、電源電圧Ｈの変動が小さくなる。
【００２９】
従来のアナログ回路７０では復調回路８３は電源電圧を入力し、電源電圧の変化率を検出するため、通信が行える近距離では電源の変化が小さくなり、復調信号ＲＸＤＡＴＡを発生することが困難となる。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】
非接触型ＩＣカードは、通信距離が０〜２ｍｍの密着型、通信距離が０〜１０ｃｍの近接型、通信距離が０〜７０ｃｍの近傍型、通信距離が０〜１０ｍのマイクロ波に大別される。通信距離が長くなるほど技術的に困難になるが、密着型（通信距離０〜２ｍｍ）では、既に広く普及している接触型ＩＣカードと比べ特徴において大差なく、非接触型ＩＣカードのメリットを充分に出しているといえない。したがって、接触型ＩＣカードの次には、近接型の非接触型ＩＣカード（通信距離０〜１０ｃｍ）が普及していくと予想される。
【００３１】
そこで、非接触型ＩＣカード用の半導体集積回路として求められる要件は、リーダーライタから０ｃｍから１０ｃｍ程度の距離においても、内部のディジタル回路、不揮発性メモリが安定に動作するだけの電圧を発生させ、復調信号を得ることである。
【００３２】
しかしながら、リーダーライタ６４からＩＣカードが０ｃｍと密着している近距離において、従来の回路では、ロジック回路部７１やメモリ回路部７２への電源電圧Ｈや電源電圧Ｌを規格以内の電圧（５ボルト系のＬＳＩならば５．５ボルト以下）を供給しなければ、すなわちシャント回路１１０の電流消費能力を強化しなければ、半導体集積回路の正常動作を保証できない。
【００３３】
しかしながら、シャント回路１１０の電流消費能力を強化すると、電源電圧の微分波形（電源電圧Ｈの変化率を検出する）により復調動作している復調回路８３は、電源変動が小さくなるために復調が困難となる。
【００３４】
逆にシャント回路１１０の能力を低下させると、復調はできるが、アナログ回路部７０の電圧が大きくなり規格以下（５ボルト系のＬＳＩの場合５．５ボルト以下）の電圧にすることが困難になる。
【００３５】
本発明はＩＣカードがリーダーライタに密着している近距離においても安定な動作を期待できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【００３６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体集積回路は、信号入力線が一方の端に接続された第１の抵抗と、前記第１の抵抗の前記一方の端の他端が入力側に接続されて前記第１の抵抗を介して入力された受信信号を整流して電源電圧を発生する整流回路と、前記信号入力線が一方の端に接続され、前記第１の抵抗と並列に設けられた第２の抵抗と、前記第２の抵抗の前記一方の端の他端が入力側に接続されて前記第２の抵抗を介して入力された受信信号を復調する復調回路と、前記整流回路の出力側に接続されて前記電源電圧が所定の電圧値以上に超えないようにするレギュレータとを備えたことを特徴とする。
【００３７】
この構成によると、アンテナコイルから電源を作り出す系統と復調回路への系統を別々に設けることによって、復調回路入力の変化率を通信距離の遠近によらず得ることができ、この半導体集積回路を非接触型情報媒体に使用することによって動作が安定したＩＣカードなどを得ることができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１記載の半導体集積回路は、信号入力線が一方の端に接続された第１の抵抗と、前記第１の抵抗の前記一方の端の他端が入力側に接続されて前記第１の抵抗を介して入力された受信信号を整流して電源電圧を発生する整流回路と、前記信号入力線が一方の端に接続され、前記第１の抵抗と並列に設けられた第２の抵抗と、前記第２の抵抗の前記一方の端の他端が入力側に接続されて前記第２の抵抗を介して入力された受信信号を復調する復調回路と、前記整流回路の出力側に接続されて前記電源電圧が所定の電圧値以上に超えないようにするレギュレータとを備えたことを特徴とする。
【００３９】
また、前記第１の抵抗および前記第２の抵抗がポリシリコンなどの配線により形成された抵抗で構成されたことを特徴とする。
【００４０】
また、前記信号入力線と前記復調回路の入力側との間に包絡線検波回路をさらに備えたことを特徴とする。
また、前記整流回路が電圧の異なる二系統の直流電力を並列出力する倍電圧整流回路であり、前記包絡線検波回路の基準電位を前記倍電圧整流回路の低電圧出力側に接続したことを特徴とする。
【００４１】
本発明の非接触型情報媒体は、デジタルデータにより変調された搬送波を受信し、受信した搬送波を整流して必要とする電力を賄い、受信した搬送波を復調してメモリ回路部への前記デジタルデータに基づく書き込みまたは読み出しを実行し、読み出しを実行した場合には読み出したデータに基づいて搬送波を変調して出力する非接触型情報媒体において、上記の半導体集積回路を搭載したことを特徴とする。
【００４２】
以下、本発明の各実施の形態を図１〜図６に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１と図２は本発明の（実施の形態１）の非接触型情報媒体としての非接触型ＩＣカード６０を示す。なお、従来例で示した図７と同一の構成には同一の符号を付けて説明する。
【００４３】
従来例で示した図７では、復調回路８３の入力が整流回路８０の出力側に接続されていたが、この（実施の形態１）では整流回路８０の入力側と復調回路８３の入力側とが並列接続されている。
【００４４】
詳しくは、図２に示すように、集積回路６１のパッド９１には、整流回路８０の入力であるダイオード１００のアノードとダイオード１０１のカソードとの接続点が接続され、この接続点にさらに復調回路８３の入力側が接続されている。
【００４５】
復調回路８３の入力側は、復調回路８３の専用のダイオード１と平滑容量２とで構成される包絡線検波回路８５を介して整流回路８０の入力に接続されたパッド９１に接続されている。
【００４６】
リーダーライタ６４からの送信電波の包絡線信号を、ダイオード１を経由し、平滑容量２で取り出し、復調回路８３の直接入力となっている。
このように構成したため、ＩＣカード６０が近距離で動作しても安定動作するように、レギュレータとしてのシャント回路１１０で電源電圧が大きくならないように電源電圧Ｈの電圧上限を押さえ込んでも、整流用のダイオード１０１の電流供給能力を抑えれば電源電圧範囲を許容値以内にすることができ、しかも、復調回路８３の入力電圧の変動率を小さくすることなく復調回路８３に入力できる。すなわち、ＩＣカードが近距離から遠距離まで安定して、動作することが可能となる。
【００４７】
なお、この（実施の形態１）では倍電圧整流回路について説明を行ったが、全波整流回路や半波整流回路でも同様に有効である。
（実施の形態２）
図３は本発明の（実施の形態２）を示し、図２の別の具体例を表している。
【００４８】
本発明の（実施の形態１）と本発明の（実施の形態２）における非接触型ＩＣカード６０を比較すると、集積回路６１のパッド９１から抵抗３を経由してダイオード１に入力している点である。
【００４９】
また、パッド９１とダイオード１００のカソードの間にも抵抗４が介装されている。
（実施の形態１）では、ＩＣカードが近距離で動作する場合、電源電圧が大きくならないように、シャント回路１１０で電源電圧Ｈの電圧上限を押さえ込み、整流用のダイオード１０１の電流供給能力を抑えており、ダイオードには電源電圧（５．５ボルト以下）とダイオードでの降下した電圧分（２ボルト〜５ボルト程度で、通常のダイオードの閾値電圧約０．７ボルトより大きな値になる）が印加することになる。
【００５０】
すなわち、整流回路８０のダイオード１００，１０１に過大な電圧が印加されることにとなる。ダイオードは半導体内部では、ＰＮ接合や、ＭＯＳトランジスタにより形成されるため、過大な電圧が印加すると接合部分でブレークダウンを引き起こし、内部回路の誤動作や、ひいては半導体デバイスの破壊を引き起こす。
【００５１】
そこでこの（実施の形態２）では、整流回路８０の内部のダイオードなどにアンテナコイル６２を直接接続せずに、抵抗４および抵抗３を介して接続する。
抵抗３，４は半導体製造時にゲート電極を形成するポリシリコン配線などを用いるため製造コストを増加させずに形成できる。
【００５２】
ＩＣカードが近距離で動作する場合、電源電圧が大きくならないように、シャント回路１１０で電源電圧Ｈの電圧上限を押さえ込む。そのため、シャント回路１１０で電源電流が多く消費するため抵抗４に流れる電流が大きくなり、抵抗４（第１の抵抗）での電圧降下が大きくなる。
【００５３】
電源電流は約１０ｍＡ程度流れるため、抵抗４の抵抗値は５００Ωに設定すると５ボルトの電圧降下が生じる。
抵抗を挿入することにより整流回路８０の内部のダイオード１００，１０１に印加される電圧は５ボルト低くすることができ、過大な電圧の印加を防ぐことができる。
【００５４】
また、復調回路８３への入力部にも抵抗３（第２の抵抗）を挿入することにより、過電圧を防ぐことができる。そして、シャント回路１１０の特性により電源電流が大きく流れる状況であっても、抵抗４により電圧降下が生じるため、復調回路８３に入力する包絡線の電圧変化は大きくなり、復調回路の動作も安定する。
【００５５】
ＩＣカードが遠距離で動作する場合、シャント回路１１０ではほとんど電流を流さなくなり、ロジック回路７１やメモリ回路７２で消費する電流のみとなるため（約０．５ｍＡ程度）、抵抗４の抵抗値は５００Ωに設定すると０．３ボルト程度の電圧降下が生じるだけとなり、抵抗を挿入する前の回路の動作と等しくなる。
【００５６】
（実施の形態３）
図４と図５は本発明の（実施の形態３）を示し、図３の別の具体例を表している。
【００５７】
本発明の（実施の形態２）と本発明の（実施の形態３）における非接触型ＩＣカードの半導体集積回路を比較すると、復調回路８３の入力に逆向きのダイオード５と平滑容量６が併設している点である。
【００５８】
復調回路８３の動作を説明する。リーダーライタ６４から送信される電波を集積回路６１のアンテナコイル６２により受信し、アンテナコイル両端に発生した交流電圧１２０の包絡線検波した電圧を復調回路８３に入力することによる復調データＲＸＤＡＴＡを生成する。
【００５９】
図５（ａ）は非接触ＩＣカードの通信に良く用いられる搬送周波数１３．５６ＭＨｚでＡＳＫ変調されたデータをリーダーライタ６４から送信している時のアンテナコイル両端に発生する交流電圧１２０（パッド９０を基準とした電圧レベル１２１）を示す。リーダーライタ６４からはデジタルデータをＡＳＫ変調し符号化方式ＮＲＺでデータを送信している場合を考える。すなわち、リーダーライタ６４が”Ｈ”データを送信するときは、アンテナコイル両端に交流電圧１２０は高いレベルとなり、リーダーライタ６４が”Ｌ”データを送信するときは、アンテナコイル両端に交流電圧１２０は低いレベルとなる。
【００６０】
電源電圧を生成する動作を考える。ここでは、復調信号レベルが得にくい、リーダーライタ６４と集積回路６１が近距離である場合を考える。
整流回路８０のダイオード１００によってマイナス成分電圧が信号ＶＳＳ１２２を発生する。平滑容量１１１によって電源電圧Ｌは平滑化される。また、整流回路８０のダイオード１０１により、プラス成分電圧が電源電圧Ｈ（レベル１２３）を発生し、平滑容量１１２によって電源電圧Ｈは平滑化される。
【００６１】
リーダーライタ６４と集積回路６１が近距離の場合、電源電圧が上昇し過ぎないようにクランプ用にシャント回路１１０を搭載している。このため、電源電圧の変化は小さくなり、復調が困難になる。
【００６２】
そこで、（実施の形態２）で説明したように抵抗４を挿入し、シャント回路１１０による電源電圧の押さえ込みの影響を少なくして、復調回路８３への入力の変化率を大きくする対策を施している。
【００６３】
図５（ａ）に示すように、抵抗４を挿入することにより、復調回路８３に入力する電圧は大きくなる。すなわち、従来の復調回路入力は電源電圧Ｈの変動のみが入力していたが、抵抗を挿入することにより、高電圧側の信号は信号７となり、低電圧側の信号は信号６となる。
【００６４】
本発明の（実施の形態２）では、復調回路８３への入力は、高電圧側の信号７のみの入力であったが、より一層、リーダーライタ６４と集積回路６１が近距離の場合に復調回路８３の動作を安定するために、復調回路８３の入力に双方向のダイオード１，５と電圧平滑容量２，６を併設した。
【００６５】
図５（ｂ）は信号１２２（ＶＳＳ）を基準にした場合の各信号電圧を示す。信号７Ｂ、信号６Ｂは信号１２２（ＶＳＳ）を基準にした信号である。
本発明の（実施の形態２）での復調回路入力信号レベルは７Ｂの電圧変化を使用したが、本発明の（実施の形態３）に示す回路構成をとることにより、復調回路入力信号レベルは７Ｂと６Ｂとの両方の信号変化分を使用することができ入力信号変化成分が大きくすることができる。
【００６６】
（実施の形態４）
図６は本発明の（実施の形態４）を示す。
（実施の形態３）を示す図４では復調回路８３の入力部の電圧平滑容量２，６の基準電位がＶＳＳであったが、この（実施の形態４）を示す図６では電圧平滑容量２，６の基準電位が電源電圧Ｌに変更されている点が異なっている。
【００６７】
図５（ｂ）に示すように、プラス成分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２は、非対称な変化を示している。このため、通信距離の変化により、プラス成分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２の電圧変化が変わり、受信感度が変化する。
【００６８】
前記集積回路６１の内部の動作は、図５（ａ）で示すように電源電圧Ｌ（１２１）を基準として、動作している。
そのため、復調回路８３の入力部電圧（プラス成分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２）の変化の対称性を改善するために、基準電圧をＶＳＳから電源電圧Ｌに変更する。
【００６９】
この対策により、通信距離の変化に対するプラス成分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２の変化が対称となり、安定した通信特性を得ることができる。
【００７０】
【発明の効果】
以上のように本発明の半導体集積回路とこれを搭載した非接触型情報媒体は、復調回路への入力が電源電圧発生回路と並列に構成されているため、電源電圧の制御と復調感度の確保を同時に満足することができ、大幅な回路規模を必要とせずに半導体集積回路全体を安定に動作させることができる。この半導体集積回路を用いることにより、近接型（通信距離０〜１０ｃｍ）の非接触型ＩＣカードを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の（実施の形態１）の半導体集積回路を搭載した非接触型情報媒体のブロック図
【図２】同実施の形態の電圧発生回路と復調回路の構成図
【図３】本発明の（実施の形態２）の電圧発生回路と復調回路の構成図
【図４】本発明の（実施の形態３）の電圧発生回路と復調回路の構成図
【図５】同実施の形態の復調回路への入力波形図
【図６】本発明の（実施の形態４）の電圧発生回路と復調回路の構成図
【図７】従来の非接触型ＩＣカードとリーダーライタとのブロック図
【図８】同従来例の電圧発生回路と復調回路の構成図
【図９】同従来例の電源電圧発生の動作原理を説明する入出力波形図
【図１０】同従来例のシャント回路の特性図
【符号の説明】
４，３ 抵抗
６０ 非接触ＩＣカード
６１ 集積回路（非接触型ＩＣカード用ＬＳＩ）
７２ メモリ回路部
８０ 整流回路
８３ 復調回路
８５ 包絡線検波回路
１００，１０１ 倍電圧整流回路
１１０ シャント回路（レギュレータ）
Ｌ 倍電圧整流回路の低電圧出力
Claims (5)
- 信号入力線が一方の端に接続された第１の抵抗と、
前記第１の抵抗の前記一方の端の他端が入力側に接続されて前記第１の抵抗を介して入力された受信信号を整流して電源電圧を発生する整流回路と、
前記信号入力線が一方の端に接続され、前記第１の抵抗と並列に設けられた第２の抵抗と、
前記第２の抵抗の前記一方の端の他端が入力側に接続されて前記第２の抵抗を介して入力された受信信号を復調する復調回路と、
前記整流回路の出力側に接続されて前記電源電圧が所定の電圧値以上に超えないようにするレギュレータとを備えたことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記第１の抵抗および前記第２の抵抗がポリシリコンなどの配線により形成された抵抗で構成される請求項１に記載の半導体集積回路。
- 前記第２の抵抗の前記他端と前記復調回路の入力側との間に包絡線検波回路をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体集積回路。
- 前記整流回路が電圧の異なる二系統の直流電力を並列出力する倍電圧整流回路であり、前記包絡線検波回路の基準電位を前記倍電圧整流回路の低電圧出力側に接続した
請求項３記載の半導体集積回路。 - 請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体集積回路を搭載し、デジタルデータにより変調された搬送波を受信し、受信した搬送波を前記半導体集積回路によって、整流して必要とする電力を賄い、受信した搬送波を復調してメモリ回路部への前記デジタルデータに基づく書き込みまたは読み出しを実行し、読み出しを実行した場合には読み出したデータに基づいて搬送波を変調して出力する非接触型情報媒体。
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