JP2003296683A - 非接触ｉｃカード - Google Patents

非接触ｉｃカード

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JP2003296683A JP2002102493A JP2002102493A JP2003296683A JP 2003296683 A JP2003296683 A JP 2003296683A JP 2002102493 A JP2002102493 A JP 2002102493A JP 2002102493 A JP2002102493 A JP 2002102493A JP 2003296683 A JP2003296683 A JP 2003296683A
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card
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プロセスばらつきや温度変動による通信品質
の劣化を抑制し、高性能な非接触ＩＣカードを実現す
る。 【解決手段】 アンテナコイルＬ１・同調容量Ｃｔ・充
電容量Ｃａ・整流器３・シャントレギュレータ４・復調
器６・デジタル信号処理部７・変調器８を備える。シャ
ントレギュレータ４は、電源ＶＤＤの低域の周波数成分
を通過させるＬＰＦと、ゲートとソースとドレインを、
それぞれ、ＬＰＦの出力と電源ＶＤＤとＶＳＳに接続す
るトランジスタＭ１とを含む。このシャントレギュレー
タ４は、電源ＶＤＤの低域成分の電力を消費する。これ
により、ＲＸ信号帯域での信号品質の劣化を抑制する非
接触ＩＣカードを実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、非接触で外部よ
り電源が供給される非接触ＩＣカードに関し、特に、素
子ばらつきや温度変動によって生じる通信品質の劣化を
抑制する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】セキュリティ機能・個人認証機能などを
特徴とするＣＰＵ付きＩＣカードは、リーダライタとの
データ通信を接点を介して行う「外部端子付きＩＣカー
ド（接触型ＩＣカード）」と電磁誘導等により行う「非
接触ＩＣカード」とに大別される。この中で、無線でデ
ータ通信を行う非接触ＩＣカードは、外部機器との接続
端子を必要としないため耐久性に優れる。また、受信電
波を整流器で整流しＩＣの動作に必要なＤＣ電源を生成
するため電池が不要であり、システムの小型化・ローコ
スト化に有効である。
【０００３】図９は、従来の非接触ＩＣカードの構成を
示す図である。図９に示す非接触ＩＣカード１は、アン
テナコイルＬ１と、半導体集積回路２とを備える。半導
体集積回路２は、同調容量Ｃｔ・充電容量Ｃａ・整流器
３・シャントレギュレータ４・復調器６・デジタル信号
処理部７・変調器８を含む。同調容量Ｃｔとアンテナコ
イルＬ１とは並列に接続され、整流器３の入力に接続さ
れる。整流器３には、図１０に示すように、ダイオード
Ｄ１〜Ｄ４を用いた全波整流回路を用いる。アンテナコ
イルＬ１で受信された信号は、整流器３により整流およ
び容量Ｃａに充電され、デジタル信号処理部７の電源Ｖ
ＤＤを生成する。復調器６は、電源ＶＤＤに重畳された
ＲＸ信号（受信信号）を抽出する。ＲＸ信号は、ＣＰＵ
やメモリなどで構成されるデジタル信号処理部７で信号
処理される。変調器８は、デジタル信号処理部７から送
られるＴＸ信号（送信信号）に応じてアンテナコイル間
のインピーダンスに変調をかける。シャントレギュレー
タ４は、半導体集積回路２の耐圧以上に電源ＶＤＤが上
昇するのを防ぐ回路である。
【０００４】ここで、通信方式をＩＳＯ／ＩＥＣ １４
４４３ Ｔｙｐｅ−Ｂとすると、通信周波数は１３．５
６ＭＨｚ・転送レートは１０６ｋｂｐｓ・リーダライタ
から非接触ＩＣカードへの変調方式は１０％ＡＳＫ変調
・非接触ＩＣカードからリーダライタへの変調方式はＢ
ＰＳＫとなる。この場合、復調器６は電源ＶＤＤの振幅
の変動を感知してＲＸ信号を抽出する。
【０００５】非接触ＩＣカード１に供給される電力は、
カードコイル（アンテナコイルＬ１）が受ける磁界強度
で決まる。磁界強度は、コイル間の距離がリーダライタ
のアンテナコイルのサイズに対して小さい場合はほぼ一
定であるが、大きい場合は距離の２乗に反比例して減衰
する。通常、非接触ＩＣカードとリーダライタとの距離
はアンテナコイルのサイズ以上に変わるため、ＩＣカー
ドに供給される電力は大きく変動する。たとえば、受信
電力が１０ｍＷ時に半導体集積回路２の電源ＶＤＤが３
Ｖだったとする。ここで、非接触ＩＣカードをリーダラ
イタに近づけて受信電力が９０ｍＷになったとする。す
ると電源ＶＤＤは９Ｖまで上昇する。現在の半導体プロ
セスで製造できるトランジスタの耐圧は、ゲート酸化膜
厚を１０ｎｍとすると５Ｖ程度である。このような電源
ＶＤＤの上昇はトランジスタの破壊につながる。
【０００６】こうした電源ＶＤＤの電圧上昇を抑制する
ために、不要な電力を消費するシャントレギュレータ４
が用いられる。図１１は従来のシャントレギュレータ４
の回路図である。電源ＶＤＤを抵抗Ｒ１，Ｒ２で抵抗分
割し、ｎＭＯＳトランジスタＭ１のゲートに接続する。
トランジスタＭ１のソースは接地電圧ＶＳＳに、ドレイ
ンは電源ＶＤＤに接続される。この場合、シャントレギ
ュレータ４の動作電圧Ｖａは、Ｒ１とＲ２との抵抗比お
よびトランジスタＭ１のしきい値電圧Ｖｔによって決定
される。例えば、Ｖｔ＝０．７Ｖ，Ｒ１＝４００ｋΩ，
Ｒ２＝１００ｋΩとすると、 Ｖａ＝（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２×Ｖｔ＝３．５ となり、３．５Ｖ以上の電源ＶＤＤの上昇を抑えること
ができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図１１に
示したシャントレギュレータは、プロセスばらつきや温
度ばらつきによって同一の電源ＶＤＤでも消費電力がば
らつく。特に、ＭＯＳトランジスタを用いてシャントレ
ギュレータを構成すると、そのバラツキは非常に大きく
なる。例えば、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧Ｖｔ
が０．１Ｖ変動すると、そのトランジスタに流れる電流
および消費電力は３０％程度変動する。このようにＶｔ
がばらついてもチップ内のＤＣ電圧を耐圧以下に抑える
には、シャントレギュレータの消費電力を大きくする必
要がある。しかし、ＡＳＫ変調のような変調方式の無線
システムにおいてシャントレギュレータの消費電力を大
きくすると、ＲＸ信号の信号レベルを低下させ、通信品
質を劣化させる。
【０００８】図１２は、従来のシャントレギュレータ４
の電源ＶＤＤに対する消費電力の周波数特性を示す。全
周波数でほぼ平坦な特性を有する。また、図１３は、Ａ
ＳＫ変調信号を整流器３で整流した後の電源ＶＤＤの周
波数特性を示す。ＤＣと、１００ｋＨｚから数ＭＨｚの
ＲＸ信号周波数帯と、１０ＭＨｚ以上の搬送波周波数帯
の３つに分類できる。従来のシャントレギュレータは、
ＤＣのみならずＲＸ信号成分まで減衰させてしまう。
【０００９】この発明は上記のような問題を解決するた
めになされたものであり、その目的は、通信品質の劣化
を抑制することができる非接触ＩＣカードを提供するこ
とである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の１つの局面に
従うと、非接触ＩＣカードは、電源を外部から非接触で
受けるものであって、シャントレギュレータと、復調回
路とを備える。シャントレギュレータは、受けた電源か
らＲＸ信号の復調に不要な帯域の信号成分を減衰させ
る。復調回路は、レギュレータにより不要な帯域の信号
成分が減衰させられた電源からＲＸ信号の復調を行う。
【００１１】この発明のもう１つの局面に従うと、非接
触ＩＣカードは、アンテナコイルと、半導体集積回路と
を備える。アンテナコイルは、信号を外部から非接触で
受信する。半導体集積回路は、整流器と、シャントレギ
ュレータと、復調器と、デジタル信号処理部とを含む。
整流器は、アンテナコイルによって受信された信号を整
流し電源を生成する。シャントレギュレータは、整流器
によって整流された信号の低域成分の電力を消費する。
復調器は、シャントレギュレータにより低域成分の電力
が消費された電源からＲＸ信号を抽出する。デジタル信
号処理部は、整流器によって整流された電源を受け、復
調器によって抽出されたＲＸ信号を処理する。
【００１２】上記非接触ＩＣカードでは、電源の低域成
分の電力を消費するシャントレギュレータを設けたた
め、通信品質の劣化を抑制できる。
【００１３】この発明のさらにもう１つの局面に従う
と、非接触ＩＣカードは、アンテナコイルと、半導体集
積回路とを備える。アンテナコイルは、信号を外部から
非接触で受ける。半導体集積回路は、ＲＸ復調部と、信
号処理部とを含む。ＲＸ復調部は、第１の整流器と、シ
ャントレギュレータと、復調器とを含む。第１の整流器
は、アンテナコイルによって受信された信号を整流し第
１の電源を生成する。シャントレギュレータは、第１の
電源の低域成分の電力を消費する。復調器は、シャント
レギュレータにより低域成分の電力が消費された電源か
らＲＸ信号を抽出する。信号処理部は、第２の整流器
と、デジタル信号処理部とを含む。第２の整流器は、ア
ンテナコイルによって受信された信号を整流し第２の電
源を生成する。デジタル信号処理部は、第２の電源を受
け、復調器によって抽出されたＲＸ信号を処理する。
【００１４】上記非接触ＩＣカードではＲＸ復調部と信
号処理部とを分離したため、デジタル信号処理部から生
じるノイズの復調器への影響を低減できる。
【００１５】好ましくは、上記シャントレギュレータは
さらに、電源または第１の電源の高域成分の電力を消費
する。
【００１６】上記非接触ＩＣカードによれば、搬送波成
分のノイズを除去できる。
【００１７】好ましくは、上記シャントレギュレータ
は、ローパスフィルタと、トランジスタとを含む。ロー
パスフィルタは、電源または第１の電源の低域の周波数
成分を通過させる。トランジスタは、電源または第１の
電源を受ける電源ノードと接地電圧を受ける接地ノード
との間に接続され、ローパスフィルタの出力をゲートに
受ける。
【００１８】好ましくは、上記シャントレギュレータ
は、バンドリジェクションフィルタと、トランジスタと
を含む。バンドリジェクションフィルタは、電源または
第１の電源の低域および高域の周波数成分を通過させ
る。トランジスタは、電源または第１の電源を受ける電
源ノードと接地電圧を受ける接地ノードとの間に接続さ
れ、バンドリジェクションフィルタの出力をゲートに受
ける。
【００１９】好ましくは、上記トランジスタはＭＯＳト
ランジスタである。
【００２０】好ましくは、上記低域の周波数は１０ｋＨ
ｚ以下である。
【００２１】好ましくは、上記高域の周波数は１０ＭＨ
ｚ以上である。
【００２２】好ましくは、上記半導体集積回路はＴＸ変
調部をさらに含む。ＴＸ変調部は、デジタル信号処理部
からのＴＸ信号に応じてアンテナコイル間のインピーダ
ンスに変調をかける。
【００２３】好ましくは、上記整流器は全波整流回路で
ある。
【００２４】好ましくは、上記復調器はＡＳＫ変調信号
を復調する。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。なお、以下の図において、同様の機能を有
する構成要素については従来技術（図９〜図１３）と同
じ符号を付してその説明を省略する。
【００２６】（第１の実施形態）まず、本発明の第１の
実施形態による非接触ＩＣカードを、図１を用いて説明
する。
【００２７】従来例（図９）との相違は、電源ＶＤＤに
対して周波数特性を有するシャントレギュレータ１０を
設けたことである。シャントレギュレータ１０は、図２
に示すように、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）１１とｎＭ
ＯＳトランジスタＭ１とを含む。ＬＰＦ１１は電源ＶＤ
Ｄの低周波成分のみ通す。ＬＰＦ１１を通過した信号
は、トランジスタＭ１のゲートに供給される。トランジ
スタＭ１のドレインおよびソースは、電源ＶＤＤおよび
接地ＶＳＳにそれぞれ接続される。図２に示すように、
ここではＬＰＦ１１を抵抗Ｒ１，Ｒ２と容量Ｃ１とで構
成する。例えば、Ｒ１＝１００ｋΩ，Ｒ２＝４００ｋ
Ω，Ｃ１＝５０ｐＦとすれば、ＬＰＦ１１のカットオフ
周波数は３０ｋＨｚ程度となる。この時、シャントレギ
ュレータ１０の消費電力は、図３に示すように、電源Ｖ
ＤＤの低域の周波数（３０ｋＨｚ以下）で大きく、ＲＸ
信号の信号帯域（１００ｋＨｚから数ＭＨｚ）を含む高
域の周波数で小さくなる。これは、電源ＶＤＤの上昇を
抑制するためにシャントレギュレータ１０の消費電力を
大きくしてもＲＸ信号に影響を与えないことを意味す
る。そのため、ばらつきや温度変動による通信品質の劣
化を抑制し、高性能な非接触ＩＣカードを実現できる。
【００２８】なお、ここで用いた変調回路８・整流器３
・シャントレギュレータ１０・ＲＸ信号周波数・通信周
波数・変調方式はあくまで具体的な一例であり、本発明
はこの具体例には限定されない。
【００２９】たとえば、整流器３として全波整流回路を
用いたが、交流信号を整流する回路であればよい。
【００３０】また、変調器８をアンテナコイル間に接続
したが、電源ＶＤＤとＶＳＳの間に接続してもよい。ア
ンテナ間のインピーダンスに変調をかける変調器であれ
ばよい。なお、送信を必要としないシステムにおいて
は、変調器８は不要となる。
【００３１】また、シャントレギュレータ１０にＭＯＳ
トランジスタＭ１を用いたが、バイポーラトランジスタ
を用いてもよい。
【００３２】また、変調方式は、ＡＳＫ変調でもＰＳＫ
変調でもＦＳＫ変調でもよい。
【００３３】要は、電源ＶＤＤの低域の周波数で消費電
力が大きく、ＲＸ信号の信号帯域で消費電力が小さいシ
ャントレギュレータを有する非接触ＩＣカードは全て本
発明に含まれる。
【００３４】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態による非接触ＩＣカードを、図４を用いて説明
する。
【００３５】図４に示す非接触ＩＣカードは、図１に示
したシャントレギュレータ１０に代えてシャントレギュ
レータ４０を備える。その他の構成は、図１に示した非
接触ＩＣカードと同様である。第１の実施形態との相違
は、シャントレギュレータ４０がさらに、電源ＶＤＤの
高域の周波数で電力を消費することである。
【００３６】シャントレギュレータ４０は、図１に示し
たシャントレギュレータ１０の構成（ＬＰＦ１１、ｎＭ
ＯＳトランジスタＭ１）に加えてさらに、ＬＰＦ４１
と、ｐＭＯＳトランジスタＭ２とを含む。ＬＰＦ４１は
電源ＶＤＤの低周波成分のみ通す。ＬＰＦ４１を通過し
た信号は、トランジスタＭ２のゲートに供給される。ト
ランジスタＭ２のソースおよびドレインは、電源ＶＤＤ
およびＶＳＳにそれぞれ接続される。図５に示すよう
に、ここではＬＰＦ４１を抵抗Ｒ３，Ｒ４と容量Ｃ２と
で構成する。例えば、Ｒ３＝１０ｋΩ，Ｒ４＝４０ｋ
Ω，Ｃ２＝５ｐＦとすれば、ＬＰＦ４１のカットオフ周
波数は３ＭＨｚ程度となる。すると、シャントレギュレ
ータ４０の消費電力は、図６に示すように、電源ＶＤＤ
の低域（３０ｋＨｚ以下）および高域（３ＭＨｚ以上）
の周波数で大きく、ＲＸ信号の信号帯域（１００ｋＨｚ
から３ＭＨｚ）で小さくなる。これは、電源ＶＤＤの上
昇および搬送波信号や他の周波数に生じたノイズの低減
を図ることができる。ここで、他の周波数に生じたノイ
ズとは、メモリやＣＰＵなどのデジタル信号処理部７で
生じるノイズを指す。以上のことは、プロセスばらつき
や温度変動による通信品質の劣化を低減し、高性能な非
接触ＩＣカードを実現できることを意味する。
【００３７】なお、ここで用いたシャントレギュレータ
４０はあくまで具体的な一例であり、本発明はこの具体
例には限定されない。
【００３８】たとえば、シャントレギュレータ４０に代
えて、図７に示すようなシャントレギュレータ７０を用
いてもよい。図７に示すシャントレギュレータ７０は、
図１および図２に示したシャントレギュレータ１０にお
いてＬＰＦ１１の代わりにバンドリジェクションフィル
タ（ＢＲＦ）７１を用いたものである。この場合にも周
波数特性は図６のようになり、搬送波帯域の信号成分が
除去できる。
【００３９】要は、電源ＶＤＤの低域および高域の周波
数で消費電力が大きいシャントレギュレータを備える非
接触ＩＣカードは全て本発明に含まれる。
【００４０】また、ＲＸ信号帯域と高域の消費電力が同
レベルでもよい。この場合、高域の周波数での消費電力
を低減することにより、ＲＸ信号帯域での信号品質を小
さくできる。
【００４１】このように、本発明は、高性能な非接触Ｉ
Ｃカードを実現することに寄与し、極めて有用となる。
【００４２】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態による非接触ＩＣカードを、図８を用いて説明
する。
【００４３】第１および第２の実施形態との相違は、半
導体集積回路２内部にＲＸ復調部８０と信号処理部９０
とをそれぞれ設けたことである。
【００４４】ＲＸ復調部８０は、整流器３と、シャント
レギュレータ８１と、充電容量Ｃａと、復調器６とを含
む。
【００４５】信号処理部９０は、整流器３０と、充電容
量Ｃｂと、シャントレギュレータ９１と、デジタル信号
処理部７とを含む。
【００４６】整流器３および整流器３０の入力はアンテ
ナコイルＬ１に接続される。整流器３で整流された信号
は充電容量Ｃａおよびシャントレギュレータ８１に接続
され、電源ＶＤＤ１を生成する。復調器６は、電源ＶＤ
Ｄ１からＲＸ信号を抽出する。
【００４７】整流器３０で整流された信号は、充電容量
Ｃｂおよびシャントレギュレータ９１に接続され、デジ
タル信号処理部７の電源ＶＤＤ２を生成する。デジタル
信号処理部７は、復調器６で抽出されたＲＸ信号を信号
処理する。
【００４８】ここで、シャントレギュレータ８１には、
第１・第２の実施形態で用いたシャントレギュレータを
用いる。これにより、第１・第２の実施形態と同様に、
通信品質の劣化の無い非接触ＩＣカードが実現できる。
【００４９】また、信号処理部９０とＲＸ復調部８０と
を分離しているため、さらに、デジタル信号処理部７で
生じるデジタルノイズの復調器６への影響を低減でき
る。
【００５０】このように、本発明は高性能な非接触ＩＣ
カードを実現することに寄与し、極めて有用となる。
【００５１】
【発明の効果】この発明による非接触ＩＣカードは、電
源の低域で電力を消費するシャントレギュレータを設け
たため、通信品質の劣化を抑制できる。
【００５２】また、シャントレギュレータはさらに、電
源の高域の周波数で電力を消費するため、搬送波成分の
ノイズを除去できる。
【００５３】また、ＲＸ復調部と信号処理部とを分離し
たため、デジタル信号処理部から生じるノイズの復調器
への影響を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態による非接触ＩＣカ
ードの構成を示すブロック図である。
【図２】 図１に示したシャントレギュレータの構成を
示す回路図である。
【図３】 図２に示したシャントレギュレータの消費電
力の周波数特性を示す図である。
【図４】 本発明の第２の実施形態による非接触ＩＣカ
ードの構成を示すブロック図である。
【図５】 図４に示したシャントレギュレータの構成の
一部を示す回路図である。
【図６】 図４に示したシャントレギュレータの消費電
力の周波数特性を示す図である。
【図７】 バンドリジェクションフィルタ（ＢＲＦ）を
用いたシャントレギュレータの構成を示す回路図であ
る。
【図８】 本発明の第３の実施形態による非接触ＩＣカ
ードの構成を示すブロック図である。
【図９】 従来の非接触ＩＣカードの構成を示すブロッ
ク図である。
【図１０】 図９に示した整流器の構成を示す回路図で
ある。
【図１１】 図９に示したシャントレギュレータの構成
を示す回路図である。
【図１２】 図９に示したシャントレギュレータの消費
電力の周波数特性を示す図である。
【図１３】 整流後の電源の周波数特性を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ 非接触ＩＣカード、２ 半導体集積回路、３，３０
整流器、１０，４０，７０，８１ シャントレギュレ
ータ、６ 復調器、７ デジタル信号処理部、８変調
器、８０ ＲＸ復調部、９０ 信号処理部、Ｌ１ アン
テナコイル、Ｍ１，Ｍ２ ＭＯＳトランジスタ、ＲＸ
受信信号（ＲＸ信号）、ＴＸ 送信信号（ＴＸ信号）、
１１，４１ ローパスファイルタ、７１ バンドリジェ
クションフィルタ。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電源を外部から非接触で受ける非接触Ｉ
    Ｃカードであって、 受けた電源からＲＸ信号の復調に不要な帯域の信号成分
    を減衰させるレギュレータと、 前記レギュレータにより不要な帯域の信号成分が減衰さ
    せられた電源から前記ＲＸ信号の復調を行う復調回路と
    を備えることを特徴とする非接触ＩＣカード。
  2. 【請求項２】 アンテナコイルと、 半導体集積回路とを備え、 前記半導体集積回路は、 前記アンテナコイルによって受信された信号を整流し電
    源を生成する整流器と、 前記電源の低域成分の電力を消費するシャントレギュレ
    ータと、 前記シャントレギュレータにより不要な低域成分の電力
    が消費された電源からＲＸ信号を抽出する復調器と、 前記整流器によって整流された電源を受け、前記復調器
    によって抽出されたＲＸ信号を処理するデジタル信号処
    理部とを含むことを特徴とする非接触ＩＣカード。
  3. 【請求項３】 アンテナコイルと、 半導体集積回路とを備え、 前記半導体集積回路は、 ＲＸ復調部と、信号処理部とを含み、 前記ＲＸ復調部は、 前記アンテナコイルによって受信された信号を整流し第
    １の電源を生成する第１の整流器と、 前記第１の電源の低域成分の電力を消費するシャントレ
    ギュレータと、 前記シャントレギュレータにより低域成分の電力が消費
    された第１の電源からＲＸ信号を抽出する復調器とを含
    み、 前記信号処理部は、 前記アンテナコイルによって受信された信号を整流し第
    ２の電源を生成する第２の整流器と、 前記第２の電源を受け、前記復調器によって抽出された
    ＲＸ信号を処理するデジタル信号処理部とを含むことを
    特徴とする非接触ＩＣカード。
  4. 【請求項４】 請求項２または請求項３において、 前記シャントレギュレータはさらに、 前記電源または前記第１の電源の高域成分の電力を消費
    することを特徴とする非接触ＩＣカード。
  5. 【請求項５】 請求項２または請求項３において、 前記シャントレギュレータは、 前記電源または前記第１の電源の低域の周波数成分を通
    過させるローパスフィルタと、 前記電源または前記第１の電源を受ける電源ノードと接
    地電圧を受ける接地ノードとの間に接続され、前記ロー
    パスフィルタの出力をゲートに受けるトランジスタとを
    含むことを特徴とする非接触ＩＣカード。
  6. 【請求項６】 請求項４において、 前記シャントレギュレータは、 前記電源または前記第１の電源の低域および高域の周波
    数成分を通過させるバンドリジェクションフィルタと、 前記電源または前記第１の電源を受ける電源ノードと接
    地電圧を受ける接地ノードとの間に接続され、前記バン
    ドリジェクションフィルタの出力をゲートに受けるトラ
    ンジスタとを含むことを特徴とする非接触ＩＣカード。
  7. 【請求項７】 請求項５において、 前記トランジスタはＭＯＳトランジスタであることを特
    徴とする非接触ＩＣカード。
  8. 【請求項８】 請求項２または請求項３において、 前記低域の周波数は１０ｋＨｚ以下であることを特徴と
    する非接触ＩＣカード。
  9. 【請求項９】 請求項４において、 前記高域の周波数は１０ＭＨｚ以上であることを特徴と
    する非接触ＩＣカード。
  10. 【請求項１０】 請求項２または請求項３において、 前記半導体集積回路はＴＸ変調部をさらに含み、 前記ＴＸ変調部は、 前記デジタル信号処理部からのＴＸ信号に応じて前記ア
    ンテナコイル間のインピーダンスに変調をかけることを
    特徴とする非接触ＩＣカード。
  11. 【請求項１１】 請求項２または請求項３において、 前記整流器は全波整流回路であることを特徴とする非接
    触ＩＣカード。
  12. 【請求項１２】 請求項２または請求項３において、 前記復調器はＡＳＫ変調信号を復調することを特徴とす
    る非接触ＩＣカード。
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