JP2002319007A - 半導体集積回路とこれを搭載した非接触型情報媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 データが重畳された搬送より駆動電源を得る
非接触型ＩＣカード用半導体集積回路において、得られ
た電圧が過電圧状態とならず、また、通信距離の変化に
よらず安定してデータを復調することができる半導体集
積回路を提供する。 【解決手段】 リーダーライタ６４から伝送される電波
６６からを受信するＩＣカードのアンテナコイル６２か
ら電源を作り出す系統（整流回路８０、電源回路８１な
ど）と復調回路８４への系統を別々に設けることによっ
て、電源電圧範囲を許容値以内とし、また復調回路入力
の変化率を通信距離の遠近によらず得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路お
よびこの半導体集積回路を搭載した非接触型情報媒体に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、コイルの相互誘導現象を利用して
電波による電力の供給を行うとともにデータの送受信を
行うようにしたＩＣカードなどの非接触型情報媒体が実
用段階に入っている。

【０００３】非接触型情報媒体の一例としてのＩＣカー
ドは、ＩＣカードとの間で電波の送受信を行うリーダー
ライタとの間で通信が可能な距離によって大きく分け
て、密着型、近接型、近傍型などに分類されており、そ
れぞれについての標準規格も整いつつある。

【０００４】特に、リーダーライタから０ｃｍ〜１０ｃ
ｍ程度までの距離で用いることが可能な近接型のＩＣカ
ードは、例えば定期券などの用途に用いるとすれば、駅
の改札口などで定期入れからＩＣカードを取り出すこと
なく、リーダーライタとの非接触状態での情報のやり取
りに基づいて改札口のゲートの開閉制御を行うことも可
能となるなど、きわめて広い範囲で適用する可能性を有
するものである。

【０００５】しがしながら、広い範囲で適用されるには
ＩＣカードの小型軽量化が重要となり、適用範囲が広が
るほどＩＣカードの取り扱いが乱雑になる場合も増加す
ると予想されるため、乱雑な取り扱いに対する故障のし
にくさなども考慮して、ＩＣカードなどの非接触情報媒
体には、複雑な回路を小さい面積に収めた半導体集積回
路が搭載されるのが通常となっている。

【０００６】以下、従来の半導体集積回路搭載の非接触
型ＩＣカードに関する技術について図７〜図１０を用い
て説明する。図７は従来の非接触型ＩＣカードとリーダ
ーライタを示す。

【０００７】非接触型ＩＣカード６０は、非接触型ＩＣ
カード用ＬＳＩ６１（以下、集積回路６１と称す）とア
ンテナコイル６２と同調容量６３により構成されてい
る。集積回路６１は、アナログ回路部７０とロジック回
路部７１とメモリ回路部７２などにより構成している。

【０００８】集積回路６１のパッド９０，９１には、リ
ーダーライタ６４に接続されたアンテナコイル６５から
出る電波６６の送受信を行うための前記アンテナコイル
６２が接続されている。アンテナコイル６２には同調容
量６３が接続されている。アンテナコイル６２は、リー
ダーライタ６４からの電波を受け、アンテナコイル６２
の両端（パッド９０−パッド９１の間）に交流電圧が発
生する。アンテナコイル６２の両端に発生した交流電圧
は、アナログ回路部７０に印加される。

【０００９】アナログ回路部７０は、整流回路８０，電
源回路８１，クロック発生回路８２，復調回路８３，変
調回路８４などより構成されている。アナログ回路７０
において、整流回路８０および電源回路８１によって、
ロジック回路部７１を動作させるための電源電圧Ｌおよ
びメモリ回路部７２を動作させるための電源電圧Ｈを発
生する。

【００１０】クロック発生回路８２は、アンテナコイル
６２の両端に発生した交流電圧を入力信号としてクロッ
クを生成する。このクロックＣＬＫはディジタル回路部
７１およびメモリ回路部７２を動作させる。

【００１１】非接触型ＩＣカード６０とリーダーライタ
６４の間で送受信されるデータは、電波（前記交流電
圧）に重畳して送受信されており、非接触型ＩＣカード
６０がリーダーライタ６４からのデータを受信する場合
には、ＩＣカードでは復調回路８３で復調して復調信号
ＲＸＤＡＴＡを得、非接触型ＩＣカード６０がリーダー
ライタ６４にデータを送信する場合には、送信信号ＴＸ
ＤＡＴＡを変調回路８４で変調している。

【００１２】このようにＩＣカードとリーダーライタ６
４の間で送受信されるデータは、ロジック回路部７１で
解釈され、アドレスやデータを指定してメモリ回路部７
２に蓄えられ、アドレスを指定して読み出される。

【００１３】ここで図８および図９を用いて、アナログ
回路７０の中の整流回路８０、電源回路８１と復調回路
８３について説明する。図８に示すように、アンテナコ
イル６２の両端に発生した交流電圧は、パッド９０，９
１を介して直接に整流回路８０に入力されている。整流
回路８０は、ダイオード１００，１０１から構成される
倍電圧整流回路となっている。

【００１４】電源回路８１は、シャント回路１１０と平
滑容量１１１，１１２から構成されており、シャント回
路１１０により電源電圧Ｈは所定の電圧にクランプされ
る。整流回路８０の動作原理は図９に示す通りである。

【００１５】図９（Ａ）は非接触ＩＣカードの通信に用
いられる搬送周波数１３．５６ＭＨｚでＡＳＫ変調され
たデータをリーダーライタ６４から送信している時のア
ンテナコイル６２の両端に発生する交流電圧１２０（パ
ッド９０を基準とした電圧：電圧１２１）を示す。

【００１６】リーダーライタ６４からはデジタルデータ
をＡＳＫ変調を行い符号化方式ＮＲＺでデータを送信し
ている場合を考える。すなわち、リーダーライタ６４
が”Ｈ”データを送信するときは、アンテナコイル両端
に交流電圧１２０は高いレベルとなり、リーダーライタ
６４が”Ｌ”データを送信するときは、アンテナコイル
両端に交流電圧１２０は低いレベルとなる。

【００１７】まず、アンテナコイル６２両端に発生した
交流電圧１２０により、どのようにして電源電圧が発生
するかを考える。ここで、パッド９０の端子電圧を基準
電圧１２１であると考えやすい。

【００１８】整流回路８０のダイオード１００によって
マイナス成分電圧が端子ＶＳＳ１２２を発生する。平滑
容量１１１によって電源電圧Ｌは平滑化される。また、
整流回路８０のダイオード１０１によりプラス成分電圧
が電源電圧Ｈ（図９のレベル１２３）を発生し、平滑容
量１１２によって電源電圧Ｈは平滑化される。

【００１９】ＩＣカードは、リーダーライタ６４との距
離が変化するため、リーダーライタ６４から送出する電
波６６が一定の場合でも、アンテナコイル６２の両端
（パッド９０−パッド９１の間）に発生する交流電圧１
２０は変化する。

【００２０】すなわち、リーダーライタ６４とＩＣカー
ドが密接する場合、交流電圧１２０のレベルが増加し、
また、リーダーライタ６４とＩＣカードが離れる場合、
交流電圧１２０のレベルが低下する。

【００２１】非接触ＩＣカードの国際規格であるＩＳ１
４４４３（近接型非接触ＩＣカード：通信距離約１０ｃ
ｍ程度の規格）の場合、リーダーライタ６４のアンテナ
コイル６６とＩＣカードのアンテナコイルの形状にも依
存するが、ＩＣカードが受信する電波６６の強度は、１
０ｃｍにくらべ密着状態では５倍から１０倍変化して、
集積回路６１の消費電力が電圧によらず一定であると仮
定すると、電源電圧は５倍から１０倍に変化する。

【００２２】すなわち、ＩＣカードと、リーダーライタ
６４との距離が１０ｃｍの場合、電源電圧Ｈが約４ボル
トであれば、ＩＣカードとリーダーライタ６４との距離
が距離０ｃｍに近接すれば、電源電圧Ｈは２０ボルト以
上となり内蔵する集積回路６１が破壊する。

【００２３】そこで電源電圧をシャント回路１１０でク
ランプし、集積回路６１の消費電流を見かけ上大きくし
ている。図１０にシャント回路１１０の電圧電流特性を
示す。

【００２４】シャント回路１１０は電流電圧特性を決定
する最終段トランジスタをＭＯＳトランジスタで形成し
ている場合、所定の閾値電圧以上で電圧の２乗関数で電
流を流す。また、バイポーラトランジスタで形成してい
る場合、所定の閾値電圧以上で電圧の指数関数で電流を
流す。図１０の場合では、電源電圧Ｈが４ボルトではシ
ャント回路１１０では、ほとんど電流を消費せず、電源
電圧Ｈが、５ボルトで１０ｍＡの電流を消費する。

【００２５】すなわち、シャント回路１１０に大きな電
流が流れる状況では、電流変化が生じても電源電圧の変
化は小さくなる特性を示している。図９（Ｂ）に通信が
行える遠距離での電源電圧の振る舞いを示す。

【００２６】リーダーライタ６４が”Ｈ”データを送信
するときは、電源電圧Ｈは高いレベル（約４ボルト）と
なり、”Ｌ”データを送信するときは、電源電圧Ｈは低
いレベル（約５ボルト）となる。

【００２７】図９（Ｃ）に通信が行える近距離での電源
電圧の振る舞いを示す。リーダーライタ６４が”Ｈ”デ
ータを送信するときは、電源電圧Ｈは高いレベル（約
５．３ボルト）となり、”Ｌ”データを送信するとき
は、電源電圧Ｈは低いレベル（約５．５ボルト）とな
る。

【００２８】すなわち、シャント回路１１０は、電源電
圧Ｈが大きくなると電源電流を大きく流す（図１０参
照）ため、電源電圧Ｈが高くなると、シャント回路１１
０の電流を流す能力が増加し、電源電圧の変動を押さえ
込んでしまう。そのため、電源電圧Ｈの変動が小さくな
る。

【００２９】従来のアナログ回路７０では復調回路８３
は電源電圧を入力し、電源電圧の変化率を検出するた
め、通信が行える近距離では電源の変化が小さくなり、
復調信号ＲＸＤＡＴＡを発生することが困難となる。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】非接触型ＩＣカード
は、通信距離が０〜２ｍｍの密着型、通信距離が０〜１
０ｃｍの近接型、通信距離が０〜７０ｃｍの近傍型、通
信距離が０〜１０ｍのマイクロ波に大別される。通信距
離が長くなるほど技術的に困難になるが、密着型（通信
距離０〜２ｍｍ）では、既に広く普及している接触型Ｉ
Ｃカードと比べ特徴において大差なく、非接触型ＩＣカ
ードのメリットを充分に出しているといえない。したが
って、接触型ＩＣカードの次には、近接型の非接触型Ｉ
Ｃカード（通信距離０〜１０ｃｍ）が普及していくと予
想される。

【００３１】そこで、非接触型ＩＣカード用の半導体集
積回路として求められる要件は、リーダーライタから０
ｃｍから１０ｃｍ程度の距離においても、内部のディジ
タル回路、不揮発性メモリが安定に動作するだけの電圧
を発生させ、復調信号を得ることである。

【００３２】しかしながら、リーダーライタ６４からＩ
Ｃカードが０ｃｍと密着している近距離において、従来
の回路では、ロジック回路部７１やメモリ回路部７２へ
の電源電圧Ｈや電源電圧Ｌを規格以内の電圧（５ボルト
系のＬＳＩならば５．５ボルト以下）を供給しなけれ
ば、すなわちシャント回路１１０の電流消費能力を強化
しなければ、半導体集積回路を保証できない。

【００３３】しかしながら、シャント回路１１０の電流
消費能力を強化すると、電源電圧の微分波形（電源電圧
Ｈの変化率を検出する）により復調動作している復調回
路８３は、電源変動が小さくなるために復調が困難とな
る。

【００３４】逆にシャント回路１１０の能力を低下させ
ると、復調はできるが、アナログ回路部７０の電圧が大
きくなり規格以下（５ボルト系のＬＳＩの場合５．５ボ
ルト以下）の電圧にすることが困難になる。

【００３５】本発明はＩＣカードがリーダーライタに密
着している近距離においても安定な動作を期待できる半
導体集積回路を提供することを目的とする。

【００３６】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、入力された受信信号を復調してデータを再生する復
調回路と、前記受信信号を整流して電源電圧を発生する
整流回路と、前記整流回路の出力側に接続されて前記電
源電圧が所定の電圧値以上に超えないようにするレギュ
レータとを含む半導体集積回路において、前記整流回路
の入力と前記復調回路の入力とを並列接続したことを特
徴とする。

【００３７】この構成によると、アンテナコイルから電
源を作り出す系統と復調回路への系統を別々に設けるこ
とによって、復調回路入力の変化率を通信距離の遠近に
よらず得ることができ、この半導体集積回路を非接触型
情報媒体に使用することによって動作が安定したＩＣカ
ードなどを得ることができる。

【００３８】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の半導体集
積回路は、入力された受信信号を復調してデータを再生
する復調回路と、前記受信信号を整流して電源電圧を発
生する整流回路と、前記整流回路の出力側に接続されて
前記電源電圧が所定の電圧値以上に超えないようにする
レギュレータとを含む半導体集積回路において、前記整
流回路の入力と前記復調回路の入力とを並列接続したこ
とを特徴とする。

【００３９】また、前記整流回路の入力と前記復調回路
の入力とを、抵抗を介して並列接続したことを特徴とす
る。また、前記抵抗がポリシリコンなどの配線により形
成された抵抗で構成されことを特徴とする。

【００４０】また、前記復調回路の入力側に包絡線検波
回路を備えたことを特徴とする。また、前記整流回路が
電圧の異なる二系統の直流電力を並列出力する倍電圧整
流回路であり、前記包絡線検波回路の基準電位を前記倍
電圧整流回路の低電圧出力側に接続したことを特徴とす
る。

【００４１】本発明の非接触型情報媒体は、デジタルデ
ータにより変調された搬送波を受信し、受信した搬送波
を整流して必要とする電力を賄い、受信した搬送波を復
調してメモリ回路部への前記デジタルデータに基づく書
き込みまたは読み出しを実行し、読み出しを実行した場
合には読み出したデータに基づいて搬送波を変調して出
力する非接触型情報媒体において、上記の半導体集積回
路を搭載したことを特徴とする。

【００４２】以下、本発明の各実施の形態を図１〜図６
に基づいて説明する。 （実施の形態１）図１と図２は本発明の（実施の形態
１）の非接触型情報媒体としての非接触型ＩＣカード６
０を示す。なお、従来例で示した図７と同一の構成には
同一の符号を付けて説明する。

【００４３】従来例で示した図７では、復調回路８３の
入力が整流回路８０の出力側に接続されていたが、この
（実施の形態１）では整流回路８０の入力側と復調回路
８３の入力側とが並列接続されている。

【００４４】詳しくは、図２に示すように、集積回路６
１のパッド９１には、整流回路８０の入力であるダイオ
ード１００のアノードとダイオード１０１のカソードと
の接続点が接続され、この接続点にさらに復調回路８３
の入力側が接続されている。

【００４５】復調回路８３の入力側は、復調回路８３の
専用のダイオード１と平滑容量２とで構成される包絡線
検波回路８５を介して整流回路８０の入力に接続された
パッド９１に接続されている。

【００４６】リーダーライタ６４からの送信電波の包絡
線信号を、ダイオード１を経由し、平滑容量２で取り出
し、復調回路８３の直接入力となっている。このように
構成したため、ＩＣカード６０が近距離で動作しても安
定動作するように、レギュレータとしてのシャント回路
１１０で電源電圧が大きくならないように電源電圧Ｈの
電圧上限を押さえ込んでも、整流用のダイオード１０１
の電流供給能力を抑えれば電源電圧範囲を許容値以内に
することができ、しかも、復調回路８３の入力電圧の変
動率を小さくすることなく復調回路８３に入力できる。
すなわち、ＩＣカードが近距離から遠距離まで安定し
て、動作することが可能となる。

【００４７】なお、この（実施の形態１）では倍電圧整
流回路について説明を行ったが、全波整流回路や半波整
流回路でも同様に有効である。 （実施の形態２）図３は本発明の（実施の形態２）を示
し、図２の別の具体例を表している。

【００４８】本発明の（実施の形態１）と本発明の（実
施の形態２）における非接触型ＩＣカード６０を比較す
ると、集積回路６１のパッド９１から抵抗３を経由して
ダイオード１に入力している点である。

【００４９】また、パッド９１とダイオード１００のカ
ソードの間にも抵抗４が介装されている。（実施の形態
１）では、ＩＣカードが近距離で動作する場合、電源電
圧が大きくならないように、シャント回路１１０で電源
電圧Ｈの電圧上限を押さえ込み、整流用のダイオード１
０１の電流供給能力を抑えており、ダイオードには電源
電圧（５．５ボルト以下）とダイオードでの降下した電
圧分（２ボルト〜５ボルト程度で、通常のダイオードの
閾値電圧約０．７ボルトより大きな値になる）が印加す
ることになる。

【００５０】すなわち、整流回路８０のダイオード１０
０，１０１に過大な電圧が印加されることにとなる。ダ
イオードは半導体内部では、ＰＮ接合や、ＭＯＳトラン
ジスタにより形成されるため、過大な電圧が印加すると
接合部分でブレークダウンを引き起こし、内部回路の誤
動作や、ひいては半導体デバイスの破壊を引き起こす。

【００５１】そこでこの（実施の形態２）では、整流回
路８０の内部のダイオードなどにアンテナコイル６２を
直接接続せずに、抵抗４および抵抗３を介して接続す
る。抵抗３，４は半導体製造時にゲート電極を形成する
ポリシリコン配線などを用いるため製造コストを増加さ
せずに形成できる。

【００５２】ＩＣカードが近距離で動作する場合、電源
電圧が大きくならないように、シャント回路１１０で電
源電圧Ｈの電圧上限を押さえ込む。そのため、シャント
回路１１０で電源電流が多く消費するため抵抗４に流れ
る電流が大きくなり、抵抗４での電圧降下が大きくな
る。

【００５３】電源電流は約１０ｍＡ程度流れるため、抵
抗４の抵抗値は５００Ωに設定すると５ボルトの電圧降
下が生じる。抵抗を挿入することにより整流回路８０の
内部のダイオード１００，１０１に印加される電圧は５
ボルト低くすることができ、過大な電圧の印加を防ぐこ
とができる。

【００５４】また、復調回路８３への入力部にも抵抗３
を挿入することにより、過電圧を防ぐことができる。そ
して、シャント回路１１０の特性により電源電流が大き
く流れる状況であっても、抵抗４により電圧降下が生じ
るため、復調回路８３に入力する包絡線の電圧変化は大
きくなり、復調回路の動作も安定する。

【００５５】ＩＣカードが遠距離で動作する場合、シャ
ント回路１１０ではほとんど電流を流さなくなり、ロジ
ック回路７１やメモリ回路７２で消費する電流のみとな
るため（約０．５ｍＡ程度）、抵抗４の抵抗値は５００
Ωに設定すると０．３ボルト程度の電圧降下が生じるだ
けとなり、抵抗を挿入する前の回路の動作と等しくな
る。

【００５６】（実施の形態３）図４と図５は本発明の
（実施の形態３）を示し、図３の別の具体例を表してい
る。

【００５７】本発明の（実施の形態２）と本発明の（実
施の形態３）における非接触型ＩＣカードの半導体集積
回路を比較すると、復調回路８３の入力に逆向きのダイ
オード５と平滑容量６が併設している点である。

【００５８】復調回路８３の動作を説明する。リーダー
ライタ６４から送信される電波を集積回路６１のアンテ
ナコイル６２により受信し、アンテナコイル両端に発生
した交流電圧１２０の包絡線検波した電圧を復調回路８
３に入力することによる復調データＲＸＤＡＴＡを生成
する。

【００５９】図５（ａ）は非接触ＩＣカードの通信に良
く用いられる搬送周波数１３．５６ＭＨｚでＡＳＫ変調
されたデータをリーダーライタ６４から送信している時
のアンテナコイル両端に発生する交流電圧１２０（パッ
ド９０を基準とした電圧レベル１２１）を示す。リーダ
ーライタ６４からはデジタルデータをＡＳＫ変調し符号
化方式ＮＲＺでデータを送信している場合を考える。す
なわち、リーダーライタ６４が”Ｈ”データを送信する
ときは、アンテナコイル両端に交流電圧１２０は高いレ
ベルとなり、リーダーライタ６４が”Ｌ”データを送信
するときは、アンテナコイル両端に交流電圧１２０は低
いレベルとなる。

【００６０】電源電圧を生成する動作を考える。ここで
は、復調信号レベルが得にくい、リーダーライタ６４と
集積回路６１が近距離である場合を考える。整流回路８
０のダイオード１００によってマイナス成分電圧が信号
ＶＳＳ１２２を発生する。平滑容量１１１によって電源
電圧Ｌは平滑化される。また、整流回路８０のダイオー
ド１０１により、プラス成分電圧が電源電圧Ｈ（レベル
１２３）を発生し、平滑容量１１２によって電源電圧Ｈ
は平滑化される。

【００６１】リーダーライタ６４と集積回路６１が近距
離の場合、電源電圧が上昇し過ぎないようにクランプ用
にシャント回路１１０を搭載している。このため、電源
電圧の変化は小さくなり、復調が困難になる。

【００６２】そこで、（実施の形態２）で説明したよう
に抵抗４を挿入し、シャント回路１１０による電源電圧
の押さえ込みの影響を少なくして、復調回路８３への入
力の変化率を大きくする対策を施している。

【００６３】図５（ａ）に示すように、抵抗４を挿入す
ることにより、復調回路８３に入力する電圧は大きくな
る。すなわち、従来の復調回路入力は電源電圧Ｈの変動
のみが入力していたが、抵抗を挿入することにより、高
電圧側の信号は信号７となり、低電圧側の信号は信号６
となる。

【００６４】本発明の（実施の形態２）では、復調回路
８３への入力は、高電圧側の信号７のみの入力であった
が、より一層、リーダーライタ６４と集積回路６１が近
距離の場合に復調回路８３の動作を安定するために、復
調回路８３の入力に双方向のダイオード１，５と電圧平
滑容量２，６を併設した。

【００６５】図５（ｂ）は信号１２２（ＶＳＳ）を基準
にした場合の各信号電圧を示す。信号７Ｂ、信号６Ｂは
信号１２２（ＶＳＳ）を基準にした信号である。本発明
の（実施の形態２）での復調回路入力信号レベルは７Ｂ
の電圧変化を使用したが、本発明の（実施の形態３）に
示す回路構成をとることにより、復調回路入力信号レベ
ルは７Ｂと６Ｂとの両方の信号変化分を使用することが
でき入力信号変化成分が大きくすることができる。

【００６６】（実施の形態４）図６は本発明の（実施の
形態４）を示す。（実施の形態３）を示す図４では復調
回路８３の入力部の電圧平滑容量２，６の基準電位がＶ
ＳＳであったが、この（実施の形態４）を示す図６では
電圧平滑容量２，６の基準電位が電源電圧Ｌに変更され
ている点が異なっている。

【００６７】図５（ｂ）に示すように、プラス成分電圧
１２３とマイナス成分電圧１２２は、非対称な変化を示
している。このため、通信距離の変化により、プラス成
分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２の電圧変化が変
わり、受信感度が変化する。

【００６８】前記集積回路６１の内部の動作は、図５
（ａ）で示すように電源電圧Ｌ（１２１）を基準とし
て、動作している。そのため、復調回路８３の入力部電
圧（プラス成分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２）
の変化の対称性を改善するために、基準電圧をＶＳＳか
ら電源電圧Ｌに変更する。

【００６９】この対策により、通信距離の変化に対する
プラス成分電圧１２３とマイナス成分電圧１２２の変化
が対称となり、安定した通信特性を得ることができる。

【００７０】

【発明の効果】以上のように本発明の半導体集積回路と
これを搭載した非接触型情報媒体は、復調回路への入力
が電源電圧発生回路と並列に構成されているため、電源
電圧の制御と復調感度の確保を同時に満足することがで
き、大幅な回路規模を必要とせずに半導体集積回路全体
を安定に動作させることができる。この半導体集積回路
を用いることにより、近接型（通信距離０〜１０ｃｍ）
の非接触型ＩＣカードを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の（実施の形態１）の半導体集積回路を
搭載した非接触型情報媒体のブロック図

【図２】同実施の形態の電圧発生回路と復調回路の構成
図

【図３】本発明の（実施の形態２）の電圧発生回路と復
調回路の構成図

【図４】本発明の（実施の形態３）の電圧発生回路と復
調回路の構成図

【図５】同実施の形態の復調回路への入力波形図

【図６】本発明の（実施の形態４）の電圧発生回路と復
調回路の構成図

【図７】従来の非接触型ＩＣカードとリーダーライタと
のブロック図

【図８】同従来例の電圧発生回路と復調回路の構成図

【図９】同従来例の電源電圧発生の動作原理を説明する
入出力波形図

【図１０】同従来例のシャント回路の特性図

【符号の説明】

４，３ 抵抗 ６０ 非接触ＩＣカード ６１ 集積回路（非接触型ＩＣカード用ＬＳＩ） ７２ メモリ回路部 ８０ 整流回路 ８３ 復調回路 ８５ 包絡線検波回路 １００，１０１ 倍電圧整流回路 １１０ シャント回路（レギュレータ） Ｌ 倍電圧整流回路の低電圧出力

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C005 MA25 MA31 NA19 SA30 TA22 5B035 BB09 CA12 CA23 5B058 CA15 CA23

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】入力された受信信号を復調してデータを再
   生する復調回路と、 前記受信信号を整流して電源電圧を発生する整流回路
   と、 前記整流回路の出力側に接続されて前記電源電圧が所定
   の電圧値以上に超えないようにするレギュレータとを含
   む半導体集積回路において、 前記整流回路の入力と前記復調回路の入力とを並列接続
   した半導体集積回路。
2. 【請求項２】前記整流回路の入力と前記復調回路の入力
   とを、抵抗を介して並列接続した請求項１記載の半導体
   集積回路。
3. 【請求項３】前記抵抗がポリシリコンなどの配線により
   形成された抵抗で構成される請求項２に記載の半導体集
   積回路。
4. 【請求項４】前記復調回路の入力側に包絡線検波回路を
   備えた請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体集
   積回路。
5. 【請求項５】前記整流回路が電圧の異なる二系統の直流
   電力を並列出力する倍電圧整流回路であり、前記包絡線
   検波回路の基準電位を前記倍電圧整流回路の低電圧出力
   側に接続した請求項４記載の半導体集積回路。
6. 【請求項６】請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半
   導体集積回路を搭載し、デジタルデータにより変調され
   た搬送波を受信し、受信した搬送波を前記半導体集積回
   路によって、整流して必要とする電力を賄い、受信した
   搬送波を復調してメモリ回路部への前記デジタルデータ
   に基づく書き込みまたは読み出しを実行し、読み出しを
   実行した場合には読み出したデータに基づいて搬送波を
   変調して出力する非接触型情報媒体。