JP3851009B2 - データキャリア - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、非接触に双方向で情報交信するデータキャリアシステムに係り、特にマイクロ波を伝送媒体とし、データキャリア自身が電池を内蔵しないシステムで使用するデータキャリアに関する。
【0002】
【従来の技術】
データキャリアシステムは、移動体に取り付けたデータキャリア(応答器)と固定の質問器の間で非接触に双方向で情報交信するシステムで、組立てライン制御、製品入出庫管理、入出退管理等の工場オートメーション、流通、セキュリティなどの分野で急速に発展しつつある。データキャリアと質問器の間の距離は、高々数mで、データキャリアに例えばカードが用いられる。
【0003】
データキャリア及び質問器によって構成されるシステムの例を図7に示す〔例えば平成6年8月エーアイエムジャパン(国際自動認識工業会)発行「これでわかったデータキャリア」第10頁〜第18頁参照〕。質問器1は、アンテナユニット2及びコントローラ3からなる。データキャリア4は、アンテナ5で受けた搬送波から受信データを変復調回路6で復調した後、シリアル−パラレル変換(以下「S/P変換」という),パラレル−シリアル変換(以下「P/S変換」という)回路8でS/P変換を行ない、論理回路9を介してメモリ10への情報の書き込み及び読み出しを行なう。
【0004】
データキャリア4と質問器1が数m離れて使用される場合には、2.45GHzのマイクロ波を伝送媒体とするマイクロ波方式が一般に用いられる。マイクロ波方式で、しかもデータキャリアに電池を内蔵しないシステムでは、一般的に図8の上部に示す電源発生回路7が用いられる。電源発生回路7は、同時に変復調回路6の変調回路61が接続される。更に、図8の下部に変復調回路6の復調回路62を示す。
【0005】
データキャリア4は、質問器1から情報伝送時以外は無変調で常時送信される搬送波(マイクロ波)をアンテナ5で受信し、受信信号をアンテナ5の端子11から電源発生回路7に入力する。電源発生回路7は、整流用ダイオード12,13及び容量14,15からなる2倍波整流回路を備え、インピーダンス整合回路16を介して2倍波整流回路に入力した受信信号に対して2倍波整流を行ない、容量15に電荷を充電し、電源端子18に電源電圧Vcを発生させる。
【0006】
質問器1は、搬送波に送信データのビットで振幅変調を施すことによって変調波を生成し、これをデータキャリア4に送信して情報伝送を行なう。データキャリア4は、送られてきた変調波に対して、ダイオード19,20、容量21、22、抵抗23及びインピーダンス整合回路24からなる復調回路62を用いて包絡線検波を行ない、検波端子26に復調したデータを出力する。データキャリア4は、復調データに基づき、情報をデータキャリア4内のメモリ10に書き込むほか、メモリ10内のNビットの情報を読み出し、Nビットの読み出しデータにS/P変換,P/S変換回路8でP/S変換を行なって1ビットずつ質問器1側へ送る動作を行なう。
【0007】
その変調及び送信は、具体的に以下のように行なわれる。電源発生回路7の整流用ダイオード12のカソードと整流用ダイオード13のアノードの接続点に接続した変調用ダイオード27のカソード側の端子28にデータを入力してダイオード27をオンオフさせ、アンテナ5の端子11でのインピーダンスに変化を起させると、データキャリア4が受信している無変調搬送波の反射波の強度がそれに応じて変化する。その反射波強度の変化を質問器1が検出してデータを復調する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
データキャリア4がデータを送信する場合は、ダイオード27がオン状態になることによってアンテナ5の端子11でのインピーダンスが変化し、反射波が強まるため、質問器1からの電波がデータキャリアに入らなくなり、容量15への充電が止まる。
【0009】
このときダイオード13は、電源電圧Vcからダイオード27のオン電圧Vonを差し引いた電圧で逆バイアスされるが、その逆方向リーク電流が大きいと容量15を放電し、電源電圧Vcを減少させる。
【0010】
電源電圧Vcの減少を防ぐには、逆バイアスされる電圧を高くするか、逆方向リーク電流を小さくすることが必要である。ショットキーダイオードは、オン電圧が0.3V程度と低く、低い逆バイアス電圧でも逆方向リーク電流が小さいという好ましい特性を有している。しかし、標準のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)プロセスで形成することができず、論理回路やメモリとのオンチップ化が難しいという欠点がある。
【0011】
一方、標準CMOSプロセスで形成可能な接合ダイオードは、オン電圧が0.8V程度と高く、高い逆バイアス電圧が必要になるという問題がある。更に、ダイオード27のオンオフでアンテナ5の端子11のインピーダンスを変化させるには、電源用のダイオード12,13に匹敵する大きさのダイオードが必要で、素子サイズが大きくなるという問題がある。
【0012】
また別に、ダイオード1個のオンオフによってデータをシリアルに送信する従来の方法では、1ビットずつしか情報を伝送することができず、送信効率が悪いという問題もある。
【0013】
本発明の主たる目的は、送信時に充電を停止したときに電源電圧が低下するのを防ぐことができる新規なデータキャリアを提供することにある。
【0014】
本発明の別の目的は、1ビットずつの情報伝送よりも高い送信効率を得ることができる新規なデータキャリアを提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の最大の特徴は、整流用の2個のダイオードの接続点と接地の間に電界効果トランジスタ(以下「FET」という)によるスイッチを接続することにある。なお、接続点では、ダイオードの電極が相互に逆極性である。FETスイッチにデータを入力し、データによってFETスイッチをオン状態にすると、接続点が接地とほぼ同電位になり、これによって、アンテナ端子のインピーダンスが変化すると共に、整流用の電源端子側のダイオードに大きい逆バイアス電圧が掛かる。従って、電源電圧の低下を防ぐことができる。
【0016】
更に、FETスイッチは、標準のCMOSプロセスで容易に製作可能であるほか、後述するように整流用ダイオードに比べて素子サイズを小さくすることが可能であり、集積化に有効となる。
【0017】
本発明の別の特徴は、整流用の2個のダイオードの接続点と接地の間に複数のFETスイッチを接続することにある。データに応じてオンさせるスイッチの数を変えることにより、アンテナ端子でのインピーダンスをその数に応じて変化させることが可能になる。即ち、アンテナ端子でのインピーダンスを多値化することが可能になる。インピーダンスの多値化によってアンテナ端子での無変調搬送波の反射強度が多値化され、多値データの送信が可能となる。これによって複数ビットずつデータを同時に送信することが可能になり送信効率を高めることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るデータキャリアを図面に示した幾つかの実施例による発明の実施の形態を参照して更に詳細に説明する。なお、図1〜図8における同一の記号は、同一物又は類似物を表示するものとする。
【0019】
【実施例】
<実施例1>
図1において、30は、整流用ダイオード12,13の接続点と接地の間にドレインを接続点に接地にソースを接続したFETスイッチ、31は、FETスイッチ30のゲートに変調データを入力するための端子である。
【0020】
本実施例では、FETスイッチ30によって変調回路が形成され、変調データがS/P変換,P/S変換回路8から与えられる。また、図1では、電源発生回路と変調回路をまとめて電源発生回路/変調回路33として示した。その他の構成は、図7,8に示したのと同様である。整流用ダイオード12,13及び容量14,15によって2倍波整流回路が構成され、インピーダンス整合回路16と容量14の接続点がアンテナ5からの受信信号を受ける2倍波整流回路の端子となる。ダイオード12,13の接続点では、ダイオード12のカソードとダイオード13のアノードが接続されている。即ち、接続点では、ダイオードの電極が相互に逆極性である。
【0021】
本発明のデータキャリアにおいても、電源発生回路7は、電流駆動能力が大きく、かつオン抵抗が低い、従って素子サイズの大きいダイオード12,13を用いて比較的容量値の大きい容量14,15への充電動作を行なうため、復調回路62に比べ、アンテナ5に接続されるインピーダンスに対して支配的な回路となる。そのため、アンテナ5の端子11のインピーダンスを変化させるには、電源発生回路7のインピーダンスを変えることが必要になる。
【0022】
本発明では、端子31への変調データでFETスイッチ30をオンオフし、それによってアンテナ5の端子11のインピーダンスを変化させ、データキャリアからの反射波強度を変化させる。この反射波強度の変化によって質問器からの搬送波に変調が掛けられ、質問器側へ情報が送出される。
【0023】
アンテナ5の端子11のインピーダンスは、FETスイッチ30のオフ時にダイオード12,13及び容量15によるインピーダンスが支配的なのに対して、FETスイッチ30のオン時は、ダイオード12のカソード及びダイオード13のアノードが接地されるため、FETスイッチ30のインピーダンスが支配的となる。そのため、比較的小さい充電用のダイオード12,13の十分の一以下の素子面積のFETで、端子11のインピーダンスに大きな変化を起すことができる。
【0024】
FETスイッチ30は、同一の半導体プロセスにより他の素子との集積化が可能であり、しかも素子面積を小さくすることができるので、チップサイズの省面積化に有効である。
【0025】
FETスイッチ30のオン時にダイオード13のアノードが接地状態となるため、ダイオード13に対する逆バイアスが従来よりも高くなる。従って、リーク電流を低減することができ、容量15に充電した電源電圧の低下を防ぐことができる。
【0026】
本実施例は、電源端子18に正電圧を得るものであるが、電源電圧に負電圧が必要となる場合は、ダイオード12とダイオード13の接続方向を逆にし、ダイオード12のアノードとダイオード13のカソードを相互に接続する。
【0027】
以上のデータキャリアを非接触のIC(Integrated Circuit)カードとして構成した。その構造を図2に示す。同図において、35はICカードの支持基板であり、アンテナ5が同基板上に金属印刷パターンとして形成される。更に図2において、36は、電源発生回路/変調回路8、復調回路62、S/P変換,P/S変換回路8、論理回路9及びメモリ回路10からなるデータキャリアの構成回路を同一半導体プロセスで形成したICチップであり、同ICチップが基板35上に実装される。図2の37は、印刷パターンのアンテナ5をICチップ36に接続するボンディングワイヤである。
【0028】
本データキャリアは、支持基板32に印刷されたアンテナ5と1個のICチップ36とで構成されるので、実装工程が少なく、低コスト化が容易である。
【0029】
<実施例2>
実施例1の整流用ダイオードをダイオード接続のMOS(Metal Oxide Semiconductor)FETに代え、FETスイッチをMOSFETによるスイッチとした実施例を図3に示す。図3aと図3bとでは、MOSFETの導電性が相互に異なっている。
【0030】
図3aは、P形シリコン基板上に素子を形成する場合で、32aは、ダイオード接続のN型MOSFET、33aは、ダイオード接続のP型MOSFET、30aは、N型MOSFETで構成したスイッチである。
【0031】
図3bは、N形シリコン基板上に素子を形成する場合で、32bは、ダイオード接続のP型MOSFET、33bは、ダイオード接続のN型MOSFET、30bは、P型MOSFETで構成したスイッチである。
【0032】
このように、整流用ダイオードをMOSFETによるダイオードとし、FETスイッチをMOSFETとすることにより、標準CMOSプロセスで全てを形成することができ、他の回路部とオンチップ化が可能となり、高集積化を実現することができる。それにより、データキャリアの高性能化、低コスト化を実現することができる。
【0033】
<実施例3>
実施例1のFETスイッチを複数のFETスイッチの並列接続とした実施例を図4に示す。図4において、40a,40b,……,40mは、m個の並列接続の個々のFETスイッチ、41a,41b,……,41mは、各FETスイッチのゲートにパラレルに入力する論理回路9からの複数ビット(log2mビット)に対応する変調データである。なお、本実施例においては、復調回路62の出力のシリアルのデータに対しては、それをパラレルに変換するS/P変換回路38が用いられる。
【0034】
各FETスイッチは、同じ素子サイズとしたが、異なる素子サイズとすることも可能である。各FETスイッチが順次一つずつオン状態にしていくに従ってアンテナ5の端子11での反射波強度が一定の割合で変化するように、複数ビットの変調データの全てのビットパターンに対し、FETスイッチをオンオフするパターンを設定した。そのような設定により、反射波強度の変化を搬送波の多値振幅変調とすることができる。
【0035】
実施例1,2のように、1個のFETスイッチのオンオフによってデータをシリアルに送出する場合は、1ビットずつの情報の伝送となるのに対し、本実施例では2ビット以上の情報を同時に伝送することでき、送信伝送効率が向上する。そして、1個のデータキャリアが質問器と交信する時間が短縮し、より多くのデータキャリアが1個の質問器と交信することができるようになるため、システムの情報処理容量を増大させることができる。
【0036】
<実施例4>
実施例3の並列接続のFETスイッチのそれぞれに整流用ダイオードを設けた実施例を図5に示す。図5において、12i(i=a,b,c,……,m)は、並列接続用FETスイッチ40iにカソードを接続した整流用ダイオード、13iは、同FETスイッチにアノードを接続しダイオードである。このように本実施例では、ダイオード12i,13i及びFETスイッチ40iを1個の機能ブロックとし、複数の機能ブロックを容量14と容量15の間に接続したものである。これらを集積回路上にレイアウトするときに対称に配置することができるため、特性上のバラツキを小さくすることができる。
【0037】
<実施例5>
多値振幅変調によってNビットのデータを同時に送受信するマイクロ波方式データキャリアシステムの構成を図6に示す。図6の質問器1において、2aは、Nビットのデータを同時に変復調し、それをアンテナから送受信するアンテナユニット、同図のデータキャリア4において、6aは、Nビットのデータを同時に変復調する変復調回路、9aは、変復調回路6aとの間でNビットのパラレルのデータの授受を行なうと共に、Nビットのデータの信号処理を行ない、更に、メモリ10にアクセスして同メモリに対して情報の書き込みや読み出しを行なう論理回路である。
【0038】
多値振幅変調によってNビットのデータの同時送受信を行なう本実施例では、アンテナを介して送受信する電波の強度が複数レベル存在するので、質問器1及びデータキャリア4は、予めそのレベルを知っておく必要がある。そこで、システムが動作可能な状態に立ち上がった後、データの送受信を始める前に、送信するデータの全てのビットパターンに対応する変調データを質問器1及びデータキャリア4がそれぞれ順次送信し、受信側でその電波強度を測定して値をメモリに記憶しておき、その値を多値の比較基準として使用する機能を質問器1及びデータキャリア4に設けた。
【0039】
本実施例は、Nビットのデータを質問器1からデータキャリア4へ、またデータキャリア4から質問器1へ、双方向で送受信可能なシステムであり、1ビットずつシリアルに送受信するシステムに比べ、伝送効率がN倍に向上する。それにより、1個のデータキャリアが質問器と交信する時間が短縮され、より多くのデータキャリアが1個の質問器と交信可能な状態を作ることができるので、データキャリアシステムとしてのシステム容量が向上するという効果がある。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、整流用の2個のダイオードの接続点と接地の間にFETスイッチを接続し、同スイッチをオンオフさせてデータの変調と送信を行なうようにしたので、整流用ダイオードに高い逆バイアスを掛けることが可能になり、送信時に電源電圧が低下するのを防ぐことができる。また、素子サイズの小さいFETスイッチの採用が可能であるので、省チップ化の効果を得ることができる。
【0041】
更に、整流用ダイオードをダイオード接続のMOSFETとすることにより、標準CMOSプロセスで全てを形成することが可能になって他の回路部とオンチップ化が可能となり、高集積による高性能化、低コスト化を実現することができる。
【0042】
また、2個の整流用ダイオードの接続点と接地の間に複数のFETスイッチを接続することによって多値振幅変調を行なうことを可能にしたので、Nビットの情報を同時に伝送することが可能になり、送信伝送効率をN倍に向上させることができる。送信効率の向上によって1個のデータキャリアが質問器と交信する時間を短縮することができるので、従来よりも多くのデータキャリアが1個の質問器と交信可能となり、データキャリアシステムのシステム容量を向上させる効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るデータキャリアの第1の実施例を説明するための回路構成図。
【図2】第1の実施例の具体的構造を説明するための図。
【図3】本発明の第2の実施例を説明するための回路構成図。
【図4】本発明の第3の実施例を説明するための回路構成図。
【図5】本発明の第4の実施例を説明するための回路構成図。
【図6】本発明の第5の実施例を説明するためのシステム構成図。
【図7】従来のデータキャリアシステムを説明するための回路構成図。
【図8】従来のデータキャリアの電源発生回路及び変復調回路を説明するための回路構成図。
【符号の説明】
1…質問器、4…データキャリア、5…アンテナ、6…変復調回路、61…変調回路、62…復調回路、7…電源発生回路、8…S/P変換,P/S変換回路、9…論理回路、10…メモリ回路、11…アンテナ端子、12,13…ダイオード、14,15…容量、16…インピーダンス整合回路、18…電源端子、30,40…FETスイッチ、31…変調データ入力端子、33…電源発生回路/変調回路。
Claims (5)
- 質問器と共にマイクロ波方式のデータキャリアシステムを構成するデータキャリアであって、質問器から発射されるマイクロ波をアンテナで受信して電源を生成する電源発生回路を有し、当該電源発生回路は、アンテナからの受信信号を受ける端子と接地の間に直列に接続した第1の容量及び第1のダイオードと、第1の容量と第1のダイオードの接続点と接地の間に直列に接続した第2のダイオード及び第2の容量とからなる2倍波整流回路を備えているデータキャリアにおいて、
送信するデータによってオンオフ動作を行なう少なくとも1個の電界効果トランジスタ(以下「FET」という)スイッチを第1のダイオードと第2のダイオードの接続点と接地の間に接続してなる変調回路を備え、当該変調回路は、FETスイッチのオンオフ動作によってアンテナの端子でのインピーダンスを変化させるものであり、当該インピーダンス変化による前記マイクロ波の反射波電力強度の変化によって質問器へのデータの送信が行なわれ、
前記変調回路は、前記第1のダイオードと第2のダイオードの接続点と接地の間に接続したFETスイッチの数が複数であり、かつ、複数ビットの送信データの全てのビットパターンに対応して変化する複数のFETスイッチのオンオフパターンに従ってアンテナの端子のインピーダンスを変化させるものであり、当該インピーダンス変化による前記マイクロ波の反射波強度の変化により、質問器へのデータの送信を多値振幅変調によって行なうことを特徴とするデータキャリア。 - 質問器と共にマイクロ波方式のデータキャリアシステムを構成するデータキャリアであって、質問器から発射されるマイクロ波をアンテナで受信して電源を生成する電源発生回路を有し、当該電源発生回路は、アンテナからの受信信号を受ける端子と接地の間に直列に接続した第1の容量及び第1のダイオードと、第1の容量と第1のダイオードの接続点と接地の間に直列に接続した第2のダイオード及び第2の容量とからなる2倍波整流回路を備えているデータキャリアにおいて、
送信するデータによってオンオフ動作を行なう少なくとも1個の電界効果トランジスタ(以下「FET」という)スイッチを第1のダイオードと第2のダイオードの接続点と接地の間に接続してなる変調回路を備え、当該変調回路は、FETスイッチのオンオフ動作によってアンテナの端子でのインピーダンスを変化させるものであり、当該インピーダンス変化による前記マイクロ波の反射波電力強度の変化によって質問器へのデータの送信が行なわれ、
前記第1のダイオードと第2のダイオードとその接続点に接続したFETスイッチを1個の機能ブロックとし、前記変調回路は、複数の当該機能ブロックを第1の容量と第2の容量との間に接続したものであり、かつ、複数ビットの送信データの全てのビットパターンに対応して変化する複数のFETスイッチのオンオフパターンに従ってアンテナの端子のインピーダンスを変化させるものであり、当該インピーダンス変化による前記マイクロ波の反射波強度の変化により、質問器へのデータの送信を多値振幅変調によって行なうことを特徴とするデータキャリア。 - 質問器と請求項1又は請求項2に記載のデータキャリアとからなり、当該データキャリアが質問器に対して複数ビットずつデータを同時に送信することを特徴とするマイクロ波方式のデータキャリアシステム。
- データキャリアからデータを実際に送信する前に送信データの全てのビットパターンに対応するFETスイッチのオンオフパターンを順次切り換え、それに対応する反射波電力強度を質問器で予め測定し、オンオフパターン毎の強度を実際の送信時データの多値の比較基準とすることを特徴とする請求項3に記載のデータキャリアシステム。
- 前記質問器がデータキャリアに対してデータを多値振幅変調によって複数ビットずつ同時に送信することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のデータキャリアシステム。
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