JP2000194809A

JP2000194809A - デ―タキャリア

Info

Publication number: JP2000194809A
Application number: JP10369005A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Shimizu; 敏彦清水; Satoshi Tanaka; 聡田中
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-12-25
Filing date: 1998-12-25
Publication date: 2000-07-14
Anticipated expiration: 2018-12-25
Also published as: JP3851009B2

Abstract

(57)【要約】【課題】送信時に充電を停止したときに電源電圧が低下
するのを防ぐことができる新規なデータキャリアを提供
すること。１ビットずつの情報伝送よりも高い送信効率
を得ることができる新規なデータキャリアを提供するこ
と。【解決手段】整流用の２個のダイオードの接続点と接地
の間にＦＥＴスイッチを接続し、変調データを入力して
ＦＥＴスイッチをオンオフさせる。整流用の２個のダイ
オードの接続点と接地の間に複数のＦＥＴスイッチを接
続し、変調データに応じてオンさせるＦＥＴスイッチの
数を制御する。【効果】データキャリアの全回路要素を標準ＣＭＯＳプ
ロセスで実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非接触に双方向で
情報交信するデータキャリアシステムに係り、特にマイ
クロ波を伝送媒体とし、データキャリア自身が電池を内
蔵しないシステムで使用するデータキャリアに関する。

【０００２】

【従来の技術】データキャリアシステムは、移動体に取
り付けたデータキャリア（応答器）と固定の質問器の間
で非接触に双方向で情報交信するシステムで、組立てラ
イン制御、製品入出庫管理、入出退管理等の工場オート
メーション、流通、セキュリティなどの分野で急速に発
展しつつある。データキャリアと質問器の間の距離は、
高々数ｍで、データキャリアに例えばカードが用いられ
る。

【０００３】データキャリア及び質問器によって構成さ
れるシステムの例を図７に示す〔例えば平成６年８月エ
ーアイエムジャパン(国際自動認識工業会）発行「これ
でわかったデータキャリア」第１０頁〜第１８頁参
照〕。質問器１は、アンテナユニット２及びコントロー
ラ３からなる。データキャリア４は、アンテナ５で受け
た搬送波から受信データを変復調回路６で復調した後、
シリアル−パラレル変換（以下「Ｓ／Ｐ変換」とい
う），パラレル−シリアル変換（以下「Ｐ／Ｓ変換」と
いう）回路８でＳ／Ｐ変換を行ない、論理回路９を介し
てメモリ１０への情報の書き込み及び読み出しを行な
う。

【０００４】データキャリア４と質問器１が数ｍ離れて
使用される場合には、２．４５ＧＨzのマイクロ波を伝
送媒体とするマイクロ波方式が一般に用いられる。マイ
クロ波方式で、しかもデータキャリアに電池を内蔵しな
いシステムでは、一般的に図８の上部に示す電源発生回
路７が用いられる。電源発生回路７は、同時に変復調回
路６の変調回路６１が接続される。更に、図８の下部に
変復調回路６の復調回路６２を示す。

【０００５】データキャリア４は、質問器１から情報伝
送時以外は無変調で常時送信される搬送波（マイクロ
波）をアンテナ５で受信し、受信信号をアンテナ５の端
子１１から電源発生回路７に入力する。電源発生回路７
は、整流用ダイオード１２，１３及び容量１４，１５か
らなる２倍波整流回路を備え、インピーダンス整合回路
１６を介して２倍波整流回路に入力した受信信号に対し
て２倍波整流を行ない、容量１５に電荷を充電し、電源
端子１８に電源電圧Ｖcを発生させる。

【０００６】質問器１は、搬送波に送信データのビット
で振幅変調を施すことによって変調波を生成し、これを
データキャリア４に送信して情報伝送を行なう。データ
キャリア４は、送られてきた変調波に対して、ダイオー
ド１９，２０、容量２１、２２、抵抗２３及びインピー
ダンス整合回路２４からなる復調回路６２を用いて包絡
線検波を行ない、検波端子２６に復調したデータを出力
する。データキャリア４は、復調データに基づき、情報
をデータキャリア４内のメモリ１０に書き込むほか、メ
モリ１０内のＮビットの情報を読み出し、Ｎビットの読
み出しデータにＳ／Ｐ変換，Ｐ／Ｓ変換回路８でＰ／Ｓ
変換を行なって１ビットずつ質問器１側へ送る動作を行
なう。

【０００７】その変調及び送信は、具体的に以下のよう
に行なわれる。電源発生回路７の整流用ダイオード１２
のカソードと整流用ダイオード１３のアノードの接続点
に接続した変調用ダイオード２７のカソード側の端子２
８にデータを入力してダイオード２７をオンオフさせ、
アンテナ５の端子１１でのインピーダンスに変化を起さ
せると、データキャリア４が受信している無変調搬送波
の反射波の強度がそれに応じて変化する。その反射波強
度の変化を質問器１が検出してデータを復調する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】データキャリア４がデ
ータを送信する場合は、ダイオード２７がオン状態にな
ることによってアンテナ５の端子１１でのインピーダン
スが変化し、反射波が強まるため、質問器１からの電波
がデータキャリアに入らなくなり、容量１５への充電が
止まる。

【０００９】このときダイオード１３は、電源電圧Ｖc
からダイオード２７のオン電圧Ｖonを差し引いた電圧で
逆バイアスされるが、その逆方向リーク電流が大きいと
容量１５を放電し、電源電圧Ｖcを減少させる。

【００１０】電源電圧Ｖcの減少を防ぐには、逆バイア
スされる電圧を高くするか、逆方向リーク電流を小さく
することが必要である。ショットキーダイオードは、オ
ン電圧が０．３Ｖ程度と低く、低い逆バイアス電圧でも
逆方向リーク電流が小さいという好ましい特性を有して
いる。しかし、標準のＣＭＯＳ（Complementary Metal
Oxide Semiconductor）プロセスで形成することができ
ず、論理回路やメモリとのオンチップ化が難しいという
欠点がある。

【００１１】一方、標準ＣＭＯＳプロセスで形成可能な
接合ダイオードは、オン電圧が０．８Ｖ程度と高く、高
い逆バイアス電圧が必要になるという問題がある。更
に、ダイオード２７のオンオフでアンテナ５の端子１１
のインピーダンスを変化させるには、電源用のダイオー
ド１２，１３に匹敵する大きさのダイオードが必要で、
素子サイズが大きくなるという問題がある。

【００１２】また別に、ダイオード１個のオンオフによ
ってデータをシリアルに送信する従来の方法では、１ビ
ットずつしか情報を伝送することができず、送信効率が
悪いという問題もある。

【００１３】本発明の主たる目的は、送信時に充電を停
止したときに電源電圧が低下するのを防ぐことができる
新規なデータキャリアを提供することにある。

【００１４】本発明の別の目的は、１ビットずつの情報
伝送よりも高い送信効率を得ることができる新規なデー
タキャリアを提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の最大の特徴は、
整流用の２個のダイオードの接続点と接地の間に電界効
果トランジスタ（以下「ＦＥＴ」という）によるスイッ
チを接続することにある。なお、接続点では、ダイオー
ドの電極が相互に逆極性である。ＦＥＴスイッチにデー
タを入力し、データによってＦＥＴスイッチをオン状態
にすると、接続点が接地とほぼ同電位になり、これによ
って、アンテナ端子のインピーダンスが変化すると共
に、整流用の電源端子側のダイオードに大きい逆バイア
ス電圧が掛かる。従って、電源電圧の低下を防ぐことが
できる。

【００１６】更に、ＦＥＴスイッチは、標準のＣＭＯＳ
プロセスで容易に製作可能であるほか、後述するように
整流用ダイオードに比べて素子サイズを小さくすること
が可能であり、集積化に有効となる。

【００１７】本発明の別の特徴は、整流用の２個のダイ
オードの接続点と接地の間に複数のＦＥＴスイッチを接
続することにある。データに応じてオンさせるスイッチ
の数を変えることにより、アンテナ端子でのインピーダ
ンスをその数に応じて変化させることが可能になる。即
ち、アンテナ端子でのインピーダンスを多値化すること
が可能になる。インピーダンスの多値化によってアンテ
ナ端子での無変調搬送波の反射強度が多値化され、多値
データの送信が可能となる。これによって複数ビットず
つデータを同時に送信することが可能になり送信効率を
高めることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るデータキャリ
アを図面に示した幾つかの実施例による発明の実施の形
態を参照して更に詳細に説明する。なお、図１〜図８に
おける同一の記号は、同一物又は類似物を表示するもの
とする。

【００１９】

【実施例】＜実施例１＞図１において、３０は、整流用
ダイオード１２，１３の接続点と接地の間にドレインを
接続点に接地にソースを接続したＦＥＴスイッチ、３１
は、ＦＥＴスイッチ３０のゲートに変調データを入力す
るための端子である。

【００２０】本実施例では、ＦＥＴスイッチ３０によっ
て変調回路が形成され、変調データがＳ／Ｐ変換，Ｐ／
Ｓ変換回路８から与えられる。また、図１では、電源発
生回路と変調回路をまとめて電源発生回路／変調回路３
３として示した。その他の構成は、図７，８に示したの
と同様である。整流用ダイオード１２，１３及び容量１
４，１５によって２倍波整流回路が構成され、インピー
ダンス整合回路１６と容量１４の接続点がアンテナ５か
らの受信信号を受ける２倍波整流回路の端子となる。ダ
イオード１２，１３の接続点では、ダイオード１２のカ
ソードとダイオード１３のアノードが接続されている。
即ち、接続点では、ダイオードの電極が相互に逆極性で
ある。

【００２１】本発明のデータキャリアにおいても、電源
発生回路７は、電流駆動能力が大きく、かつオン抵抗が
低い、従って素子サイズの大きいダイオード１２，１３
を用いて比較的容量値の大きい容量１４，１５への充電
動作を行なうため、復調回路６２に比べ、アンテナ５に
接続されるインピーダンスに対して支配的な回路とな
る。そのため、アンテナ５の端子１１のインピーダンス
を変化させるには、電源発生回路７のインピーダンスを
変えることが必要になる。

【００２２】本発明では、端子３１への変調データでＦ
ＥＴスイッチ３０をオンオフし、それによってアンテナ
５の端子１１のインピーダンスを変化させ、データキャ
リアからの反射波強度を変化させる。この反射波強度の
変化によって質問器からの搬送波に変調が掛けられ、質
問器側へ情報が送出される。

【００２３】アンテナ５の端子１１のインピーダンス
は、ＦＥＴスイッチ３０のオフ時にダイオード１２，１
３及び容量１５によるインピーダンスが支配的なのに対
して、ＦＥＴスイッチ３０のオン時は、ダイオード１２
のカソード及びダイオード１３のアノードが接地される
ため、ＦＥＴスイッチ３０のインピーダンスが支配的と
なる。そのため、比較的小さい充電用のダイオード１
２，１３の十分の一以下の素子面積のＦＥＴで、端子１
１のインピーダンスに大きな変化を起すことができる。

【００２４】ＦＥＴスイッチ３０は、同一の半導体プロ
セスにより他の素子との集積化が可能であり、しかも素
子面積を小さくすることができるので、チップサイズの
省面積化に有効である。

【００２５】ＦＥＴスイッチ３０のオン時にダイオード
１３のアノードが接地状態となるため、ダイオード１３
に対する逆バイアスが従来よりも高くなる。従って、リ
ーク電流を低減することができ、容量１５に充電した電
源電圧の低下を防ぐことができる。

【００２６】本実施例は、電源端子１８に正電圧を得る
ものであるが、電源電圧に負電圧が必要となる場合は、
ダイオード１２とダイオード１３の接続方向を逆にし、
ダイオード１２のアノードとダイオード１３のカソード
を相互に接続する。

【００２７】以上のデータキャリアを非接触のＩＣ（In
tegrated Circuit）カードとして構成した。その構造を
図２に示す。同図において、３５はＩＣカードの支持基
板であり、アンテナ５が同基板上に金属印刷パターンと
して形成される。更に図２において、３６は、電源発生
回路／変調回路８、復調回路６２、Ｓ／Ｐ変換，Ｐ／Ｓ
変換回路８、論理回路９及びメモリ回路１０からなるデ
ータキャリアの構成回路を同一半導体プロセスで形成し
たＩＣチップであり、同ＩＣチップが基板３５上に実装
される。図２の３７は、印刷パターンのアンテナ５をＩ
Ｃチップ３６に接続するボンディングワイヤである。

【００２８】本データキャリアは、支持基板３２に印刷
されたアンテナ５と１個のＩＣチップ３６とで構成され
るので、実装工程が少なく、低コスト化が容易である。

【００２９】＜実施例２＞実施例１の整流用ダイオード
をダイオード接続のＭＯＳ(Metal Oxide Semiconducto
r）ＦＥＴに代え、ＦＥＴスイッチをＭＯＳＦＥＴによ
るスイッチとした実施例を図３に示す。図３ａと図３ｂ
とでは、ＭＯＳＦＥＴの導電性が相互に異なっている。

【００３０】図３ａは、Ｐ形シリコン基板上に素子を形
成する場合で、３２ａは、ダイオード接続のＮ型ＭＯＳ
ＦＥＴ、３３ａは、ダイオード接続のＰ型ＭＯＳＦＥ
Ｔ、３０ａは、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴで構成したスイッチで
ある。

【００３１】図３ｂは、Ｎ形シリコン基板上に素子を形
成する場合で、３２ｂは、ダイオード接続のＰ型ＭＯＳ
ＦＥＴ、３３ｂは、ダイオード接続のＮ型ＭＯＳＦＥ
Ｔ、３０ｂは、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴで構成したスイッチで
ある。

【００３２】このように、整流用ダイオードをＭＯＳＦ
ＥＴによるダイオードとし、ＦＥＴスイッチをＭＯＳＦ
ＥＴとすることにより、標準ＣＭＯＳプロセスで全てを
形成することができ、他の回路部とオンチップ化が可能
となり、高集積化を実現することができる。それによ
り、データキャリアの高性能化、低コスト化を実現する
ことができる。

【００３３】＜実施例３＞実施例１のＦＥＴスイッチを
複数のＦＥＴスイッチの並列接続とした実施例を図４に
示す。図４において、４０ａ，４０ｂ，……，４０ｍ
は、ｍ個の並列接続の個々のＦＥＴスイッチ、４１ａ，
４１ｂ，……，４１ｍは、各ＦＥＴスイッチのゲートに
パラレルに入力する論理回路９からの複数ビット（ｌｏ
ｇ₂ｍビット）に対応する変調データである。なお、本
実施例においては、復調回路６２の出力のシリアルのデ
ータに対しては、それをパラレルに変換するＳ／Ｐ変換
回路３８が用いられる。

【００３４】各ＦＥＴスイッチは、同じ素子サイズとし
たが、異なる素子サイズとすることも可能である。各Ｆ
ＥＴスイッチが順次一つずつオン状態にしていくに従っ
てアンテナ５の端子１１での反射波強度が一定の割合で
変化するように、複数ビットの変調データの全てのビッ
トパターンに対し、ＦＥＴスイッチをオンオフするパタ
ーンを設定した。そのような設定により、反射波強度の
変化を搬送波の多値振幅変調とすることができる。

【００３５】実施例１，２のように、１個のＦＥＴスイ
ッチのオンオフによってデータをシリアルに送出する場
合は、１ビットずつの情報の伝送となるのに対し、本実
施例では２ビット以上の情報を同時に伝送することで
き、送信伝送効率が向上する。そして、１個のデータキ
ャリアが質問器と交信する時間が短縮し、より多くのデ
ータキャリアが１個の質問器と交信することができるよ
うになるため、システムの情報処理容量を増大させるこ
とができる。

【００３６】＜実施例４＞実施例３の並列接続のＦＥＴ
スイッチのそれぞれに整流用ダイオードを設けた実施例
を図５に示す。図５において、１２ｉ（ｉ＝ａ，ｂ，
ｃ，……，ｍ）は、並列接続用ＦＥＴスイッチ４０ｉに
カソードを接続した整流用ダイオード、１３ｉは、同Ｆ
ＥＴスイッチにアノードを接続しダイオードである。こ
のように本実施例では、ダイオード１２ｉ，１３ｉ及び
ＦＥＴスイッチ４０ｉを１個の機能ブロックとし、複数
の機能ブロックを容量１４と容量１５の間に接続したも
のである。これらを集積回路上にレイアウトするときに
対称に配置することができるため、特性上のバラツキを
小さくすることができる。

【００３７】＜実施例５＞多値振幅変調によってＮビッ
トのデータを同時に送受信するマイクロ波方式データキ
ャリアシステムの構成を図６に示す。図６の質問器１に
おいて、２ａは、Ｎビットのデータを同時に変復調し、
それをアンテナから送受信するアンテナユニット、同図
のデータキャリア４において、６ａは、Ｎビットのデー
タを同時に変復調する変復調回路、９ａは、変復調回路
６ａとの間でＮビットのパラレルのデータの授受を行な
うと共に、Ｎビットのデータの信号処理を行ない、更
に、メモリ１０にアクセスして同メモリに対して情報の
書き込みや読み出しを行なう論理回路である。

【００３８】多値振幅変調によってＮビットのデータの
同時送受信を行なう本実施例では、アンテナを介して送
受信する電波の強度が複数レベル存在するので、質問器
１及びデータキャリア４は、予めそのレベルを知ってお
く必要がある。そこで、システムが動作可能な状態に立
ち上がった後、データの送受信を始める前に、送信する
データの全てのビットパターンに対応する変調データを
質問器１及びデータキャリア４がそれぞれ順次送信し、
受信側でその電波強度を測定して値をメモリに記憶して
おき、その値を多値の比較基準として使用する機能を質
問器１及びデータキャリア４に設けた。

【００３９】本実施例は、Ｎビットのデータを質問器１
からデータキャリア４へ、またデータキャリア４から質
問器１へ、双方向で送受信可能なシステムであり、１ビ
ットずつシリアルに送受信するシステムに比べ、伝送効
率がＮ倍に向上する。それにより、１個のデータキャリ
アが質問器と交信する時間が短縮され、より多くのデー
タキャリアが１個の質問器と交信可能な状態を作ること
ができるので、データキャリアシステムとしてのシステ
ム容量が向上するという効果がある。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、整流用の２個のダイオ
ードの接続点と接地の間にＦＥＴスイッチを接続し、同
スイッチをオンオフさせてデータの変調と送信を行なう
ようにしたので、整流用ダイオードに高い逆バイアスを
掛けることが可能になり、送信時に電源電圧が低下する
のを防ぐことができる。また、素子サイズの小さいＦＥ
Ｔスイッチの採用が可能であるので、省チップ化の効果
を得ることができる。

【００４１】更に、整流用ダイオードをダイオード接続
のＭＯＳＦＥＴとすることにより、標準ＣＭＯＳプロセ
スで全てを形成することが可能になって他の回路部とオ
ンチップ化が可能となり、高集積による高性能化、低コ
スト化を実現することができる。

【００４２】また、２個の整流用ダイオードの接続点と
接地の間に複数のＦＥＴスイッチを接続することによっ
て多値振幅変調を行なうことを可能にしたので、Ｎビッ
トの情報を同時に伝送することが可能になり、送信伝送
効率をＮ倍に向上させることができる。送信効率の向上
によって１個のデータキャリアが質問器と交信する時間
を短縮することができるので、従来よりも多くのデータ
キャリアが１個の質問器と交信可能となり、データキャ
リアシステムのシステム容量を向上させる効果を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るデータキャリアの第１の実施例を
説明するための回路構成図。

【図２】第１の実施例の具体的構造を説明するための
図。

【図３】本発明の第２の実施例を説明するための回路構
成図。

【図４】本発明の第３の実施例を説明するための回路構
成図。

【図５】本発明の第４の実施例を説明するための回路構
成図。

【図６】本発明の第５の実施例を説明するためのシステ
ム構成図。

【図７】従来のデータキャリアシステムを説明するため
の回路構成図。

【図８】従来のデータキャリアの電源発生回路及び変復
調回路を説明するための回路構成図。

【符号の説明】

１…質問器、４…データキャリア、５…アンテナ、６…
変復調回路、６１…変調回路、６２…復調回路、７…電
源発生回路、８…Ｓ／Ｐ変換，Ｐ／Ｓ変換回路、９…論
理回路、１０…メモリ回路、１１…アンテナ端子、１
２,１３…ダイオード、１４,１５…容量、１６…インピ
ーダンス整合回路、１８…電源端子、３０，４０…ＦＥ
Ｔスイッチ、３１…変調データ入力端子、３３…電源発
生回路／変調回路。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】質問器と共にマイクロ波方式のデータキ
ャリアシステムを構成するデータキャリアであって、質
問器から発射されるマイクロ波をアンテナで受信して電
源を生成する電源発生回路を有し、当該電源発生回路
は、アンテナからの受信信号を受ける端子と接地の間に
直列に接続した第１の容量及び第１のダイオードと、第
１の容量と第１のダイオードの接続点と接地の間に直列
に接続した第２のダイオード及び第２の容量とからなる
２倍波整流回路を備えているデータキャリアにおいて、送信するデータによってオンオフ動作を行なう少なくと
も１個の電界効果トランジスタ（以下「ＦＥＴ」とい
う）スイッチを第１のダイオードと第２のダイオードの
接続点と接地の間に接続してなる変調回路を備え、当該
変調回路は、ＦＥＴスイッチのオンオフ動作によってア
ンテナの端子でのインピーダンスを変化させるものであ
り、当該インピーダンス変化による前記マイクロ波の反
射波電力強度の変化によって質問器へのデータの送信を
行なうことを特徴とするデータキャリア。
【請求項２】前記第１のダイオードと第２のダイオー
ドと少なくとも１個のＦＥＴスイッチが同一のＰ形シリ
コン基板上に形成されており、第１のダイオードがダイ
オード接続のＮ型ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconducto
r）ＦＥＴであり、第２のダイオードがダイオード接続
のＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、少なくとも１個のＦＥＴス
イッチがＮ型ＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求
項１に記載のデータキャリア。
【請求項３】前記第１のダイオードと第２のダイオー
ドと少なくとも１個のＦＥＴスイッチが同一のＮ形シリ
コン基板上に形成されており、第１のダイオードがダイ
オード接続のＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第２のダイオー
ドがダイオード接続のＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、少なく
とも１個のＦＥＴスイッチがＰ型ＭＯＳＦＥＴであるこ
とを特徴とする請求項１に記載のデータキャリア。
【請求項４】前記変調回路は、前記第１のダイオード
と第２のダイオードの接続点と接地の間に接続したＦＥ
Ｔスイッチの数が複数であり、かつ、複数ビットの送信
データの全てのビットパターンに対応して変化する複数
のＦＥＴスイッチのオンオフパターンに従ってアンテナ
の端子のインピーダンスを変化させるものであり、当該
インピーダンス変化による前記マイクロ波の反射波強度
の変化により、質問器へのデータの送信を多値振幅変調
によって行なうことを特徴とする請求項１に記載のデー
タキャリア。
【請求項５】前記第１のダイオードと第２のダイオー
ドとその接続点に接続したＦＥＴスイッチを１個の機能
ブロックとし、前記変調回路は、複数の当該機能ブロッ
クを第１の容量と第２の容量との間に接続したものであ
り、かつ、複数ビットの送信データの全てのビットパタ
ーンに対応して変化する複数のＦＥＴスイッチのオンオ
フパターンに従ってアンテナの端子のインピーダンスを
変化させるものであり、当該インピーダンス変化による
前記マイクロ波の反射波強度の変化により、質問器への
データの送信を多値振幅変調によって行なうことを特徴
とする請求項１に記載のデータキャリア。
【請求項６】支持基板を有し、前記アンテナが当該支
持基板上に金属印刷パターンとして形成され、前記電源
発生回路と前記変調回路とを含むデータキャリアの構成
回路がＩＣ（Integrated circuit）チップに集積され、
当該ＩＣチップが支持基板上に実装されてなる非接触Ｉ
Ｃカードによって構成されていることを特徴とする請求
項１〜請求項５のデータキャリア。
【請求項７】質問器と請求項１〜請求項３のいずれか
一に記載のデータキャリアとからなり、当該データキャ
リアが質問器に対して１ビットずつデータを送信するこ
とを特徴とするマイクロ波方式のデータキャリアシステ
ム。
【請求項８】質問器と請求項４又は請求項５に記載の
データキャリアとからなり、当該データキャリアが質問
器に対して複数ビットずつデータを同時に送信すること
を特徴とするマイクロ波方式のデータキャリアシステ
ム。
【請求項９】データキャリアからデータを実際に送信
する前に送信データの全てのビットパターンに対応する
ＦＥＴスイッチのオンオフパターンを順次切り換え、そ
れに対応する反射波電力強度を質問器で予め測定し、オ
ンオフパターン毎の強度を実際の送信時データの多値の
比較基準とすることを特徴とする請求項８に記載のデー
タキャリアシステム。
【請求項１０】前記質問器がデータキャリアに対して
データを多値振幅変調によって複数ビットずつ同時に送
信することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の
データキャリアシステム。