KR980005361A - 반구형 실리콘 제조방법 - Google Patents

반구형 실리콘 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR980005361A
KR980005361A KR1019960023262A KR19960023262A KR980005361A KR 980005361 A KR980005361 A KR 980005361A KR 1019960023262 A KR1019960023262 A KR 1019960023262A KR 19960023262 A KR19960023262 A KR 19960023262A KR 980005361 A KR980005361 A KR 980005361A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide film
forming
hemispherical silicon
silicon
storage electrode
Prior art date
Application number
KR1019960023262A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100235938B1 (ko
Inventor
임찬
Original Assignee
김주용
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019960023262A priority Critical patent/KR100235938B1/ko
Priority to TW086106845A priority patent/TW412831B/zh
Priority to US08/871,842 priority patent/US5909625A/en
Priority to CN97112377A priority patent/CN1090814C/zh
Priority to JP9161565A priority patent/JPH1084089A/ja
Publication of KR980005361A publication Critical patent/KR980005361A/ko
Priority to US09/249,086 priority patent/US6238995B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100235938B1 publication Critical patent/KR100235938B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H01L28/84—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation being a rough surface, e.g. using hemispherical grains
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/964—Roughened surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 고집적 메모리 소자에서 반구형 실리콘 제조방법에 관한 것으로, 특히 캐패시터의 저장전극의 표면적을 증대시키기 위해 이용되는 반구형 실리콘을 원하는 밀도와 형상으로 제조하기 위하여 반구형 실리콘이 형성될 하부층인 실리콘층의 표면에 얇은 산화막을 제조한 다음, 반구형 실리콘을 형성하는 것이다.

Description

반구형 실리콘 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 및 제2도는 본 발명의 실시예에 의해 반구형 실리콘을 형성하는 것을 도시한 단면도이다.

Claims (16)

  1. 반구형 실리콘이 증착될 하부 실리콘층의 표면에 형성된 자연 산화막을 제거하는 단계와, 실리콘층의 표면에 얇은 산화막을 형성하는 단계와, 상기 얇은 산화막 표면에 반구형 실리콘을 형성하는 단계로 이루어지는 반구형 실리콘 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 자연 산화막을 제거하기 위하여 HF 및 H2O가 함유된 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 반구형 실리콘 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 자연 산화막을 제거하기 위하여 HF 및 H2O 를 분무시킨 HF 증기(Vapor)를 이용하는 것을 특징으로 하는 반구형 실리콘 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 자연 산화막을 제거하기 위하여 HF 와 NH4F가 함유된 용액(Buffer oxide etchant)를 이용하는 것을 특징으로 하는 반구형 실리콘 형성방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 얇은 산화막을 형성하기 위하여 NH4OH와 H2O2혼합용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 반구형 실리콘 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 NH4OH와 H2O2혼합용액의 온도를 50℃이하로 하는 것을 특징으로 하는 반구형 실리콘 형성방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 얇은 산화막을 형성하기 위하여 HNO3와 H2O2혼합용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 반구형 실리콘 형성방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 반구형 실리콘을 형성하기 위해 웨이퍼 로딩(loading) 시킬때 N2개스를 불어 넣는 상태에서 400℃이하의 온도에서 로딩시키는 것을 특징으로 하는 반구형 실리콘 형성방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 반구형 실리콘은 550 - 585℃ 사이의 증착온도에서 1000Å 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반구형 실리콘 형성방법.
  10. 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 평탄화용 절연막을 형성하고, 저장전극 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 단계와, 저장전극용 다결정실리콘층을 증착하고, 저장전극 마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 단계와, 저장전극용 다결정실리콘층을 증착하고, 저장전극 마스크를 이용한 식각공정으로 다결정실리콘층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 다결정실리콘층 패턴의 표면에 형성된 자연 산화막을 제거하는 단계와, 다결정실리콘층 패턴의 표면을 NH4OH/H2O2/H2O이 일정 비율로 배합된 용액으로 처리하여 표면에 균일두께의 얇은 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막의 표면에 반구형 실리콘을 형성하는 단계와, 저장전극 마스크를 이용한 식각공정으로 불필요한 반구형 실리콘은 제거하는 단계와, 유전체막과 플레이트 전극용 다결정실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자 캐패시터 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 반구형 실리콘은 550℃ - 585℃ 사이의 증착온도에서 1000Å이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 캐패시터 제조방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 자연 산화막을 제거하기 위하여 HF 및 H2O가 함유된 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 캐패시터 제조방버법.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 자연 산화막을 제거하기 위하여 HF 와 H2O를 분무시킨 HF 증기(Vapor)를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 캐패시터 제조방법.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 자연 산화막을 제거하기 위하여 HF 와 NH4F가 함유된 용액(Buffer oxide etchant)를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 캐패시터 제조방법.
  15. 제 10 항에 있어서, 상기 얇은 산화막을 형성하기 위하여 HNO3와 H2O2혼합용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 캐패시터 제조방법.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 반구형 실리콘 제조 방법을 저장 전극에 적용하는 것을 특징으로 하는 반구형 실리콘 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960023262A 1996-06-24 1996-06-24 반구형 실리콘 제조방법 KR100235938B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960023262A KR100235938B1 (ko) 1996-06-24 1996-06-24 반구형 실리콘 제조방법
TW086106845A TW412831B (en) 1996-06-24 1997-05-20 Method for forming layer of hemispherical grains and for fabricating a capacitor of a semiconductor device
US08/871,842 US5909625A (en) 1996-06-24 1997-06-09 Method for forming layer of hemispherical grains and for fabricating a capacitor of a semiconductor device
CN97112377A CN1090814C (zh) 1996-06-24 1997-06-16 用于形成半导体装置的电容器的方法
JP9161565A JPH1084089A (ja) 1996-06-24 1997-06-18 半球形シリコンの製造方法及び半球形シリコンを利用した半導体素子のキャパシタの製造方法
US09/249,086 US6238995B1 (en) 1996-06-24 1999-02-12 Method for forming layer of hemispherical grains and for fabricating a capacitor of a semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960023262A KR100235938B1 (ko) 1996-06-24 1996-06-24 반구형 실리콘 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980005361A true KR980005361A (ko) 1998-03-30
KR100235938B1 KR100235938B1 (ko) 1999-12-15

Family

ID=19463062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960023262A KR100235938B1 (ko) 1996-06-24 1996-06-24 반구형 실리콘 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5909625A (ko)
JP (1) JPH1084089A (ko)
KR (1) KR100235938B1 (ko)
CN (1) CN1090814C (ko)
TW (1) TW412831B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3159136B2 (ja) * 1997-07-18 2001-04-23 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
KR100282484B1 (ko) * 1998-12-16 2001-02-15 윤종용 디램 셀 커패시터 및 그의 제조방법
KR100335775B1 (ko) * 1999-06-25 2002-05-09 박종섭 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100328454B1 (ko) * 1999-06-29 2002-03-16 박종섭 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100331270B1 (ko) * 1999-07-01 2002-04-06 박종섭 ＴａＯＮ박막을 갖는 커패시터 제조방법
GB2358284B (en) * 1999-07-02 2004-07-14 Hyundai Electronics Ind Method of manufacturing capacitor for semiconductor memory device
JP2001111002A (ja) * 1999-10-13 2001-04-20 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体記憶容量素子のストレージノード及びその製造方法
KR100361081B1 (ko) 1999-10-29 2002-11-18 삼성전자 주식회사 반도체 소자의 커패시터 제조방법
KR100494322B1 (ko) * 1999-12-22 2005-06-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100351450B1 (ko) * 1999-12-30 2002-09-09 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
KR20010066386A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 박종섭 플래시 메모리의 게이트전극 제조방법
KR102282136B1 (ko) * 2017-07-07 2021-07-27 삼성전자주식회사 반도체 장치
US10388461B2 (en) 2017-08-02 2019-08-20 Perriquest Defense Research Enterprises, Llc Capacitor arrangements

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5110022A (ja) * 1974-07-11 1976-01-27 Kubota Ltd Karitorishukakuki
JPS55121653A (en) * 1979-03-14 1980-09-18 Fujitsu Ltd Method of treating surface of semiconductor substrate
JPS60247928A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Seiko Instr & Electronics Ltd 半導体基板の洗浄方法
US4590792A (en) * 1984-11-05 1986-05-27 Chiang William W Microanalysis particle sampler
JPS63283028A (ja) * 1986-09-29 1988-11-18 Hashimoto Kasei Kogyo Kk 微細加工表面処理剤
US5366917A (en) * 1990-03-20 1994-11-22 Nec Corporation Method for fabricating polycrystalline silicon having micro roughness on the surface
JP2937395B2 (ja) * 1990-03-20 1999-08-23 日本電気株式会社 半導体素子
JP3192673B2 (ja) * 1991-03-18 2001-07-30 宮崎沖電気株式会社 半導体素子の製造方法
KR920022523A (ko) * 1991-05-13 1992-12-19 문정환 디램셀의 커패시터 제조 방법
KR100256256B1 (ko) * 1992-12-30 2000-05-15 김영환 반도체장치의 금속배선형성 방법
DE4419074C2 (de) * 1993-06-03 1998-07-02 Micron Semiconductor Inc Verfahren zum gleichmäßigen Dotieren von polykristallinem Silizium mit halbkugelförmiger Körnung
US5340765A (en) * 1993-08-13 1994-08-23 Micron Semiconductor, Inc. Method for forming enhanced capacitance stacked capacitor structures using hemi-spherical grain polysilicon
KR100250749B1 (ko) * 1993-11-11 2000-04-01 김영환 캐패시터의 전하저장전극 형성방법
US5696014A (en) * 1994-03-11 1997-12-09 Micron Semiconductor, Inc. Method for increasing capacitance of an HSG rugged capacitor using a phosphine rich oxidation and subsequent wet etch
CN1044948C (zh) * 1994-06-22 1999-09-01 现代电子产业株式会社 用于制造半导体器件叠层电容器的方法
TW239234B (en) 1994-07-13 1995-01-21 United Microelectronics Corp Process of DRAM
TW277159B (en) * 1995-06-29 1996-06-01 Ind Tech Res Inst Fabrication method for DRAM capacitor
JP3401585B2 (ja) * 1995-06-30 2003-04-28 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法
US5634974A (en) * 1995-11-03 1997-06-03 Micron Technologies, Inc. Method for forming hemispherical grained silicon
US5753559A (en) * 1996-01-16 1998-05-19 United Microelectronics Corporation Method for growing hemispherical grain silicon

Also Published As

Publication number Publication date
CN1170956A (zh) 1998-01-21
US5909625A (en) 1999-06-01
KR100235938B1 (ko) 1999-12-15
TW412831B (en) 2000-11-21
JPH1084089A (ja) 1998-03-31
US6238995B1 (en) 2001-05-29
CN1090814C (zh) 2002-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960013147B1 (ko) 반도체 디바이스상에 저항기를 패턴 형성하기 위한 방법
US5182232A (en) Metal silicide texturizing technique
KR920001625A (ko) 표면적이 극대화된 실리콘층 및 그 제조방법
JP2000058779A (ja) トレンチ・キャパシタおよびその形成方法
KR980005361A (ko) 반구형 실리콘 제조방법
KR960036062A (ko) 고집적 반도체장치의 캐패시터 및 그 제조방법
JP2000058878A (ja) 半導体素子のキャパシタ及びその製造方法
KR100246775B1 (ko) 반도체 소자의 전극 형성방법
JP2000228507A (ja) 半導体素子の高誘電体キャパシタ製造方法
KR100326237B1 (ko) 오존가스를이용한탄탈륨산화막형성방법및그를이용한반도체소자의캐패시터형성방법
KR100353540B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
JPH01187847A (ja) キヤパシタの形成方法
KR100332424B1 (ko) 폴리실리콘층의 식각방법
KR100321703B1 (ko) 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 제조방법
KR100424715B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100265345B1 (ko) 반도체 장치의 고유전체 캐패시터 제조방법
KR950030397A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
KR100291410B1 (ko) 반도체 소자의 선택적 반구형 실리콘 그레인 전하저장전극 형성방법
KR100713901B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR100465635B1 (ko) 반도체 소자의 커패시터 형성방법
KR100618682B1 (ko) 반도체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법
KR100541513B1 (ko) 반도체소자의 커패시터 제조방법
KR950004548A (ko) 반도체소자 제조방법
KR19980066737A (ko) 커패시터의 스토리지 전극 형성 방법
KR970024217A (ko) 반도체 장치의 커패시터 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100825

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee