KR970706524A - 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법(phase shift mask blank and production method therefor) - Google Patents
위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법(phase shift mask blank and production method therefor)Info
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Abstract
Description
Claims (11)
- 위상 시프트 마스크 블랭크에 있어서, 투명 기판상에 텅스텐, 탄탈, 크롬 또는 티타늄, 실리콘 및 질소로부터 선택된 전이 금속을 적어도 함유하는 광반투과막을 갖는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서, 광반투과막이 5 내지 55at%의 전이 금속 및 5 내지 80at%의 실리콘을 함유하는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 광반투과막이 70at% 미만의 산소를 함유하는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서, 광반투과막이 노광광에 대하여 4 내지 20%의 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 광반투과막이 50내지 5×107Ω/□의 시트 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서, 광반투광막이 노광광에 대하여 입출사면의 중심선 평균 조도가 0.1 내지 50nmRa를 갖는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.
- 질소 가스 및/또는 질소 화합물을 적어도 함유하는 가스를 도입할 때, 투명기판 상에 텅스텐, 탄탈, 크롬 또는 티타늄, 실리콘 및 질소로부터 선택된 전이 금속을 적어도 함유하는 광반투과막을 형성하는 단계를 포함하는 위상 시프트 마스크 블랭크 제조 공정에 있어서, 광반투과막 형성시 도입된 가스는 가스의 전체 유량을 기준으로 하여 5 내지 90부피%의 질소 가스 및/또는 산소 화합물 가스를 함유하는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크 제조 공정.
- 제7항에 있어서, 도입된 가스는 가스의 전체 유량을 기준으로 하여 55부피% 미만의 산소 가스 및/또는 산소 화합물 가스량을 함유하는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크 제조 공정.
- 투명 기판상에 텅스텐, 탄탈, 크롬 또는 티타늄, 실리콘 및 질소로부터 선택된 전이 금속을 적어도 함유하는 광반투과막을 갖는 위상 시프트 마스크 블랭크에 있어서, 광반투과막은 노광광에 대하여 입출사면의 중심선 평균 조도가 0.1 내지 50nmRa를 갖는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.
- 광투과부 및 광반투과부로 형성된 마스크 패턴을 갖는 위상 시프트 마스크는 제1항 내지 제6항과 제9항 중 어느 한 항에 상술된 위상 전이 마스크 블랭크의 광반투과막이 소정의 패턴에 따라 선택적으로 제거되는 패터닝 처리에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크.
- 마스크에 형성된 패턴을 노광에 의하여 리셉터에 전위하는 노광 변환 방법에 있어서, 상기 마스크는 제10항에 상술된 위상 시프트 마스크인 것을 특징으로 하는 패턴 변환 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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