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A7 ^17641 __B7_ 五、發明説明（1 ) 【發明之技術領域】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於移相光罩母板及其製造方法、以及使用 該光罩母板所製得的移相光罩。 » 【背景技術】 在於製造半導《IL S I之類的產品時，係使用移相光 罩來作爲用來轉印微細圖案的光罩中的一種。這種移相光 罩之中，已知有「半調型移相光罩」係特別適用於轉印例 如：單一的孔洞、點、或線、空格等孤立的圊案者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 這種「半調型（half-tone)移相光軍」係將形成於 透明基板的表面上的光罩圚案藉由：可令對於曝光有實質 作用的强度的光透過之透光部、以及可令對於曝光無實質 作用的强度的光透過之半透光部所構成，而且令穿過透光 部後的光的相位與穿過半透光部後的光的相位不一樣，藉 以使得通過透光部和半透光部的境界部附近的光的相位互 相抵消，而得以將境界部的反差（contrast)保持良好。 例如：日本特開平5 — 1 2 7 3 6 1號公報所揭示者係爲 :具有1 8 0°相位差的半調型移相光罩。 該公報所載的半調型移相光罩之中，構成半透光部的 半透光膜係由：Cr〇x 、CrNx 、Cr〇xNy、 C r 〇xNyCz之類的膜之均匀組成份的材料所形成的單 一層膜所構成的。 這種具有由單一層膜所形成的半透光部之半調型移相 光罩，在與其他之將半透光部由高透光層（例如被簡稱爲 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 3i764j ____B7_ 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) SOG的spin on glass)和低透光層（例如：鉻）等複 數種類所組成的叠積構造的半調型移相光眾相較之下，具 有：可減少及簡化製程、圖案形狀的垂直化、降低缺陷發 生率等優點。 而關於由這些Cr〇x 、CrNx 、C'r〇xNy、 C r 〇xNyCz等所形成的半透光膜之形成方法，在於上 述公報之中係揭示出：以鉻作爲噴鍍用靶，在於噴鍍氣相 中加入氧氣、氮氣等氣體以資在於透明基板上堆稹絡的氧 化物、氮化物、氮氧化物、氮氧碳化物之方法，亦即所謂 的「反應性噴鍍法」。 根據上述的反應性噴鍍法所形成的Cr〇x 、 經濟部中央揉準局員工消费合作社印袈

CrNx 、Cr〇xNy、Cr〇xNyCz等所形成的半透 光膜中，如果係同時符合：可讓對於曝光毫無作用的程度 之光穿過的性質（亦即透光率爲4〜2 0 %之要件）、以 及所謂可帶來預定的相位差之半透光部的要件者，其導電 性很差。因此，當爲了要對於半透光膜上所設的光蝕阻劑 進行圖案處理而執行的「將電子線描繪到光蝕阻劑」的過 程中，被打入的霄子會在於光蝕阻劑中帶電（charge-up )，造成無法形成正確的圚案之問題。 又，導電性方面的缺陷將會導致帶靜電，進而導致於 製造光罩過程中、或使用光罩時，其中的圚案破損、或者 容易附著上塵埃、微粒之類的問題。因此，爲了要防止帶 電現象，例如：必須在於透明基板上設置一個供靜m傳導 擴散之用的導電層，如此一來，則衍生出增加製程數目的 本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 3!764ϊ a? _Β7_ 五、發明説明（3 ) 缺點。 再者，欲在於透明基板與半透光膜之間形成導電層時 ，必須是對於短波長的曝光用光線而言屬於透明者，特別 是最近幾年來，隨著高解像度的圇案之需求所衍生的曝光 用光線的波長之「超短化」的要求，相對地也就必須重新 開發出：對於這種程度的超短波長的曝光用光線而言，靥 於透明之導電層材料，這就是其問題所在。 本發明人等，曾經提議：以包含鎢、鉅、鉻等遷移金 屬和矽之半透光膜來取代上述導電性不良的鉻化物系的半 透光膜。藉由在於透明基板上，設置含有遷移金屬與矽的 半透光膜，而可提供：兼具有半透光性和導電性，並可解 決：上述於進行「將電子線描繪到光蝕阻劑」的過程中所 衍生的帶電問題、或者於製造光罩過程中、或使用光罩時 之圖案破損、或者容易附著上塵埃、微粒等諸問題之移相 光罩母板。 然而，在於利用噴鍍法將包含上述遷移金屬和矽元素 的半透光膜形成於透明基板上的時候，通常是將氬氣之類 的鈍氣和氧氣一起導入。將鈍氣與氧氣一起導入之目的爲 :是藉由調整氧氣的比例以控制被取入到膜內的含氧量， 以將半透光膜的透光率、折射率、導電率（電阻）等特性 控制成所期的値。但是，在於進行噴鍍時若導入氧氣的話 ，將會產生下述新的問題。亦即，於進行噴鍍時所導入的 氧氣將會導致噴鍍用靶的表面受到氧化，在於該氧化部份 長出氣化物，這種氧化物會被進行噴鍍時所施加的電場所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 r Α7 3ί7641 Β7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 彈開，而成爲氧化物的大團塊降落在於基板表面。這種現 象稱爲「異常放電所引起的團塊附著」，這種氧化物團塊 不僅成爲產生塵埃、微粒的原因，也會在於半透光膜上形 成凸部。另一方面，如果是在於團塊附著於基板上的狀態 下進行成膜處理，而在該階段中，剛好該團塊剝離的話， 就會在於膜表面形成一個凹部。而半透光膜表面所形成的 凹凸將會帶來下列的缺點。 (1)相位移動量會發生空間性的不一致。 (2 )因爲造成曝光用光線在其表面亂反射，而降低半透 光膜的透光率。 (3 )當光罩母板表面與其他物品接觸時，會產生塵埃而 成爲降低圖案處理時的曝光性能之原因。 (4 )阻礙圓案的更微細化。 有鑑於此，本發明之目的就是在於提供可以解決上述 (1 )〜（4 )的問題點之移相光罩母板及其製造方法。 又，本發明之其他目的在於：藉由對上述移相光罩母 板的半透光膜進行圖案處理以資提供移相光罩。 經濟部中央揉準局負工消费合作社印装 【本發明之揭示】 本發明人等爲了達成上述目的，在於透明基板上形成 包含遷移金靥與矽元素的半透光膜之際，藉由令所使用的 氣體中含有預定比例的氮氣及/或氮化物氣體，而製得含 有：遷移金屬、和矽元素、和氮的半透光膜。並且在於測 定此一半透光膜的諸物理性質時，發現不僅可以維持由遷 本紙張尺度適用中國國家棵準（CNS ) Λ4规格（210X297公釐） A7 31764l ____B7_ 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 移金靥與矽元素所成的半透光膜的上述優點，而且可以顯 著地降低膜表面的凹凸，而得以獲得可以解決上述（1 ) 〜（4 )項缺點的移相光罩母板。此外，也發現這種移相 光罩母板具有優異的半透光膜的微細加工性，可以製成所 期的移相光罩。 換言之，本發明乃係基於以下的創見而完成的。 (I)一種移相光罩母板，其特徵爲： 在於透明基板上具有：至少包含鎢、鉅、鉻、鈦之 中所選出的遷移金靥、以及矽元素和氮元素之半透光 膜，且該半透光膜中的氮元素的比例爲5〜7 0 a t %者：以及 (II ) 一種移相光罩母板之製造方法，其特徵爲： 包含：一面導入至少含有氮氣及/或氮化物氣體之 氣體，一面在於透明基板上形成至少包含鎢、鉅、鉻 、鈦之中所選出的遷移金屬、以及矽元素和氮元素之 半透光膜的製程；且在於膜形成時所導入的氣體總流 量之中，氮氣及/或氮化物氣體所佔的比率爲5〜 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 9 Ονο 1%，當作本發明之要旨。 (III)此外，本發明的另一要旨的移相光罩係以具有：將 上述（I)所載的移相光罩母板的半透光膜利用預定 的圇案實施選擇性的去除圖案處理後所得之「由透光 部與半透光部所成的光罩圖案」作爲特徵者。 【圖面之簡單說明】 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規( 210X297公釐） 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 B7__五、發明説明（6 ) 第1圇係本發明之移相光罩母板及移相光罩的斷面圖 0 第2圖係使用本發明的移相光罩母板來製造本發明的 移相光罩之製程圖。 第3圖係半調型移相光罩的作用說明圖。 【實施本發明之較佳形態】 首先說明本發明之移相光軍母板。 本發明的移相光罩母板的特徵爲： 在於透明基板上具有：至少包含鎢、鉅、鉻、鈦之中 所選出的遷移金屬、以及矽元素和氮元素之半透光膜，且 該半透光膜中的氮元素的比例爲5〜7 0 a t %者。 至於透明基板，係只要能夠當作移相光罩母板用透明 基板使用者皆可，無須特別地限制，只要是針對於所用的 曝光光線的波長能夠獏得充分的透光强度的基板就可以使 用，一般係使用石英玻璃基板。 而設於此一透明基板上的半透光膜的要件爲：至少含 有：鎢、鉅、鉻、鈦之中所選出的遷移金靥、以及矽元素 和気元素。在於半透光膜中含有上述遷移金屬和矽元素作 爲必須成分的理由爲：藉由含有這些成分可使得膜兼具有 半透光性和導電性，而且可以減少當對於半透光膜上的光 蝕阻劑進行圖案處理時、或進行清洗光罩時的帶靜電問題 ，以及因帶靜m所衍生的吸附塵埃的問題。 又，半透光膜中含有氮元素作爲必要成分的理由如下 (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) "装·

*tT r 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 317641 B7 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (i )在與由遷移金靥和矽元素和氧元素所成的俥統 的半透光膜比較之下，含有氮元素的半透光膜係可降低膜 表面的凹凸，而且可以解決上述（1 )〜（4 )的問題點 ，亦即：相位移動量會發生空間性的不一致；降低半透光 膜的透光率；產生塵埃：以及阻礙圇案的更微細化等問題 點。 (ii )在與由遷移金靥和矽元素和氧元素所成的傳統 的半透光膜相較，不僅可提高透光率，更可提高半透光膜 與基板之間的附著力以及在於大氣中具有優異的化學安定 性。 半透光膜中的必要成分，即遷移金靥、矽元素和氮元 素之中，尤以氮元素的所佔比例特別重要，係限定在於佔 膜中所有元素的5〜7 0 a t%。其理由爲：若氮元素的 比例未滿5 a t %的話，其透光率、薄膜電阻以及中心線 平均粗度皆超過身爲移相光罩母板的半透光膜所要求的透 光率（4〜20%)、 薄膜電阻（50〜5X10 7 Ω 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 /□)、中心線平均粗度（0. 1〜50nmRa)，而 如果超過7 0a t %時，透光率將會超過移相光罩母板的 半透光膜所要求的透光率。因此，如果膜中的氮元素的比 例爲5〜7 0 a t %的話，可以獏得符合移相光罩母板的 半透光膜所要求的透光率、薄膜電阻以及中心線平均粗度 之所.有項目的半透光膜。 本發明的移相光單母板係藉由針對於半透光膜中的氮 本紙張尺度適用中困困家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - ^17641 B7 經濟部中央樣準局βζ工消費合作社印製 五 、發明説明 ( 8 ) 元 素 的 比 例 在於組 成 比 5 7 0 a t % 的 範 圍 內 適宜 地 變 化 9 而 可 改 變 透 光 性 薄 膜 電 阻 以 及 中 心 線 平 均 粗度 等 諸 物 性 達 成 良 好 的 平 衡 0 氮 元 素 的 比 例 以 1 0 6 5 a t % 爲 宜 9 以 1 5 6 0 a t % 尤 佳 0 與 上 述 氮 元 素 一 起構 成 半 透 光 膜 的 遷 移 金屬 的 比 例 佔 膜 中 所 有 元 素 的 比 例 係 以 5 5 5 a t % 爲 宜 9 以 7 5 0 a t % 較 佳 9 以 1 0 4 5 a t % 特佳 0 又 9 構 成 半 透 光 膜的 矽 元 素 的 比 例 以 佔 膜 中 所 有 元 素 的 5 8 0 a t % 爲 宜 9 以 7 7 5 a t % 較 佳 9 以 1 0 —Ν-/ 7 0 a t % 特 佳 0 半 透 光 膜 中 所 含 的 矽 元 素之 中 9 與 遷 移 金 屬 直 接結合 而 形 成较 化 物 者 係 佔 所 有 的 矽 元 素 的 — 半 以 下 5 其 他 的 矽 元 素 則 是 例 如 ： 與 氮 元 素 結合形 成 氮 化 物 或 與 氧 元 素 結 合 形 成 氧 化 物 9 或 形 成 其 他 的 結合 物 0 另 外 5 關 於 半 透 光 膜 中 的 各 元 素 的 分佈係 因 成 膜 方 法 之 不 同 而 改 變 9 單 就 — 種 噴 鍍 法 而 Η 在 於 厂 直 線 ( in 1 i n e ) 方 式 J 的 噴 鍍 成 膜 法 中 5 係將 基 板 — 面 在於處 理 室 內 移 動 —* 面 進 行 成 膜 處 理 之 緣故 > 容 易 受 到 電 漿 密 度 的 空 間 分 佈 之影 響 ， 使 得 較 靠 近 基 板 的 膜 層 以 及 接近 表 面 的 膜 層 中 所 含 的 遷 移 金 牖 的 比 例 變 得 比 較 大 0 本 發 明 的 移 相 光 罩 母 板 .中 9 半 透 光 膜 亦 可 含 有 氧 氣 〇 在 於 半 透 光 膜 中 含 有 氧 元 素 的 理 由 爲 用 來 提 高 半 透 光 膜- 的 透 光 性 提 髙 基 板 附 著 力 提高 在 於 大 氣 中 的 化 學 安定 性 0 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ29?公釐） 11 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 _B7___ 五、發明説明（9 ) 半透光膜中的氧元素的比例，係以佔膜中所有元素之 未滿7 0 a t %爲宜，以小於6 0 a t %者較佳，以小於 5 0 a t %者特佳。 本發明的移相光罩母板中，其半透光膜之對於曝光用 光線的透光率係4〜2 0%，以5〜1 5%較適宜。其理 由爲：當透光率未達4 %的時候，通過半透光部和透光部 之境界部的光線和光線彼此間的相位偏移所致的互相抵消 效果不夠，而若超過2 0 %的時候，恐怕連通過半透光部 的光線都會讓光蝕阻劑感光。又，半透光膜對於可視領域 的光線的透光率爲30〜70%。 本發明的移相光罩母板，其半透光膜的薄膜電阻係以 5 0〜5X10 7Ω/ □爲宜。如果是薄膜電阻未達 5 0 Ω/ □的膜組成分的話，實質上的半透光膜的透光率 會變小，變成無法獲得針對於所期的波長領域的所期透光 率，而無法發揮半調型移相光罩的功能。然而，如果超過 5X10 7Ω/□的話，當利用電子線繪圖方式在於半

透光膜上的光蝕阻劑進行圖案處理時，容易因帶靜電引起 母板受損。因此，綜合考慮半透光膜的膜厚控制性、表面 粗度等因素之後，薄膜電阻乃以5X10 2〜IX 1 0 6Ω / □者較佳。 本發明的移相光罩母板，半透光膜之相對於曝光用光 線之射入射出面的中心線平均粗度（根據JIS Β 060 1 的規定，以nmRa表示）係以0 . 1〜5 0 nmRa爲 宜。其理由如下。 -12 - 丨1装-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

•II *ΤΓ 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 7β4χ A7 _B7_ 五、發明説明（10 ) 一般而言，中心線平均粗度的値的大約1 0倍係相當 於膜表面之凹凸的山峰與山谷的部份之高低差。 但是，如果半透光膜的凹凸的高低差變成相當於曝光 用光線的波長之程度的話，使用具有這種半透光膜的移相 光軍母板利用照相印刷法來進行圇案處理時，會因爲移相 置的空間性的參差不齊，導致加工精度明顯降低。 因此，有必要將半透光膜的表面之凹凸的高低差抑制 成小於曝光用光線的波長。根據目前的照相印刷法，一般 的曝光用光線的波長爲4 6 8nm (g線）、3 6 5nm (i線），但是，如果是要求微細加工精度的時候，就使 用 248nm(KrF 激勵雷射）、：L93nm(ArF 激勵雷射）。 茲由上述的傾向可知，中心線平均粗度若是小於5 0 nmRa的話，凹凸的高低差就小於約5 0 0 nm以下， 如此一來，就可利用波長4 6 8 nm的g線來進行曝光。 這就是爲何中心線平均粗度係以小於5 0 nmR a爲宜的 理由。此外，若考慮以i線（365nm) 、KrF雷射 (2 4 8 nm)來進行曝光的話，中心線平均粗度係以 2 0 nmRa較佳。若考慮以Ar F雷射（1 9 3 nm) 來進行曝光的話，中心線平均粗度係以小於1 〇 nmR a 尤佳。 至於爲何將中心線平均粗度的下限定於0. 1 nmR a的理由乃是因爲：即使養要製成平坦的表面，該 表面的凹凸仍然取決於下部基板的凹凸以及喷鍍粒子的尺 本紙張尺度適用中國固家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ： -13 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 裝·

、-IT A7 __B7_ 五、發明説明（U) 寸（粒徑）等因素，要達成小於0. lnmRa的程度， 不僅是不確實際，而且也無法獲得顯著的效果之綠故。 其次，說明本發明的移相光罩母板的製造方法。 本發明的方法，雖然是以包含：形成至少含有：鎢、 鉅、鉻、鈦之中所選出的遷移金屬、以及矽元素和氮元素 之半透光膜的過程作爲必要過程，但是這種過程係以利用 噴鍍法來進行者尤佳。在於利用噴鍍法形成半透光膜的過 程中，其噴鍍用靶係使用由上述遷移金屬與矽元素所成的 噴鍍用靶。又，所形成的半透光膜中係有必要導入氮元素 之故，導入到噴鍍裝®中的氣體係使用至少含有氮氣及/ 或氮化物氣體之氣體。此處的氮化物氣體係使用：氨氣、 N2〇、NO、NF3 等氣體。 經濟部中央標準局負工消费合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的方法中，導入到噴鍍裝置的氟體總流量之中 所佔的氮氣及/或氮化物氣體（以下，有時亦將這些稱爲 氮系氣體）的比例也非常重要，係限定於5〜9 0 v ο 1 %。其理由如下，當氮系氣體的比例未滿5vo1%的話 ，所形成的半透光膜的折射率會增加，雖然有必要降低用 來獲得預定的移相量的膜厚，但是當半透光膜的膜厚較薄 的時候，移相置的變化相對於膜厚變化顯得較大，因此必 須很精密地進行控制膜厚。另一方面，如果氮系氣體的比 例增加的話，折射率會減少，而有增加透光率和電阻之傾 向，尤其是當氮系氣體超過總流量的9 Ονο 1%的話， 透光率變得太大，而成爲不適作爲半調型移相光罩母板的 半透光膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ~ ' -14 - 31764l A7 B7_ 五、發明説明（12 ) (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 氮系氣體的比例，若考慮到膜厚控制性、透光率控制 性等因素的話，係以1 5〜85vo 1%爲宜，以2 0〜 7 5 v ο 1 % 特佳。 本發明的方法，若想要在於所形成的半透光膜中含有 氧元素的時候，係可在於導入到噴鍍裝置的氣體當中含有 氧氣及/或氧化物氣體。至於含氧氣體係可舉出：〇3、 N2〇、NO、H2〇 等。 欲令其含氧的情況，氧氣及/或氧化物氣體（以下， 有時亦將這些稱爲氧系氣體）的比例係以佔氣體總流置的 55vol%以下爲宜。 由於基板即使未經加熱也因爲暴露在於電漿之下的緣 故，在於進行噴鍍中的基板的溫度，當處於噴鍍氣相內時 ，通常係爲室溫〜1 0 0 °c，但是係以加熱到達例如： 1 0 0〜3 5 0 °c爲宜。其理由係因爲：若加熱該基板的 話，可以提高膜的附著强度，且可令膜烤得更緊而提高密 度，更趨强固。 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 以上係就本發明的移相光罩母板的製造方法中重要條 件加以說明，但是，關於用以在於透明基板上形成半透光 膜的其他條件則可以·照常援用一般的噴鍍法的條件。 此外，根據本發明的其他形態的話，係可以只使用氬 氣之類的鈍氣作爲導入到嘍鍍裝置內的氣體，而不使用氮 系氣體，這種情況下，係可獲得：包含鎢、鉬、鉻、鈦之 中所選出的遷移金屬、以及矽元素的半透光膜，此半透光 膜之相對於曝光用光線之射出射入面的中心線平均粗度爲 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -15 - 經濟部中央揉準局負工消費合作社印製 A7 _B7__ 五、發明説明（13 ) 0. 1〜50nmRa之移相光罩母板。以這種方式所獲 、 得的移相光罩母板，其半透光膜的表面粗度係具有作爲移 相光罩母板的半透光膜而言較佳的値，因此，可以解決上 述（1)〜（4 )的缺點，亦即：相位移動量會發生空間 性的不一致；降低半透光膜的透光率：產生塵埃：以及阻 礙圖案的更微細化等問題點。此外，此一移相光軍母板亦 具有：極小的電阻之特徵。惟，與含有氮元素的上述半透 光膜比較之下，其缺點是較難以控制折射率、對於曝光用 光線的透光率。 其次，說明本發明的移相光罩。本發明的移相光罩係 針對於上述的本發明之移相光罩母板的半透光膜，利用預 定的圇案進行選擇性地除去圚案的處理，而形成由透光部 與半透光部所成的光罩圖案者爲其特徵。換言之，本發明 的移相光罩的重點係在於：使用本發明的移相光罩母板來 製得者之點上，至於用來形成光罩圖案的方法則可援用傳 統的方法。 以下，利用實施例進一步詳述本發明，但是本發明並 不侷限於這些實施例。 (實施例1 ) 第1圖（a )和（b )係顯示實施例1的半調型移相 光罩母板以及半調型移相光罩的斷面圖。 半調型移相光軍母板係如第1圖（a )所示般，係在 於透明基板1上具有半透光膜2 a。又，半調型移相光罩 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ' -16 - ----,--^---「装-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T A7 ^17641 _ B7_^_ 五、發明説明（14 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 係如第1圖（b )所示般，係就第1圖（a )所示的半調 型移相光罩母板的半透光膜2 a依照預定的圖案實施選擇 性地除去圖案的處理而獏得之具有由半透光部2和透光部 3所成的光罩圖案者。 (移相光罩母板的製造） 第1圖（a )所示的半調型移相光罩母板係以下述的 方法所製造的。使用其主表面經過鏡面硏磨處理的石英玻 璃基板（縱5吋X橫5吋X厚0. 9吋）作爲透明基板1 。在於此一透明基板1上，利用RF磁控管噴鍍法形成由 鎢和矽元素和氮元素所成的半透光膜2。 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 在於R F磁控管嘖鍍法中，其噴鍍用靶係由鎢和矽元 素所組成，係使用W/Si=l/1 (at/at)者。 將這個噴鍍用靶與透明基板1 一起配置於R F磁控管噴鍍 裝置中的各預定位置，將透明基板1加熱到2 0 0 °C程度 ， 且一方面導入由氣氣（Ar)氣體與氮氣（N2)所 組成，氣體混合比Ar/N2=77/23(vol% /ν ο 1 %)的氣體混合物，一方面在於RF輸出爲 1.3 KW的條件下，進行RF磁控管噴鍍，而在於透明 基板1上形成半透光膜2 a，而獏得如第1圖（a )所示 的移相光罩母板（以下，稱之爲實施例1 a的移相光罩母 板）0 針對於所獏得的實施例la的移相光罩母板，利用X 線電子分光法來檢測半透光膜2 a的元素組成比的結果， 本紙張尺度逋用中國國家搮準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -17 - ^17641 A7 ____B7 _ 五、發明説明（15 ) 係如表 1 所示的W/S i/N=4 0 a t%/4 2 a t% /1 8 a t%，N的比例爲1 8 a t%。於進行噴鍍時， 因爲將基板溫度加熱到2 Ο 0 °C程度，所以在於半透光膜 中含有1成程度的矽化鎢（WS i )。 實施例1 a的移相光罩母板中，半透光膜2 a的折射 率係如表1所示般，係爲2. 5。 而且如表1所示，藉由將膜厚形成8 5 5A而獲得當 又=2 4 8 nm時的透光率爲5 . 4%。此處，半透光膜 的膜厚d係當移相置爲4、折射率爲η、曝光用光線的波 長爲λ的時候，係以下列（1 )式所決定。 d = (0/360) X { λ /" (η — 1) } . · . (1) (1 )式中，雖然移相量Φ以1 8 0°爲理想，但是 ，假設賁用的移相量爲1 6 0° S必S2 0 0°之後，進 行實驗。 經濟部中央搮準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例1 a的移相光罩母板的半透光膜2 a的薄膜電 阻（利用四探針法進行測定）係如表1所示般，未滿 7 . 6 X 1 0 3 0 又，賁施例1 a的移相光罩母板的半透光膜2 a的表 面粗度（根據 JIS B 0601的規定，以nmRa表示）係 如表1所示爲：1 .8 nmRa。 其次，除了將被導入的混合氣體的氣體混合比A r / N2 設定爲 25/75、 20/80 以及 17/83、 本紙張尺度遑用中國固家標率（CNS ) A4g ( 210X297公釐） -18 - S17641 A7 B7__五、發明説明（16 ) 100/0 (vol%/vol%)之外，其他條件均與 上述實施例1 a的移相光罩母板的製造條件相同，並進行 R F磁控管噴鍍，而分別獲得實施例1 b、1 c、1 d以 及1 e的移相光罩母板。 將所獏得的實施例1 b、1 c、1 d以及1 e的移相 光罩母板的半透光膜的元素組成比、折射率、膜厚、透光 率、薄膜電阻以及表面粗度（nmRa )彙整顯示於表1 Ο 其次，爲了進行比較，除了將所導入的氣體分別使用 氮氣、氧氣以及Ar_〇2的混合氣體（Ar — 〇2 = 5 0 v ο 1 %/5 0 v ο 1 %)之外，其餘的條件皆與上 述實施例1 a的移相光罩母板的製造條件相同條件下，進 行RF磁控管噴鍍，而分別獲得比較例1 X、1 y以及1 Z的移相光罩母板。 將所獲得的比較例1 X、1 y以及1 z的移相光罩母 板的半透光膜的元素組成比、折射率、膜厚、透光率、薄 膜電阻以及表面粗度（nmRa )彙整顯示於表1 ° (請先W讀背面之注項再填寫本頁) Γ 裝·

、tT 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） -19 - 31764l ΜB7 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 17 ) 1 1 | ¥r —\τ N err ·—1 Vr «-< ' cv ·—1 Vr Μ cv Η-1 t—* sr 1 m Μ Μ •譜 1 1 I 供 薄 挪 C\D = = 1—» = = = 3 h-ft \ — 噴鍍用鏢靶 組成比 1 V/Si 請 先 聞 背 1 1 *' 1 »1 〇〇 I D 曰 CJl 〇 Ο 1—k μ—A CO to 事 項 I I ο \ 〇 1—1 ◦ 〇 CD \ CJI \ ^ zm 再 1 ο \ h—k Ο Ο o 00 CO 00 o CJI Cn〇 oo 1銪 填 爾 CJ1 ο ο ο \ Ο \ o o \ o ◦ \ o 本 裝 Μ阵 頁 1 I CO 05 — — DC —3 h-* 00 »—k CO DO CO 私 o ^ ^1 I I \ \ \ \ \ 躲 Γ+ ►"*, \ ten 1 Cn〇 <〇 \ 1—* 05 \ ι—^ CO \ cn CO \ H-* CO CN〇 >—1 \ CO o 私 CnO \ 1 1 ο CJI ο — ο CJI \ ο o \ o Oi CO o 05 o \ o — o H-k 00 \ o 巴< 热 ° ^ m 1 訂 J— CnD — 1—* CO CO CO CO ο ΟΊ OD CJI oo o DO cn 樹 CO 私 CN0 οι 1—4 CD 00 00 h—* H-i CO CO μ—i μ-* 00 h—^ o CO 00 CJI π満 "> Λ. 丑 ο ο 私 o cn CO CO CJI U徊 1 I m 卡1 00 ISO H-* μ-Α 1 1 00 CJ1 CO CJI DO ο CJI 1 ο CJI CO t—1 k—λ CJI 私 1 八 八 八 八 八 八 /\ /\ 闲 J—1 CO ο as ο 兴 CJI CO 兴 H-* cn 兴 CsO 1 o 兴 CO 并 CO • 00 并 CT> G雜 \彌 1 曰 P0 — ο Η-* Ο o o 1—A o h—* o ο — o □ _ 1 L_i φ 00 00 1 CO 0) Ul u U固 1 I 砘媧 1 αι CJ1 cn 00 — CO oo to — 7到 1 1—A CJI CJI o 00 3頜 1 I 1 1 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS ) A4規格（2丨OX29*?公釐） -20 - 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 317641 A7 ___ B7_ 五、發明説明（18 ) 茲由表1可知下述的結果。 (i )針對於被導入到噴鍍裝置內的氣體，藉由併用 氬氣和氮氣而獲得的實施例1 a〜1 d的移相光罩母板， 其半透光膜係除了W和S i之外，亦含有N之故，具有優 異的膜厚控制性、以及透光率與電阻之兩種特性的良好平 衡，而且又可將表面的粗度變小，因此具有儍異的加工尺 寸精度。 (ii )藉由適度地改變被導入到噴鍍裝fi中的混合氣 體之氣體混合比Ar/N2 ，可以適度地變更折射率、透 光率以及表面粗度nmR a。例如：混合氣體中的氣體混 合比Ar/N2爲77/23(voI%/vol%)， N2氣體的比例相對地較少之實施例la的情況，半透 光膜的折射率很高，相反地，透光率、薄膜電阻以及表面 粗度n m R a皆很小。在於讓混合氣體中的氣體混合比 Ar/N2 以 25/75、 20/80 及 17/83 ( v ο 1 %/v 〇1 %)之方式使氮氣的比例依序上升的實 施例1 b、1 c及1 d的情況下，半透光膜的折射率依序 下降，另一方面，透光率、電阻以及表面粗度nmR a則 依序增加。以這種方式控制混合氣體中的氣體混合比A r / N 2 ，可將半透光膜的諸物性的數値控制成所期的値且 保持良好的平衡。 (iii)當氣雅混合比Ar/N2 =100/0 ( v ο 1 %/ν ο 1 %)的情況，亦即僅使用Ar氣髏的實 施例1 e的情況，其表面粗度（nmR a )較之資施例 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) "裝· -21 - 如641 A7 _B7_ 五、發明説明（19 ) 1 a〜1 d更小，而可以獲得具有極小的電阻之半透光膜 的移相光罩母板。 (iv )當被導入噴鍍裝置內的氣體僅使用氮氣而獲得 的比較例1 X的移相光軍母板，其半透光部的透光率很高 ，無法獲得身爲半調型移相光罩之充分地性能。又，薄膜 電阻也會增大。 當被導入到噴鍍裝置內的氣體僅使用氧氣所製得的比 較例1 y的移相光罩母板，其半透光部的透光率很高，無 法獲得身爲半調型移相光罩之充分地性能。又，薄膜電阻 以及表面粗度也變大，無法獏得身爲移相光罩的充分性能 0 經濟部中央標準局貞工消费合作社印策 (請先Η讀背面之注$項再填寫本頁) 當被導入到噴鍍裝置內的氣體係使用由氬氣和氧氣所 組成，且氣體混合比Ar/〇2=50/50(vol %/ν ο 1 %)的混合氣體所製得的比較例1 z的移相光 罩母板，係與比較例1 y的移相光罩母板同樣地，其半透 光部的透光率很高，無法獲得身爲半調型移相光罩之充分 地性能。又，薄膜電阻以及表面粗度也變大，無法獲得身 爲移相光罩的充分性能。. (移相光罩母板的製造） 使用上述實施例1 a〜1 e的移相光罩母板來製造移 相光罩。茲佐以第2圖詳細說明如下。 首先，準備好在於透明基板1的表面具有半透光膜 2 a之移相光眾母板（請參考第2圖（a))。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -22 - A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 其次，在於此一移相光眾母板的半透光膜2 a上，，形 成6 0 0 0A厚度的電子線光蝕阻劑膜4 a (東綬公司製 造：CMS-M8)，然後依照預定的圖案照射以電子線 之後，進行光蝕阻劑的顯像以形成光蝕阻劑圖案4 (請參 考第2圖（c ) ) ° 又，實施例1 a〜1 e的移相光罩母板的半透光膜 2 a，與透明基板1之間的蝕刻選擇比（半透光膜的蝕刻 速度/透明基板的蝕刻速度）大於3，所以利用適當的條 件來進行蝕刻，即可幾乎不傷及透明基板1地進行半透光 膜2 a的蝕刻處理。 其次，沿著光蝕阻劑圖案4使用反應性乾式蝕刻方式 (R I E )平行平椬型乾式蝕刻裝置對於半透光膜2 a進 行乾式蝕刻（請參考第2圖（d))。 在於乾式蝕刻後，將殘存的光蝕阻劑圖案4剝離後， 利用洗淨處理，就可以獲得具有半透光部2及透光部3的 移相光罩（請參考第2圖（e))。 經濟部中央揉準局β;工消费合作社印裝 {請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，實施例1 a〜1 e的移相光罩母板，其半透光膜 2 a (半透光部2 )具有充分的與透明基板1之間的附著 性，可以耐住一般的製造光罩時的洗淨過程所進行的超音 波洗淨、刮洗，而且亦具有優異的耐酸性，所以在於上述 洗淨過程所進行的熱濃硫酸洗淨或利用過氧化氫和濃硫酸 的混合液來進行的洗淨皆可充分地耐得住。 所製得的移相光罩係如第3圖所示，當照射曝光用光 線L〇時，此一曝光用光線L〇係分開成：通過半透光部 本紙伕尺度適用中國國家椹準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -23 - 經濟部中央梂準局負工消费合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明（21 ) 2而達未圖示的被轉印體的光線L:;以及通過透光部3 而達同樣的被轉印體的光線L2 。這個時候，通過了半透 光部2的光線Li的强度係爲實質上對於光蝕阻劑的曝光 沒有作用的程度之微弱光線。另一方面，通過了透光部3 的光線L2則是實質上對於曝光有所作用的强光。因此， 可藉以進行圖案的曝光。此時，由於繞射現象的緣故，通 過半透光部2與透光部3的境界處的光線會互相跑到對方 的區域內，但是兩者的光線的相位係處於幾乎相反的關係 ，因此在於境界部附近，兩種光線會互相抵消。藉此，境 界變得極爲明確而可以提高解像度。 使用實施例1 a〜1 e的移相光罩母板所製得的移相 光軍，係可以解決以往的移相光罩所存之前述（1 )〜（ 4 )的問題點，亦即：相位移動量會發生空間性的不一致 :降低半透光膜的透光率；產生塵埃：以及阻礙圖案的更 微細化等問題點。而可以獏得較之以往的移相光罩具有更 優異的性能之移相光罩。 又，所製得的移相光罩，在於可視光領域的透光率大 於2 0 %的程度，其所具的優點之一係：不必因爲要進行 光罩的對位而另外新製作一個用來形成對位用光罩的膜。 在於使用由實施例1 a〜1 e的移相光罩母板所製得 的移相光軍後的結果發現，可以獲得與以往的移相光罩相 同的焦點深度。 (實施例2 ) 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I I —； 11 ΤΓ- 1裝 ---I-訂--II- (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) -24 - A7 _____B7_ 五、發明説明（22 ) (移相光罩母板的製造） 除了將噴鍍用靶的組成比W/S i定爲1/2之點與 實施例1不同之外，其他各點均與實施例1同樣地，將氣 體混合比众1'/1^2設定成以7 7/ 2 3、 2 5/ 7 5 、20/80以及17/83、100/0 (vol%/ v ο 1 %)之方式來變更，而製得實施例2 a、2 b、 2 c、2 d及2 e的移相光罩母板。並將所製得的實施例 2 a〜2 d的移相光罩母板的半透光膜的元素組成比、折 射率、膜厚、透光率、薄膜電阻、表面粗度n m R a顯示 於表2。 爲了進行比較，將一個除了所甩的氬氣和氧氣的混合 比 Ar/〇2 = 5 0/5 0 (vo 1%/vo 1%)的混 合氣體與上述實施例2不同之外，其餘各條件均與之相同 的條件的比較例2 X來製得的移相光罩母板。且將所製得 的比較例2 X的移相光罩母板的元素混合比和諸物性値顯 示於表2。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 裝 、νβ 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印袋 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（2丨0X297公釐〉 -25 * A7 B7 五、發明説明（23 ) 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 (*)關凍嫩桊漭)3nlll248nmssfl

----.--J---1 装------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 26 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裂 A7 B7 五、發明説明（24 ) 茲由表2可知下述的結果。 (i )針對於被導入到噴鍍裝置內的氣體，藉由併用 氬氣和氮氣而獲得的實施例2 a〜2 d的移相光罩母板， 其半透光膜係除了W和S i之外，亦含有N之故，具有優 異的膜厚控制性、以及透光率與電阻之兩種特性的良好平 衡，而且又可將表面的粗度變小，因此具有優異的加工尺 寸精度。 (« )藉由適度地改變被導入到噴鍍裝置中的混合氣 體之氣體混合比A r / N2,可以適度地變更折射率、透 光率以及表面粗度nmR a。例如：混合氣體中的氣體混 合比Ar/N2爲77/23 (vol%/vol%)， N 2氣體的比例相對地較少之實施例2 a的情況，半透 光膜的折射率很高，相反地，透光率、薄膜電阻以及表面 粗度n m R a皆很小。在於讓混合氣體中的氣體混合比 Ar/N2 以 25/75、 20/80 及 17/83( v ο 1 %/ν ο 1 %)之方式使氮氣的比例依序上升的實 施例2 b、2 c及2 d的情況下，半透光膜的折射率依序 下降，另一方面，透光率、電阻以及表面粗度n m R a則 依序增加。以這種方式控制混合氣體中的氣髏混合比A r /N2，可將半透光膜的諸物性的數値控制成所期的値且 保持良好的平衡。 (iii)當氣體混合比Ar/N2 =1 0 0/0 ( v ο 1 %/ν ο 1 %)的情況，亦即僅使用Ar氣體的實 施例2 e的情況，其表面粗度（nmR a )較之實施例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 裝 、·!! -27 - Α7 ^17β4χ _Β7_ 五、發明説明（25 ) 2 a〜2 d更小，而可以獲得具有極小的電阻之半透光膜 的移相光罩母板。 (i v )當被導入噴.鏡裝置內的氣體係使用氬氣和氧 氣所混合而成之氣體混合比爲Ar/〇2 = 5 0/5 0 ( v ο 1 %/ν ο 1 %)的混合氣雅而製得的比較例2 X的 移相光罩母板，其半透光部的透光率很高，無法獲得身爲 半調型移相光罩之充分的性能。又，薄膜電阻及表面粗度 也會增大，無法獲得身爲移相光軍的充分的性能。 (移相光罩母板的製造） 使用實施例2 a〜2 e所製得的移相光罩母板，利用 與實施例1相同的方法來製作移相光罩。 所製得的5種移相光罩，係可以解決以往的移相光罩 所存之前述（1 )〜（4 )的問題點，而可以獲得較之以 往的移相光罩具有更優異的性能之移相光罩。 (實施例3 ) (移相光罩母板的製造） 導入到噴鍍裝置內的氣體係使用氬氣和氮氣和氧氣的 混合氣體，除了將氣體混合比A r /N2 /〇2適度地變 化之外，其他各點均與實施例1同樣的條件下，製得實施 例3 a〜3 f的移相光罩母板。並將所製得的資施例3 a 〜3 f的移相光軍母板的半透光膜的元素組成比、折射率 、膜厚、透光率、薄膜電阻、表面粗度n m R a等諸物性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - ---II I ··— = I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 -28 - A7 B7 五、發明説明（26 値顯示於表3。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消费合作社印装 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 - ^17641 A7 B7 五 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 (*)燄涑嫩桊窩珈誠248n曰潘迗荈 (**)丑^難书苍菡麻【nmRa3 03 ►-+> CO CD CO P- oo CO Od 卬 實施例 No. = = s. = = \ h—a 噴鍍用鏢靶 組成比 W/Si 23/23/54 33/17/50 10/60/30 25/50/25 62/19/19 8/75/17 氣體混合比 Ar/N2/〇2 [vol %] i_ 18/21/10/51 18/22/13/47 19/21/23/37 19/22/22/37 32/35/8/25 19/23/33/25 ^ Ml i~~» \ NUiL C/3 Λ r+ η-. O Vt- ΠΓ (>0 〇 00 h-^ — 00 Cs3 1—A to OO 折射率 1269 1190 1615 1097 805 1512 膜厚 [A] CO cn 00 -<l h—* 〇 cn 0〇 cn 05 ·—i CO CJ1 透光率 [%](*) <1.2*10e <2.0*105 <1.9*10T <5.2*105 <6.7*104 <2.2*10T 薄膜電阻 [ω/口] Ο tn CO CO l—* cn CO oo OO 1—A 1—* CO 表面粗 度（*木） m3 -----------《装------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） 30 經濟部中央樣準局負工消費合作社印製 A7 _B7__ 五、發明説明（28 ) 茲由表3可知下述的結果。 (i )針對於被導入到噴鍍裝置內的氣體，藉由併用 氬氣和氮氣而獲得的實施例3 a〜3 f的移相光罩母板， 其半透光膜係除了W和S i之外，亦含有N之故，具有優 異的膜厚控制性、以及透光率與電阻之兩種特性的良好平 衡，而且又可將表面的粗度變小，因此具有優異的加工尺 寸精度。此外，藉由併用氧氣的結果，膜中亦含有氧元素 ，而顯示出具有增高透光率的傾向。 (ii )藉由適度地改變被導入到噴鍍裝置中的混合氣 體之氣體混合比Ar/N2/〇2，即使膜中的W和Si 的組成比不變，亦可藉由改變N和0的組成比而可以很容 易地變更半透光膜的特性，即折射率、透光率以及電阻達 到作爲移相光罩母板的適當範圍內。 但是，如果0的組成比大於預定的範圍的話，膜表面 的粗度將會變大，將會降低移相光罩的性能。 (移相光罩母板的製造） 使用實施例3 a〜3 f所製得的移相光罩母板，利用 與實施例1相同的方法來製作移相光罩。 所製得的6種移相光簞，係可以解決以往的移相光罩 所存之前述（1)〜（4)的問題點，而可以獲得較之以 往的移相光罩具有更優異的性能之移相光罩。 (實施例4 ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ规格（210 X 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 訂 -31 - 317 641 A7 B7 五、發明説明（29 ) (移相光罩母板的製造） 除了將噴鍍用靶的組成比W/S i定爲1/2 ;以及 將導入到噴鍍裝置內的氣體係使用氬氣和氮氣和氧氣的混 合氣體，並將氣體混合比A r/N2 /〇2適度地變化之 外，其他各點均與實施例1同樣的條件下，製得實施例 4 a〜4 f的移相光軍母板。並將所製得的實施例4 a〜 4 f的移相光罩母板的半透光膜的元素組成比、折射率、 膜厚、透光率、薄膜電阻、表面粗度n mR a等諸物性値 顯示於表4。 —叫袭-- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)

IT 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） * 32 - A7 B7 五、發明説明（30 ) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 (*)豳决横桊筠珈_248nmBf3{i (**)-&、{>難书迹渾邾【η曰RaJ t-h α> CO 實施例 No. = = = μ—i CsD 噴鍍用鏢靶 組成比 W/Si 23/23/54 33/17/50 10/60/30 25/50/25 62/19/19 8/75/17 $體混合比 Ar/Ν2/〇2 [vol %] j 12/24/9/55 13/27/11/49 1 12/26/21/41 13/26/21/40 1 21/44/7/28 14/29/30/27 ^ Ml 卬CO测 r+ η-. g|^ 、pm 巴$妈 〇沣 CsD DO IND tc o CO CO DO 03 DO CD 折射率 1013 907 1330 992 821 1245 膜厚 [Α] 8· 8 GO CO • CO oo • σΰ 1—* CsD 透光率 [%]⑷ <3.8*10β <6. 9*105 <4.0*107 <1.3*106 <3. 1*105 <4.8*107 薄膜電阻 [Ω/m CsD Ο 〇 20. 4 CO CO tn h-* -J cn 表面粗 度（**) m4 —^表-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) JI. 、ν-β 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（21OX297公釐） 33 A7 經濟部中央揉準局負工消費合作社印裝 _ _B7_______五、發明説明（31 ) 茲由表4可知下述的結果。 (i )針對於被導入到噴鍍裝置內的氣體，藉由併用 氬氣和氮氣而獲得的實施例4 a〜4 f的移相光軍母板， 其半透光膜係除了W和S i之外，亦含有N之故，具有儍 異的膜厚控制性、以及透光率與電阻之兩種特性的良好平 衡，而且又可將表面的粗度變小，因此具有優異的加工尺 寸精度。此外，藉由併用氧氣的結果，膜中亦含有氧元素 ，而顯示出具有增高透光率的傾向。 (ii )藉由適度地改變被導入到噴鍍裝置中的混合氣 體之氣體混合比Ατ·/Ν 2/0 2，即使膜中的W和 S i的組成比不變，亦可藉由改變Ν和0的組成比而可以 很容易地變更半透光膜的特性，即折射率、透光率以及電 阻達到作爲移相光軍母板的適當範圍內。 但是，如果0的組成比大於預定的範圍的話，膜表面 的粗度將會變大，將會降低移相光軍的性能。 (移相光罩母板的製造） 使用實施例4 a〜4 f所製得的移相光罩母板，利用 與實施例1相同的方法來製作移相光罩。 所製得的6種移相光眾，係可以解決以往的移相光眾 所存之前述（1 )〜（4 )的問題點，而可以獲得較之以 往的移相光罩具有更傻異的性能之移相光罩。 (實施例5 ) 本紙張又度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

T 、11 f -34 - A7 __B7_ 五、發明説明（32 ) (移相光罩母板的製造） 除了將噴鍍用靶的組成比Ta/Si定爲1/1 ;以 及將導入到噴鍍裝置內的氣體係使用氬氣和氮氣和氧氣的 混合氣體，並將氣體混合比Ar/N2 /〇2以2 5/ 75/0、25/50/25、100/0/0 (vol %/ν ο 1 %)的方式進行改變之外，其他各點均與寅施 例1同樣的條件下，製得實施例5 a〜5 c的移相光罩母 板。並將所製得的實施例5 a〜5 c的移相光罩母板的半 透光膜的元素組成比、折射率、膜厚、透光率、薄膜電阻 、表面粗度n mR a等諸物性値顯示於表5。 I-----------《装------訂------^ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局負工消费合作社印装 準 梯 家 國 國 |囔 公 97 2 5 3 k 消—作社— 317641 A7 B7 五、發明説明（33 ) οι \-Γ N cn \-r 、.cv cn Vr X C"V cn CJl cn w Μ 齊 .譜 m H-* I—l 铒鶴 = = — = = t—^ KA 獮 CJl ο ◦ 1—A C\D to —\ ^ it ο o CJl CJl < ο \ C5 o o CJl o -J CJl 1—» $鏑. CJ1 ο o o \ o \ o \ ts5 \ o . 家 ο Π> cn Μ芪 DO CJI t—k CsD I—i IND CO — CO -J \ CO \ \ μ-4 cn to 03 I-Π >姗 ο \ CJl \ >—A \ CO \ h—^ Γ+ >-*· ο o -J CO o CJl 私 Cs〇 家 $铒 CJ1 ◦ \ CO CJl \ o Ο芪 CO ISD to ►—l to l—l DO »—k CJl CJl oo 〇1 Η·j CO CsO Γ~Π満 tc -J CD 〇 an CO 00 o 800 978 o CD II > U裀 CO CO J豳 CO 03 tn --3 * CO 1_· Mi c> CJl to o DO 0〇 3横 八 DC cn 长 A -<1 CO 兴 八 05 —3 并 /\ l—i CTS 并 A 00 兴 A CO 00 兴 石嫌 7fw \藏 o o H-* Ο μ—» Ο 1—^ 〇 1—^ o □ _ a> 0〇 00 1 01 tn CJl 03 CJl — -<I CsD 9到 CO CJl CO Cn〇 n 女衣I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -J—.

、1T 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） • 36 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（34 ) 茲由表5可知下述的結果。 (i)在於使用鉅（Ta) •矽（Si)組成份的噴 鍍用靶之實施例5中，藉由在被導入到噴鍍裝置內的氣體 含有氮氣和氧氣，以及藉由變更氣體混合比Ar/N2 /〇2而對於該半透光膜的物性所影響之效果係與使用鎢 (W) ·矽（S i )噴鍍用靶的前述實施例1〜4的效果 相同。 (移相光單母板的製造） 使用實施例5 a〜5 c所製得的移相光罩母板，利用 與實施例1相同的方法來製作移相光軍。所製得的3種移 相光罩，係可以解決以往的移相光罩所存之前述（1 )〜 (4 )的問題點，而可以獲得較之以往的移相光罩具有更 優異的性能之移相光罩。 (實施例6 ) (移相光罩母板的製造） 除了將噴鍍用靶的組成比Ta/S i定爲1/2之外 ，其他的條件均與實施例5同樣的條件，製得實施例6 a 〜6 c的移相光眾母板。並將所製得的實施例6 a〜6 c 的移相光罩母板的半透光膜的元素組成比、折射率、膜厚 、透光率、薄膜電阻、表面粗度n m R a等諸物性値顯示 於表6。 此外，爲了進行比較起見，除了使用Ar/〇2= 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（21 OX297公釐） I. I - M— - —I —— 士表| - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f -37 -

31764J A7 B7 五、發明説明（35 ) 50/50 (vol%/vol%)的混合氣體的條件不 同之外，其他均與實施例相同條件下來製得比較例6 X的 移相光罩母板。並將所製得的比較例6 X的移相光罩母板 的半透光膜的元素組成比、折射率、膜厚、透光率、薄膜 電阻、表面粗度nmRa等諸物性値顯示於表6。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 叫装· 訂 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印装 本紙張尺度適用中國國家樑準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -38 - «764ί Λ7 Β7 五、發明説明（36 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 9)關凍嫩桊薄淛a248nm^s{i (¾)廿、7難书迹筇砘【nmRa】 os Vr X Cv 05 05 OD 卬 ^ n Μ •譜 鸢 餌爾 1—^ 1—^ \ ISO = = \ CvO 00 玀 m cn H-k CO to Γ-—l ο \ 〇 ◦ CJl \ CJl o CL繭 ο \ o CJl -<I CJl f 1 CJl o \ o \ CsD <=> • > φ cn M Yr — DO CO CO CO h-i CO CO CT> \ to \ CO I—1 t» \ —J \ — \ o \ 、, o o to 1—A CJl -a CJ1 CO ◦ CO CO o 〇芪 CO CO Cs3 CO CsD o μ—k a> l—i tn 谢 μ—» 1—^ r~n蒎 〇 <〇 0¾ a CnD II > —3 CJ1 <1 o ^裀 7燄 -a cn CT> CT> \_1 ΓΝ --3 ΟΊ 〇 A 00 DC •H* 八 CO CO 兴 八 CD OO 兴 八 cn 兴 ^ » ►«―^ ?*7·，ι μ—» O o H-* 〇 o □ Λ CD 1 CO Ul 03 — 00 cn S到 CJl μ-k ^ m m6 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

T 装.

*1T 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 39 經濟部中央棣準局負工消費合作社印製 A7 _____B7_ 五、發明説明（37 ) 茲由表6可知下述的結果。 (i )在於使用鉅（Ta) •砂’（S i )組成份的噴 鍍用耙之實施例6中，藉由在被導入到噴鍍裝置內的氣體 含有氮氣和氧氣，以及藉由變更氣體混合比Ar/N2 /〇2而對於該半透光膜的物性所影響之效果係與使用鎢 (W ) •矽（S i )噴鍍用靶的前述實施例1〜4的效果 相同。 (移相光罩母板的製造） 使用資施例6 a〜6 c所製得的移相光罩母板，利用 與實施例1相同的方法來製作移相光軍。所製得的3種移 相光罩，係可以解決以往的移相光軍所存之前述（1 )〜 (4 )的問題點，而可以獲得較之以往的移相光罩具有更 儍異的性能之移相光罩。 (i)在於使用鉅（Ta) •矽（Si)組成份的噴 鍍用靶之實施例6中，藉由在被導入到噴鍍裝置內的氣體 含有氮氣和氧氣，以及藉由變更氣體混合比Ar/N2 /〇2而對於該半透光膜的物性所影響之效果係與使用鎢 (W ) •矽（S i )噴鍍用靶的前述實施例1〜4的效果 相同。 (移相光罩母板的製造） 使用實施例6 a〜6 c所製得的移相光罩母板，利用 與實施例1相同的方法來製作移相光覃。所製得的3種移 本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨Ο X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •叫装·

.1T -40 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 __B7_五、發明説明（38 ) 相光罩，係可以解決以往的移相光罩所存之前述（1)〜 (4 )的問題點，而可以獏得較之以往的移相光罩具有更 優異的性能之移相光罩。 (實施例7 ) (移相光罩母板的製造） 除了使用由C r和S i所組成的噴鍍用靶的條件之外 ，其他的條件均與實施例1同樣的條件，製得實施例7 a 的移相光罩母板。並將所製得的實施例7 a的移相光罩母 板的半透光膜的元素組成比、折射率、膜厚、透光率、薄 膜電阻、表面粗度nmRa等諸物性値顯示於表7。 此外，爲了進行比較起見，雖然也是使用由C r和 S i所組成的噴鍍用靶，但是其使用的氣體則是分別單獨 地導入氧氣和氮氣到噴鍍裝置內的條件下來製得比較例 7 X和7 y的移相光罩母板。並將所製得的比較例7 X和 7 y的移相光罩母板的半透光膜的元素組成比、折射率、 膜厚、透光率、薄膜電阻、表面粗度n m R a等諸物性値 顯示於表7。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

T 装·

，1T 表紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公嫠） -41 - A7 B7 317641 五、發明説明（39 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印裝 (*)燄凍嫩燊薄珈_248|潘3麻 (**)-a-、i>難书菡^涴【nmRal 比較例 7y 比較例 7x ϊ3 實施例 No. 3 1—k \ h—« Η-1 \ CO 噴鍍用鏢靶 組成比 W/Si 0/100/0 0/0/100 25/50/25 氣體混合比 Ατ/Nz/〇2 [vol %] 11/13/76/0 13/16/0/71 14/29/20/37 ^ Ml 11 \ MilL CD C/3 娜 rf η-·逆 Ο Yr -<1 μ—ι σ> to οο 折射率 1877 2263 1007 膜厚 [Α] 25. 4 DO OO μ—i 05 透光率 [%](*) <5.3*108 <8·6木108 _i <1.1木10β 薄膜電阻 [Ω/m 05 0¾ 00 00 CO 表面粗 度（林） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 42 A7 B7 317641 五、發明説明（40 ) (移相光罩母板的製造） 使用實施例7 a所製得的移相光罩母板，利用與實施 例1相同的方法來製作移相光罩。所製得的移相光罩，係 可以解決以往的移相光罩所存之前述（1 )〜（4 )的問 題點，而可以獲得較之以往的移相光罩具有更優異的性能 之移相光罩。 (實施例8 ) (移相光罩母板的製造） 除了使用由T i和S i所組成的噴鍍用靶的條件之外 ，其他的條件均與實施例1同樣的條件，製得實施例8 a 的移相光簟母板。並將所製得的實施例8 a的移相光罩母 板的半透光膜的元素組成比、折射率、膜厚、透光率、薄 膜電阻、表面粗度n m R a等諸物性値顯示於表8。： 此外，爲了進行比較起見，雖然也是使用由T i和 S i所組成的噴鍍用靶，但是其使用的氣體則是分別單獨 地導入氧氣和氮氣到噴鍍裝置內的條件下來製得比較例 8 X和8 y的移相光罩母板。並將所製得的比較例8 X和 8 y的移相光軍母板的半透光膜的元素組成比、折射率、 膜厚、透光率、薄膜甯阻、表面粗度n m R a等諸物性値 顯示於表8。 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装_ -β 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印11 -43 - 417631

7 B 五、發明説明（41 ) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (3豳涞揋染窩MniM248nmBfs 比較例 8y 比較例 8χ οο 03 實施例 No. = Η-^ μ-* >—* tsD 噴镀用鏢靶 組成比 f/Si 0/100/0 0/0/100 25/50/25 氣體混合比 Ar/N2/〇2 [vol %] 13/14/73/0 η 14/15/0/71 15/31/19/35 ^ Ml 鬥、城 rf —·激 O Yr — 03 1—4 CJ1 CO VO 折射率 2199 2418 1074 膜厚 [Α] to oo 00 34. 5 05 CD 透光率 [%](*) <5.9*108 <6.8*108 <1·4木10β 薄膜電阻 [Ω /□] cn ο CJ1 σ> CJ1 表面粗 度（**) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 44 31764t A7 B7 經濟部中央梯準局員工消费合作社印製 五、發明説明（42 ) (移相光罩母板的製造） 使用實施例8 a所製得的移相 例1相同的方法來製作移相光罩。 可以解決以往的移相光罩所存之前 題點，而可以獲得較之以往的移相 之移相光眾。 上述實施例1〜8所製得的移 印刷處理等製程之中。這種照相印 於在於其基板上塗佈了光蝕阻劑且 雔，使用曝光裝置將移相光軍的圚 利用曝光方式來將光罩圖案轉印到 第3圖所示的方式。第3圖係以示 印體上的曝光用光線的强度，係可 轉印。至於曝光用光線的波長除了 g 線）、_3 6 5 n m ( i 線）、2 雷射）之外，亦可使用19 3nm 。上述的圇案轉印方法係使用具有 度且低電阻的半透光膜之移相光罩 高加工尺寸精度的圇案轉印，例如 0. 3 Pin的園孔圖案之曝光轉印 因靜電而在於光罩上吸附塵埃所造 光罩母板，利用與資施 所製得的移相光罩，係 述（1 )〜（4 )的問 光罩具有更優異的性能 相光罩 刷處理 經過預 案轉印 被轉印 意圖的 進行髙 可以使 4 8η (A r :預定 母板之 :在於 的製程 成的問 係可使 的製程 烘烤後 到被轉 體上的 方式顯 解像度 用4 6 m ( K F激勵 範圍內 故，可 基板上 。而且 題0 用於照相 ，係針對 的被轉印 印體上。 過程係如 示出被轉 的圖案之 8 n m ( r F激勵 雷射）等 的表面粗 竭用在於 形成直徑 又可降低 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,11 本紙張尺度逋用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -45 -

Claims (1)

1. 317641 修正補充 a A8 B8 C8 D8 經濟部中央樑率局Λ工消费合作社印*. 六、申請專利範圍 附件1 : 第841 0751 7號專利申請案 中文申請專利範國修正本 民國85年11月修正 1.一種移相光罩母板，其特徽爲： 在於透明基板上具有：至少包含遷移金屬和矽和氮的 半透光膜，且該半透光膜中所含的矽之中與遢移金羼直接 結合而形成矽化物者砂佔所有的矽元素的一半以下· 2 .如申請專利範圈第1項之移相光罩母板，其中的 半透光膜中的氮元索的比例爲5〜70a t%者· 3.如申請専利範園第1或2項之移相光罩母板，其 中的半透光膜中係又含有氧元素者· 4 .如申請專利範園第3項之移相光罩母板，其中所 含的氧元索比例是未達7 0 a t %者。 5 .如申請專利範園第1項之移相光罩母板，其中的 半透光膜中的遷移金羼的比例係5〜5 5 a t%者。 6 .如申請專利範園第1項之移相光罩母板，其中的 半透光膜中的矽元索的比例係5〜80a t%者。 7 .如申請拿利範圏第1項之移相光罩母板，其中的 遷移元素係爲鎢、鉅、鉻、鈦之中的至少一種。 8.如申請專利範幽第1項之移相光軍母板，其中 半透光膜的薄膜電阻爲50〜5X107 Ω/□者· 9 . 一種移相光罩母板的製造方法，係用以製造如申 腈專利範圏第1項所記載移相光軍母板，其特徽爲： 本&張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） '~ 戈一： I—----------——tr----—λ, (請先《讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 Sl?64l B8 C8 _________D8 六、申請專利範圍 係以遷移金屬和矽元索當作濺射標粑，並將至少含有 &氣和、氮氣及/或氮化物氣髏的混合氣體導入濺射裝置 內執行濺射而形成半透光膜。 10 .如申請專利範園第9項之移相光罩母板的製造 方法，其中導入濺射裝置內的氣II總流量中所佔的氮氣及 /或氮化物氣《I的比例係5〜9 0 V ο 1 % · 11. 如申請專利範園第9或10項之移相光罩母 板的製造方法，其中氮化物氣體係爲選自氨氣、N20、 N0、NF3之中的至少一種。 12. —種移相光罩母板，其特撤爲： 係具有：針對於申請專利範圓第1項的移相光罩母 板的半透光膜，利用根據預定的圓案實施選擇性地除去的 圖案處理而製得的由：透光部與半透光部所組成的光罩圖 案者· 1 3 種移相光罩母板，其特徴爲： 在透明基板上具有半透光膜，且曝光用光線對於該半 透光膜的透光率爲4〜20%,可視領域的光線對於該半 透光膜的透光率爲3 0〜7 0% · 1 4 . 一種圖案轉印方法，係屬於用以將形成在光罩 上的圖案轉印到被轉印II上的曝光轉印方法，其特徵爲： 上述的光罩係使用申請專利範園第13項所述的移相 光罩者· 15. —種移相光軍母板，其槪徽爲： 在透明基板上具#半透光膜，且該半透光膜上的曝光 本紙張尺度逋用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公簸) ~ (請先Μ讀背面之注項再填寫本頁) , --- A8 ^ ^β4χ_§__ 六、申請專利範圍 用光線的入射面的中心線的平均粗度爲0.1〜50nm R a者。 16. —種#相光軍母板，係具有：針對於申請專 利範園第1 3或1 4項的移相光罩母板的半透光膜，利用 根據預定的圖案實施選擇性地除去的圓案處理而製得的由 :透光部與半透光部所組成的光罩圖案者。 1 7 . —種圖案轉印方法，係屬於用以將形成在光罩 上的圖案轉印到被轉印體上的曝光轉印方法，其特徵爲： 上述的光罩係使用申請専利範園第16項所述的移相 光罩者。 --------^------^------C; (請先聞讀背面之注^^項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局負工消费合作社印装 本紙狀纽财卵家辧（CNS)m祕（應歸羡）_ 3 _