KR970068130A - 저전압 연산 증폭기 입력단 및 입력 방법 - Google Patents

저전압 연산 증폭기 입력단 및 입력 방법 Download PDF

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KR970068130A
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로버트 엔. 도트슨
리차드 에스. 그리피스
로버트 엘. 빈
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빈센트 비. 인그라시아
모토로라 인코포레이티드
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Abstract

저전압 연산 증폭기(10)는 0℃에서 70℃의 온도범위에 걸쳐서 1볼트에서 8볼트의 전압범위에서 동작한다. 연산 증폭기 입력단(12)은 차동 입력의 증폭을 제공하고 일정한 상호컨덕턴스를 유지하기 위해 N채널 공핍 모드 MOSFET를 사용한다. 소오스 팔로워 MOSFET(13)는 AC 신호, 즉 STAGE-1 OUTPUT를 전송할 때에 단위 이득을 전류 싱킹 트랜지스터(18)의 베이스측에 제공한다. 싱킹 제어회로(14)와 공급 제어회로(22)는 트랜지스터(18, 24)의 베이스 구동 전류를 생성한다. 상기 입력 신호에 따라 SINK PASS THROUGH 신호의 AC 신호 경로는 전류를 싱킹하기 위해 연산 증폭기 출력 싱크 트랜지스터를 제어하거나, 연산 증폭기 공급 트랜지스터를 제어하는 SOURCE PASS THROUGH 신호로 하여금 전류를 공급하게 한다. 출력단은 대략 50밀리암페어의 전류구동신호를 제공하고, 출력 구동기가 선택될 때까지 변함없이 이를 유지하게 된다.

Description

저전압 연산 증폭기 입력단 및 입력 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 연산 증폭기의 블록도.

Claims (5)

  1. 저전압 연산 증폭기 입력단(12)에 있어서, 차동 입력 신호(VIN)를 수신하기 위한 입력단자; 상기 입력단자에 접속된 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 차동쌍(30, 32)으로서, 상기 차동 입력 신호(VIN)를 수신하고 교류 전류(AC) 입력을 발생하는 MOSFET의 차동쌍(30, 32); 및 상기 MOSFET의 차동쌍(30, 32)에 접속되어, 상기 AC 입력을 수신하고 입력단 출력(67)을 발생하는 전류 바이어스 회로(39)로서, 상기 입력단 출력(67)이 증폭된 차동 입력 신호(VIN)인 전류 바이어스 회로(39)를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 저전압 연산 증폭기 입력단.
  2. 제1항에 있어서, 상기 MOSFET의 차동쌍(30, 32)은 N채널 공핍 모드 트랜지스터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 저전압 연산 증폭기 입력단.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 차동 입력 신호(VIN)는 접지 기준에 가까우며, 이에따라 상기 MOSFET의 차동쌍(30, 32)은 포지티브 공급 레일의 차동 입력 신호(VIN)를 감지하기 위해 몸체 효과로 인한 문턱치를 접지 레일에서 감지할 수 있고 시프트시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 저전압 연산 증폭기 입력단.
  4. 저전압 연산 증폭기에의 증폭된 입력 제공방법에 있어서, 차동 입력(VIN)을 수신하는 단계; 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 차동쌍(30, 32)의 게이트에 상기 차동 입력(VIN)을 인가하는 단계; 및 상기 MOSFET의 차동쌍(30, 32)의 포화 전류를 기초로 상기 MOSFET의 차동쌍(30, 32)의 드레인 출력으로부터의 증폭된 입력을 제공하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 저전압 연산 증폭기에의 증폭된 입력 제공방법.
  5. 저전압 연산 증폭기에의 증폭된 입력 제공 방법에 있어서, 연산 증폭기 입력단 출력(67)측에서 공급 전류 능력과 싱크 전류 능력을 일치시키는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 저전압 연산 증폭기에의 증폭된 입력 제공방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970009126A 1996-03-19 1997-03-18 저전압 연산 증폭기 입력단 및 입력 방법 KR970068130A (ko)

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