KR970063421A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970063421A
KR970063421A KR1019960043706A KR19960043706A KR970063421A KR 970063421 A KR970063421 A KR 970063421A KR 1019960043706 A KR1019960043706 A KR 1019960043706A KR 19960043706 A KR19960043706 A KR 19960043706A KR 970063421 A KR970063421 A KR 970063421A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
semiconductor device
emitter layer
region
main electrode
Prior art date
Application number
KR1019960043706A
Other languages
English (en)
Inventor
가쯔미 이시가와
가쯔아끼 사이또오
유타까 사또오
아쯔오 와따나베
슈우지 가또오
나오히로 몬마
Original Assignee
가나이 쯔도무
가부시키가이샤 히다치 세사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP25597195A external-priority patent/JP3239714B2/ja
Priority claimed from JP8042431A external-priority patent/JPH09237904A/ja
Application filed by 가나이 쯔도무, 가부시키가이샤 히다치 세사쿠쇼 filed Critical 가나이 쯔도무
Publication of KR970063421A publication Critical patent/KR970063421A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
    • H01L29/32—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/913—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes with means to absorb or localize unwanted impurities or defects from semiconductors, e.g. heavy metal gettering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Abstract

다이오드나 사이리스터등과 같이 한쌍의 주표면사이에 적어도 1개 이상의 pn접합을 가지며, 한쪽의 주표면 및 다른쪽의 주표면에 각각 제1주전극 및 제2주전극이 설치되는 반도체장치에 있어서, 반도체격자결함이 제1주전극으로부터 제2주 주전극을 향하여 격자결함밀도가 순차 높아지도록 형성된다. 본 발명에 의하면, 도통상태의 캐리어농도분포를 평탄화할 수 있기 때문에 온전압을 상승시키지 않고 역회복전하를 저감할 수 있다.

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 저라이프타임영역을 깊이방향으로 변화시킨 경우의 온전압(VT)과 역회복전하(Qr)의 관계.

Claims (16)

  1. 한쌍의 주표면을 가지고 주표면간에 적어도 한 개이상의 pn 접합을 가지며, 한쪽의 주표면에 제1주전극이 형성되고, 다른쪽의 주표면에 제2주전극이 형성되는 반도체장치에 있어서, 격자결함이 제1주전극으로부터 제2 주전극을 향하여 격자결함밀도가 순차 높아지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 정격전암을 유지할 때 형성되는 공핍층영역의 바깥측에 격지결함밀도의 극대치가 되는 위치를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1도전형의 제1에미터층과 제1에미터층에 인접하는 제2도전형의 제1베이스층과, 제1베이스층에 인접하는 제1도전형의 제2베이스층과, 제2베이스층에 인접하는 제2도전형이 제2에미터층을 가지며 제1에미터층에 제1주전극이 형성되고, 제2에미터층에 제2주전극이 형성되는 반도체장치에 있어서, 격자결함이 제1주전극으로부터 제2주전극을 향하여 격자결함밀도가 순차 높아지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제3항에 있어서, 정격전압을 유지할 때 상기 제2베이스층과 상기 제2에미터층과의 사이에서 형성되는 공핍층영역의 바깥측에 격자결함밀도의 극대치가 되는 위치를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제3항에 있어서, 라이프타임이 제1주전극으로부터 제2주전극을 향하여 짧아지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제1도전형의 제1에미터층과, 제1에미터층에 인접하는 제2도전형의 제1베이스층과, 제1베이스층에 인접하는 제1도전형의 제2베이스층과, 제2베이스층에 인접하는 제2도전형의 제2에미터층을 가지며, 제1에미터층에 제1주전극에 형성되고, 제2에미터층에 제2주전극이 형성되는 반도체장치에 있어서, 라이프타임이 제2주전극으로부터 제1주전극을 향하여 짧아지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  7. 제1도전형의 제1에미터층과, 제1에미터층에 인접하는 제2도전형의 제1베이스층과, 제1베이스층에 인접하는 제1도전형의 제2베이스층과, 제2베이스층에 인접하는 제2도전형의 제2에미터층을 가지며, 제1에미터층에 제1주전극이 형성되고, 제2에미터층에 제2주전극이 형성되는 반도체장치에 있어서, 제2에미터층내에 제2에미터층내의 다른 부분보다도 라이프타임이 짧은 제1영역을 가지며, 제2베이스층내에 제2베이스층의 다른부분보다도 라이프타임이 짧은 제2영역을 가지며, 또한 제1영역의 라이프타임은 제2영역의 라이프타임보다도 짧은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1영역이 상기 반도체장치에 정격전압을 인가하였을 때 제2에미터층내의 생기는 공핍층영역보다 바깥측에 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제2영역이 제2베이스층내의 중앙보다도 상기 제2에미터층측에 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 라이프타임이 반도체층에 있어서의 격자결함의 도입에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1영역에 있어서, 그 격자결함의 총량이 상기 제2영역의 격자결함의 총량의 1배 내지 10배인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  12. 제1도전형의 제1에미터층과, 제1에미터층에 인접하는 제2도전형의 제1베이스층과, 제1베이스층에 인접하는 제1도전형의 제2베이스층과, 제2베이스층에 인접하는 제2도전형의 제2에미터층을 가지며, 제1에미터층에제1주전극이 형성되고, 제2에미터층에 저2주전극이 형성되는 반도체장치에 있어서, 제2에미터층내에서 제1에미터층내를 향하는 방향의 라이프타임이 순차 연속하여 길어지는 영역을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 라이프타임이 순차 연속하여 길어지는 영역이 상기 제2베이스층내의 중앙보다도 상기 제2에미터충측에 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 라이프타임이 순차 연속하여 길어지는 영역에의 제2에미터층내의 부분의 라이프타임이 제2베이스층내의 부분의 라이프타임보다도 짧은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 라이프타임이 반도체층에 있어서의 격자결함의 도입에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 라이프타임이 순차 연속하여 길어지는 영역에 있어서, 격자결함의 최대치가 상기 반도체장치에 정격전압을 인가하였을 때, 제2에미터층내에 생기는 공핍층영역보다 바깥측에 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960043706A 1995-10-03 1996-10-02 반도체장치 및 그 제조방법 KR970063421A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25597195A JP3239714B2 (ja) 1995-10-03 1995-10-03 半導体装置
JP7-255971 1995-10-03
JP8042431A JPH09237904A (ja) 1996-02-29 1996-02-29 半導体装置及びその製造方法
JP8-042431 1996-02-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970063421A true KR970063421A (ko) 1997-09-12

Family

ID=26382124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960043706A KR970063421A (ko) 1995-10-03 1996-10-02 반도체장치 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5883403A (ko)
EP (1) EP0767500A3 (ko)
KR (1) KR970063421A (ko)
CN (1) CN1150337A (ko)
CA (1) CA2186796C (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3929557B2 (ja) * 1997-07-30 2007-06-13 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
EP2172976A3 (en) * 1998-09-10 2010-05-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor Device
JP2003501825A (ja) 1999-06-08 2003-01-14 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト リカバリタイム保護機能が集積されたサイリスタ及びその製造方法
DE10055446B4 (de) * 1999-11-26 2012-08-23 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US6770911B2 (en) * 2001-09-12 2004-08-03 Cree, Inc. Large area silicon carbide devices
US6514779B1 (en) 2001-10-17 2003-02-04 Cree, Inc. Large area silicon carbide devices and manufacturing methods therefor
DE10223951B4 (de) * 2002-05-29 2009-09-24 Infineon Technologies Ag Hochvoltdiode mit optimiertem Abschaltverfahren und entsprechendes Optimierverfahren
JP2004288680A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Mitsubishi Electric Corp 圧接型半導体装置
JP2006099936A (ja) * 2004-08-30 2006-04-13 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及びガラス基板用の円柱状ガラス母材
US7314521B2 (en) * 2004-10-04 2008-01-01 Cree, Inc. Low micropipe 100 mm silicon carbide wafer
US7314520B2 (en) * 2004-10-04 2008-01-01 Cree, Inc. Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer
CN103943672B (zh) * 2006-01-20 2020-06-16 英飞凌科技奥地利股份公司 处理含氧半导体晶片的方法及半导体元件
JP2016029685A (ja) * 2014-07-25 2016-03-03 株式会社東芝 半導体装置
JP6846119B2 (ja) * 2016-05-02 2021-03-24 株式会社 日立パワーデバイス ダイオード、およびそれを用いた電力変換装置
CN108288656B (zh) * 2018-03-08 2020-03-31 电子科技大学 高di/dt耐量光控晶闸管
CN111954926B (zh) * 2018-04-11 2024-04-30 三菱电机株式会社 半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2534703C3 (de) * 1975-08-04 1980-03-06 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Abschaltbarer Thyristor
JPS5599774A (en) * 1979-01-26 1980-07-30 Semiconductor Res Found Electrostatic induction type thyristor
US4311534A (en) * 1980-06-27 1982-01-19 Westinghouse Electric Corp. Reducing the reverse recovery charge of thyristors by nuclear irradiation
DE3112942A1 (de) * 1981-03-31 1982-10-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor und verfahren zu seinem betrieb
JPH0640581B2 (ja) * 1984-03-23 1994-05-25 株式会社東芝 スイツチング素子
GB2179496B (en) * 1985-08-23 1989-08-09 Marconi Electronic Devices A method of controlling a distribution of carrier lifetimes within a semiconductor material
GB2213988B (en) * 1987-12-18 1992-02-05 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor device
DE3832748A1 (de) * 1988-09-27 1990-03-29 Asea Brown Boveri Leistungshalbleiterdiode
JPH0650738B2 (ja) * 1990-01-11 1994-06-29 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP3281145B2 (ja) * 1993-10-28 2002-05-13 株式会社東芝 Ｇｔｏサイリスタ

Also Published As

Publication number Publication date
CA2186796C (en) 2001-01-02
US5883403A (en) 1999-03-16
CN1150337A (zh) 1997-05-21
EP0767500A2 (en) 1997-04-09
CA2186796A1 (en) 1997-04-04
EP0767500A3 (en) 1999-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970063421A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
CA1131801A (en) Semiconductor device
KR960036120A (ko) 절연게이트형 반도체장치 및 그 제조방법
US20020149015A1 (en) Light-emitting device and display apparatus using the same
KR970072199A (ko) 높은 강복 전압을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR930020588A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR950034864A (ko) 발광 다이오드 장치와 그 장치의 제조방법
KR940022885A (ko) 반도체 장치 및 그의 제조방법
KR910010735A (ko) 반도체 장치
KR910007160A (ko) 전력용 반도체장치
KR940004848A (ko) 전도도 변조형 반도체 장치 및 그 제조방법
KR970701930A (ko) 높은 래치-업 저항을 가진 실리콘 탄화물을 기초로 한 mis구조물(silicon carbide-based mis structure with high latch-up resistance)
KR910008841A (ko) 과전압 보호 기능부 반도체 장치 및 이의 제조방법
KR920005395A (ko) 광전장치
US4236169A (en) Thyristor device
US4142201A (en) Light-controlled thyristor with anode-base surface firing
US4021837A (en) Symmetrical semiconductor switch having carrier lifetime degrading structure
JP3718223B2 (ja) 縦の溝を有する高電圧用の半導体デバイス
US5360983A (en) Insulated gate bipolar transistor having a specific buffer layer resistance
US4063278A (en) Semiconductor switch having sensitive gate characteristics at high temperatures
JPH01129463A (ja) バイポーラ・トランジスタ
JPS59158561A (ja) アバランシエにより過電圧から自己保護するサイリスタおよびその製造方法
KR840007313A (ko) 매입저항(埋入抵抗)을 가진 반도체 집적회로(半導體集積回路)
KR840005930A (ko) 반도체 장치(半導體裝置)
KR900008911A (ko) 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application