KR950034864A - 발광 다이오드 장치와 그 장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

발광 다이오드를 포함하는 집적 회로 장치가 공개된다.
상기 장치는 여러 분리된 영역들을 가지며, 그들은 적절한 크기의 전압을 인가받을때 서로 협력하여 빛을 방출하는 기능을 한다. 상기 장치는 네가지 분리된 영역을 가진다. 첫번째는 도프된 실리콘 영역이며, 두 번째는 이산화규소 영역이며, 세번째 유기 재료 영역이고, 네번재는 통전 재료 영역이다.
첫번째와 네번째 영역은 정공들과 전자들을 통전 유기재료로 주입시키는 전극들이다. 두번째 영역은 첫번째와 세번째 영역간 에너지 장벽을 낮춰서 상기 중합체가 빛을 방출하는 효율을 개선시킨다. 본 발명의 다이오드는 통상의 집적회로 제조기술을 사용하여 하나의 집적 회로에 제조된다.

Description

발광 다이오드 장치와 그 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 장치에 관한 도면, 제2도는 본 발명의 실시예에 의한 대역 다이어그램.

Claims (15)

  1. 적절한 도펀트로 도프된 실리콘으로 이루어진 제1장치 영역과, 상기 제1장치 영역위에 놓여 있으며 이산화 규소로 이루어지고 두께가 대략 20Å 내지 60Å 인 제2장치 영역과, 상기 제2장치 영역위에 놓여있으며 발광선 유기재료로 이루어진 제3장치 영역과, 상기 제3장치 영역위에 놓여 있으며 최소한 반투명한 전도성 재료로 이루어진 제4장치 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 유기 재료는 페닐렌 비닐렌 중합체와 유기 조정 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1의 장치 영역은 n-도프된 실리콘이며, 상기 제4의 장치영역은 양으로 바이어스된 금속임을 특징으로 하는 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 양으로 바이어스된 금속의 일함수와 상기 유기 재료의 전도대 에너지 준위와의 차이가 대략 2eV 미만임을 특징으로 하는 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1의 장치 영역은 p-도프된 실리콘이며, 상기 제4장치 영역은 음으로 바이어스된 금속임을 특징으로 하는 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 음으로 바이어스된 금속의 일함수와 상기 유기 재료의 가전자대 에너지 준위와의 차이가 대략 2eV 미만임을 특징으로 하는 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 장치가 하나의 집적 회로상에 모놀리식으로 집적된 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 하나의 집적 회로 위에 발광 다이오드를 제조하는 방법으로서, n-형 도펀트들과 p-형 도펀트들로 구성된 그룹으로부터 선택된 적절한 도펀트를 실리콘 웨이퍼의 일부분에 도입시키는 단계와, 상기 도프된 실리콘 웨이퍼위에 대략 20Å 내지 60Å 두께의 이산화규소 층을 성장시키는 단계와, 상기 이산화규소층의 위에 발광성 유기재료를 침착시키는 단계와, 통전 금속 또는 통전 중합체로 구성되는 그룹에서 선택된 통전 재료층을 상기 유기재료층위에 침착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 도펀트는 n-형 도펀트이고 상기 통전재료는 양으로 바이어스된 금속임을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 도펀트는 p-형 도펀트이고 상기 통전 재료는 음으로 바이어스된 금속임을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 발광성 유기재료는 페닐렌 비닐렌 중합체와 유기조정 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 페닐렌 비닐렌 중합체는 폴리(2-메톡시, 5,2′-에틸헥시록시)-p-페닐렌-비닐렌)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 유기 조정 화합물은 8-하이드록시퀴놀린 알루미늄인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 통전 재료는 양으로 바이어스된 금속으로서 그 일함수가 상기 유기재료의 가전자대 에너지 준위로부터 대략 2eV를 초과하지 않는 금속인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 통전 재료는 음으로 바이어스된 금속으로서 그 일함수가 상기 유기재료 전도대의 에너지 준위로부터 대략 2eV를 초과하지 않는 금속인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950002446A 1994-02-17 1995-02-10 발광 다이오드 장치와 그 장치의 제조방법 KR950034864A (ko)

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