KR970063320A - 전계 방출용 냉음극 제조방법 - Google Patents

전계 방출용 냉음극 제조방법 Download PDF

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KR970063320A
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Abstract

실리콘 기판(1b)상에 형성된 첨예한 팁(tip)을 갖는 첨예한 에미터(emitter) (3)를 구비하는 냉음극 제조를 위하여 사용하는 방법이다. 상기 방법은 실리콘 기판 상에 중간 에미터를 형성하는 제1단계를 구비한다. 상기 중간 에미터는 제1 및 제2에미터 영역(33, 34)을 갖는다. 제2에미터 영역은 제1에미터 영역 아래에 배치되며 제1에미터 영역 보다 더 큰 폭(직경)을 갖는다. 상기 방법은 또한 중간 에미터를 산화에 의해서 첨예한 에미터로 처리하는 제2단계를 갖는다.

Description

전계 방출용 냉음극 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4a도 내지 제4h도는 본 발명의 제1실시예에 따라서 냉음극을 설명하기 위한 과정이다.
제5a도 내지 제5d도는 본 발명의 제2실시예에 따라서 냉음극을 제조하는 방법을 설명하는 과정이다.
제6a도 내지 제6h도는 본 발명의 제3실시예에 따라서 냉음극을 제조하기 위한 방법을 설명하는 과정이다.

Claims (8)

  1. 실리콘 기판 상에 형성된 첨예한 팁을 갖는 첨예한 에미터를 구비하는 냉음극 제조 방법에 있어서, 상기 방법은 상기 실리콘 기판 상에 중간 에미터를 형성하는 제1단계로서 상기 중간 에미터는 적어도 제1 및 제2에미터 부분을 가지며, 상기 제2에미터 부분은 상기 제1에미터 부분 아래에 배치되어 있으며, 상기 제1에미터 부분보다 더 긴 폭을 갖는 제1단계와, 상기 중간 에미터를 산화에 의해서 상기 첨예한 에미터로 처리하는 제2단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 냉음극 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 첨예한 에미터는 실리콘으로 구비되는 것을 특징으로 하는 냉음극 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 중간 에미터가 상기 첨예한 에미터로 처리될 때 상기 제1에미터 부분은 상기 중간 에미터 부분에서 첨예한 에미터 부분으로 형성되는 것을 특징으로 하는 냉음극 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1단계는 상기 실리콘 기판 상에 제1마스크를 선택적으로 형성하는 제1형성 단계와, 엣칭 마스크로서 상기 제1마스크막을 사용함으로써 상기 제1에미터 부분을 갖는 엣칭된 실리콘 기판으로 상기 실리콘 기판을 엣칭하는 제1엣칭 단계와, 상기 제1에미터 부분의 측벽에 제2마스크막을 선택적으로 형성하는 제2형성 단계와, 엣칭 마스크로서 상기 제1 및 상기 제2엣칭 마스크의 각각을 사용함에 의해서 이방성 화학 엣칭 하에서 상기 첨예한 에미터를 갖는 처리된 기판으로 상기 엣칭된 실리콘 기판을 엣칭하는 제2엣칭 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 냉음극 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2형성 단계는 화학 기상 증착법에 의해서 상기 엣칭된 실리콘 상에 제3마스크막을 형성하는 단계와, 상기 제1에미터 부분의 측벽에 상기 제2마스크막을 형성하기 위하여 이방성 화학 엣칭에 의해서 상기 제3마스크막을 선택적으로 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 냉음극 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1단계와 상기 제2단계 사이에 중간 단계를 또한 구비하며, 상기 제1마스크막이 상기 중간 단계에서 제거되는 것을 특징으로 하는 냉음극 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제1마스크막이 질화막인 것을 특징으로 하는 냉음극 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2형성 단계가 산화된 실리콘막을 갖는 산화된 기판으로 상기 엣칭된 실리콘 기판을 산화하는 단계와, 상기 제1에미터 부분의 측벽 상에 상기 제2마스크막을 형성하기 위하여 이방성 화학 엣칭에 의해서 상기 산화된 막을 엣칭하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 냉음극 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970003285A 1996-02-07 1997-02-03 전계방출용냉음극제조방법 KR100259826B1 (ko)

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