KR940012444A - 필드에미션장치 및 제조방법 - Google Patents

필드에미션장치 및 제조방법 Download PDF

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KR940012444A
KR940012444A KR1019920021333A KR920021333A KR940012444A KR 940012444 A KR940012444 A KR 940012444A KR 1019920021333 A KR1019920021333 A KR 1019920021333A KR 920021333 A KR920021333 A KR 920021333A KR 940012444 A KR940012444 A KR 940012444A
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이천규
이강옥
최선정
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박경팔
삼성전관 주식회사
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J17/00Gas-filled discharge tubes with solid cathode
    • H01J17/38Cold-cathode tubes

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  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

본 발명은 필드 에미션장치 및 그 제조공정에 관한 것으로서, 반도체 기판 또는 글래스 기판 상에 제1절연막과 그 상부에 필드 에미터 전극이 형성되어 있으며, 상기 필드 에미터 전극에 셀프 얼라인 되어 형성된 게이트 전극이 마련된 필드 에미션 장치에 있어서, 상기 필드 에미터 전극(26)의 선단이 뾰족하게 형성된 구조(27)를 가지는 것을 특징으로 하며, 또 반도체 기판 또는 글래스 기판 상에 제1절연막 형성 공정과, 그 상부에 필드 에미터 전극 형성 공정이 구비된 필드 에미션 장치의 제조 공정에 있어서, 상기 필드 에미터 전극(26) 형성 공정 전에, 상기 제1절연막(22) 상부에 제2절연막(23)을 형성하는 공정과, 그 상부에 포토 레지스트(24)를 도포하여 패터닝한 후, 하부의 제2절연막(23)에 의하여 그림자 영역(25)을 형성시키기 위한 사진 식각 공정과, 이후에 필드 에미터 전극막(26)을 방향성 입자 증착방법으로 증착하여, 상기 그림자영역(25)에 의하여 필드 에미터 전극(26)의 선단이 뾰족하게(27) 형성되는 공정이 마련되는 것을 특징으로 한다.

Description

필드에미션장치 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가)~제2도 (라)는 본 발명에 의한 필드 에미션 장치 및 그 제조공정을 나타내는 단면도 및 사시도,
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 4극 필드에미션 장치의 사시도.

Claims (5)

  1. 반도체 기판 또는 글래스 기판 상에 제1절연막과 그 상부에 필드 에미터 전극이 형성되어 있으며, 상기 필드 에미터 전극에 셀프 얼라인 되어 형성된 게이트 전극이 마련된 필드 에미션 장치에 있어서, 상기 필드 에미터 전극(26)의 선단이 뾰족하게 형성된 구조(27)를 가지는 것을 특징으로 한느 필드에미션장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 필드 에미터 전극(26)의 물질은 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 또는 각종 금속 실리사이드(MoSi2,WSi2, TaSi, TaSi2, TiSi2)중의 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 필드에미션장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 게이트전극(28) 물질로서는 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 니오봄(Nb) 금속 중의 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 필드에미션장치.
  4. 반도체 기판 또는 글래스 기판 상에 제1절연막 형성 공정과, 그 상부에 필드 에미터 전극 형성 공정이 구비된 필드 에미션 장치의 제조 공정에 잇어서, 상기 필드 에미터 전극(26) 형성 공정 전에, 상기 제1절연막(22) 상부에 제2절연막(23)을 형성하는 공정과, 그 상부에 포토 레지스트(24)를 도포하여 패터닝한 후, 하부의 제2절연막(3)을 초과식각 하여 상기 패터닝된 포토 레지스트(24)와 초과 식각된 하부의 제2절연막(23)에 의하여 그림자 영역(25)을 형성시키기 위한 사진 식각 공정과, 이후에 필드 에미터 전극막(26)을 방향성 입자 증착방법으로 증착하여, 상기 그림자영역(25)에 의하여 필드 에미터 전극(26)의 선단이 뾰족하게(27) 형성되는 공정이 마련되는 것을 특징으로 하는 필드에미션장치 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제2절연막(23)은 실리콘 질화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 필드에미션장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920021333A 1992-11-13 1992-11-13 필드 에미션 장치 및 제조방법 KR950003648B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990022217A (ko) * 1995-06-02 1999-03-25 미쉘 디. 포터 단순해진 양극을 갖는 측면-에미터 전계-방출장치 및 그 제조 방법

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