JP2874709B2 - 電界放出型冷陰極の製造方法 - Google Patents
電界放出型冷陰極の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電界放出型冷陰極の
製造方法に関し、特に、先鋭な先端形状を有するエミッ
タの製造方法に関する。
製造方法に関し、特に、先鋭な先端形状を有するエミッ
タの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電界放出型冷陰極は、電界効果によって
エミッタから電子を放出する素子であり、真空スイッチ
ング素子、真空増幅素子、及び微小な表示素子等マイク
ロ真空デバイスにおける重要な構成要素の一つである。
エミッタから電子を放出する素子であり、真空スイッチ
ング素子、真空増幅素子、及び微小な表示素子等マイク
ロ真空デバイスにおける重要な構成要素の一つである。
【０００３】近年、微細化技術が進展につれて、このよ
うな電界放出型冷陰極の製造方法として、加工精度が高
いシリコンを主成分とする種々の方法が提案されてい
る。そして、電界放出型冷陰極の製造方法において、例
えば、シリコンを等方性エッチングして、先鋭な先端形
状を有するエミッタを形成する方法が知られている（例
えば、特開平５−９４７６２号公報）。ところが、この
方法では、エッチング時にコーン形成の終了時間判定が
困難となり、このため、制御性の高い酸化あるいは異方
性のエッチングを利用する方法が検討されている（例え
ば、特開平３−９５８２９号公報及びＩＥＤＭ（インタ
ーナショナル・エレクトロン・デバイスミーティン
グ）、２３〜２４ページ、１９９４年）。
うな電界放出型冷陰極の製造方法として、加工精度が高
いシリコンを主成分とする種々の方法が提案されてい
る。そして、電界放出型冷陰極の製造方法において、例
えば、シリコンを等方性エッチングして、先鋭な先端形
状を有するエミッタを形成する方法が知られている（例
えば、特開平５−９４７６２号公報）。ところが、この
方法では、エッチング時にコーン形成の終了時間判定が
困難となり、このため、制御性の高い酸化あるいは異方
性のエッチングを利用する方法が検討されている（例え
ば、特開平３−９５８２９号公報及びＩＥＤＭ（インタ
ーナショナル・エレクトロン・デバイスミーティン
グ）、２３〜２４ページ、１９９４年）。
【０００４】ここで、図６及び図７を参照して、従来の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【０００５】まず、例えば、ｎ型のシリコン基板１の上
に厚さ０．５μｍの窒化膜２をＣＶＤ法で形成する（図
６（ａ））。次に、イオンエッチング法により、直径が
冷陰極の高さ（例えば、０．５μｍ）の２倍、例えば、
１μｍφの窒化膜２に加工する（図６（ｂ））。
に厚さ０．５μｍの窒化膜２をＣＶＤ法で形成する（図
６（ａ））。次に、イオンエッチング法により、直径が
冷陰極の高さ（例えば、０．５μｍ）の２倍、例えば、
１μｍφの窒化膜２に加工する（図６（ｂ））。
【０００６】その後、温度約１０００℃で熱酸化法によ
って、酸化膜５を形成する。この際、窒化膜２がない部
分（領域）において、酸化膜５の厚さは約０．５μｍと
される（図６（ｃ））。この工程において、図６（ｃ）
に示すように、窒化膜２の下に円錐状のエミッタ３が形
成される。
って、酸化膜５を形成する。この際、窒化膜２がない部
分（領域）において、酸化膜５の厚さは約０．５μｍと
される（図６（ｃ））。この工程において、図６（ｃ）
に示すように、窒化膜２の下に円錐状のエミッタ３が形
成される。
【０００７】次に、蒸着法によって、例えば、Ｍｏより
なる金属電極膜６及び６１をそれぞれ酸化膜５及び窒化
膜２上に１００ｎｍ厚に堆積する（図７（ａ））。この
ように、蒸着法によって金属電極膜を形成すると、窒化
膜２上の金属電極膜６１と酸化膜５上の金属電極膜６と
は分離される。
なる金属電極膜６及び６１をそれぞれ酸化膜５及び窒化
膜２上に１００ｎｍ厚に堆積する（図７（ａ））。この
ように、蒸着法によって金属電極膜を形成すると、窒化
膜２上の金属電極膜６１と酸化膜５上の金属電極膜６と
は分離される。
【０００８】そして、リン酸等のエッチング液を用いて
窒化膜２を除去する（図７（ｂ））。この工程で、窒化
膜２上の金属電極膜６１は同時にリフトオフされ除去さ
れる。その後、弗酸等のエッチング液でエミッタ３周辺
の酸化膜５を除去して電界放出型冷陰極が形成される
（図７（ｃ））。
窒化膜２を除去する（図７（ｂ））。この工程で、窒化
膜２上の金属電極膜６１は同時にリフトオフされ除去さ
れる。その後、弗酸等のエッチング液でエミッタ３周辺
の酸化膜５を除去して電界放出型冷陰極が形成される
（図７（ｃ））。
【０００９】次に、図８及び図９を参照して、従来の他
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【００１０】まず、例えば、熱酸化法を用いて、ｎ型の
シリコン基板１上に０．２μｍ厚の酸化膜２１を形成す
る（図８（ａ））。次に、レジストマクス（図示せず）
をエミッタとなる領域に形成した後、酸化膜２１を選択
的に除去しパターニングし、さらに、レジストマクスを
除去した後、酸化膜２１をマスクとしてシリコン基板１
を異方性エッチングして、凸型のエミッタ先鋭化領域３
１を形成する（図８（ｂ））。
シリコン基板１上に０．２μｍ厚の酸化膜２１を形成す
る（図８（ａ））。次に、レジストマクス（図示せず）
をエミッタとなる領域に形成した後、酸化膜２１を選択
的に除去しパターニングし、さらに、レジストマクスを
除去した後、酸化膜２１をマスクとしてシリコン基板１
を異方性エッチングして、凸型のエミッタ先鋭化領域３
１を形成する（図８（ｂ））。
【００１１】次に、ＥＰＷ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍ
ｉｎｅ−ｐｙｒｏｃａｔｈｅｃｈｏｌ−ｗａｔｅｒ）液
等の異方性エッチング液を用いて、酸化膜２１をマスク
としてシリコン基板１をエッチングする（図８
（ｃ））。この工程では、面方位（３３１）面でエッチ
ング速度が低下し、図８（ｃ）に示すように、エミッタ
先鋭化領域３１は、くびれのある形状となる。
ｉｎｅ−ｐｙｒｏｃａｔｈｅｃｈｏｌ−ｗａｔｅｒ）液
等の異方性エッチング液を用いて、酸化膜２１をマスク
としてシリコン基板１をエッチングする（図８
（ｃ））。この工程では、面方位（３３１）面でエッチ
ング速度が低下し、図８（ｃ）に示すように、エミッタ
先鋭化領域３１は、くびれのある形状となる。
【００１２】酸化膜２１をマスクとしてシリコン基板１
を異方性エッチングした後、熱酸化法を用いて、先端が
先鋭なエミッタ３先端が形成されるまで酸化を行い、酸
化膜５１を、例えば、０．１μｍ厚に形成する（図９
（ａ））。この工程で、エミッタ３の上部においてシリ
コン１１は酸化されきらず残った形状となる。
を異方性エッチングした後、熱酸化法を用いて、先端が
先鋭なエミッタ３先端が形成されるまで酸化を行い、酸
化膜５１を、例えば、０．１μｍ厚に形成する（図９
（ａ））。この工程で、エミッタ３の上部においてシリ
コン１１は酸化されきらず残った形状となる。
【００１３】次に、蒸着法を用いて、酸化膜２１及び５
１上に酸化膜５２を０．４μｍ厚に形成して、さらに、
酸化膜５２上にＮｂ等の金属電極膜６及び６１をそれぞ
れ０．２μｍ厚に堆積する（図９（ｂ））。
１上に酸化膜５２を０．４μｍ厚に形成して、さらに、
酸化膜５２上にＮｂ等の金属電極膜６及び６１をそれぞ
れ０．２μｍ厚に堆積する（図９（ｂ））。
【００１４】次に、弗酸等で酸化膜エッチングを行い、
酸化膜２１とエミッタ３周囲の酸化膜５１を除去する。
この際、エミッタ３の上部に残れさたシリコン１１及び
エミッタ３上の金属電極膜６１はリフトオフによって除
去される（図９（ｃ））。そして、図９（ｃ）に示すよ
うに、電界放出型冷陰極が形成される。
酸化膜２１とエミッタ３周囲の酸化膜５１を除去する。
この際、エミッタ３の上部に残れさたシリコン１１及び
エミッタ３上の金属電極膜６１はリフトオフによって除
去される（図９（ｃ））。そして、図９（ｃ）に示すよ
うに、電界放出型冷陰極が形成される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の電
界放出型冷陰極は複数のエミッタより構成されている。
そこで、素子の電子放出特性を高め低電圧で制御性良く
素子を動作させるためには、素子を構成するエミッタを
増加させて、複数のエミッタ先端の電界強度を均一に高
める必要がある。
界放出型冷陰極は複数のエミッタより構成されている。
そこで、素子の電子放出特性を高め低電圧で制御性良く
素子を動作させるためには、素子を構成するエミッタを
増加させて、複数のエミッタ先端の電界強度を均一に高
める必要がある。
【００１６】エミッタ先端の電界強度を高めるために
は、エミッタ・ゲート間距離を短縮させるが有効であ
り、さらに、エミッタ先端の先鋭度を高め、エミッタ先
端高さをゲートとなる金属電極膜の少なくとも下面より
高く調整することが有効である。特に、複数のエミッタ
の先鋭化と高さ制御を精度よく行うことがエミッタ形成
の際要求される。
は、エミッタ・ゲート間距離を短縮させるが有効であ
り、さらに、エミッタ先端の先鋭度を高め、エミッタ先
端高さをゲートとなる金属電極膜の少なくとも下面より
高く調整することが有効である。特に、複数のエミッタ
の先鋭化と高さ制御を精度よく行うことがエミッタ形成
の際要求される。
【００１７】図６及び図７で説明した電界放出型冷陰極
の製造方法では、酸化工程のみでエミッタを形成してい
る関係上、等方性のエッチングに比べて、制御性が高く
複数のエミッタを均一性良く形成することが可能であ
る。しかしながら、この製造方法では、エミッタの先鋭
化、高さ制御、及び金属電極膜下の絶縁酸化膜形成が同
時に行われており、このため、次のような問題点があ
る。
の製造方法では、酸化工程のみでエミッタを形成してい
る関係上、等方性のエッチングに比べて、制御性が高く
複数のエミッタを均一性良く形成することが可能であ
る。しかしながら、この製造方法では、エミッタの先鋭
化、高さ制御、及び金属電極膜下の絶縁酸化膜形成が同
時に行われており、このため、次のような問題点があ
る。
【００１８】まず、この製造方法では、エミッタ高さが
エミッタの形成のための酸化のみで決定され、この酸化
工程で形成された酸化膜５を同時に金属電極膜６の下の
絶縁膜としているため、エミッタ先端位置は絶縁膜より
も下になる。つまり、エミッタの高さをゲート用の金属
電極膜６の下面よりも高く制御することはできない。
エミッタの形成のための酸化のみで決定され、この酸化
工程で形成された酸化膜５を同時に金属電極膜６の下の
絶縁膜としているため、エミッタ先端位置は絶縁膜より
も下になる。つまり、エミッタの高さをゲート用の金属
電極膜６の下面よりも高く制御することはできない。
【００１９】さらに、耐酸化性マスクである窒化膜２の
直下のシリコン膜は酸化されにくく、このため、横方向
の酸化が進行しにくくなり、窒化膜２の直下にシリコン
が残ってしまう。そして、この残留シリコン下で横方向
の酸化が進んでエミッタの先端が形成されやすくなる。
この結果、エミッタ高さはゲート用の金属電極膜６より
もさらに低くなり、エミッタ３先端への電界集中度を高
く設定できないという問題点がある。
直下のシリコン膜は酸化されにくく、このため、横方向
の酸化が進行しにくくなり、窒化膜２の直下にシリコン
が残ってしまう。そして、この残留シリコン下で横方向
の酸化が進んでエミッタの先端が形成されやすくなる。
この結果、エミッタ高さはゲート用の金属電極膜６より
もさらに低くなり、エミッタ３先端への電界集中度を高
く設定できないという問題点がある。
【００２０】また、エミッタ３の高さは、マスクとなる
窒化膜２の幅で定まる酸化膜厚（例えば、窒化膜２の幅
の１／２）で決定される。従って、１μｍのエミッタ高
さでは、窒化膜幅は２μｍ、０．５μｍのエミッタ高さ
では、１μｍの窒化膜幅が必要となりエミッタ間のピッ
チがエミッタ高さの２倍以上必要となる。このため、横
方向の微細化に自由度がなくなり、素子あたりのエミッ
タ数を増やすことが困難となる。
窒化膜２の幅で定まる酸化膜厚（例えば、窒化膜２の幅
の１／２）で決定される。従って、１μｍのエミッタ高
さでは、窒化膜幅は２μｍ、０．５μｍのエミッタ高さ
では、１μｍの窒化膜幅が必要となりエミッタ間のピッ
チがエミッタ高さの２倍以上必要となる。このため、横
方向の微細化に自由度がなくなり、素子あたりのエミッ
タ数を増やすことが困難となる。
【００２１】図８及び図９で説明した製造方法では、エ
ミッタ高さ制御の祭、シリコンエッチング工程を行って
いるため、エミッタ高さ制御の自由度は高くなる。この
結果、エミッタ先端の高さがゲート用の金属電極膜より
も高く設定できないという問題はない。また、図６及び
図７で説明した製造方法に比べて、マスクサイズも小さ
く設定できる。
ミッタ高さ制御の祭、シリコンエッチング工程を行って
いるため、エミッタ高さ制御の自由度は高くなる。この
結果、エミッタ先端の高さがゲート用の金属電極膜より
も高く設定できないという問題はない。また、図６及び
図７で説明した製造方法に比べて、マスクサイズも小さ
く設定できる。
【００２２】この製造方法では、エミッタ３の先鋭化を
行う最終工程で、酸化を行って制御性を上げているが、
最終工程の前段に位置する工程においては、面方位に対
して異方性をもってはいるものの、ウェットエッチング
工程を利用してエミッタ先端の先鋭化を進めている。こ
のため、エッチングエンドポイントの設定が難しく、エ
ミッタ先鋭化の制御性が劣るという問題点がある。
行う最終工程で、酸化を行って制御性を上げているが、
最終工程の前段に位置する工程においては、面方位に対
して異方性をもってはいるものの、ウェットエッチング
工程を利用してエミッタ先端の先鋭化を進めている。こ
のため、エッチングエンドポイントの設定が難しく、エ
ミッタ先鋭化の制御性が劣るという問題点がある。
【００２３】また、この製造方法では、上述のように、
エミッタ先端の上部にシリコン膜が残り、このため、エ
ミッタを露出させる工程でリフトオフを行う必要があ
る。この結果、微小なシリコン１１がエミッタ３と絶縁
膜（酸化膜５１，５２）・ゲートとなる金属電極膜６と
の間に残り、エミッタ・ゲート間にリーク電流が発生す
るなどの問題点がある。
エミッタ先端の上部にシリコン膜が残り、このため、エ
ミッタを露出させる工程でリフトオフを行う必要があ
る。この結果、微小なシリコン１１がエミッタ３と絶縁
膜（酸化膜５１，５２）・ゲートとなる金属電極膜６と
の間に残り、エミッタ・ゲート間にリーク電流が発生す
るなどの問題点がある。
【００２４】さらに、この製造方法では、エミッタ高さ
を調整するシリコンをドライエッチングする際、マスク
として異方性のウェットエッチングで用いた酸化膜２１
を用いている関係上、エミッタ先鋭化領域３１のくびれ
た構造の幅とエミッタ土台領域３２の幅の差を大きくで
きない。このため、エミッタ形成の際、絶縁性の高い熱
酸化膜厚を厚くすると、熱酸化膜厚の下でエミッタが細
くなり折れやすくなるという問題点がある。
を調整するシリコンをドライエッチングする際、マスク
として異方性のウェットエッチングで用いた酸化膜２１
を用いている関係上、エミッタ先鋭化領域３１のくびれ
た構造の幅とエミッタ土台領域３２の幅の差を大きくで
きない。このため、エミッタ形成の際、絶縁性の高い熱
酸化膜厚を厚くすると、熱酸化膜厚の下でエミッタが細
くなり折れやすくなるという問題点がある。
【００２５】ここで、図１０を参照して、エミッタ先鋭
化の際に行われる酸化の問題点について説明図する。図
１０（ａ）は、酸化前の断面形状（図８（ｃ）に相当す
る工程のエミッタ部の拡大図）であり、図１０（ｂ）は
酸化後の断面形状である。
化の際に行われる酸化の問題点について説明図する。図
１０（ａ）は、酸化前の断面形状（図８（ｃ）に相当す
る工程のエミッタ部の拡大図）であり、図１０（ｂ）は
酸化後の断面形状である。
【００２６】図１０（ａ）に示すように、エミッタ先鋭
化領域３１及びエミッタ土台領域３２の幅は酸化膜２１
の幅以下の形状であり、エミッタ先鋭化領域とエミッタ
土台領域との接続部はある角度（所定の角度）をもって
いる。
化領域３１及びエミッタ土台領域３２の幅は酸化膜２１
の幅以下の形状であり、エミッタ先鋭化領域とエミッタ
土台領域との接続部はある角度（所定の角度）をもって
いる。
【００２７】このような状態で酸化を行うと、図１０
（ｂ）に示すように、酸化は上述の角度をもった形状の
部分（エミッタ先鋭化領域３１のくびれた部分とエミッ
タ先鋭化領域とエミッタ土台領域の接続部）で遅くな
り、最終的に、エミッタ先鋭化領域とエミッタ土台領域
の接続部よりも下において、エミッタ３の形状は細くな
ってしまう。この結果、酸化膜厚が厚いエミッタ土台領
域の細い部分で折れやすくなるという問題点がある。
（ｂ）に示すように、酸化は上述の角度をもった形状の
部分（エミッタ先鋭化領域３１のくびれた部分とエミッ
タ先鋭化領域とエミッタ土台領域の接続部）で遅くな
り、最終的に、エミッタ先鋭化領域とエミッタ土台領域
の接続部よりも下において、エミッタ３の形状は細くな
ってしまう。この結果、酸化膜厚が厚いエミッタ土台領
域の細い部分で折れやすくなるという問題点がある。
【００２８】従って、図８及び図９に示す製造方法で
は、エミッタ形成の際、絶縁性の高い熱酸化によって形
成された酸化膜５１の膜厚を抑え、ゲート金属電極下の
絶縁性確保のため、蒸着法により酸化膜５２を堆積して
いる。
は、エミッタ形成の際、絶縁性の高い熱酸化によって形
成された酸化膜５１の膜厚を抑え、ゲート金属電極下の
絶縁性確保のため、蒸着法により酸化膜５２を堆積して
いる。
【００２９】この蒸着によって形成された酸化膜５２
は、熱酸化膜よりも絶縁性が悪いため、厚い膜厚が必要
でとなり、素子の微細化に対して阻害要因となるばかり
でなく製造工程が複雑になるという問題点がある。
は、熱酸化膜よりも絶縁性が悪いため、厚い膜厚が必要
でとなり、素子の微細化に対して阻害要因となるばかり
でなく製造工程が複雑になるという問題点がある。
【００３０】本発明の目的は、エミッタ高さの制御性と
エミッタの先鋭化の制御性とを高め均一なエミッタ形成
を行うことができ、容易にエミッタ・ゲート間の絶縁性
の信頼度を高めて、エミッタの安定形成を行うことので
きる電界放出型冷陰極の製造方法を提供することにあ
る。
エミッタの先鋭化の制御性とを高め均一なエミッタ形成
を行うことができ、容易にエミッタ・ゲート間の絶縁性
の信頼度を高めて、エミッタの安定形成を行うことので
きる電界放出型冷陰極の製造方法を提供することにあ
る。
【００３１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、シリコ
ン基板上に形成されシリコンを主成分とする先端が先鋭
なエミッタを有する電界放出型冷陰極の製造方法におい
て、前記シリコン基板に第１のマスク膜を選択的に形成
する第１の工程と、前記第１のマスク膜を用いて前記シ
リコン基板を所定の深さまでエッチングし第１の凸型領
域を形成して前処理シリコン基板とする第２の工程と、
前記第１の凸型領域の側壁に第２のマスク膜を選択的に
形成する第３の工程と、前記第１及び前記第２のマスク
膜をエッチングマスクとして異方性エッチングによって
前記前処理シリコン基板を所定の深さまでエッチングし
て少なくとも前記第１の凸型領域と該第１の凸型領域の
下段に位置し前記第１の凸型領域よりも太い第２の凸型
領域とを有する凸型形状体を形成する第４の工程と、前
記凸型形状体を酸化して前記第１の凸型領域を先鋭化し
前記エミッタを形成する第５の工程とを有することを特
徴とする電界放出型冷陰極の製造方法が得られる。
ン基板上に形成されシリコンを主成分とする先端が先鋭
なエミッタを有する電界放出型冷陰極の製造方法におい
て、前記シリコン基板に第１のマスク膜を選択的に形成
する第１の工程と、前記第１のマスク膜を用いて前記シ
リコン基板を所定の深さまでエッチングし第１の凸型領
域を形成して前処理シリコン基板とする第２の工程と、
前記第１の凸型領域の側壁に第２のマスク膜を選択的に
形成する第３の工程と、前記第１及び前記第２のマスク
膜をエッチングマスクとして異方性エッチングによって
前記前処理シリコン基板を所定の深さまでエッチングし
て少なくとも前記第１の凸型領域と該第１の凸型領域の
下段に位置し前記第１の凸型領域よりも太い第２の凸型
領域とを有する凸型形状体を形成する第４の工程と、前
記凸型形状体を酸化して前記第１の凸型領域を先鋭化し
前記エミッタを形成する第５の工程とを有することを特
徴とする電界放出型冷陰極の製造方法が得られる。
【００３２】例えば、第３の工程は、ＣＶＤ法を用いて
前記前処理シリコン基板の全面に第３のマスク膜を形成
する第６の工程と、異方性エッチングによって選択的に
前記第３のマスク膜を除去して前記第１の凸型領域の側
壁に前記第２のマスク膜を形成する第７の工程とを有し
ている。
前記前処理シリコン基板の全面に第３のマスク膜を形成
する第６の工程と、異方性エッチングによって選択的に
前記第３のマスク膜を除去して前記第１の凸型領域の側
壁に前記第２のマスク膜を形成する第７の工程とを有し
ている。
【００３３】なお、第１のマスク膜は第５の工程の前で
除去され（第８の工程）、第１のマスク膜として、例え
ば、窒化膜が用いられる。
除去され（第８の工程）、第１のマスク膜として、例え
ば、窒化膜が用いられる。
【００３４】また、第３の工程は、前記前処理シリコン
基板を酸化して酸化膜を形成する第９の工程と、該酸化
膜を異方性エッチングして前記第１の凸型領域の側壁に
前記第２のマスク膜を形成する第１０の工程とを有する
ようにしてもよい。
基板を酸化して酸化膜を形成する第９の工程と、該酸化
膜を異方性エッチングして前記第１の凸型領域の側壁に
前記第２のマスク膜を形成する第１０の工程とを有する
ようにしてもよい。
【００３５】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００３６】図１及び図２を参照して、まず、ＣＶＤ法
を用いて、ｎ型のシリコン基板１の表面に厚さ約１００
ｎｍの窒化膜２を形成する（図１（ａ））。次に、レジ
スト等（図示せず）をマスクとして用いてエッチングを
行って、窒化膜２を、例えば、０．３μｍφの窒化膜と
する。さらに、約２００ｎｍの深さに露出したシリコン
基板１を異方性ドライエッチングして、マスクとして用
いたレジストを除去する（図１（ｂ））。
を用いて、ｎ型のシリコン基板１の表面に厚さ約１００
ｎｍの窒化膜２を形成する（図１（ａ））。次に、レジ
スト等（図示せず）をマスクとして用いてエッチングを
行って、窒化膜２を、例えば、０．３μｍφの窒化膜と
する。さらに、約２００ｎｍの深さに露出したシリコン
基板１を異方性ドライエッチングして、マスクとして用
いたレジストを除去する（図１（ｂ））。
【００３７】この工程によって、エミッタ形成領域であ
るシリコン基板１にエミッタ先鋭化領域３１が形成され
る。
るシリコン基板１にエミッタ先鋭化領域３１が形成され
る。
【００３８】次に、減圧ＣＶＤ法を用いて、酸化膜を約
２００ｎｍ厚に堆積した後、異方性ドライエッチングを
施して、平面上の酸化膜を選択的に除去する。この結
果、エミッタ先鋭化領域３１の側壁に酸化膜４１が残る
（図１（ｃ））。
２００ｎｍ厚に堆積した後、異方性ドライエッチングを
施して、平面上の酸化膜を選択的に除去する。この結
果、エミッタ先鋭化領域３１の側壁に酸化膜４１が残る
（図１（ｃ））。
【００３９】次に、窒化膜２及び酸化膜４１をマスクと
して用い、露出したシリコン基板１をさらに約２００ｎ
ｍの深さに異方性ドライエッチングを行い、エミッタ土
台領域３２を形成する（図１（ｄ））。この結果、エミ
ッタ形状は、図示のように、２段の凸型形状となる。
して用い、露出したシリコン基板１をさらに約２００ｎ
ｍの深さに異方性ドライエッチングを行い、エミッタ土
台領域３２を形成する（図１（ｄ））。この結果、エミ
ッタ形状は、図示のように、２段の凸型形状となる。
【００４０】弗酸等のエッチング液を用いて酸化膜４１
を選択的に除去した後、例えば、温度１０００℃でシリ
コン基板１に熱酸化を行い、厚さ約５００ｎｍの酸化膜
５を形成する（図２（ａ））。
を選択的に除去した後、例えば、温度１０００℃でシリ
コン基板１に熱酸化を行い、厚さ約５００ｎｍの酸化膜
５を形成する（図２（ａ））。
【００４１】この工程で，エミッタ先鋭化領域３１は側
壁から横方向酸化により先鋭化されエミッタ３が形成さ
れる。なお、窒化膜２の直下は酸化されず、上方からの
酸化によりエミッタの先鋭度が阻害されることはない。
ただし、窒化膜２の直下にはシリコン１１が酸化残りと
存在する。また、前述のように、熱酸化前に、エミッタ
土台領域３２の幅はエミッタ先端領域３１下部の幅より
も酸化膜４１の膜厚分だけ両側に広げてあるので（この
例では酸化膜厚の２倍の４００ｎｍと窒化膜２の幅３０
０ｎｍの合計７００ｎｍ）、５００ｎｍの酸化を行った
場合においても、約２００ｎｍ及び１００ｎｍ以上のエ
ミッタ太さがあり、細くなりすぎることはない。
壁から横方向酸化により先鋭化されエミッタ３が形成さ
れる。なお、窒化膜２の直下は酸化されず、上方からの
酸化によりエミッタの先鋭度が阻害されることはない。
ただし、窒化膜２の直下にはシリコン１１が酸化残りと
存在する。また、前述のように、熱酸化前に、エミッタ
土台領域３２の幅はエミッタ先端領域３１下部の幅より
も酸化膜４１の膜厚分だけ両側に広げてあるので（この
例では酸化膜厚の２倍の４００ｎｍと窒化膜２の幅３０
０ｎｍの合計７００ｎｍ）、５００ｎｍの酸化を行った
場合においても、約２００ｎｍ及び１００ｎｍ以上のエ
ミッタ太さがあり、細くなりすぎることはない。
【００４２】次に、例えば、スパッタ法等を用いて、Ｍ
ｏ等の金属電極膜６を約２００ｎｍ厚に堆積した後、平
坦化膜として、例えば、レジストを塗布し、エッチバッ
クを行い、金属電極膜６のエッチングマスクとなるレジ
スト７を形成する（図２（ｂ））。
ｏ等の金属電極膜６を約２００ｎｍ厚に堆積した後、平
坦化膜として、例えば、レジストを塗布し、エッチバッ
クを行い、金属電極膜６のエッチングマスクとなるレジ
スト７を形成する（図２（ｂ））。
【００４３】次に、金属電極膜６をエッチングした後、
マスクのレジストを除去する（図２（ｃ））。
マスクのレジストを除去する（図２（ｃ））。
【００４４】その後、窒化膜２及びシリコン１１をエッ
チング除去した後、弗酸等を用いて露出した酸化膜５を
エッチングして、エミッタ３の先端を露出させる（図２
（ｄ））。
チング除去した後、弗酸等を用いて露出した酸化膜５を
エッチングして、エミッタ３の先端を露出させる（図２
（ｄ））。
【００４５】上述のように、エミッタの先鋭化のための
酸化前に、エミッタの形状をエミッタ先鋭化領域とこの
エミッタ先鋭化領域よりも太いエミッタ土台領域の２段
構造とすることによって、エミッタの先鋭化は先端のエ
ミッタ先鋭化領域で制御され、エミッタ高さの制御はエ
ミッタ土台領域の高さで制御されることになる。この結
果、エミッタ高さの制御性とエミッタの先鋭化の制御性
が高くなる。
酸化前に、エミッタの形状をエミッタ先鋭化領域とこの
エミッタ先鋭化領域よりも太いエミッタ土台領域の２段
構造とすることによって、エミッタの先鋭化は先端のエ
ミッタ先鋭化領域で制御され、エミッタ高さの制御はエ
ミッタ土台領域の高さで制御されることになる。この結
果、エミッタ高さの制御性とエミッタの先鋭化の制御性
が高くなる。
【００４６】また、上述の２段構造において、エミッタ
先鋭化領域の太さ（大きさ）は１回のパターニングで定
まり、エミッタ土台領域の太さはエミッタ先鋭化領域の
側壁に形成された酸化膜厚によって自己整合的に定ま
る。このため、側壁の酸化膜厚を制御することによって
エミッタの太さを所望の値とすることができる。
先鋭化領域の太さ（大きさ）は１回のパターニングで定
まり、エミッタ土台領域の太さはエミッタ先鋭化領域の
側壁に形成された酸化膜厚によって自己整合的に定ま
る。このため、側壁の酸化膜厚を制御することによって
エミッタの太さを所望の値とすることができる。
【００４７】さらに、厚い熱酸化膜によって、エミッタ
先鋭化を形成でき、さらに、この熱酸化膜をゲート下の
絶縁膜として使用できるから、絶縁性の確保及び工程の
簡略化を達成できる。
先鋭化を形成でき、さらに、この熱酸化膜をゲート下の
絶縁膜として使用できるから、絶縁性の確保及び工程の
簡略化を達成できる。
【００４８】次に、本発明による製造方法の第２の例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００４９】図３を参照して、まず、上述の第１の例で
説明したようにして、図１（ａ）乃至図（ｄ）までの工
程が行われる。その後、窒化膜２及び酸化膜４１をそれ
ぞれリン酸及び弗酸等のエッチング液を用いて除去し、
シリコン基板１を露出させる（図３（ａ））。
説明したようにして、図１（ａ）乃至図（ｄ）までの工
程が行われる。その後、窒化膜２及び酸化膜４１をそれ
ぞれリン酸及び弗酸等のエッチング液を用いて除去し、
シリコン基板１を露出させる（図３（ａ））。
【００５０】次に、温度約１０００℃で熱酸化を行い、
先鋭なエミッタ３を形成する。この熱酸化は先鋭なエミ
ッタが形成されるまで行われる。そして、約５００ｎｍ
厚の酸化膜５をシリコン基板１上に形成する（図３
（ｂ））。
先鋭なエミッタ３を形成する。この熱酸化は先鋭なエミ
ッタが形成されるまで行われる。そして、約５００ｎｍ
厚の酸化膜５をシリコン基板１上に形成する（図３
（ｂ））。
【００５１】次に、スパッタ法等を用いて、全面に、例
えば、Ｍｏ等の金属膜を２００ｎｍ厚程度に堆積する。
そして、第１の例で説明したようにして、レジスト等を
用いてエッチバック工程を行い、エミッタ３上の金属膜
を選択的に除去して、ゲートとなる金属電極膜６を形成
する（図３（ｃ））。
えば、Ｍｏ等の金属膜を２００ｎｍ厚程度に堆積する。
そして、第１の例で説明したようにして、レジスト等を
用いてエッチバック工程を行い、エミッタ３上の金属膜
を選択的に除去して、ゲートとなる金属電極膜６を形成
する（図３（ｃ））。
【００５２】次に、エミッタ３上の露出酸化膜５を弗酸
を用いてエッチングし、エミッタ３を露出させて、電界
放出型冷陰極を形成する（図３（ｄ））。
を用いてエッチングし、エミッタ３を露出させて、電界
放出型冷陰極を形成する（図３（ｄ））。
【００５３】この第２の例では、エミッタを形成する酸
化工程前に、窒化膜マスクを予め除去するようにしたか
ら、第１の例でみられたようなエミッタ先端上のシリコ
ン残りの発生がない。従って、シリコン除去工程又はリ
フトオフ工程が不要であるという利点がある。
化工程前に、窒化膜マスクを予め除去するようにしたか
ら、第１の例でみられたようなエミッタ先端上のシリコ
ン残りの発生がない。従って、シリコン除去工程又はリ
フトオフ工程が不要であるという利点がある。
【００５４】次に、本発明による製造方法の第３の例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００５５】図４及び図５を参照して、まず、ＣＶＤ法
を用いて、ｎ型のシリコン基板１上に約１００ｎｍ厚の
窒化膜２を堆積し、写真蝕刻法を用いて、０．３μｍφ
の窒化膜２を選択的に形成する。さらに、約２００ｎｍ
深さまでシリコン基板１を異方性ドライエッチングし
て、凸型のエミッタ先鋭化領域３１を形成する（図４
（ａ））。
を用いて、ｎ型のシリコン基板１上に約１００ｎｍ厚の
窒化膜２を堆積し、写真蝕刻法を用いて、０．３μｍφ
の窒化膜２を選択的に形成する。さらに、約２００ｎｍ
深さまでシリコン基板１を異方性ドライエッチングし
て、凸型のエミッタ先鋭化領域３１を形成する（図４
（ａ））。
【００５６】次に、温度約１０００℃で熱酸化を行っ
て、厚さ約２００ｎｍの酸化膜４を形成する（図４
（ｂ））。この工程で、図示のように、エミッタ先鋭化
領域３１は深さ方向の中程で細くくびれ、その細い領域
の幅は約１００ｎｍとなる。
て、厚さ約２００ｎｍの酸化膜４を形成する（図４
（ｂ））。この工程で、図示のように、エミッタ先鋭化
領域３１は深さ方向の中程で細くくびれ、その細い領域
の幅は約１００ｎｍとなる。
【００５７】次に、異方性ドライエッチングによって酸
化膜４をエッチングし、エミッタ先鋭化領域３１の側壁
にのみ酸化膜４１が残る構造を形成する（図４
（ｃ））。この際、酸化膜４１の横方向の幅はほぼ酸化
膜厚となる。
化膜４をエッチングし、エミッタ先鋭化領域３１の側壁
にのみ酸化膜４１が残る構造を形成する（図４
（ｃ））。この際、酸化膜４１の横方向の幅はほぼ酸化
膜厚となる。
【００５８】次に、窒化膜２及び酸化膜４１をマスクと
して用い、約３００ｎｍ深さにシリコン基板１を異方性
ドライエッチングして、エミッタ土台領域３２を形成す
る（図４（ｄ））。これによって、エミッタ土台領域３
２幅は約５０ｎｍ以上となる。
して用い、約３００ｎｍ深さにシリコン基板１を異方性
ドライエッチングして、エミッタ土台領域３２を形成す
る（図４（ｄ））。これによって、エミッタ土台領域３
２幅は約５０ｎｍ以上となる。
【００５９】さらに、窒化膜２及び酸化膜４１をそれぞ
れリン酸及び弗酸でエッチングして、シリコン基板１を
露出させる（図５（ａ））。
れリン酸及び弗酸でエッチングして、シリコン基板１を
露出させる（図５（ａ））。
【００６０】次に、温度約１０００℃で熱酸化を行い、
厚さ約３５０ｎｍの酸化膜５を形成する（図５
（ｂ））。この工程で、図示のように、先鋭なエミッタ
３が形成され、エミッタの先鋭度と高さが定まる。この
ように、エミッタ先鋭化領域を予めマスクとして用いら
れた窒化膜２の幅よりも細くなるように形成している関
係上、薄い酸化膜厚でも先鋭なエミッタが形成できる。
厚さ約３５０ｎｍの酸化膜５を形成する（図５
（ｂ））。この工程で、図示のように、先鋭なエミッタ
３が形成され、エミッタの先鋭度と高さが定まる。この
ように、エミッタ先鋭化領域を予めマスクとして用いら
れた窒化膜２の幅よりも細くなるように形成している関
係上、薄い酸化膜厚でも先鋭なエミッタが形成できる。
【００６１】次に、スパッタ法等を用いて、全面に、例
えば、Ｍｏ等の金属膜を２００ｎｍ厚程度に堆積する。
そして、第１の例で説明したように、レジスト等を用い
てエッチバック工程を行い、エミッタ３上の金属膜を選
択的に除去して、ゲートとなる金属電極膜６を形成する
（図５（ｃ））。
えば、Ｍｏ等の金属膜を２００ｎｍ厚程度に堆積する。
そして、第１の例で説明したように、レジスト等を用い
てエッチバック工程を行い、エミッタ３上の金属膜を選
択的に除去して、ゲートとなる金属電極膜６を形成する
（図５（ｃ））。
【００６２】次に、エミッタ３上の露出酸化膜５を弗酸
でエッチングして、エミッタ３を露出させて、電界放出
型冷陰極を形成する（図５（ｄ））。
でエッチングして、エミッタ３を露出させて、電界放出
型冷陰極を形成する（図５（ｄ））。
【００６３】この第３の例では、２段の凸型エミッタに
おいて、上段の形状形成の際、主に熱酸化を用いている
から、プロセスの制御性を高くすることができる。
おいて、上段の形状形成の際、主に熱酸化を用いている
から、プロセスの制御性を高くすることができる。
【００６４】さらに、凸型上部のエミッタ側壁に酸化膜
を形成する際、酸化を用いるから、ＣＶＤ法を用いる場
合に比べて、エミッタ先鋭化の際用いられる熱酸化の前
において、先鋭化部の幅と土台部の幅の差を大きくとる
ことができる（横方向への酸化の進展があるから先鋭化
部の幅と土台部の幅の差を大きくとることができる）。
これによって、エミッタ先端の先鋭化を完全に行いつつ
エミッタ土台部の幅を確保してエミッタを形成すること
ができる。
を形成する際、酸化を用いるから、ＣＶＤ法を用いる場
合に比べて、エミッタ先鋭化の際用いられる熱酸化の前
において、先鋭化部の幅と土台部の幅の差を大きくとる
ことができる（横方向への酸化の進展があるから先鋭化
部の幅と土台部の幅の差を大きくとることができる）。
これによって、エミッタ先端の先鋭化を完全に行いつつ
エミッタ土台部の幅を確保してエミッタを形成すること
ができる。
【００６５】なお、上述の例ではエミッタ形状を２段の
凸型形状とする例について説明したが、エミッタ形状を
３段以上の多段形状とする際にも本発明を適用できるこ
とはいうまでもない。特に、２段形状において、エミッ
タ先鋭化領域とエミッタ土台領域との接続部を多段化し
て、接続部の角度を緩和させる手法をとれば、エミッタ
土台部におけるエミッタ細りは小さくなり、より安定な
素子の形成が可能となる。
凸型形状とする例について説明したが、エミッタ形状を
３段以上の多段形状とする際にも本発明を適用できるこ
とはいうまでもない。特に、２段形状において、エミッ
タ先鋭化領域とエミッタ土台領域との接続部を多段化し
て、接続部の角度を緩和させる手法をとれば、エミッタ
土台部におけるエミッタ細りは小さくなり、より安定な
素子の形成が可能となる。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、互いに
太さ（大きさ）異なるエミッタ先鋭化領域とエミッタ土
台領域とをエミッタを先鋭化する酸化前に形成しておく
ようにしたから、エミッタ先鋭化のための酸化膜厚を厚
く設定してもエミッタ細りによりエミッタが折れること
はない。
太さ（大きさ）異なるエミッタ先鋭化領域とエミッタ土
台領域とをエミッタを先鋭化する酸化前に形成しておく
ようにしたから、エミッタ先鋭化のための酸化膜厚を厚
く設定してもエミッタ細りによりエミッタが折れること
はない。
【００６７】さらに、先鋭化のための熱酸化膜を絶縁膜
として使用できるから、絶縁の信頼性を高めつつ工程の
短縮が可能である。
として使用できるから、絶縁の信頼性を高めつつ工程の
短縮が可能である。
【００６８】また、異方性エッチングと酸化工程でエミ
ッタの先鋭化を行っているため、加工精度を高く保持
し、均一なエミッタ形成が可能である。特に、エミッタ
先端の先鋭化とエミッタの高さ制御をほぼ独立に制御す
ることが可能となり、制御性の高い素子を形成すること
が可能となっている。
ッタの先鋭化を行っているため、加工精度を高く保持
し、均一なエミッタ形成が可能である。特に、エミッタ
先端の先鋭化とエミッタの高さ制御をほぼ独立に制御す
ることが可能となり、制御性の高い素子を形成すること
が可能となっている。
【００６９】加えて、マスクとして用いた窒化膜を最終
のエミッタ先鋭化前に除去して、酸化によってエミッタ
の先鋭化を行うようにしたから、エミッタ上に余剰のシ
リコン酸化残りが生じることなく、リフトオフ工程等が
不要となり、シリコンくず等のゴミ発生の問題が生じな
い。
のエミッタ先鋭化前に除去して、酸化によってエミッタ
の先鋭化を行うようにしたから、エミッタ上に余剰のシ
リコン酸化残りが生じることなく、リフトオフ工程等が
不要となり、シリコンくず等のゴミ発生の問題が生じな
い。
【００７０】さらに、２段の凸型形状を形成する際に用
いられる側壁酸化膜の形成に酸化を用いるようにすれ
ば、側壁の酸化膜厚を均一に制御できるばかりでなく、
凸型の先端部分の幅を制御性よく細く加工することが可
能となり先鋭化不足の発生といった問題が生じることが
ない。
いられる側壁酸化膜の形成に酸化を用いるようにすれ
ば、側壁の酸化膜厚を均一に制御できるばかりでなく、
凸型の先端部分の幅を制御性よく細く加工することが可
能となり先鋭化不足の発生といった問題が生じることが
ない。
【図１】（ａ）乃至（ｄ）は本発明による電界放出型冷
陰極の製造方法の第１の例を説明するための断面図であ
る。
陰極の製造方法の第１の例を説明するための断面図であ
る。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）は本発明による電界放出型冷
陰極の製造方法の第１の例を説明するための断面図であ
る。
陰極の製造方法の第１の例を説明するための断面図であ
る。
【図３】（ａ）乃至（ｄ）は本発明による電界放出型冷
陰極の製造方法の第２の例を説明するための断面図であ
る。
陰極の製造方法の第２の例を説明するための断面図であ
る。
【図４】（ａ）乃至（ｄ）は本発明による電界放出型冷
陰極の製造方法の第３の例を説明するための断面図であ
る。
陰極の製造方法の第３の例を説明するための断面図であ
る。
【図５】（ａ）乃至（ｄ）は本発明による電界放出型冷
陰極の製造方法の第３の例を説明するための断面図であ
る。
陰極の製造方法の第３の例を説明するための断面図であ
る。
【図６】（ａ）乃至（ｃ）は従来の電界放出型冷陰極製
造方法の一例を説明するための断面図である。
造方法の一例を説明するための断面図である。
【図７】（ａ）乃至（ｃ）は従来の電界放出型冷陰極製
造方法の一例を説明するための断面図である。
造方法の一例を説明するための断面図である。
【図８】（ａ）乃至（ｃ）は従来の電界放出型冷陰極製
造方法の他の一例を説明するための断面図である。
造方法の他の一例を説明するための断面図である。
【図９】（ａ）乃至（ｃ）は従来の電界放出型冷陰極製
造方法の他の一例を説明するための断面図である。
造方法の他の一例を説明するための断面図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は図８及び図９に示す製造
方法における問題点を説明するための断面図である。
方法における問題点を説明するための断面図である。
１ シリコン基板 ２ 窒化膜 ３ エミッタ ４，５，２１，４１，５１，５２ 酸化膜 ６，６１ 金属電極膜 ７ レジスト １１ シリコン ３１ エミッタ先鋭化領域 ３２ エミッタ土台領域
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン基板上に形成されシリコンを主
成分とする先端が先鋭なエミッタを有する電界放出型冷
陰極の製造方法において、前記シリコン基板に第１のマ
スク膜を選択的に形成する第１の工程と、前記第１のマ
スク膜を用いて前記シリコン基板を所定の深さまでエッ
チングし第１の凸型領域を形成して前処理シリコン基板
とする第２の工程と、前記第１の凸型領域の側壁に第２
のマスク膜を選択的に形成する第３の工程と、前記第１
及び前記第２のマスク膜をエッチングマスクとして異方
性エッチングによって前記前処理シリコン基板を所定の
深さまでエッチングして少なくとも前記第１の凸型領域
と該第１の凸型領域の下段に位置し前記第１の凸型領域
よりも太い第２の凸型領域とを有する凸型形状体を形成
する第４の工程と、前記凸型形状体を酸化して前記第１
の凸型領域を先鋭化し前記エミッタを形成する第５の工
程とを有することを特徴とする電界放出型冷陰極の製造
方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載された電界放出型冷陰極
の製造方法において、前記第３の工程は、ＣＶＤ法を用
いて前記前処理シリコン基板の全面に第３のマスク膜を
形成する第６の工程と、異方性エッチングによって選択
的に前記第３のマスク膜を除去して前記第１の凸型領域
の側壁に前記第２のマスク膜を形成する第７の工程とを
有することを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載された電界放出型冷陰極
の製造方法において、前記第５の工程の前に位置し、前
記第１のマスク膜を除去する第８の工程を有することを
特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載された電界放出型冷陰極
の製造方法において、前記第１のマスク膜は窒化膜であ
ることを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載された電界放出型冷陰極
の製造方法において、前記第３の工程は、前記前処理シ
リコン基板を酸化して酸化膜を形成する第９の工程と、
該酸化膜を異方性エッチングして前記第１の凸型領域の
側壁に前記第２のマスク膜を形成する第１０の工程とを
有することを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2135296A JP2874709B2 (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 電界放出型冷陰極の製造方法 |
| TW086101189A TW319885B (ja) | 1996-02-07 | 1997-02-01 | |
| KR1019970003285A KR100259826B1 (ko) | 1996-02-07 | 1997-02-03 | 전계방출용냉음극제조방법 |
| FR9701360A FR2744565A1 (fr) | 1996-02-07 | 1997-02-06 | Procede de fabrication d'une cathode froide a emission de champ |
| US08/796,553 US5924903A (en) | 1996-02-07 | 1997-02-07 | Method of fabricating a cold cathode for field emission |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2135296A JP2874709B2 (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 電界放出型冷陰極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219146A JPH09219146A (ja) | 1997-08-19 |
| JP2874709B2 true JP2874709B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=12052713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2135296A Expired - Fee Related JP2874709B2 (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 電界放出型冷陰極の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5924903A (ja) |
| JP (1) | JP2874709B2 (ja) |
| KR (1) | KR100259826B1 (ja) |
| FR (1) | FR2744565A1 (ja) |
| TW (1) | TW319885B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5929521A (en) * | 1997-03-26 | 1999-07-27 | Micron Technology, Inc. | Projected contact structure for bumped semiconductor device and resulting articles and assemblies |
| FR2891961B1 (fr) * | 2005-10-07 | 2008-03-14 | Alstom Transport Sa | Procede de maintien d'une tension continue a l'entree d'un convertisseur continu-alternatif de tension, support d'enregistrement pour ce procede et vehicule electrique |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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