KR970023433A - 혼합 공급 전압 시스템용 출력 드라이버 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 출력되는 신호를 수신하는 입력 라인을 포함하는 복합전압 시스템용 출력 드라이버에 관한 것이다. 또한 본 회로는 입력라인과 출력 스테이지 사이에 결합된 과전압 발생 장치를 포함한다. 과전압 발생 장치는 출력 스테이지에 도달하기 전에 신호의 수준을 제2전압으로 상승시킨다. 또한 입력 신호의 천이마다 제2전압을 재저장하는 재저장 회로로 제공된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 실시예를 사용하는 NMOS 드라이버 회로를 도시한 회로도.
Claims (11)
- 제1전압의 입력 신호를 수신하는 입력 라인; 상기 제1입력 라인과 출력 스테이지 사이에 결합되고, 상기 출력 스테이지의 노드에서 상기 입력 신호보다 더 높은 제2의 전압을 갖는 출력 신호를 절환시키는 과전압 발생장치; 및 상기 과전압 발생장치 및 상기 출력 스테이지에 결합되고, 상기 입력 신호의 천이마다 상기 제2전압을 재저장하는 재저장 회로로 이루어짐을 특징으로 하는 복합 전압 시스템용 출력 드라이버.
- 제1항에 있어서, 상기 출력 스테이지가 NMOS 풀업 및 풀다운 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 출력 드라이버.
- 제1항에 있어서, 상기 과전압 발생 장치가 추가로 상기 입력 라인과 상기 출력 스테이지의 노드 사이에 결합되고, 상기 입력 신호의 로우에서 하이로의 천이에 따라서 상기 노드를 상기 제1전압에 작동적으로 놓는 스위치를 포함함을 특징으로 하는 출력 드라이버.
- 제3항에 있어서, 상기 과전압 발생 장치가 추가로 상기 제2전압의 전압원과 상기 출력 스테이지의 상기 노드 사이에 결합되고, 상기 스위치가 상기 노드를 상기 제1전압에 놓은 후에 상기 노드를 상기 제2전압에 놓는 수단을 포함함을 특징으로 하는 출력 드라이버.
- 모드 제2노드에 결합된 과전압 발생 장치 및 절환 장치에 결합된 제1노드에서 제1전압 수준의 입력 신호를 수신하는 단계; 상기 절환 장치를 작동시켜 상기 제2노드가 상기 제1전압 수주 또는 그 이상에 놓이도록 하는 단계; 상기 과전압 발생 장치를 작동시켜 제2노드가 제2의, 더 높은 전압 수준으로 상승시키는 단계; 및 상기 과전압 발생 장치를 작동시키는 단계와 실질적으로 동시에 상기 제2전압 수준을 공급하는 전압원을 상승시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 혼합 공급 전압 시스템에서 신호를 출력하는 방법.
- 제5항에 있어서, 추가로 상기 입력 신호의 천이 마다 상기 전압원을 상승시키는 단계를 반복하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제2노드를 NMOS 풀업 트랜지스터의 게이트에 결합시킴을 특징으로 하는 방법.
- 제1공급 전압을 갖는 메모리 장치에 있어서, 상기 제1공급 전압의 입력 데이터를 수신하는 입력 데이터 라인에 결합된 소스, 상기 입력 데이터가 수신되면 실질적으로 상기 제1전압 수준에 놓이는 제1노드에 결합된 드레인, 및 트랜지스터의 상기 소스 상에서 로우에서 하이로의 천이에 반응하여 상기 제1공급 전압보다 일시적으로 높게 놓이는 게이드를 갖는 트랜지스터; 상기 제2공급 전압과 상기 제1노드 사이에 결합되고, 상기 제1노드가 실질적으로 상기 제1전압 수준에 놓인 후에 상기 제1노드를 상기 제2전압 수준에 놓는 과전압 발생장치; 및 상기 제1 및 제2공급 전압 사이에 결합되고, 상기 입력 데이터의 천이 마다 상기 제2공급 전압을재저장하는 재저장 회로로 이루어짐을 특징으로 하여, 출력 라인상의 데이터를 제2공급 전압으로 출력하는 출력 드라이버.
- 제8항에 있어서, 추가로 상기 제1공급 전압과 상기 트랜지스터의 상기 게이트 사이에 결합된 저항 스위치로 이루어지며, 상기 게이트는 상기 제1노드가 상기 제1전압 수준에 놓인 후에 상기 제1전압 레벨로 복귀됨을 특징으로 하는 메모리 장치.
- 제8항에 있어서, 추가로 상기 제1노드에 결합된 게이트를 갖는 NMOS 풀업 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 메모리 장치.
- 제1공급 전압을 갖는 메모리 장치에 있어서, 상기 제1공급 전압의 입력 데이터를 수신하는 입력 데이터 라인에 결합된 소스, 상기 입력 데이터가 수신되면 실질적으로 상기 제1전압 수준에 놓이는 제1노드에 결합된 드레인, 및 트랜지스터의 상기 소스 상에서 로우에서 하이로의 천이에 반응하여 상기 제1공급 전압보다 일시적으로 높게 놓이는 게이트를 갖는 트랜지스터; 상기 제1공급 전압과 상기 제1노드가 상기 제1전압 수준에 놓인 후에 상기 제1전압 수준으로 복귀하는, 상기 트랜지스터의 상기 게이트 사이에 결합된 저항 스위치; 상기 제2공급 전압과 상기 제1노드 사이에 결합되고, 상기 제1노드가 실질적으로 상기 제1전압 수준에 놓인 후에 상기 제1노드를 상기 제2전압 수준에 놓는 과전압 발생장치; 및 상기 제1 및 제2공급 전압 사이에 결합되고, 상기 입력 데이터의 천이 마다 상기 제2공급 전압을 재저장하는 재저장 회로로 이루어짐을 특징으로 하여, 출력 라인상의 데이터를 제2공급 전압으로 출력하는 출력 드라이버 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US5966036A (en) * | 1997-09-09 | 1999-10-12 | S3 Incorporated | System and method for a mixed voltage drive system for floating substrate technology |
US5917358A (en) * | 1997-12-09 | 1999-06-29 | Motorola, Inc. | Method and output buffer with programmable bias to accommodate multiple supply voltages |
JP3138680B2 (ja) * | 1998-03-13 | 2001-02-26 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 出力バッファ制御回路 |
US5952866A (en) * | 1998-04-28 | 1999-09-14 | Lucent Technologies, Inc. | CMOS output buffer protection circuit |
JP3150127B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2001-03-26 | 日本電気株式会社 | 昇圧回路 |
GB9920172D0 (en) | 1999-08-25 | 1999-10-27 | Sgs Thomson Microelectronics | Cmos switching cicuitry |
US6400189B2 (en) * | 1999-12-14 | 2002-06-04 | Intel Corporation | Buffer circuit |
US6313671B1 (en) * | 1999-12-15 | 2001-11-06 | Exar Corporation | Low-power integrated circuit I/O buffer |
US6313672B1 (en) * | 1999-12-15 | 2001-11-06 | Exar Corporation | Over-voltage tolerant integrated circuit I/O buffer |
US6353524B1 (en) | 2000-03-17 | 2002-03-05 | International Business Machines Corporation | Input/output circuit having up-shifting circuitry for accommodating different voltage signals |
US7253675B2 (en) * | 2005-03-08 | 2007-08-07 | Texas Instruments Incorporated | Bootstrapping circuit capable of sampling inputs beyond supply voltage |
US7771115B2 (en) * | 2007-08-16 | 2010-08-10 | Micron Technology, Inc. | Temperature sensor circuit, device, system, and method |
US20100321083A1 (en) * | 2009-06-22 | 2010-12-23 | International Business Machines Corporation | Voltage Level Translating Circuit |
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Family Cites Families (10)
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US4689495A (en) * | 1985-06-17 | 1987-08-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS high voltage switch |
US4817058A (en) * | 1987-05-21 | 1989-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Multiple input/output read/write memory having a multiple-cycle write mask |
FR2642240B1 (fr) * | 1989-01-23 | 1994-07-29 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit a transistor mos de puissance commande par un dispositif a deux pompes de charge symetriques |
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US5128560A (en) * | 1991-03-22 | 1992-07-07 | Micron Technology, Inc. | Boosted supply output driver circuit for driving an all N-channel output stage |
US5321324A (en) * | 1993-01-28 | 1994-06-14 | United Memories, Inc. | Low-to-high voltage translator with latch-up immunity |
US5399920A (en) * | 1993-11-09 | 1995-03-21 | Texas Instruments Incorporated | CMOS driver which uses a higher voltage to compensate for threshold loss of the pull-up NFET |
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