KR970018213A - 반도체 장치에서 필드 산화막 제조 방법 - Google Patents
반도체 장치에서 필드 산화막 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 셀 내의 일부 트랜지스터의 폭을 변환시켜 반도체 디바이스의 저전압화를 실현할 수 있는 필드 산화막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판상에 제1절연막을 형성한 후, 버퍼역할을 하는 막질을 형성하고, 사진공정 및 식각 공정을 이용하여 소정의 영역에 상기 버퍼막을 소정의 두께까지 식각하는 단계; 상기 식각된 반도체 기판의 전면에 질화막인 제2절연막을 형성하는 단계; 제2절연막이 형성된 반도체 기판 상에 사진공정 및 식각 공정을 이용하여 활성영역 이외에 제2절연막을 식각한 후 필드 산화막을 형성하는 단계를 포함한다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 필드 산화막의 길이를 조절하여 셀 비를 개선하고, 이 개선된 셀 비값으로부터 반도체 장치의 저전압화를 실현할 수 있는 효과를 갖는다.
</SUMMARY
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3G도는 본 발명에 의한 필드 산화막 형성을 보이는 도면이다.
Claims (4)
- 반도체 장치의 필드 산화막 형성방법에 있어서, 반도체 기판상에 제1절연막을 형성한 후, 버퍼역할을 하는 막질을 형성하고, 사진공정 및 식각 공정을 이용하여 소정의 영역에 상기 버퍼막을 소정의 두께까지 식각하는 단계; 상기 식각된 반도체 기판의 전면에 질화막인 제2절연막을 형성하는 단계; 제2절연막이 형성된 반도체 기판 상에 사진공정 및 식각 공정을 이용하여 활성영역 이외에 제2절연막을 식각한 후 필드 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 필드 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 제1절연막은 산화막으로 하고, 버퍼 역할을 하는 막질은 폴리실리콘 막 또는 아모르포러스 폴리 실리콘 막으로 하며, 제2절연막은 실리콘질소(SiN)막을 이용하는 것을 특징으로 하는 필드 산화막 형성 방법.
- 반도체 장치의 필드 산화막 형성방법에 있어서, 반도체 기판상에 제1절연막을 형성하고 버퍼 역할을 하는 막을 형성한 후 제2절연막을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2절연막을 형성한 반도체 기판 상에 사진공정 및 식각공정을 거쳐 소정의 영역에 상기 제2절연막을 소정의 두께까지 식각하는 단계; 상기 제2절연막이 식각된 반도체 기판 상에 사진공정 및 식각공정을 이용하여 전체 활성소자 영역 이외의 제2절연막을 식각한 후 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 필드 산화막 형성방법.
- 제3항에 있어서, 제1절연막은 산화막으로 하고, 버퍼 역할을 하는 자질을 폴리실리콘 막 또는 아오르포러스 폴리 실리콘 막으로 하며, 제2절연막은 실리콘질소(SiN)막을 이용하는 것을 특징으로 하는 필드 산화막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031088A KR970018213A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 장치에서 필드 산화막 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950031088A KR970018213A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 장치에서 필드 산화막 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018213A true KR970018213A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950031088A KR970018213A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 장치에서 필드 산화막 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018213A (ko) |
-
1995
- 1995-09-21 KR KR1019950031088A patent/KR970018213A/ko not_active Application Discontinuation
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