KR970054413A - 비휘발성 메모리 소자 및 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 휘발성 소자 및 제조방법에 관한 것으로, 셀면적을 최대한 작게 형성하더라도 트랜지스터에 비해 특성의 열화정도가 현저히 낮기 때문에 고집적소자 제조에 적합한 것이다.
본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판; 상기 반도체 기판위에 형성되고, 저농도 불순물 영역과 제1 및 제2고농도 불순물영역을 갖는 제1도전층; 상기 제1 및 제2고농도 불순물영역상의 상기 제1도전층상에 형성된 제1절연막; 상기 저농도 불순물영역의 상기 제1도전층상에 형성된 박막절연부; 상기 박막절연부를 포함한 상기 제1절연막의 일부분상에 형성된 제2도전층을 포함하여 구성된다.
또한 본 발명에 따른 비휘발성 소자의 제조방법은 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체기판상에 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막을 제1도전층의 일부분이 노출되도록 선택적으로 제거하는 단계; 상기 제1도전층의 노출된 표면을 포함한 상기 제1절연막상에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막을 선택적으로 제거하여 박막절연부를 형성하는 단계; 상기 박막절연부와 제1절연막을 열처리하여 상기 제1도전층에 저농도 불순물영역과 제1 및 제2고농도 불순물영역을 형성하는 단계; 상기 박막절연부를 포함한 상기 제2절연막위에 제2도전층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

비휘발성 메모리 소자 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자의 회로구성도.

Claims (4)

  1. 반도체기판; 상기 반도체기판위에 형성되고, 저농도 불순물 영역과 제1 및 제2고농도 불순물 영역을 갖는 제1도전층; 상기 제1 및 제2고농도 불순물영역상의 상기 제1도전층상에 형성된 제1절연막; 상기 저농도 불순물영역의 상기 제1도전층상에 형성된 박막절연부; 상기 박막절연부를 포함한 상기 제1절연막의 일부분상에 형성된 제2도전층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 PSG막인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자.
  3. 반도체기판을 준비하는 단계; 상기 반도체기판상에 제1도전층을 형성하는 단계; 상기 제1도전층상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막을 제1도전층의 일부분이 노출되도록 선택적으로 제거하는 단계; 상기 제1도전층의 노출된 표면을 포함한 상기 제1절연막상에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막을 선택적으로 제거하여 박막절연부를 형성하는 단계; 상기 박막절연부와 제1절연막을 열처리하여 상기 제1도전층에 저농도 불순물영역과 제1 및 제2고농도 불순물 영역을 형성하는 단계; 상기 박막절연부를 포함한 상기 제2절연막 위에 제2도전층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1절연막은 PSG를 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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