KR970018202A - 오산화 이탄탈륨(Ta_2 O_5)유전막 커패시터 제조방법 - Google Patents

오산화 이탄탈륨(Ta_2 O_5)유전막 커패시터 제조방법 Download PDF

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Abstract

오산화 이탄탈륨(Ta2O5)의 고유전막을 갖는 커패시터의 하부전극 표면에 계면산화막 성장을 억제하기 위한 반도체 장치의 커패시터 제조방법에 관한 것이다.
Ta2O5유전자 형성의 전처리 방법에 있어서, 하부전극 표면을 산소 장벽 (Oxygen barrier)으로서 충분히 형성시키기 위해 순수하게 질화(Nitrided)된 표면이 아니라 질화(NITRIDATION)와 산소 열처리를 연속하여 실시함으로써 Sion 표면을 갖게하여 계면 산화막 성장을 억제하고 누설전류(Leakage Current)를 감소시켜 커패시터의 전기적 특성을 향상시켰다.

Description

오산화 이탄탈륨(Ta2O5)유전막 커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1B도는 본 발명의 실제 적용 결과로서 Ta2O5유전막 두께가 85Å인 경우에 따른 등가 산화막(Toxeq;Equivalent Thickness of Oxide)과 누설전류(Leakage Current)특성을 나타낸 그래프이다.

Claims (10)

  1. 오산화 이탄탄륨(Ta2O5)유전막을 구비한 커패시터의 오산화 이탄탈륨(Ta2O5)유전막 형성의 전처리 방법으로서, 상기 커패시터의 하부전극의 표면을 1차로 질화(NITRIDATION)하는 공정과 상기 질화된 하부전극 표면을 2차로 산소 분위기에서 열처리하는 공정을 연속하여 실시함으로써 상기 하부전극과 상기 오산화 이탄탈륨(Ta2O5)유전막의 계면에 산화막 성장을 억제하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 질화(NITRIDATION)는 RTP(Rapid Thermal Processing), Furnace(로)를 이용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 RTP 질화(NITRIDATION)는 진공 로드럭(vacuum load lock), 혹은 질소 퍼지(N2purge)를 이용하는 설비에서 진행할 수 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 질화(NITRIDATION)는 온도 800∼900℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 RTP 질화(NITRIDATION) 시간은 10∼200초인것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 질화(NITRIDATION)는 NH3, N2O, N2가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 산소 열처리는 RTP(Rapid Thermal Processing)를 이용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 RTP 산소 열처리 설비는 진공 로드럭(vacuum load lock), 혹은 질소 퍼지(N2purge)를 이용하는 설비에서 진행할 수 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 산소 열처리 온도는 800∼900℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 산소 열처리 시간은 10∼200초인 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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