KR970012218A - 하전빔 묘화방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가속전압의 하전빔 묘화장치로 마스크 기판 상에서 원하는 패턴 길이 보다도 길이가 작은 광근접 효과보정용의 보조패턴을 형성할 수 있다.
또한, 패턴의 약간 가늠 또는 굵음 처리를 행한 경우에 보조패턴이 소실하지 않고 원하는 패턴 및 보조패턴도 형성할 수 있다.
하전빔을 주사하여 시료 상에 원하는 패턴을 묘화함에 즈음하여 원하는 패턴의 각, 변 또는, 원하는 장소에 원하는 형상의 보조패턴을 배치하여 원하는 패턴과 보조패턴을 묘화하는 하전빔 묘화방법에 있어서, 보조패턴과 원하는 패턴을 묘화에 이용하는 묘화데이터 상에서 식별가능하게 하고, 원하는 패턴과 그 보조패턴을 각각 약간 가늠 또는 굵음의 처리를 시행하여 그 보조패턴과 원하는 패턴으로 이루어진 묘화데이터를 이용하여 묘화한다. 또한, 묘화시에 묘화데이터로부터 보조패턴을 식별하여 보조패턴을 원하는 패턴보다 조사량을 증가하여 묘화한다. 또한, 묘화시에 묘화데이터로부터 보조패턴을 식별하여 보조패턴을 원하는 패턴 보다도 횟수를 많게 묘화한다. 또한, 묘화데이터로부터 보조패턴을 식별하여 보조패턴에만 굵음 또는 가늠 처리를 행한 후의 묘화데이터를 이용하여 묘화한다.
도면의 간단한 설명
제1도는 본 발명의 기본개념을 설명하는 순서도, 제2도는 실제의 원하는 패턴으로 광근접효과보정용 보조패턴을 부여한 예를 구체적으로 설명하기 위한 도면, 제3도는 광근접효과용 보조패턴을 그대로 묘화한 경우, 보조패턴이 정밀도가 좋아 해상(解像)하지 않는 이유를 나타낸 도면, 제4도는 본 발명의 묘화방법으로 근접효과용 보도패턴을 묘사한 경우, 보조패턴이 정밀도가 좋게 해상하는 이유를 나타낸 도면.

Description

하전빔 묘화방법
내용없음

Claims (5)

  1. 하전빔을 조사하여 시료 상에 회로소자에 관한 원하는 패턴을 묘화하는 하전빔 묘화방법에 있어서, 소정 각, 소정 변을 갖춘 소정 형상을 웨이터 상에 광투영노광장치등에 의해 전사하기 위하여 그 웨이퍼 상의 형상을 원하는 소정 배율로 확대한 형상을 구비하는 마스크 상의 원하는 패턴에 관한 제1묘화데이터를 작성하는 단계와, 상기 마스크 상의 원하는 패턴을 광투영노광장치에 의해 축소하여 웨이퍼상에 전사하는 경우에, 상기 원하는 패턴에 있어서의 각 및 변을 포함하는 웨이퍼 상에서의 원하는 형상이 불선명하게 되는 것을 방지하기 위하여 설치되는 마스크 상의 원하는 형상의 보조패턴에 관한 제2묘화데이터를 작성하는 단계, 상기 제1묘화데이터와 제2묘화데이터를 합쳐 마스크 묘화데이터로써 상기 원하는 패턴과 상기 보조패턴을 마스크 묘화데이터 상에서 식별하는 단계 및, 상기 단계에 의해 식별된 결과에 기초하여 상기 원하는 패턴과 상기 보조 패턴을 식별하여 상기 원하는 패턴과 상기 보조패턴을 마스크 상에 하전빔에 의해 묘화하는 경우에, 상기 원하는 패턴과 상기 보조패턴으로 하점빔의 조사량 비율을 적당하게 변환시켜 묘화하는 당계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 하전빔 묘화방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보조패턴과 상기 원하는 패턴을 묘화에 이용하는 상기 마스크 묘화데이터 상에서 식별하는 단계 후에, 상기 마스크 묘화데이터로부터 상기 원하는 패턴을 식별하여 이 원하는 패턴의 형상을 가늘게 하기도 하고 굵게도 하는 약간 가늠.굵음 처리를 원하는 패턴에만 시행하는 단계와, 상기 약간 가늠.굵음 처리가 시행된 후의 상기 원하는 패턴 및 상기 보조 패턴을 합쳐 마스크 묘화데이터에 있어서, 상기 식별결과에 기초하여 필요하면 상기 원하는 패턴과 상기 보조패턴으로 하전빔의 조사량을 적당하게 변화시켜 마스크 상에 묘화하는단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 하전빔 묘화방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보조패턴과 상기 원하는 패턴을 묘화에 이용하는 마스크 묘화데이터 상에서 식별하는 단계 후에, 상기 마스크 묘화데이터로부터 상기 보조패턴을 식별하여 이 보조패턴의 형상을 가늘게 하기도 하고 굵게도 할 필요성이 있는 경우에 상기 보조패턴에만 약간 굵음.가늠 처리를 시행하는 단계와, 상기 원하는 패턴과 상기 약간 굵음. 가늠 처리가 시행된 보조패턴을 합쳐 마스크 묘화데이터에 의해 상기 식별결과에 기초하여 필요가 있으면 상기 원하는 패턴가 상기 보조패턴으로 조사량을 적당하게 변화시켜 마스크 상에 묘화하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 하전빔 묘화방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 하전빔으로 묘화하는 단계는 상기 원하는 패턴과 상기 보조패턴에 관한 식별결과에 기초하여 묘화시에 상기 마스크의 묘화데이터로부터 상기 보조패턴을 식별하여 이보조패턴의 하전빔의 조사량을 상기 원하는 패턴의 조사량 보다도 증가하여 묘화하는 것을 특징으로 하는 하전빔 묘화방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 하전빔으로 묘화하는 단계는 상기 원하는 패턴과 상기 보조패턴에 관한 식별결과에 기초하여 묘화시에 상기 마스크 묘화데이터로부터 상기 보조패턴을 식별하여 이보조패턴의 하전빔 조사횟수를 상기 원하는 패턴의 조사횟수 보다도 많게함으로써 조사량을 많게 하여 마스크 상에 묘화하는 것을 특징으로 하는 하전빔 묘화방법.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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