JP2565206B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JP2565206B2 JP2565206B2 JP21327287A JP21327287A JP2565206B2 JP 2565206 B2 JP2565206 B2 JP 2565206B2 JP 21327287 A JP21327287 A JP 21327287A JP 21327287 A JP21327287 A JP 21327287A JP 2565206 B2 JP2565206 B2 JP 2565206B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- energy
- forming method
- irradiation
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置を製造するためのリソグラフィ
工程等において使用されるパターンであって互いに継ぎ
合わされた複数のパターン部の組み合わせから成るパタ
ーンの形成方法に関するものである。
工程等において使用されるパターンであって互いに継ぎ
合わされた複数のパターン部の組み合わせから成るパタ
ーンの形成方法に関するものである。
本発明は、上記の様なパターン形成方法において、継
ぎ合わせ位置が互いに異なる複数組の組み合わせ同士を
重畳させて単一のパターンを形成し、この際に、単一の
パターンを形成するために照射されるべきエネルギを前
記複数組の各組に分配し、この分配したエネルギを用い
て前記各組に対する照射を行うことによって、継ぎ精度
が極めて高いパターンを形成することができる様にした
ものである。
ぎ合わせ位置が互いに異なる複数組の組み合わせ同士を
重畳させて単一のパターンを形成し、この際に、単一の
パターンを形成するために照射されるべきエネルギを前
記複数組の各組に分配し、この分配したエネルギを用い
て前記各組に対する照射を行うことによって、継ぎ精度
が極めて高いパターンを形成することができる様にした
ものである。
例えば、半導体装置を製造するためのリソグラフィ技
術では、多種類のマスクが使用されている。そしてこれ
らのマスクのパターンも、フォトリソグラフィ技術や電
子線リソグラフィ技術によって形成されている。
術では、多種類のマスクが使用されている。そしてこれ
らのマスクのパターンも、フォトリソグラフィ技術や電
子線リソグラフィ技術によって形成されている。
ところがこれらの技術で使用される装置の光学系に
は、レンズの歪やアパーチャの可動範囲等の制約があ
り、電子光学系にも、制約がある。このため、面積の大
きなパターンは一時に形成することができない。
は、レンズの歪やアパーチャの可動範囲等の制約があ
り、電子光学系にも、制約がある。このため、面積の大
きなパターンは一時に形成することができない。
そこで、第3A図に示す様に、縦長のパターン11を形成
する場合は、このパターン11を例えば２つの領域12a、1
2bに分割して別個に形成し、且つこの形成時に２つのパ
ターン部11a、11b同士を継ぎ合わせ位置13aで継ぎ合わ
せる様にしている。
する場合は、このパターン11を例えば２つの領域12a、1
2bに分割して別個に形成し、且つこの形成時に２つのパ
ターン部11a、11b同士を継ぎ合わせ位置13aで継ぎ合わ
せる様にしている。
ところが現行の装置では、パターン部11a、11b同士の
継ぎ精度が十分には高くなく、高精度のものでも３σで
0.1μｍ程度である。このため、形成したマスク上のパ
ターン11には、第3B図に示す様に、パターン部11aとパ
ターン部11bとで比較的大きなずれΔが発生している。
継ぎ精度が十分には高くなく、高精度のものでも３σで
0.1μｍ程度である。このため、形成したマスク上のパ
ターン11には、第3B図に示す様に、パターン部11aとパ
ターン部11bとで比較的大きなずれΔが発生している。
従ってこの様なマスクは、CCDイメージセンサ等の高
精度を要求されるデバイス用のマスクとしては不十分で
ある。またメモリ等のデバイスでも、集積度が更に向上
すれば、上述の継ぎ精度が問題になる可能性がある。
精度を要求されるデバイス用のマスクとしては不十分で
ある。またメモリ等のデバイスでも、集積度が更に向上
すれば、上述の継ぎ精度が問題になる可能性がある。
本発明によるパターン形成方法は、継ぎ合わせ位置13
b〜13dが互いに異なる複数組の組み合わせ（パターン部
11cと11d、11eと11f、及び11gと11h）同士を重畳させて
単一のパターン11を形成し、この際に、前記単一のパタ
ーン11を形成するために照射されるべきエネルギを前記
複数組の各組に分配し、この分配した前記エネルギを用
いで前記各組に対する照射を行う様にしている。
b〜13dが互いに異なる複数組の組み合わせ（パターン部
11cと11d、11eと11f、及び11gと11h）同士を重畳させて
単一のパターン11を形成し、この際に、前記単一のパタ
ーン11を形成するために照射されるべきエネルギを前記
複数組の各組に分配し、この分配した前記エネルギを用
いで前記各組に対する照射を行う様にしている。
本発明によるパターン形成方法で複数組の組み合わせ
（パターン部11cと11d、11eと11f、及び11gと11h）の各
組における継ぎ合わせ位置13b〜13dが互いに異なってい
るので、或る組の継ぎ合わせ位置13b〜13dでパターン部
11cと11d、11eと11f、及び11gと11h同士にずれが発生し
ても、他の組ではずれが発生しない。
（パターン部11cと11d、11eと11f、及び11gと11h）の各
組における継ぎ合わせ位置13b〜13dが互いに異なってい
るので、或る組の継ぎ合わせ位置13b〜13dでパターン部
11cと11d、11eと11f、及び11gと11h同士にずれが発生し
ても、他の組ではずれが発生しない。
しかも、各組に照射されるべきエネルギはパターン11
の形成のために照射されるべきエネルギを複数組の各組
に分配したものであるので、パターン部11cと11d、11e
と11f、及び11gと11hのうちのずれた部分に照射された
量のエネルギのみではパターンが形成されない。
の形成のために照射されるべきエネルギを複数組の各組
に分配したものであるので、パターン部11cと11d、11e
と11f、及び11gと11hのうちのずれた部分に照射された
量のエネルギのみではパターンが形成されない。
従って、各組同士を重畳させて形成したパターン11に
発生しているずれは極めて小さい。
発生しているずれは極めて小さい。
以下、半導体装置を製造するためのマスクをリソグラ
フィ技術で製造する場合に適用した本発明の一実施例
を、第１図及び第２図を参照しながら説明する。
フィ技術で製造する場合に適用した本発明の一実施例
を、第１図及び第２図を参照しながら説明する。
本実施例でもパターンを２つの領域に分割して形成す
るが、本実施例では、第1A図〜第1C図に示す様に、２つ
の領域12cと12d、12eと12f、及び12gと12h同士の継ぎ合
わせ位置13b〜13dが互いに異なる３組のパターンデータ
を準備する。
るが、本実施例では、第1A図〜第1C図に示す様に、２つ
の領域12cと12d、12eと12f、及び12gと12h同士の継ぎ合
わせ位置13b〜13dが互いに異なる３組のパターンデータ
を準備する。
そして、第1A図〜第1C図に示した３組のパターン11を
順次に重畳させ、各組に対して光や電子線等のエネルギ
の照射を行う。
順次に重畳させ、各組に対して光や電子線等のエネルギ
の照射を行う。
但し、各組に対して照射されるエネルギの量は、第2A
図及び第2B図に示す様にレジストにパターンを形成する
ための適正エネルギ量をＤ、パターンを形成する閾値を
DTとすると、DTよりも小さいD/3とする。
図及び第2B図に示す様にレジストにパターンを形成する
ための適正エネルギ量をＤ、パターンを形成する閾値を
DTとすると、DTよりも小さいD/3とする。
即ち、レジストがネガ形の場合は１回のエネルギ照射
ではレジストの残膜を生じず、またレジストがポジ形の
場合は１回のエネルギ照射ではレジストの膜厚減少を生
じず、且つ３回のエネルギ照射で残膜や膜厚減少を生じ
るエネルギ照射量とする。
ではレジストの残膜を生じず、またレジストがポジ形の
場合は１回のエネルギ照射ではレジストの膜厚減少を生
じず、且つ３回のエネルギ照射で残膜や膜厚減少を生じ
るエネルギ照射量とする。
従って、第3A図に示した従来例では、領域12a及び12b
に対する１回ずつのエネルギ照射でパターン部11a及び1
1bの夫々形成されていたが、第1A図〜第1C図に示した本
実施例では、領域12c及び12dに対する１回目のエネルギ
照射と領域12e及び12fに対する２回目のエネルギ照射と
を行った段階ではパターン11が未だ形成されておらず、
領域12g及び12hに対する３回目のエネルギ照射を行った
段階で初めてパターン11が形成される。
に対する１回ずつのエネルギ照射でパターン部11a及び1
1bの夫々形成されていたが、第1A図〜第1C図に示した本
実施例では、領域12c及び12dに対する１回目のエネルギ
照射と領域12e及び12fに対する２回目のエネルギ照射と
を行った段階ではパターン11が未だ形成されておらず、
領域12g及び12hに対する３回目のエネルギ照射を行った
段階で初めてパターン11が形成される。
このために、パターン部11cと11d、11eと11f、及び11
gと11hとに、継ぎ合わせ位置13b、13c、及び13dにおい
て0.1μｍ程度のずれが発生していても、これらのずれ
た部分に照射された量のエネルギのみでは、レジストの
現像処理を行っても現像されない。
gと11hとに、継ぎ合わせ位置13b、13c、及び13dにおい
て0.1μｍ程度のずれが発生していても、これらのずれ
た部分に照射された量のエネルギのみでは、レジストの
現像処理を行っても現像されない。
この結果、上述の様な３回のエネルギ照射を行う本実
施例では、第３図に示した様なパターン11を形成する既
述の従来例に比べて、形成したパターンに発生している
ずれが極めて小さく、0.03μｍ以下のずれしか発生しな
かった。
施例では、第３図に示した様なパターン11を形成する既
述の従来例に比べて、形成したパターンに発生している
ずれが極めて小さく、0.03μｍ以下のずれしか発生しな
かった。
なお、本実施例ではエネルギ照射の回数を３回として
いるが、この回数は、継ぎ合わせ位置が互いに異なるパ
ターンデータの数に応じて２回以上の任意の回数とする
ことができる。一般に、１回当りのエネルギ照射量を少
なくしてエネルギ照射回数を多くすると、生産性は低下
するが、形成したパターンに発生するずれは減少する。
いるが、この回数は、継ぎ合わせ位置が互いに異なるパ
ターンデータの数に応じて２回以上の任意の回数とする
ことができる。一般に、１回当りのエネルギ照射量を少
なくしてエネルギ照射回数を多くすると、生産性は低下
するが、形成したパターンに発生するずれは減少する。
本発明によるパターン形成方法では、形成したパター
ンに発生しているずれが極めて小さいので、継ぎ精度が
極めて高いパターンを形成することができる。
ンに発生しているずれが極めて小さいので、継ぎ精度が
極めて高いパターンを形成することができる。
第１図は本発明の一実施例で使用するパターンの正面
図、第２図はレジストの感光特性を示すグラフである。 第3A図は本発明の一実施例で使用するパターンの正面
図、第3B図は一従来例で形成したパターンの正面図であ
る。 なお図面に用いた符号において、 11……パターン 11c〜11h……パターン部 13b〜13d……継ぎ合わせ位置 である。
図、第２図はレジストの感光特性を示すグラフである。 第3A図は本発明の一実施例で使用するパターンの正面
図、第3B図は一従来例で形成したパターンの正面図であ
る。 なお図面に用いた符号において、 11……パターン 11c〜11h……パターン部 13b〜13d……継ぎ合わせ位置 である。
Claims (1)
- 【請求項１】単一のパターンを構成する複数のパターン
部の各々をエネルギの照射によって形成し、互いに継ぎ
合わせた前記複数のパターン部の組み合わせによって前
記単一のパターンを形成する様にしたパターン形成方法
において、 継ぎ合わせ位置が互いに異なる複数組の前記組み合わせ
同士を重畳させて前記単一のパターンを形成し、この際
に、前記単一のパターンを形成するために照射されるべ
き前記エネルギを前記複数組の各組に分配し、この分配
した前記エネルギを用いて前記各組に対する前記照射を
行う様にしたことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21327287A JP2565206B2 (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21327287A JP2565206B2 (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6456440A JPS6456440A (en) | 1989-03-03 |
| JP2565206B2 true JP2565206B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=16636358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21327287A Expired - Lifetime JP2565206B2 (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565206B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3351013B2 (ja) * | 1993-04-12 | 2002-11-25 | 株式会社ニコン | 露光装置および露光方法 |
-
1987
- 1987-08-27 JP JP21327287A patent/JP2565206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6456440A (en) | 1989-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |