JPH07240361A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH07240361A JPH07240361A JP6031055A JP3105594A JPH07240361A JP H07240361 A JPH07240361 A JP H07240361A JP 6031055 A JP6031055 A JP 6031055A JP 3105594 A JP3105594 A JP 3105594A JP H07240361 A JPH07240361 A JP H07240361A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 データ処理時間及び露光時間を増加させるこ
となく階段近似で生じる段差を緩やかにすることがで
き、目標とするパターンに近づけて特性への悪影響を生
じ難くすることができる。 【構成】 設計データから露光装置で階段近似される露
光データを基に、設計データから露光装置で決定される
放射線の基準焦点を所定量ずらしてレジストに露光した
後、該レジストを現像処理してレジストパターンを形成
する。
となく階段近似で生じる段差を緩やかにすることがで
き、目標とするパターンに近づけて特性への悪影響を生
じ難くすることができる。 【構成】 設計データから露光装置で階段近似される露
光データを基に、設計データから露光装置で決定される
放射線の基準焦点を所定量ずらしてレジストに露光した
後、該レジストを現像処理してレジストパターンを形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジストパターン形成
方法に係り、詳しくは、感光材に対して放射線を照射し
て感光材を感光させた後、現像工程でパターンを形成す
るパターン形成技術に適用することができ、特に、デー
タ処理時間及び露光時間を増加させることなく階段近似
で生じる段差を緩やかにすることができ、目標とするパ
ターンに近づけて特性への悪影響を生じ難くすることが
できるレジストパターン形成方法に関する。
方法に係り、詳しくは、感光材に対して放射線を照射し
て感光材を感光させた後、現像工程でパターンを形成す
るパターン形成技術に適用することができ、特に、デー
タ処理時間及び露光時間を増加させることなく階段近似
で生じる段差を緩やかにすることができ、目標とするパ
ターンに近づけて特性への悪影響を生じ難くすることが
できるレジストパターン形成方法に関する。
【０００２】近年、レジストパターン形成方法は、レジ
ストに放射線を照射して露光した後、現像してパターン
を形成しており、例えば、斜辺部分を有する設計データ
を用いる場合は、設計データの斜辺部分を階段近似して
変換した露光データを基にマスク材に忠実に照射してパ
ターンを形成している。このため、任意の角度を有する
パターン等は、０度と９０度のパターンに近似され、斜
辺部分にはっきりとした階段状のパターンが形成されて
しまう。ウェハプロセスでは、斜辺部分にはっきりとし
た階段状のパターンが形成されるのを前提としているた
め、問題にならない場合が多いが、目標とするパターン
とは大きく異なるパターンが形成されることがあるた
め、製品の特性が得られなくなることがあり、例えば薄
膜磁気ヘッド等のデバイスでは、このように斜辺部分に
はっきりとした階段状のパターンが形成されると、特性
に悪影響を及ぼすという問題が生じる。
ストに放射線を照射して露光した後、現像してパターン
を形成しており、例えば、斜辺部分を有する設計データ
を用いる場合は、設計データの斜辺部分を階段近似して
変換した露光データを基にマスク材に忠実に照射してパ
ターンを形成している。このため、任意の角度を有する
パターン等は、０度と９０度のパターンに近似され、斜
辺部分にはっきりとした階段状のパターンが形成されて
しまう。ウェハプロセスでは、斜辺部分にはっきりとし
た階段状のパターンが形成されるのを前提としているた
め、問題にならない場合が多いが、目標とするパターン
とは大きく異なるパターンが形成されることがあるた
め、製品の特性が得られなくなることがあり、例えば薄
膜磁気ヘッド等のデバイスでは、このように斜辺部分に
はっきりとした階段状のパターンが形成されると、特性
に悪影響を及ぼすという問題が生じる。
【０００３】そこで、階段近似で生じる段差を緩やかに
することができ、目標とするパターンに近づけて特性へ
の悪影響を生じ難くすることができるレジストパターン
形成方法が要求されている。
することができ、目標とするパターンに近づけて特性へ
の悪影響を生じ難くすることができるレジストパターン
形成方法が要求されている。
【０００４】
【従来の技術】従来のレジストパターン形成方法では、
図５（ａ）に示す如く、斜辺部分を有する設計データを
用いて照射する際は、露光データやマスク材の制限があ
るうえ、露光装置等の性能上斜辺部分をそのまま露光デ
ータに変換して設計データ通りに露光することができ
ず、図５（ｂ）に示す如く、露光装置で斜辺部分を階段
状に近似（０度と９０度のパターンに近似）した露光デ
ータに変換し、この階段近似した露光データを基に図５
（ｃ）に示す如く、マスク材に忠実に照射してパターン
を形成している。
図５（ａ）に示す如く、斜辺部分を有する設計データを
用いて照射する際は、露光データやマスク材の制限があ
るうえ、露光装置等の性能上斜辺部分をそのまま露光デ
ータに変換して設計データ通りに露光することができ
ず、図５（ｂ）に示す如く、露光装置で斜辺部分を階段
状に近似（０度と９０度のパターンに近似）した露光デ
ータに変換し、この階段近似した露光データを基に図５
（ｃ）に示す如く、マスク材に忠実に照射してパターン
を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のレジストパターン形成方法では、設計データの斜辺部
分を階段近似して変換した露光データを基にマスク材に
忠実に照射してパターンを形成しているため、任意の角
度を有するパターン等は、０度と９０度のパターンに近
似され、斜辺部分にはっきりとした階段状のパターンが
形成されてしまう。これは、ウェハプロセスでは、問題
にならない場合が多いが、目標とするパターンとは大き
く異なるパターンが形成されることがあるため、製品の
特性が得られなくなることがあり、例えば薄膜磁気ヘッ
ド等のデバイスでは、このように斜辺部分にはっきりと
した階段状のパターンが形成されると、特性に悪影響を
及ぼすという問題が生じる。
のレジストパターン形成方法では、設計データの斜辺部
分を階段近似して変換した露光データを基にマスク材に
忠実に照射してパターンを形成しているため、任意の角
度を有するパターン等は、０度と９０度のパターンに近
似され、斜辺部分にはっきりとした階段状のパターンが
形成されてしまう。これは、ウェハプロセスでは、問題
にならない場合が多いが、目標とするパターンとは大き
く異なるパターンが形成されることがあるため、製品の
特性が得られなくなることがあり、例えば薄膜磁気ヘッ
ド等のデバイスでは、このように斜辺部分にはっきりと
した階段状のパターンが形成されると、特性に悪影響を
及ぼすという問題が生じる。
【０００６】そこで、この斜辺部分にはっきりとした階
段状のパターンが形成され、目標とするパターンと大き
く異なるパターンが形成されてしまうという問題を解消
するには、設計データから階段近似する時のデータ量を
増やして細かく階段近似して斜辺部分をできるだけ滑ら
かにすればよい。しかしながら、このように階段近似す
るデータ量を増やすと、露光装置が設計データから階段
近似してデータを変換するデータ処理時間がかかり過ぎ
てしまううえ、データ量が多いため、露光時間もかかり
過ぎてしまうという問題があった。
段状のパターンが形成され、目標とするパターンと大き
く異なるパターンが形成されてしまうという問題を解消
するには、設計データから階段近似する時のデータ量を
増やして細かく階段近似して斜辺部分をできるだけ滑ら
かにすればよい。しかしながら、このように階段近似す
るデータ量を増やすと、露光装置が設計データから階段
近似してデータを変換するデータ処理時間がかかり過ぎ
てしまううえ、データ量が多いため、露光時間もかかり
過ぎてしまうという問題があった。
【０００７】そこで、本発明は、データ処理時間及び露
光時間を増加させることなく階段近似で生じる段差を緩
やかにすることができ、目標とするパターンに近づけて
特性への悪影響を生じ難くすることができるレジストパ
ターン形成方法を提供することを目的とする。
光時間を増加させることなく階段近似で生じる段差を緩
やかにすることができ、目標とするパターンに近づけて
特性への悪影響を生じ難くすることができるレジストパ
ターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
設計データから露光装置で階段近似される露光データを
基に、設計データから露光装置で決定される放射線の基
準焦点を所定量ずらしてレジストに露光した後、該レジ
ストを現像処理してレジストパターンを形成することを
特徴とするものである。
設計データから露光装置で階段近似される露光データを
基に、設計データから露光装置で決定される放射線の基
準焦点を所定量ずらしてレジストに露光した後、該レジ
ストを現像処理してレジストパターンを形成することを
特徴とするものである。
【０００９】請求項２記載の発明は、設計データから露
光装置で階段近似される露光データを基にレジストに通
常の露光を行った後、再度同じパターンが要求される配
置精度の範囲内で座標をずらし、該レジストが解像する
露光量下限値近傍の露光量にて少なくとも１回以上多重
露光した後、該レジストを現像処理してレジストパター
ンを形成することを特徴とするものである。
光装置で階段近似される露光データを基にレジストに通
常の露光を行った後、再度同じパターンが要求される配
置精度の範囲内で座標をずらし、該レジストが解像する
露光量下限値近傍の露光量にて少なくとも１回以上多重
露光した後、該レジストを現像処理してレジストパター
ンを形成することを特徴とするものである。
【００１０】請求項３記載の発明は、設計データから露
光装置で階段近似される露光データを基にレジストに通
常の露光を行った後、設計データから露光装置で階段近
似される露光データの段差部に座標をずらして該レジス
トに多重露光した後、該レジストを現像処理してレジス
トパターンを形成することを特徴とするものである。請
求項４記載の発明は、設計データから露光装置で決定さ
れる基準露光量を所定量高くして、これにより寸法が大
きくなるのを見込んでシフトを入れた設計データを作成
し、この作成した設計データから露光装置で階段近似さ
れる露光データを基にレジストに露光量を該基準露光量
よりも所定量高くして露光した後、該レジストを現像処
理してレジストパターンを形成することを特徴とするも
のである。
光装置で階段近似される露光データを基にレジストに通
常の露光を行った後、設計データから露光装置で階段近
似される露光データの段差部に座標をずらして該レジス
トに多重露光した後、該レジストを現像処理してレジス
トパターンを形成することを特徴とするものである。請
求項４記載の発明は、設計データから露光装置で決定さ
れる基準露光量を所定量高くして、これにより寸法が大
きくなるのを見込んでシフトを入れた設計データを作成
し、この作成した設計データから露光装置で階段近似さ
れる露光データを基にレジストに露光量を該基準露光量
よりも所定量高くして露光した後、該レジストを現像処
理してレジストパターンを形成することを特徴とするも
のである。
【００１１】請求項５記載の発明は、上記請求項１乃至
４記載のレジストパタ−ン形成方法において、請求項１
〜４のレジストパタ−ン形成方法を適宜組み合わせてレ
ジストパタ−ンを形成することを特徴とするものであ
る。本発明においては、その形成したレジストパターン
を用いてマスクやレチクル、及びデバイスの製造方法に
好適に用いることができる。
４記載のレジストパタ−ン形成方法において、請求項１
〜４のレジストパタ−ン形成方法を適宜組み合わせてレ
ジストパタ−ンを形成することを特徴とするものであ
る。本発明においては、その形成したレジストパターン
を用いてマスクやレチクル、及びデバイスの製造方法に
好適に用いることができる。
【００１２】
【作用】請求項１記載の発明では、設計データから露光
装置で階段近似される露光データを基に、設計データか
ら露光装置で決定される放射線の基準焦点を所定量ずら
してレジストに露光した後、このレジストを現像処理し
てレジストパターンを形成するように構成したため、焦
点をずらしてぼけた照射線でレジストがぼけるようにレ
ジストを露光することができる。このため、階段近似で
生じる段差を緩やかにすることができるので、目標とす
るパターンに近づけることができ、特性への悪影響を生
じ難くすることができる。しかも、焦点をずらして行い
さえすればよいため、階段近似するデータを増やしてデ
ータを変換するデータ処理時間を増加させないで済ませ
ることができ、露光時間を増加させないで済ませること
ができる。
装置で階段近似される露光データを基に、設計データか
ら露光装置で決定される放射線の基準焦点を所定量ずら
してレジストに露光した後、このレジストを現像処理し
てレジストパターンを形成するように構成したため、焦
点をずらしてぼけた照射線でレジストがぼけるようにレ
ジストを露光することができる。このため、階段近似で
生じる段差を緩やかにすることができるので、目標とす
るパターンに近づけることができ、特性への悪影響を生
じ難くすることができる。しかも、焦点をずらして行い
さえすればよいため、階段近似するデータを増やしてデ
ータを変換するデータ処理時間を増加させないで済ませ
ることができ、露光時間を増加させないで済ませること
ができる。
【００１３】請求項２記載の発明では、設計データから
露光装置で階段近似される露光データを基にレジストに
通常の露光を行った後、再度同じパターンが要求される
配置精度の範囲内で座標をずらし、該レジストが解像す
る露光量下限値近傍の露光量にて少なくとも１回以上多
重露光した後、該レジストを現像処理してレジストパタ
ーンを形成するように構成したため、段差部を多重露光
することができる。このため、階段近似で生じる段差を
緩やかにすることができるので、目標とするパターンに
近づけることができ、特性への悪影響を生じ難くするこ
とができる。
露光装置で階段近似される露光データを基にレジストに
通常の露光を行った後、再度同じパターンが要求される
配置精度の範囲内で座標をずらし、該レジストが解像す
る露光量下限値近傍の露光量にて少なくとも１回以上多
重露光した後、該レジストを現像処理してレジストパタ
ーンを形成するように構成したため、段差部を多重露光
することができる。このため、階段近似で生じる段差を
緩やかにすることができるので、目標とするパターンに
近づけることができ、特性への悪影響を生じ難くするこ
とができる。
【００１４】請求項３記載の発明では、設計データから
露光装置で階段近似される露光データを基にレジストに
通常の露光を行った後、設計データから露光装置で階段
近似される露光データの段差部に座標をずらして該レジ
ストに多重露光した後、該レジストを現像処理してレジ
ストパターンを形成するように構成したため、段差部を
多重露光することができる。このため、階段近似で生じ
る段差を緩やかにすることができるので、目標とするパ
ターンに近づけることができ、特性への悪影響を生じ難
くすることができる。
露光装置で階段近似される露光データを基にレジストに
通常の露光を行った後、設計データから露光装置で階段
近似される露光データの段差部に座標をずらして該レジ
ストに多重露光した後、該レジストを現像処理してレジ
ストパターンを形成するように構成したため、段差部を
多重露光することができる。このため、階段近似で生じ
る段差を緩やかにすることができるので、目標とするパ
ターンに近づけることができ、特性への悪影響を生じ難
くすることができる。
【００１５】請求項４記載の発明では、設計データから
露光装置で決定される基準露光量を所定量高くして、こ
れにより寸法が大きくなるのを見込んでシフトを入れた
設計データを作成し、この作成した設計データから露光
装置で階段近似される露光データを基にレジストに露光
量を該基準露光量よりも所定量高くして露光した後、こ
のレジストを現像処理してレジストパターンを形成する
ように構成したため、露光量を該基準露光量よりも高く
してレジストをぼかして露光することができる。このた
め、階段近似で生じる段差を緩やかにすることができる
ので、目標とするパターンに近づけることができ、特性
への悪影響を生じ難くすることができる。しかも、露光
量を高くして行いさえすればよいため、階段近似するデ
ータを増やしてデータを変換するデータ処理時間を増加
させないで済ませることができ、露光時間を増加させな
いで済ませることができる。
露光装置で決定される基準露光量を所定量高くして、こ
れにより寸法が大きくなるのを見込んでシフトを入れた
設計データを作成し、この作成した設計データから露光
装置で階段近似される露光データを基にレジストに露光
量を該基準露光量よりも所定量高くして露光した後、こ
のレジストを現像処理してレジストパターンを形成する
ように構成したため、露光量を該基準露光量よりも高く
してレジストをぼかして露光することができる。このた
め、階段近似で生じる段差を緩やかにすることができる
ので、目標とするパターンに近づけることができ、特性
への悪影響を生じ難くすることができる。しかも、露光
量を高くして行いさえすればよいため、階段近似するデ
ータを増やしてデータを変換するデータ処理時間を増加
させないで済ませることができ、露光時間を増加させな
いで済ませることができる。
【００１６】請求項５記載の発明は、請求項１〜４のレ
ジストパタ−ン形成方法を適宜組み合わせてレジストパ
タ−ンを形成するため、上記請求項１〜４記載の発明と
同様の効果を得ることができる。
ジストパタ−ン形成方法を適宜組み合わせてレジストパ
タ−ンを形成するため、上記請求項１〜４記載の発明と
同様の効果を得ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例１）図１は本発明に係る実施例１のレジストパ
ターン形成方法を示す図である。本実施例では、まず、
図１（ａ）に示す如く、斜辺部分を有する設計データ１
を用い、図１（ｂ）に示す如く、図１（ａ）の設計デー
タ１から露光装置で階段近似される露光データ２を基
に、設計データ１から露光装置で決定される放射線の基
準焦点を意識的に所定量ずらしてレジストを露光する。
この時、放射線の基準焦点のずらし量は、露光分布の目
標寸法から５０％のぼかし量が入るように設定する。そ
して、この放射線の焦点をずらして露光したレジストを
現像処理することにより、図１（ｃ）に示すような段差
部が緩やかなレジストパターン３を形成する。
する。 （実施例１）図１は本発明に係る実施例１のレジストパ
ターン形成方法を示す図である。本実施例では、まず、
図１（ａ）に示す如く、斜辺部分を有する設計データ１
を用い、図１（ｂ）に示す如く、図１（ａ）の設計デー
タ１から露光装置で階段近似される露光データ２を基
に、設計データ１から露光装置で決定される放射線の基
準焦点を意識的に所定量ずらしてレジストを露光する。
この時、放射線の基準焦点のずらし量は、露光分布の目
標寸法から５０％のぼかし量が入るように設定する。そ
して、この放射線の焦点をずらして露光したレジストを
現像処理することにより、図１（ｃ）に示すような段差
部が緩やかなレジストパターン３を形成する。
【００１８】なお、露光装置が任意角パターンを判別す
ることができる機能を有している場合には、任意角パタ
ーンのみ、即ち、ぼかしたい部分のパターンのみ放射線
の焦点を意識的にずらずように構成するのがより効果的
である。また、露光装置が任意角パターンを判別できな
い場合には、任意角パターンと任意角以外のパターンを
別のデータファイルに記録し、各々のパターンに見合っ
た放射線にて重ね合わせ露光を行えばよい。
ることができる機能を有している場合には、任意角パタ
ーンのみ、即ち、ぼかしたい部分のパターンのみ放射線
の焦点を意識的にずらずように構成するのがより効果的
である。また、露光装置が任意角パターンを判別できな
い場合には、任意角パターンと任意角以外のパターンを
別のデータファイルに記録し、各々のパターンに見合っ
た放射線にて重ね合わせ露光を行えばよい。
【００１９】このように、本実施例では、設計データ１
から露光装置で階段近似される露光データを基に設計デ
ータ１から露光装置で決定される放射線の基準焦点を所
定量ずらしてレジストに露光した後、このレジストを現
像処理してレジストパターン３を形成するように構成し
たため、焦点をずらしてぼけた放射線でレジストがぼけ
るようにレジストを露光することができる。このため、
階段近似で生じる段差を緩やかにすることができるの
で、目標とするパターンに近づけることができ、特性へ
の悪影響を生じ難くすることができる。しかも、焦点を
ずらして行いさえすればよいため、階段近似するデータ
を増やしてデータを変換するデータ処理時間を増加させ
ないで済ませることができ、露光時間を増加させないで
済ませることができる。
から露光装置で階段近似される露光データを基に設計デ
ータ１から露光装置で決定される放射線の基準焦点を所
定量ずらしてレジストに露光した後、このレジストを現
像処理してレジストパターン３を形成するように構成し
たため、焦点をずらしてぼけた放射線でレジストがぼけ
るようにレジストを露光することができる。このため、
階段近似で生じる段差を緩やかにすることができるの
で、目標とするパターンに近づけることができ、特性へ
の悪影響を生じ難くすることができる。しかも、焦点を
ずらして行いさえすればよいため、階段近似するデータ
を増やしてデータを変換するデータ処理時間を増加させ
ないで済ませることができ、露光時間を増加させないで
済ませることができる。
【００２０】（実施例２）図２は本発明に係る実施例２
のレジストパターン形成方法を示す図である。本実施例
では、まず、図２（ａ）に示す如く、斜辺部分を有する
設計データ１１を用い、図２（ｂ）に示す如く、図２
（ａ）の設計データ１１から露光装置で階段近似される
露光データ１２ａを基にレジストに通常通りの露光を行
った後、再度同じパターンが要求される配置精度の範囲
内で座標をずらし、そのずらした座標の露光データ１２
ｂを基に、レジストが解像する露光量下限値Ｅｔｈ近傍
の露光量にて多重露光する。この時、パターンの段差は
０．２μｍルールとし、露光量は、Ｅｔｈ×１．１と
し、座標の上方へのずらし量は１μｍとする。なお、こ
こでは、上方のみの座標をずらしているが、上方のみで
なく、左右方向にも座標をずらせば、段差部を更に緩や
かにすることができる。そして、多重露光したレジスト
を現像処理することにより、図２（ｃ）に示すような段
差部が緩やかなレジストパターン１３を形成する。
のレジストパターン形成方法を示す図である。本実施例
では、まず、図２（ａ）に示す如く、斜辺部分を有する
設計データ１１を用い、図２（ｂ）に示す如く、図２
（ａ）の設計データ１１から露光装置で階段近似される
露光データ１２ａを基にレジストに通常通りの露光を行
った後、再度同じパターンが要求される配置精度の範囲
内で座標をずらし、そのずらした座標の露光データ１２
ｂを基に、レジストが解像する露光量下限値Ｅｔｈ近傍
の露光量にて多重露光する。この時、パターンの段差は
０．２μｍルールとし、露光量は、Ｅｔｈ×１．１と
し、座標の上方へのずらし量は１μｍとする。なお、こ
こでは、上方のみの座標をずらしているが、上方のみで
なく、左右方向にも座標をずらせば、段差部を更に緩や
かにすることができる。そして、多重露光したレジスト
を現像処理することにより、図２（ｃ）に示すような段
差部が緩やかなレジストパターン１３を形成する。
【００２１】このように、本実施例では、設計データ１
１から露光装置で階段近似される露光データ１２ａを基
にレジストに通常の露光を行った後、再度同じパターン
が要求される配置精度の範囲内で座標をずらし、レジス
トが解像する露光量下限値近傍の露光量にて少なくとも
１回以上多重露光した後、レジストを現像処理してレジ
ストパターン１３を形成するように構成したため、段差
部を多重露光することができる。このため、階段近似で
生じる段差を緩やかにすることができるので、目標とす
るパターンに近づけることができ、特性への悪影響を生
じ難くすることができる。
１から露光装置で階段近似される露光データ１２ａを基
にレジストに通常の露光を行った後、再度同じパターン
が要求される配置精度の範囲内で座標をずらし、レジス
トが解像する露光量下限値近傍の露光量にて少なくとも
１回以上多重露光した後、レジストを現像処理してレジ
ストパターン１３を形成するように構成したため、段差
部を多重露光することができる。このため、階段近似で
生じる段差を緩やかにすることができるので、目標とす
るパターンに近づけることができ、特性への悪影響を生
じ難くすることができる。
【００２２】（実施例３）図３は本発明に係る実施例３
のレジストパターン形成方法を示す図である。本実施例
では、まず、図３（ａ）に示す如く、斜辺部分を有する
設計データ２１を用い、図３（ｂ）に示す如く、図３
（ａ）の設計データ２１から露光装置で階段近似される
露光データ２２ａを基にレジストに通常通りの露光を行
った後、段差部に座標をずらし、そのずらした座標の露
光データ２２ｂを基に、例えばレジストが解像する露光
量下限値Ｅｔｈ近傍の露光量にて多重露光する。この
時、パターンの段差は０．２μｍルールとし、露光量は
Ｅｔｈ×１．１とする。そして、多重露光したレジスト
を現像処理することにより、図３（ｃ）に示すような段
差部が緩やかなレジストパターン２３を形成する。
のレジストパターン形成方法を示す図である。本実施例
では、まず、図３（ａ）に示す如く、斜辺部分を有する
設計データ２１を用い、図３（ｂ）に示す如く、図３
（ａ）の設計データ２１から露光装置で階段近似される
露光データ２２ａを基にレジストに通常通りの露光を行
った後、段差部に座標をずらし、そのずらした座標の露
光データ２２ｂを基に、例えばレジストが解像する露光
量下限値Ｅｔｈ近傍の露光量にて多重露光する。この
時、パターンの段差は０．２μｍルールとし、露光量は
Ｅｔｈ×１．１とする。そして、多重露光したレジスト
を現像処理することにより、図３（ｃ）に示すような段
差部が緩やかなレジストパターン２３を形成する。
【００２３】このように、本実施例では、設計データ２
１から露光装置で階段近似される露光データ２２ａを基
にレジストに通常の露光を行った後、設計データ２１か
ら露光装置で階段近似される露光データ２２ａの段差部
に座標をずらしてレジストに多重露光した後、このレジ
ストを現像処理してレジストパターン２３を形成するよ
うに構成したため、段差部を多重露光することができ
る。このため、階段近似で生じる段差を緩やかにするこ
とができるので、目標とするパターンに近づけることが
でき、特性への悪影響を生じ難くすることができる。
１から露光装置で階段近似される露光データ２２ａを基
にレジストに通常の露光を行った後、設計データ２１か
ら露光装置で階段近似される露光データ２２ａの段差部
に座標をずらしてレジストに多重露光した後、このレジ
ストを現像処理してレジストパターン２３を形成するよ
うに構成したため、段差部を多重露光することができ
る。このため、階段近似で生じる段差を緩やかにするこ
とができるので、目標とするパターンに近づけることが
でき、特性への悪影響を生じ難くすることができる。
【００２４】（実施例４）図４は本発明に係る実施例４
のレジストパターン形成方法を示す図である。本実施例
では、まず、図４（ａ）に示す如く、斜辺部分を有する
設計データ３１ａを用い、図４（ｂ）に示す如く、図４
（ａ）の設計データ３１ａから露光装置で決定される基
準露光量を意図的に所定量高くして寸法が目標寸法より
大きくなるのを見込んでシフトを入れた設計データ３１
ｂを作成する。この時、シフト量は−０．５μｍであ
る。次いで、この作成した図４（ｂ）の設計データ３１
ｂから露光装置で階段近似される露光データ３２を基に
レジストに露光量を意図的に該基準露光量よりも所定量
高くして露光する。この時、露光量はＥｔｈの１．５倍
の露光量である。そして、露光量を該基準露光量よりも
高くして露光したレジストを現像処理することにより、
図４（ｃ）に示すような段差部が緩やかなレジストパタ
ーン３３を形成する。
のレジストパターン形成方法を示す図である。本実施例
では、まず、図４（ａ）に示す如く、斜辺部分を有する
設計データ３１ａを用い、図４（ｂ）に示す如く、図４
（ａ）の設計データ３１ａから露光装置で決定される基
準露光量を意図的に所定量高くして寸法が目標寸法より
大きくなるのを見込んでシフトを入れた設計データ３１
ｂを作成する。この時、シフト量は−０．５μｍであ
る。次いで、この作成した図４（ｂ）の設計データ３１
ｂから露光装置で階段近似される露光データ３２を基に
レジストに露光量を意図的に該基準露光量よりも所定量
高くして露光する。この時、露光量はＥｔｈの１．５倍
の露光量である。そして、露光量を該基準露光量よりも
高くして露光したレジストを現像処理することにより、
図４（ｃ）に示すような段差部が緩やかなレジストパタ
ーン３３を形成する。
【００２５】このように、本実施例では、設計データ３
１ａから露光装置で決定される基準露光量を所定量高く
して、これにより寸法が大きくなるのを見込んでシフト
を入れた設計データ３１ｂを作成し、この作成した設計
データ３１ｂから露光装置で段階近似される露光データ
３２を基にレジストに露光量を該基準露光量よりも所定
量高くして露光した後、このレジストを現像処理してレ
ジストパターン３３を形成するように構成したため、露
光量を該基準露光量よりも高くしてレジストをぼかして
露光することができる。このため、階段近似で生じる段
差を緩やかにすることができるので、目標とするパター
ンに近づけることができ、特性への悪影響を生じ難くす
ることができる。しかも、露光量を高くして行いさえす
ればよいため、階段近似するデータを増やしてデータを
変換するデータ処理時間を増加させないで済ませること
ができ、露光時間を増加させないで済ませることができ
る。
１ａから露光装置で決定される基準露光量を所定量高く
して、これにより寸法が大きくなるのを見込んでシフト
を入れた設計データ３１ｂを作成し、この作成した設計
データ３１ｂから露光装置で段階近似される露光データ
３２を基にレジストに露光量を該基準露光量よりも所定
量高くして露光した後、このレジストを現像処理してレ
ジストパターン３３を形成するように構成したため、露
光量を該基準露光量よりも高くしてレジストをぼかして
露光することができる。このため、階段近似で生じる段
差を緩やかにすることができるので、目標とするパター
ンに近づけることができ、特性への悪影響を生じ難くす
ることができる。しかも、露光量を高くして行いさえす
ればよいため、階段近似するデータを増やしてデータを
変換するデータ処理時間を増加させないで済ませること
ができ、露光時間を増加させないで済ませることができ
る。
【００２６】なお、本発明においては、上記実施例１〜
４のレジストパターン形成方法を適宜組み合わせて行う
ように構成してもよく、この場合、上記実施例１〜４と
同様の効果を得ることができる。また、本発明において
は、その形成したレジストパターンを用いてマスクやレ
チクル、及びデバイスの製造方法に好適に用いることが
できる。
４のレジストパターン形成方法を適宜組み合わせて行う
ように構成してもよく、この場合、上記実施例１〜４と
同様の効果を得ることができる。また、本発明において
は、その形成したレジストパターンを用いてマスクやレ
チクル、及びデバイスの製造方法に好適に用いることが
できる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、データ処理時間及び露
光時間を増加させることなく階段近似で生じる段差を緩
やかにすることができ、目標とするパターンに近づけて
特性への悪影響を生じ難くすることができる。
光時間を増加させることなく階段近似で生じる段差を緩
やかにすることができ、目標とするパターンに近づけて
特性への悪影響を生じ難くすることができる。
【図１】本発明に係る実施例１のレジストパターン形成
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図２】本発明に係る実施例２のレジストパターン形成
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図３】本発明に係る実施例３のレジストパターン形成
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図４】本発明に係る実施例４のレジストパターン形成
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図５】従来のレジストパターン形成方法を示す図であ
る。
る。
１、１１、２１、３１ａ、３１ｂ 設計データ ２、１２ａ、１２ｂ、２２ａ、２２ｂ、３２ 露光デ
ータ ３、１３、２３、３３ レジストパターン
ータ ３、１３、２３、３３ レジストパターン
Claims (5)
- 【請求項１】設計データから露光装置で階段近似される
露光データを基に、設計データから露光装置で決定され
る放射線の基準焦点を所定量ずらしてレジストに露光し
た後、該レジストを現像処理してレジストパターンを形
成することを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】設計データから露光装置で階段近似される
露光データを基にレジストに通常の露光を行った後、再
度同じパターンが要求される配置精度の範囲内で座標を
ずらし、該レジストが解像する露光量下限値近傍の露光
量にて少なくとも１回以上多重露光した後、該レジスト
を現像処理してレジストパターンを形成することを特徴
とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項３】設計データから露光装置で階段近似される
露光データを基にレジストに通常の露光を行った後、設
計データから露光装置で階段近似される露光データの段
差部に座標をずらして該レジストに多重露光した後、該
レジストを現像処理してレジストパターンを形成するこ
とを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項４】設計データから露光装置で決定される基準
露光量を所定量高くして、これにより寸法が大きくなる
のを見込んでシフトを入れた設計データを作成し、この
作成した設計データから露光装置で階段近似される露光
データを基にレジストに露光量を該基準露光量よりも所
定量高くして露光した後、該レジストを現像処理してレ
ジストパターンを形成することを特徴とするレジストパ
ターン形成方法。 - 【請求項５】請求項１〜４のレジストパタ−ン形成方法
を適宜組み合わせてレジストパタ−ンを形成することを
特徴とする請求項１乃至４記載のレジストパタ−ン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6031055A JPH07240361A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6031055A JPH07240361A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240361A true JPH07240361A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12320805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6031055A Withdrawn JPH07240361A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07240361A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7714235B1 (en) | 1997-05-06 | 2010-05-11 | Formfactor, Inc. | Lithographically defined microelectronic contact structures |
| JP2016526294A (ja) * | 2013-05-21 | 2016-09-01 | クラレト，ホルヘ ヴィセンテ ブラスコ | フォトセンサ基板上のプレノプティックレンズのモノリシック集積化 |
| US10222692B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-03-05 | Toshiba Memory Corporation | Photomask and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2021157000A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置および露光方法 |
-
1994
- 1994-03-01 JP JP6031055A patent/JPH07240361A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7714235B1 (en) | 1997-05-06 | 2010-05-11 | Formfactor, Inc. | Lithographically defined microelectronic contact structures |
| JP2016526294A (ja) * | 2013-05-21 | 2016-09-01 | クラレト，ホルヘ ヴィセンテ ブラスコ | フォトセンサ基板上のプレノプティックレンズのモノリシック集積化 |
| US10222692B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-03-05 | Toshiba Memory Corporation | Photomask and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2021157000A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置および露光方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |