JPH06204112A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
露光方法及び露光装置Info
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- JPH06204112A JPH06204112A JP4360385A JP36038592A JPH06204112A JP H06204112 A JPH06204112 A JP H06204112A JP 4360385 A JP4360385 A JP 4360385A JP 36038592 A JP36038592 A JP 36038592A JP H06204112 A JPH06204112 A JP H06204112A
- Authority
- JP
- Japan
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- pattern
- exposed
- optical system
- frequency space
- exposure
- Prior art date
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い空間周波数成分が欠落する等の問題点を
解決して、被露光材上における像（パターン）を正確に
再現して所望のパターン露光を行うことを可能とした露
光方法、及び露光装置の提供。 【構成】 露光すべきパターンを予めフーリエ変換する
ことによりマスクパターンを実空間のパターンから周波
数空間のパターンに置き換えるか、あるいは光学系で置
き換えを行い、該置き換えられたマスクパターン２を、
光学系３１によりフーリエ変換された周波数空間４に置
き、再び光学系３２により逆フーリエ変換して半導体ウ
ェハー等の被露光材１上への露光を行う。
解決して、被露光材上における像（パターン）を正確に
再現して所望のパターン露光を行うことを可能とした露
光方法、及び露光装置の提供。 【構成】 露光すべきパターンを予めフーリエ変換する
ことによりマスクパターンを実空間のパターンから周波
数空間のパターンに置き換えるか、あるいは光学系で置
き換えを行い、該置き換えられたマスクパターン２を、
光学系３１によりフーリエ変換された周波数空間４に置
き、再び光学系３２により逆フーリエ変換して半導体ウ
ェハー等の被露光材１上への露光を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法及び露光装置
に関する。本発明は、例えば、電子材料（半導体装置
等）のパターン形成のための露光に際して用いることが
でき、微細なＩＣパターンの露光などにも好適に利用で
きる。
に関する。本発明は、例えば、電子材料（半導体装置
等）のパターン形成のための露光に際して用いることが
でき、微細なＩＣパターンの露光などにも好適に利用で
きる。
【０００２】
【従来の技術】従来の露光方法及び露光装置にあって
は、ＩＣパターン等を露光するのに、実空間におけるマ
スクパターンを用いていた。即ち、図１０に示すような
矩形状パターンＰが並ぶラインアンドスペースパターン
を形成したい場合、図１１（ａ）に示すように対応した
形状のマスクパターンＭＰ（一般には光学系の縮小率に
応じて拡大したもの）のマスク、即ち実空間のパターン
形状のマスクを用い、これを図１３に示すような露光装
置で投影露光していた。図１３中、符号２０はマスク、
３０はレンズ、１は被露光材である半導体ウェハーであ
る。
は、ＩＣパターン等を露光するのに、実空間におけるマ
スクパターンを用いていた。即ち、図１０に示すような
矩形状パターンＰが並ぶラインアンドスペースパターン
を形成したい場合、図１１（ａ）に示すように対応した
形状のマスクパターンＭＰ（一般には光学系の縮小率に
応じて拡大したもの）のマスク、即ち実空間のパターン
形状のマスクを用い、これを図１３に示すような露光装
置で投影露光していた。図１３中、符号２０はマスク、
３０はレンズ、１は被露光材である半導体ウェハーであ
る。
【０００３】ところがかかる従来技術にあっては、マス
ク上のパターンは図１１のようにはっきりしたものであ
っても、被露光材であるウェハー上に投影されたパター
ンＷＰは、図１２のようにぼやけたものになってしま
う。これは、主としてレンズ口径の制限から、マスクに
よる回折のため、高い空間周波数成分がレンズに入射せ
ず欠落する傾向になって、このためウェハー上のパター
ンはぼやけ、エッジが欠けてしまう傾向をもたらすから
である。これを解決するには、レンズ口径を大きくして
高周波数成分もレンズにとりこんでレンズに入射するよ
うにするしかないが、これを完全に行うのは困難であ
る。
ク上のパターンは図１１のようにはっきりしたものであ
っても、被露光材であるウェハー上に投影されたパター
ンＷＰは、図１２のようにぼやけたものになってしま
う。これは、主としてレンズ口径の制限から、マスクに
よる回折のため、高い空間周波数成分がレンズに入射せ
ず欠落する傾向になって、このためウェハー上のパター
ンはぼやけ、エッジが欠けてしまう傾向をもたらすから
である。これを解決するには、レンズ口径を大きくして
高周波数成分もレンズにとりこんでレンズに入射するよ
うにするしかないが、これを完全に行うのは困難であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】上述したような高い
空間周波数成分が欠落してしまうという事実に見られる
ように、従来の技術では、レンズが取り込めない部分の
成分が欠落してしまうということが不可避的な問題であ
って、被露光材上の像（パターン）を正確にもとのパタ
ーンの形にすることは不可能であり、従来のシステムを
用いるのでは、この問題を充分に解決することはできな
かった。
空間周波数成分が欠落してしまうという事実に見られる
ように、従来の技術では、レンズが取り込めない部分の
成分が欠落してしまうということが不可避的な問題であ
って、被露光材上の像（パターン）を正確にもとのパタ
ーンの形にすることは不可能であり、従来のシステムを
用いるのでは、この問題を充分に解決することはできな
かった。
【０００５】本発明は、このような問題点を解決して、
被露光材上における像（パターン）を正確に再現して所
望のパターン露光を行うことを可能とした露光方法、及
び露光装置を提供することを目的とする。
被露光材上における像（パターン）を正確に再現して所
望のパターン露光を行うことを可能とした露光方法、及
び露光装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、被露光材上に露光すべきパターンを予めフーリエ
変換することによりマスクパターンを実空間のパターン
から周波数空間のパターンに置き換え、光学系によりフ
ーリエ変換された周波数空間に該置き換えられたマスク
パターンを置き、再び光学系により逆フーリエ変換して
被露光材上への露光を行うことを特徴とする露光方法で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
明は、被露光材上に露光すべきパターンを予めフーリエ
変換することによりマスクパターンを実空間のパターン
から周波数空間のパターンに置き換え、光学系によりフ
ーリエ変換された周波数空間に該置き換えられたマスク
パターンを置き、再び光学系により逆フーリエ変換して
被露光材上への露光を行うことを特徴とする露光方法で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
【０００７】本出願の請求項２の発明は、被露光材上に
露光すべきパターンを予めフーリエ変換することにより
マスクパターンを実空間のパターンから周波数空間のパ
ターンに置き換えるとともにフィルターをかけ、光学系
によりフーリエ変換された周波数空間に該置き換えられ
かつフィルターがかけられたマスクパターンを置き、再
び光学系により逆フーリエ変換して被露光材上への露光
を行うことを特徴とする露光方法であって、これにより
上記目的を達成するものである。
露光すべきパターンを予めフーリエ変換することにより
マスクパターンを実空間のパターンから周波数空間のパ
ターンに置き換えるとともにフィルターをかけ、光学系
によりフーリエ変換された周波数空間に該置き換えられ
かつフィルターがかけられたマスクパターンを置き、再
び光学系により逆フーリエ変換して被露光材上への露光
を行うことを特徴とする露光方法であって、これにより
上記目的を達成するものである。
【０００８】本出願の請求項３の発明は、被露光材上に
露光すべきパターンを周波数空間のパターンとして表現
するとともに、光学系による周波数空間においてフィル
ターをかけ、その後光学系により逆フーリエ変換して被
露光材上への露光を行うことを特徴とする露光方法であ
って、これにより上記目的を達成するものである。
露光すべきパターンを周波数空間のパターンとして表現
するとともに、光学系による周波数空間においてフィル
ターをかけ、その後光学系により逆フーリエ変換して被
露光材上への露光を行うことを特徴とする露光方法であ
って、これにより上記目的を達成するものである。
【０００９】本出願の請求項４の発明は、フィルター
が、高周波数成分を強くするものであることを特徴とす
る請求項１ないし３のいずれかに記載の露光方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
が、高周波数成分を強くするものであることを特徴とす
る請求項１ないし３のいずれかに記載の露光方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
【００１０】本出願の請求項５の発明は、光学系がレン
ズであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか
に記載の露光方法であって、これにより上記目的を達成
するものである。
ズであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか
に記載の露光方法であって、これにより上記目的を達成
するものである。
【００１１】本出願の請求項６の発明は、被露光材上に
露光すべきパターンを予めフーリエ変換することにより
マスクパターンを実空間のパターンから周波数空間のパ
ターンを置き換え、光学系によりフーリエ変換された周
波数空間に該置き換えられたマスクパターンを置き、再
び光学系により逆フーリエ変換して被露光材上への露光
を行う構成とした露光装置であって、これにより上記目
的を達成するものである。
露光すべきパターンを予めフーリエ変換することにより
マスクパターンを実空間のパターンから周波数空間のパ
ターンを置き換え、光学系によりフーリエ変換された周
波数空間に該置き換えられたマスクパターンを置き、再
び光学系により逆フーリエ変換して被露光材上への露光
を行う構成とした露光装置であって、これにより上記目
的を達成するものである。
【００１２】本出願の請求項７の発明は、光学系におい
て失われる成分を補償するためのフィルターを備える構
成とした請求項６に記載の露光装置であって、これによ
り上記目的を達成するものである。
て失われる成分を補償するためのフィルターを備える構
成とした請求項６に記載の露光装置であって、これによ
り上記目的を達成するものである。
【００１３】本出願の請求項８の発明は、被露光材上に
露光すべきパターンを周波数空間のパターンとして表現
する演算手段と、周波数空間においてパターンを補償す
るフィルターと、逆フーリエ変換して周波数空間のパタ
ーンを実空間のパターンにしてこれを被露光材上へ露光
する光学系を有する構成とした露光装置であって、これ
により上記目的を達成するものである。
露光すべきパターンを周波数空間のパターンとして表現
する演算手段と、周波数空間においてパターンを補償す
るフィルターと、逆フーリエ変換して周波数空間のパタ
ーンを実空間のパターンにしてこれを被露光材上へ露光
する光学系を有する構成とした露光装置であって、これ
により上記目的を達成するものである。
【００１４】本出願の請求項９の発明は、光学系がレン
ズである請求項６ないし８のいずれかに記載の露光装置
であって、これにより上記目的を達成するものである。
ズである請求項６ないし８のいずれかに記載の露光装置
であって、これにより上記目的を達成するものである。
【００１５】
【作用】本出願の請求項１の発明によれば、ＩＣパター
ン等の所望の露光パターンをコンピュータ等の手段によ
り周波数空間におけるパターンとして予め作成するた
め、被露光材（ウェハー等）上における像（パターン）
をより正確に再現することができる。
ン等の所望の露光パターンをコンピュータ等の手段によ
り周波数空間におけるパターンとして予め作成するた
め、被露光材（ウェハー等）上における像（パターン）
をより正確に再現することができる。
【００１６】本出願の請求項２の発明によれば、ＩＣパ
ターン等の所望の露光パターンをコンピュータ等の手段
により周波数空間におけるパターンとして作成するとと
もに、この置き換えのとき、フィルターをかけるので、
露光時に欠落する可能性のある例えば高周波成分を補償
するようにフィルターをかけるように構成できる。よっ
て、被露光材（ウェハー等）上における像（パターン）
を更に正確に再現することができ、かつ、予めパターン
作成時にフィルターをかけたパターン形成を行うので、
パターンの加工形成が容易である。
ターン等の所望の露光パターンをコンピュータ等の手段
により周波数空間におけるパターンとして作成するとと
もに、この置き換えのとき、フィルターをかけるので、
露光時に欠落する可能性のある例えば高周波成分を補償
するようにフィルターをかけるように構成できる。よっ
て、被露光材（ウェハー等）上における像（パターン）
を更に正確に再現することができ、かつ、予めパターン
作成時にフィルターをかけたパターン形成を行うので、
パターンの加工形成が容易である。
【００１７】本出願の請求項３の発明によれば、周波数
空間におけるパターンとして作成したマスクパターンを
用いるとともに、レンズ等の光学系により形成した周波
数空間においてフィルターをかけることにより上述した
補償を行うので、空間上において上述と同様の欠落成分
の補償作用を得ることができる。
空間におけるパターンとして作成したマスクパターンを
用いるとともに、レンズ等の光学系により形成した周波
数空間においてフィルターをかけることにより上述した
補償を行うので、空間上において上述と同様の欠落成分
の補償作用を得ることができる。
【００１８】本出願の請求項４の発明は、欠落部分とな
りやすい高周波成分を補償して、正確な像の再現が可能
となる。
りやすい高周波成分を補償して、正確な像の再現が可能
となる。
【００１９】本出願の請求項５の発明は、周波数空間へ
の変換、実空間への逆変換を行う光学系をレンズにより
構成したので、容易な構成で実施することができる。
の変換、実空間への逆変換を行う光学系をレンズにより
構成したので、容易な構成で実施することができる。
【００２０】本出願の請求項６の発明の露光装置によれ
ば、ＩＣパターン等の所望の露光パターンをコンピュー
タ等の手段により周波数空間におけるパターンとして予
め作成し、これを周波数空間に置く構成をとるため、被
露光材（ウェハー等）上における像（パターン）をより
正確に再現することができる。
ば、ＩＣパターン等の所望の露光パターンをコンピュー
タ等の手段により周波数空間におけるパターンとして予
め作成し、これを周波数空間に置く構成をとるため、被
露光材（ウェハー等）上における像（パターン）をより
正確に再現することができる。
【００２１】本出願の請求項７の発明の露光装置によれ
ば、光学系において失われる成分を補償するためのフィ
ルターを備える構成としたので、露光時に欠落する可能
性のある例えば高周波成分を補償することができる。よ
って、被露光材（ウェハー等）上における像（パター
ン）を更に正確に再現することができる。
ば、光学系において失われる成分を補償するためのフィ
ルターを備える構成としたので、露光時に欠落する可能
性のある例えば高周波成分を補償することができる。よ
って、被露光材（ウェハー等）上における像（パター
ン）を更に正確に再現することができる。
【００２２】本出願の請求項８の発明の露光装置は、被
露光材上に露光すべきパターンを周波数空間のパターン
として表現する演算手段と、周波数空間においてパター
ンを補償するフィルターと、逆フーリエ変換して周波数
空間のパターンを実空間のパターンにしてこれを被露光
材上へ露光する光学系を有する構成としたので、欠落部
分の補償を含めた像へ正確な再現を、システム的に達成
することができる。
露光材上に露光すべきパターンを周波数空間のパターン
として表現する演算手段と、周波数空間においてパター
ンを補償するフィルターと、逆フーリエ変換して周波数
空間のパターンを実空間のパターンにしてこれを被露光
材上へ露光する光学系を有する構成としたので、欠落部
分の補償を含めた像へ正確な再現を、システム的に達成
することができる。
【００２３】本出願の請求項９の発明の露光装置は、周
波数空間への変換、実空間への逆変換を行う光学系をレ
ンズにより構成したので、容易な構成で実施することが
できる。
波数空間への変換、実空間への逆変換を行う光学系をレ
ンズにより構成したので、容易な構成で実施することが
できる。
【００２４】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定を受けるものではない。
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定を受けるものではない。
【００２５】実施例１ 本実施例は、請求項１及び請求項６の発明を具体化した
ものである。図１及び図２を参照する。
ものである。図１及び図２を参照する。
【００２６】本実施例は、図１に示すように、被露光材
１であるウェハー上に露光すべきパターンを、予めフー
リエ変換することによりマスクパターンを実空間のパタ
ーンから周波数空間のパターンに置き換え、この置き換
えられたマスクパターン２を、光学系３１（ここでは第
１のレンズ）によりフーリエ変換された周波数空間４に
置き、再び光学系３２（ここでは第２のレンズ）により
逆フーリエ変換して被露光材１上への露光を行うもので
ある。
１であるウェハー上に露光すべきパターンを、予めフー
リエ変換することによりマスクパターンを実空間のパタ
ーンから周波数空間のパターンに置き換え、この置き換
えられたマスクパターン２を、光学系３１（ここでは第
１のレンズ）によりフーリエ変換された周波数空間４に
置き、再び光学系３２（ここでは第２のレンズ）により
逆フーリエ変換して被露光材１上への露光を行うもので
ある。
【００２７】図１中、Ｌ1 は光学系３１である第１のレ
ンズの焦点距離であり、Ｌ2 は光学系３２である第２の
レンズの焦点距離である。
ンズの焦点距離であり、Ｌ2 は光学系３２である第２の
レンズの焦点距離である。
【００２８】図２（ａ）は、本実施例における実空間の
マスクパターンを示し、図２（ｂ）に、周波数空間に変
換したマスクパターンを模式的に示す。即ち、図１にお
けるマスク２は、図２（ａ）のマスクパターンをフーリ
エ変換したもので、図２（ｂ）に示す如くなっている。
マスクパターンを示し、図２（ｂ）に、周波数空間に変
換したマスクパターンを模式的に示す。即ち、図１にお
けるマスク２は、図２（ａ）のマスクパターンをフーリ
エ変換したもので、図２（ｂ）に示す如くなっている。
【００２９】本実施例の露光装置は、被露光材１上に露
光すべきパターンを予めフーリエ変換することによりマ
スクパターンを実空間のパターンから周波数空間のパタ
ーンを置き換え、光学系３１によりフーリエ変換された
周波数空間に該置き換えられたマスクパターンを置き、
再び光学系３２により逆フーリエ変換して被露光材１上
への露光を行う構成の露光装置である。
光すべきパターンを予めフーリエ変換することによりマ
スクパターンを実空間のパターンから周波数空間のパタ
ーンを置き換え、光学系３１によりフーリエ変換された
周波数空間に該置き換えられたマスクパターンを置き、
再び光学系３２により逆フーリエ変換して被露光材１上
への露光を行う構成の露光装置である。
【００３０】かつ本実施例では、被露光材１上に露光す
べきパターンを周波数空間のパターンとして表現する演
算手段と、逆フーリエ変換して周波数空間のパターンを
実空間のパターンにしてこれを被露光材１上へ露光する
光学系３１を有する構成の露光装置とした。
べきパターンを周波数空間のパターンとして表現する演
算手段と、逆フーリエ変換して周波数空間のパターンを
実空間のパターンにしてこれを被露光材１上へ露光する
光学系３１を有する構成の露光装置とした。
【００３１】更に詳しくは、本実施例では、被露光材１
であるウェハーに露光したいＩＣパターンを予めコンピ
ューターによりフーリエ変換し、マスクパターンを実空
間のものから周波数空間のものに置き換える。このよう
にして作成したマスク２を光学系３１であるレンズによ
りフーリエ変換された周波数空間４に置き、再び光学系
３２であるレンズにより逆フーリエ変換して、露光を行
う。
であるウェハーに露光したいＩＣパターンを予めコンピ
ューターによりフーリエ変換し、マスクパターンを実空
間のものから周波数空間のものに置き換える。このよう
にして作成したマスク２を光学系３１であるレンズによ
りフーリエ変換された周波数空間４に置き、再び光学系
３２であるレンズにより逆フーリエ変換して、露光を行
う。
【００３２】即ち、図２（ａ）のようなＩＣパターンを
露光したい場合、まず、コンピューターによりこのパタ
ーンをフーリエ変換し、図２（ｂ）に示すようなパター
ンを作成する。これを図１に示す露光装置を用い、その
光源から放たれた露光光を第１のレンズである光学系３
１によりフーリエ変換し、周波数空間４においてマスク
２の位置に図２（ｂ）のパターンをもったレチクル置
く。そして、レンズ２である光学系３２で逆フーリエ変
換し、実空間に戻すことにより、レチクルの像を被露光
１（ウェハー）に露光する。
露光したい場合、まず、コンピューターによりこのパタ
ーンをフーリエ変換し、図２（ｂ）に示すようなパター
ンを作成する。これを図１に示す露光装置を用い、その
光源から放たれた露光光を第１のレンズである光学系３
１によりフーリエ変換し、周波数空間４においてマスク
２の位置に図２（ｂ）のパターンをもったレチクル置
く。そして、レンズ２である光学系３２で逆フーリエ変
換し、実空間に戻すことにより、レチクルの像を被露光
１（ウェハー）に露光する。
【００３３】本実施例によれば、マスクを実空間から周
波数空間におき換えることにより、加工が容易に行える
ようになる。この結果、良好なパターン転写を行うこと
が可能ならしめられる。
波数空間におき換えることにより、加工が容易に行える
ようになる。この結果、良好なパターン転写を行うこと
が可能ならしめられる。
【００３４】実施例２ 次に、本発明の第２の実施例を説明する。実施例１で
は、変換したマスクパターン（図２（ｂ））は、その被
露光パターンそれ自体は実空間におけるパターン（図２
（ａ））と同じであり、それ自体として解像度が上がる
ものではない。この実施例２では、解像度を上げるた
め、周波数空間に置き換えるとともに、置き換えたその
パターンを加工したものを用いる。本実施例は、請求項
２及び請求項７の発明を具体化したものである。
は、変換したマスクパターン（図２（ｂ））は、その被
露光パターンそれ自体は実空間におけるパターン（図２
（ａ））と同じであり、それ自体として解像度が上がる
ものではない。この実施例２では、解像度を上げるた
め、周波数空間に置き換えるとともに、置き換えたその
パターンを加工したものを用いる。本実施例は、請求項
２及び請求項７の発明を具体化したものである。
【００３５】即ち、本実施例では、図１に示す光学系に
おいて、被露光材であるウェハー１上に露光すべきパタ
ーンを予めフーリエ変換することによりマスクパターン
を実空間のパターンから周波数空間のパターンに置き換
えるとともにフィルターをかけたものをマスク２として
用いる。図３に、本実施例で用いた周波数空間に変換さ
れたマスクパターンを模式的に示す。
おいて、被露光材であるウェハー１上に露光すべきパタ
ーンを予めフーリエ変換することによりマスクパターン
を実空間のパターンから周波数空間のパターンに置き換
えるとともにフィルターをかけたものをマスク２として
用いる。図３に、本実施例で用いた周波数空間に変換さ
れたマスクパターンを模式的に示す。
【００３６】より具体的には、本実施例では、コンピュ
ーターにより周波数空間におけるパターンを作成すると
き、図２（ｂ）のパターンを加工、あるいは、補正す
る。これにより、被露光材１（ウェハー）上にできる像
（パターン）を図２（ａ）に示す元のパターンにより近
いものとすることができる。本実施例の図３に示すマス
クパターンは、被露光材１（ウェハー）上にできるパタ
ーンのエッジを強調するために、図２（ｂ）のパターン
の高周波数成分を強くするフィルターをかけた場合であ
る。
ーターにより周波数空間におけるパターンを作成すると
き、図２（ｂ）のパターンを加工、あるいは、補正す
る。これにより、被露光材１（ウェハー）上にできる像
（パターン）を図２（ａ）に示す元のパターンにより近
いものとすることができる。本実施例の図３に示すマス
クパターンは、被露光材１（ウェハー）上にできるパタ
ーンのエッジを強調するために、図２（ｂ）のパターン
の高周波数成分を強くするフィルターをかけた場合であ
る。
【００３７】即ち、本実施例では、図４に示すように、
高い周波数成分の強度を大きくするフィルターを通した
パターンのマスク３を利用する。
高い周波数成分の強度を大きくするフィルターを通した
パターンのマスク３を利用する。
【００３８】この結果、マスク２上のパターンのエッジ
を強調することが可能となる。つまり、上記のマスクを
用いて、実施例１と同様に、光学系によりフーリエ変換
された周波数空間にこの置き換えられかつフィルターが
かけられたマスクパターン２を置き、再び光学系により
逆フーリエ変換して被露光材１上への露光を行うと、図
５に極端に示すように、図５（ａ）のようにエッジがぼ
やけたパターンを、このフィルターをかける加工を施す
ことによって、図５（ｂ）に極端に示したように、エッ
ジを強調したパターンを得ることができる。
を強調することが可能となる。つまり、上記のマスクを
用いて、実施例１と同様に、光学系によりフーリエ変換
された周波数空間にこの置き換えられかつフィルターが
かけられたマスクパターン２を置き、再び光学系により
逆フーリエ変換して被露光材１上への露光を行うと、図
５に極端に示すように、図５（ａ）のようにエッジがぼ
やけたパターンを、このフィルターをかける加工を施す
ことによって、図５（ｂ）に極端に示したように、エッ
ジを強調したパターンを得ることができる。
【００３９】本実施例では、従来技術では高周波成分が
カットされてしまうのに対し、高周波成分がカットされ
たことを補償するため、低周波成分の、高周波成分に近
い隣接部の光強度を大きくして、この補償を行うように
した。このカットされる高周波成分（従って補償を要す
る高周波成分）は、回折の散乱角とレンズ径とで決ま
る。
カットされてしまうのに対し、高周波成分がカットされ
たことを補償するため、低周波成分の、高周波成分に近
い隣接部の光強度を大きくして、この補償を行うように
した。このカットされる高周波成分（従って補償を要す
る高周波成分）は、回折の散乱角とレンズ径とで決ま
る。
【００４０】本例では特に、カットされずに残った高周
波成分の２０％位の部分を相対的に２倍位の強度に大き
くし、これによりカットされた高周波成分に近い部分の
光強度を他の部分より大きくして、カットされた部分の
補償をし、これによりコントラストを上げ、解像度を上
げるようにした。
波成分の２０％位の部分を相対的に２倍位の強度に大き
くし、これによりカットされた高周波成分に近い部分の
光強度を他の部分より大きくして、カットされた部分の
補償をし、これによりコントラストを上げ、解像度を上
げるようにした。
【００４１】本発明者において、コンピュータによって
シミュレーションしたところ、例えば図７が実空間上で
のマスクパターンとして、これを通常の方法で露光した
場合と、周波数空間上のマスクパターンに変換し、加工
せずに（フィルターを通さずに）露光した場合の被露光
材１（ウェハー）上での光強度分布（図８）と、本例の
ように周波数空間で加工（フィルターを通す）した場合
の光強度分布（図９）とを比較すると、本例の場合（図
９）のウェハー上での光強度分布の方がパターンのある
部分とない部分の光強度の差（比率）が大きいこと、つ
まり、コントラストが高いことがわかる。かつ、隣り同
士のパターンの境目が明瞭であって、周波数空間でのパ
ターンの加工（フィルター）の効果がシミュレーション
によっても確認できた。
シミュレーションしたところ、例えば図７が実空間上で
のマスクパターンとして、これを通常の方法で露光した
場合と、周波数空間上のマスクパターンに変換し、加工
せずに（フィルターを通さずに）露光した場合の被露光
材１（ウェハー）上での光強度分布（図８）と、本例の
ように周波数空間で加工（フィルターを通す）した場合
の光強度分布（図９）とを比較すると、本例の場合（図
９）のウェハー上での光強度分布の方がパターンのある
部分とない部分の光強度の差（比率）が大きいこと、つ
まり、コントラストが高いことがわかる。かつ、隣り同
士のパターンの境目が明瞭であって、周波数空間でのパ
ターンの加工（フィルター）の効果がシミュレーション
によっても確認できた。
【００４２】実施例３ 上述した実施例１，２においては、いずれも予め周波数
空間にパターン変換したマスクを用いて露光を行った
が、本実施例では、実空間のパターンのマスクを用い、
これを光学系を用いて周波数空間に変換するようにし
た。本実施例は、請求項３の発明を具体化したものであ
る。
空間にパターン変換したマスクを用いて露光を行った
が、本実施例では、実空間のパターンのマスクを用い、
これを光学系を用いて周波数空間に変換するようにし
た。本実施例は、請求項３の発明を具体化したものであ
る。
【００４３】即ち、本実施例は、図６に示すように、被
露光材１（ウェハー）上に露光すべきパターンを有する
実空間のマスク２１を、光学系３１（ここでは第１のレ
ンズ）により周波数空間のパターンとして表現するとと
もに、光学系により形成した周波数空間４においてフィ
ルター５をかけ、その後光学系３２（ここでは第２のレ
ンズ）により逆フーリエ変換して被露光材１上への露光
を行う態様で実施した。
露光材１（ウェハー）上に露光すべきパターンを有する
実空間のマスク２１を、光学系３１（ここでは第１のレ
ンズ）により周波数空間のパターンとして表現するとと
もに、光学系により形成した周波数空間４においてフィ
ルター５をかけ、その後光学系３２（ここでは第２のレ
ンズ）により逆フーリエ変換して被露光材１上への露光
を行う態様で実施した。
【００４４】本実施例では、実施例２と同様に、フィル
ター５として、高周波数成分を強くするものを用いた。
ター５として、高周波数成分を強くするものを用いた。
【００４５】本実施例の露光装置は、被露光材１上に露
光すべきパターンを周波数空間のパターンとして表現す
る演算手段と、周波数空間４においてパターンを補償す
るフィルター５と、逆フーリエ変換して周波数空間のパ
ターンを実空間のパターンにしてこれを被露光材１上へ
露光する光学系３２を有する構成の露光装置である。
光すべきパターンを周波数空間のパターンとして表現す
る演算手段と、周波数空間４においてパターンを補償す
るフィルター５と、逆フーリエ変換して周波数空間のパ
ターンを実空間のパターンにしてこれを被露光材１上へ
露光する光学系３２を有する構成の露光装置である。
【００４６】本実施例も、上記した各実施例と同様の効
果を有するものである。
果を有するものである。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、被露光材上における像
（パターン）を正確に再現して所望のパターン露光を行
うことを可能とした露光方法、及び露光装置を提供する
ことができる。
（パターン）を正確に再現して所望のパターン露光を行
うことを可能とした露光方法、及び露光装置を提供する
ことができる。
【図１】実施例１の露光系を示す構成図である。
【図２】実施例１のマスクパターンを示す図である。
【図３】実施例２のマスクパターンを示す図である。
【図４】実施例２の説明図である。
【図５】実施例２の説明図である。
【図６】実施例３の露光系を示す構成図である。
【図７】実施例２の説明図である。
【図８】実施例２の説明図である。
【図９】実施例２の説明図である。
【図１０】従来技術の説明図であり、形成したいパター
ンを示す図である。
ンを示す図である。
【図１１】従来技術の問題点を示す図である。
【図１２】従来技術の問題点を示す図である。
【図１３】従来技術の露光装置の概念図である。
１ 被露光材（ウェハー） ２ マスク（周波数空間のパターンに置き換えられた
マスクパターン） ２１ 実空間のマスク ３１ 光学系（第１のレンズ） ３２ 光学系（第２のレンズ） ４ 周波数空間
マスクパターン） ２１ 実空間のマスク ３１ 光学系（第１のレンズ） ３２ 光学系（第２のレンズ） ４ 周波数空間
Claims (9)
- 【請求項１】被露光材上に露光すべきパターンを予めフ
ーリエ変換することによりマスクパターンを実空間のパ
ターンから周波数空間のパターンに置き換え、 光学系によりフーリエ変換された周波数空間に該置き換
えられたマスクパターンを置き、 再び光学系により逆フーリエ変換して被露光材上への露
光を行うことを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】被露光材上に露光すべきパターンを予めフ
ーリエ変換することによりマスクパターンを実空間のパ
ターンから周波数空間のパターンに置き換えるとともに
フィルターをかけ、 光学系によりフーリエ変換された周波数空間に該置き換
えられかつフィルターがかけられたマスクパターンを置
き、 再び光学系により逆フーリエ変換して被露光材上への露
光を行うことを特徴とする露光方法。 - 【請求項３】被露光材上に露光すべきパターンを周波数
空間のパターンとして表現するとともに、光学系による
周波数空間においてフィルターをかけ、 その後光学系により逆フーリエ変換して被露光材上への
露光を行うことを特徴とする露光方法。 - 【請求項４】フィルターが、高周波数成分を強くするも
のであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか
に記載の露光方法。 - 【請求項５】光学系がレンズであることを特徴とする請
求項１ないし４のいずれかに記載の露光方法。 - 【請求項６】被露光材上に露光すべきパターンを予めフ
ーリエ変換することによりマスクパターンを実空間のパ
ターンから周波数空間のパターンを置き換え、 光学系によりフーリエ変換された周波数空間に該置き換
えられたマスクパターンを置き、 再び光学系により逆フーリエ変換して被露光材上への露
光を行う構成とした露光装置。 - 【請求項７】光学系において失われる成分を補償するた
めのフィルターを備える構成とした請求項６に記載の露
光装置。 - 【請求項８】被露光材上に露光すべきパターンを周波数
空間のパターンとして表現する演算手段と、 周波数空間においてパターンを補償するフィルターと、
逆フーリエ変換して周波数空間のパターンを実空間のパ
ターンにしてこれを被露光材上へ露光する光学系を有す
る構成とした露光装置。 - 【請求項９】光学系がレンズである請求項６ないし８の
いずれかに記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360385A JPH06204112A (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 露光方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360385A JPH06204112A (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 露光方法及び露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204112A true JPH06204112A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18469185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4360385A Pending JPH06204112A (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 露光方法及び露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204112A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1107064A2 (en) * | 1999-12-06 | 2001-06-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| JP2002031882A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | マスクデータ補正装置、フーリエ変換装置、アップサンプリング装置、ダウンサンプリング装置、転写用マスクの製造方法、および、パターン構造を有する装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-12-30 JP JP4360385A patent/JPH06204112A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1107064A2 (en) * | 1999-12-06 | 2001-06-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| EP1107064A3 (en) * | 1999-12-06 | 2004-12-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| JP2002031882A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | マスクデータ補正装置、フーリエ変換装置、アップサンプリング装置、ダウンサンプリング装置、転写用マスクの製造方法、および、パターン構造を有する装置の製造方法 |
| KR100385804B1 (ko) * | 2000-07-14 | 2003-06-02 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 마스크 데이터 보정 장치, 업샘플링 장치, 다운샘플링 장치 및 패턴 구조를 갖는 장치의 제조 방법 |
| JP4671473B2 (ja) * | 2000-07-14 | 2011-04-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マスクデータ補正装置、転写用マスクの製造方法、および、パターン構造を有する装置の製造方法 |
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