JP3255476B2 - 回路パターン - Google Patents
回路パターンInfo
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- JP3255476B2 JP3255476B2 JP2093293A JP2093293A JP3255476B2 JP 3255476 B2 JP3255476 B2 JP 3255476B2 JP 2093293 A JP2093293 A JP 2093293A JP 2093293 A JP2093293 A JP 2093293A JP 3255476 B2 JP3255476 B2 JP 3255476B2
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- circuit
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置のパター
ン形成の際のパターンレイアウトに関するものである。
ン形成の際のパターンレイアウトに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、半導体装置のパターン形成の際
に用いる縮小投影露光装置の概念図である。図におい
て、１は光源、２はフライアイレンズ、３はアパーチャ
ーをセットする位置、４はコンデンサーレンズ、５はレ
ティクル、６は投影レンズ、７は被処理基板、８は被処
理基板７上のホトレジスト膜であり、このホトレジスト
膜８の位置はアパーチャー位置３と光学的にフーリエ変
換面の関係にある。図７は通常照明でのアパーチャーを
示す平面図である。９は透光部、１０は遮蔽部である。
このアパーチャーを縮小投影露光装置のアパーチャー位
置３に取り付けて露光を行う。図１１は縮小投影露光装
置のＤＯＦ（焦点深度）を示すグラフであり、１１は図
７に示す通常照明のアパーチャーを用いた場合のＤＯＦ
曲線である。図１１に示す様に、通常照明を使用して露
光した場合、パターンのピッチ寸法の小さい方がＤＯＦ
も小さくなる。このためピッチ寸法が微細なパターンの
形成は、ＤＯＦが小さくなるために、半導体基板上の段
差の影響を受けやすく、特に段差の大きな半導体基板上
では困難であった。
に用いる縮小投影露光装置の概念図である。図におい
て、１は光源、２はフライアイレンズ、３はアパーチャ
ーをセットする位置、４はコンデンサーレンズ、５はレ
ティクル、６は投影レンズ、７は被処理基板、８は被処
理基板７上のホトレジスト膜であり、このホトレジスト
膜８の位置はアパーチャー位置３と光学的にフーリエ変
換面の関係にある。図７は通常照明でのアパーチャーを
示す平面図である。９は透光部、１０は遮蔽部である。
このアパーチャーを縮小投影露光装置のアパーチャー位
置３に取り付けて露光を行う。図１１は縮小投影露光装
置のＤＯＦ（焦点深度）を示すグラフであり、１１は図
７に示す通常照明のアパーチャーを用いた場合のＤＯＦ
曲線である。図１１に示す様に、通常照明を使用して露
光した場合、パターンのピッチ寸法の小さい方がＤＯＦ
も小さくなる。このためピッチ寸法が微細なパターンの
形成は、ＤＯＦが小さくなるために、半導体基板上の段
差の影響を受けやすく、特に段差の大きな半導体基板上
では困難であった。
【０００３】このため近年ピッチ寸法の微細なパターン
形成に対応できるように、縮小投影露光装置に変形照明
を使用する露光方法が行われている。以下、この変形照
明について説明する。図８は透光部を４つに分けた変形
照明のアパーチャーを示す平面図であり、図９は変形照
明のうち輪体照明のアパーチャーを示す平面図である。
図において、１２は透光部、１３は遮蔽部である。変形
照明は、このようなアパーチャーを図６に示す縮小投影
露光装置のアパーチャー位置３に取り付けて構成する。
また、図８および図９に示すようなアパーチャーによら
ずに、アパーチャー位置３における光の強度分布を図１
０に示す様に変える方法もある。図１０において、１４
は光の強度の強い部分であり１５は光の強度の弱い部分
である。縮小投影露光装置のＤＯＦを示すグラフである
図１１において、１６は図８に示す変形照明のアパーチ
ャーを用いた場合のＤＯＦ曲線である。図に示す様に、
変形照明でのＤＯＦ曲線１６は、通常照明でのＤＯＦ曲
線１１に比べ、パターンのピッチ寸法が小さいときにＤ
ＯＦが大きくなり、逆にピッチ寸法が大きくなるとＤＯ
Ｆが小さくなる。また、図８に示したアパーチャーを用
いた場合以外の変形照明においても、ＤＯＦ曲線は同様
の傾向を示す。このように、変形照明では小さなピッチ
寸法のパターンが通常照明よりも確実に形成することが
でき、近年の微細化の傾向には有効なものであった。
形成に対応できるように、縮小投影露光装置に変形照明
を使用する露光方法が行われている。以下、この変形照
明について説明する。図８は透光部を４つに分けた変形
照明のアパーチャーを示す平面図であり、図９は変形照
明のうち輪体照明のアパーチャーを示す平面図である。
図において、１２は透光部、１３は遮蔽部である。変形
照明は、このようなアパーチャーを図６に示す縮小投影
露光装置のアパーチャー位置３に取り付けて構成する。
また、図８および図９に示すようなアパーチャーによら
ずに、アパーチャー位置３における光の強度分布を図１
０に示す様に変える方法もある。図１０において、１４
は光の強度の強い部分であり１５は光の強度の弱い部分
である。縮小投影露光装置のＤＯＦを示すグラフである
図１１において、１６は図８に示す変形照明のアパーチ
ャーを用いた場合のＤＯＦ曲線である。図に示す様に、
変形照明でのＤＯＦ曲線１６は、通常照明でのＤＯＦ曲
線１１に比べ、パターンのピッチ寸法が小さいときにＤ
ＯＦが大きくなり、逆にピッチ寸法が大きくなるとＤＯ
Ｆが小さくなる。また、図８に示したアパーチャーを用
いた場合以外の変形照明においても、ＤＯＦ曲線は同様
の傾向を示す。このように、変形照明では小さなピッチ
寸法のパターンが通常照明よりも確実に形成することが
でき、近年の微細化の傾向には有効なものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の回路
パターンでは、ピッチ寸法の大きなものと小さなものと
が混在するようなパターンがあった。図１２〜図１４は
それぞれ半導体基板上の従来の回路パターンの例を示す
もので、図１２，図１３および図１４（ａ）は平面図で
あり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）の断面図である。図
１２において、１７は半導体基板上のパターンであり、
１８は一定の小さなパターンピッチでパターン１７が配
設された領域、１９は一定のパターンピッチより大きな
パターンピッチ部分が存在する領域である。これらの領
域はパターン形成の際同時に露光されるわけであるが、
変形照明では、大きなパターンピッチ部分でＤＯＦが小
さくなり、特に段差の大きな基板ではパターン形成が難
しかった。
パターンでは、ピッチ寸法の大きなものと小さなものと
が混在するようなパターンがあった。図１２〜図１４は
それぞれ半導体基板上の従来の回路パターンの例を示す
もので、図１２，図１３および図１４（ａ）は平面図で
あり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）の断面図である。図
１２において、１７は半導体基板上のパターンであり、
１８は一定の小さなパターンピッチでパターン１７が配
設された領域、１９は一定のパターンピッチより大きな
パターンピッチ部分が存在する領域である。これらの領
域はパターン形成の際同時に露光されるわけであるが、
変形照明では、大きなパターンピッチ部分でＤＯＦが小
さくなり、特に段差の大きな基板ではパターン形成が難
しかった。
【０００５】また、図１３に示す例では、一定の小さな
パターンピッチで連続してパターンが配設されている
が、２０は端のパターンである。この場合も変形照明で
は、端のパターン２０でのＤＯＦが連続した他のパター
ンに比べてかなり小さくなり、パターン形成が難しかっ
た。また、図１４に示す例では、２１は一定の小さなパ
ターンピッチで配設されたパターン、２２はパターン２
１より太いパターン、２３は半導体基板である。この場
合も変形照明では、太いパターン２２およびその隣のパ
ターンでのＤＯＦが小さくなり、図１２に示す場合と同
様にパターン形成が難しかった。
パターンピッチで連続してパターンが配設されている
が、２０は端のパターンである。この場合も変形照明で
は、端のパターン２０でのＤＯＦが連続した他のパター
ンに比べてかなり小さくなり、パターン形成が難しかっ
た。また、図１４に示す例では、２１は一定の小さなパ
ターンピッチで配設されたパターン、２２はパターン２
１より太いパターン、２３は半導体基板である。この場
合も変形照明では、太いパターン２２およびその隣のパ
ターンでのＤＯＦが小さくなり、図１２に示す場合と同
様にパターン形成が難しかった。
【０００６】従来の回路パターンでは、以上の様に、小
さなピッチ寸法のパターンを露光可能な変形照明を用い
た縮小投影露光装置でのパターン形成の際、大きなピッ
チ寸法のパターンが混在していると、ＤＯＦが足りなく
なり正確なパターン形成が行えないという問題点があ
り、この傾向は段差の大きい基板上では特に著しいもの
であった。
さなピッチ寸法のパターンを露光可能な変形照明を用い
た縮小投影露光装置でのパターン形成の際、大きなピッ
チ寸法のパターンが混在していると、ＤＯＦが足りなく
なり正確なパターン形成が行えないという問題点があ
り、この傾向は段差の大きい基板上では特に著しいもの
であった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、変形照明を用いた投影露光装置
で半導体基板を露光する際、充分なＤＯＦを得てパター
ン形成が確実に行える様な回路パターンを提供すること
を目的とする。
ためになされたもので、変形照明を用いた投影露光装置
で半導体基板を露光する際、充分なＤＯＦを得てパター
ン形成が確実に行える様な回路パターンを提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
記載の回路パターンは、回路上必要なパターン以外のダ
ミーパターンを、回路上必要なパターンの長手方向に延
長させて、または回路上必要なパターンの長手延長方向
に該パターンと分離して配設することによって、一定の
パターンピッチの連続性を高めたものである。
記載の回路パターンは、回路上必要なパターン以外のダ
ミーパターンを、回路上必要なパターンの長手方向に延
長させて、または回路上必要なパターンの長手延長方向
に該パターンと分離して配設することによって、一定の
パターンピッチの連続性を高めたものである。
【０００９】また、この発明に係る請求項２記載の回路
パターンは、所定の間隔で配設された線状パターンと、
これら線状パターンを部分的に接続する結線部のパター
ンとで、他の部分の線状パターンより太いパターンの代
用とすることによって、一定のパターンピッチの連続性
を高めたものである。
パターンは、所定の間隔で配設された線状パターンと、
これら線状パターンを部分的に接続する結線部のパター
ンとで、他の部分の線状パターンより太いパターンの代
用とすることによって、一定のパターンピッチの連続性
を高めたものである。
【００１０】
【作用】この発明における回路パターンは、ダミーパタ
ーンを配設することによって一定のパターンピッチの連
続性を高めたものである。このため回路上必要な部分で
は、変形照明でのＤＯＦが小さくなる大きなパターンピ
ッチの部分をなくすことができ、回路上必要なパターン
を大きなＤＯＦで露光可能となり確実に形成できる。
ーンを配設することによって一定のパターンピッチの連
続性を高めたものである。このため回路上必要な部分で
は、変形照明でのＤＯＦが小さくなる大きなパターンピ
ッチの部分をなくすことができ、回路上必要なパターン
を大きなＤＯＦで露光可能となり確実に形成できる。
【００１１】また、結線部のパターンを設けて隣接する
線状パターンを接続し、太いパターンの代用とするた
め、太いパターンをなくすことができＤＯＦの大きなパ
ターンピッチに揃えて確実に形成できる。
線状パターンを接続し、太いパターンの代用とするた
め、太いパターンをなくすことができＤＯＦの大きなパ
ターンピッチに揃えて確実に形成できる。
【００１２】
【実施例】 実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の実施例１による回路パターンを
示す平面図であり、図１２で示した従来例の回路パター
ンを改善したものである。図１に示す様に、回路上必要
なパターン１７にダミーパターン２４を延長させること
によって、パターン全体を小さなパターンピッチに統一
した。これによって変形照明でのＤＯＦがパターン全体
で大きくなりパターン形成が確実になる。なお、ダミー
パターンは半導体装置のパターンとして最終的に残るも
のもあるが、イオン注入のマスクパターン等のように残
らないものもある。いずれにしてもダミーパターンは、
その形成によって半導体装置が機能的に悪影響を受けな
いように配慮されたものである。
する。図１はこの発明の実施例１による回路パターンを
示す平面図であり、図１２で示した従来例の回路パター
ンを改善したものである。図１に示す様に、回路上必要
なパターン１７にダミーパターン２４を延長させること
によって、パターン全体を小さなパターンピッチに統一
した。これによって変形照明でのＤＯＦがパターン全体
で大きくなりパターン形成が確実になる。なお、ダミー
パターンは半導体装置のパターンとして最終的に残るも
のもあるが、イオン注入のマスクパターン等のように残
らないものもある。いずれにしてもダミーパターンは、
その形成によって半導体装置が機能的に悪影響を受けな
いように配慮されたものである。
【００１３】実施例２．図２はこの発明の実施例２によ
る回路パターンを示す平面図であり、実施例１と同様
に、図１２で示した従来例を改善したものである。図２
に示す様にダミーパターン２５を回路上必要なパターン
１７と分離して配設し、小さなパターンピッチに統一し
たために、大きなＤＯＦを得ることができる。ダミーパ
ターン２５は、回路上必要でないのにパターンピッチ統
一のために余分に形成するものであるので、回路への影
響が極力小さいことが望ましい。この点、この実施例２
では、ダミーパターン２５は回路上必要なパターン１７
と電気的に絶縁されるので、その分回路への影響が小さ
くなる。
る回路パターンを示す平面図であり、実施例１と同様
に、図１２で示した従来例を改善したものである。図２
に示す様にダミーパターン２５を回路上必要なパターン
１７と分離して配設し、小さなパターンピッチに統一し
たために、大きなＤＯＦを得ることができる。ダミーパ
ターン２５は、回路上必要でないのにパターンピッチ統
一のために余分に形成するものであるので、回路への影
響が極力小さいことが望ましい。この点、この実施例２
では、ダミーパターン２５は回路上必要なパターン１７
と電気的に絶縁されるので、その分回路への影響が小さ
くなる。
【００１４】実施例３．図３はこの発明の実施例３によ
る回路パターンを示す平面図であり、上記実施例と同様
に図１２で示した従来例を改善したものである。図３に
示す様に、大きめのダミーパターン２６を回路上必要な
パターン１７と分離して配設する。ダミーパターン２６
に隣接する回路上必要なパターン１７の端部でＤＯＦが
大きくなり回路上必要なパターン１７全体を大きなＤＯ
Ｆで露光可能となる。
る回路パターンを示す平面図であり、上記実施例と同様
に図１２で示した従来例を改善したものである。図３に
示す様に、大きめのダミーパターン２６を回路上必要な
パターン１７と分離して配設する。ダミーパターン２６
に隣接する回路上必要なパターン１７の端部でＤＯＦが
大きくなり回路上必要なパターン１７全体を大きなＤＯ
Ｆで露光可能となる。
【００１５】実施例４．図４は、この発明の実施例４に
よる回路パターンを示すもので図１３に示す従来例を改
善したものである。図４に示す様に一定の小さなパター
ンピッチの連続パターンの端のパターン２０の横に、さ
らに続けて同じパターンピッチで線状のダミーパターン
２７を配設する。これにより回路上必要な端のパターン
２０におけるＤＯＦが回復し、端のパターンでも確実に
形成できる。
よる回路パターンを示すもので図１３に示す従来例を改
善したものである。図４に示す様に一定の小さなパター
ンピッチの連続パターンの端のパターン２０の横に、さ
らに続けて同じパターンピッチで線状のダミーパターン
２７を配設する。これにより回路上必要な端のパターン
２０におけるＤＯＦが回復し、端のパターンでも確実に
形成できる。
【００１６】実施例５．図５は、この発明の実施例５に
よる回路パターンを示すもので、図１４に示す従来例を
改善したものである。図５（ａ）は、同一レイヤ上に結
線部のパターン２８を設けて隣接するパターン２９を結
んだものを示す平面図で、これらのパターン２８，２９
で図１４に示す太いパターン２１に代用することがで
き、ＤＯＦが大きくなる、小さなパターンピッチに揃え
ることができる。また図５（ｂ）は、異なるレイヤ上で
結線部のパターン３０を設けて隣接するパターン２９を
結んだものを示す断面図で、これらのパターン２９、３
０で図１４に示す太いパターン２１に代用することがで
き、同様の効果がある。
よる回路パターンを示すもので、図１４に示す従来例を
改善したものである。図５（ａ）は、同一レイヤ上に結
線部のパターン２８を設けて隣接するパターン２９を結
んだものを示す平面図で、これらのパターン２８，２９
で図１４に示す太いパターン２１に代用することがで
き、ＤＯＦが大きくなる、小さなパターンピッチに揃え
ることができる。また図５（ｂ）は、異なるレイヤ上で
結線部のパターン３０を設けて隣接するパターン２９を
結んだものを示す断面図で、これらのパターン２９、３
０で図１４に示す太いパターン２１に代用することがで
き、同様の効果がある。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ダミ
ーパターンや結線部のパターンを設けることによって、
一定の小さなパターンピッチに揃えることができ、変形
照明を用いた露光時に大きなＤＯＦが得られる。このた
め半導体基板上のある程度の段差にも対応でき、確実な
パターン形成が行える。また、小さなピッチ寸法のパタ
ーンが露光できる変形照明を、効果的に使用できる。
ーパターンや結線部のパターンを設けることによって、
一定の小さなパターンピッチに揃えることができ、変形
照明を用いた露光時に大きなＤＯＦが得られる。このた
め半導体基板上のある程度の段差にも対応でき、確実な
パターン形成が行える。また、小さなピッチ寸法のパタ
ーンが露光できる変形照明を、効果的に使用できる。
【図１】この発明の実施例１による回路パターンを示す
平面図である。
平面図である。
【図２】この発明の実施例２による回路パターンを示す
平面図である。
平面図である。
【図３】この発明の実施例３による回路パターンを示す
平面図である。
平面図である。
【図４】この発明の実施例４による回路パターンを示す
平面図である。
平面図である。
【図５】この発明の実施例５による回路パターンを示す
平面図および断面図である。
平面図および断面図である。
【図６】縮小投影露光装置の構成を示す概念図である。
【図７】通常照明でのアパーチャーを示す平面図であ
る。
る。
【図８】変形照明でのアパーチャーの例を示す平面図で
ある。
ある。
【図９】変形照明でのアパーチャーの例を示す平面図で
ある。
ある。
【図１０】アパーチャー位置での光の強度分布を示す図
である。
である。
【図１１】投影露光装置におけるＤＯＦを表す図であ
る。
る。
【図１２】従来の回路パターンを示す平面図である。
【図１３】従来の別例による回路パターンを示す平面図
である。
である。
【図１４】従来の別例による回路パターンを示す平面図
である。
である。
１７ 回路上必要なパターン ２４〜２７ ダミーパターン ２８、３０ 結線部パターン ２９ 隣接する線状パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 変形照明を用いた投影露光装置で半導体
基板を露光することによって上記半導体基板上に形成す
る回路パターンにおいて、回路上必要なパターン以外の
ダミーパターンを、上記回路上必要なパターンの長手方
向に延長させて、または上記回路上必要なパターンの長
手延長方向に分離して配設することによって、一定のパ
ターンピッチの連続性を高めて上記変形照明での露光時
の焦点深度を大きくしたことを特徴とする回路パター
ン。 - 【請求項２】 変形照明を用いた投影露光装置で半導体
基板を露光することによって上記半導体基板上に形成す
る回路パターンにおいて、所定の間隔で配設された線状
パターンと、これら線状パターンを部分的に接続する結
線部のパターンとで、他の部分の線状パターンより太い
パターンの代用とすることによって、一定のパターンピ
ッチの連続性を高めて上記変形照明での露光時の焦点深
度を大きくしたことを特徴とする回路パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2093293A JP3255476B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 回路パターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2093293A JP3255476B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 回路パターン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236836A JPH06236836A (ja) | 1994-08-23 |
| JP3255476B2 true JP3255476B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=12040992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2093293A Expired - Lifetime JP3255476B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 回路パターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255476B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100291384B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2001-07-12 | 윤종용 | 반도체장치의레이아웃방법 |
| JP4225745B2 (ja) | 2002-07-23 | 2009-02-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | パターン転写用フォトマスクのパターンレイアウト方法および半導体装置の製造方法 |
| WO2004077155A1 (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Fujitsu Limited | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
| JP4598575B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2010-12-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | パターン形成方法、半導体装置の製造方法、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの設計方法 |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP2093293A patent/JP3255476B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06236836A (ja) | 1994-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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