KR970008357A - 접촉창을 용이하게 매몰한 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

접촉창을 용이하게 매몰한 반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

다층 배선에서 접촉창을 금속으로 완전히 매몰할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 다층 배선을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 층간 절연층에 형성된 접촉창을 금속으로 용이하게 매몰하기 위하여 상기 접촉창에 인접하여 상기 층간 절연층 내에 보조 도전층 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치이다. 따라서 상기 층간 절연층에 형성된 상기 접촉창에 인접하여 상기 층간 절연층들보다 열전도 특성이 우수한 보조 도전층 패턴을 첨가하면, 상기 보조 도전층 패턴으로 인하여 열처리 동안에 상기 접촉창 주변에 열이 빠르게 전달되어 결국은 국부적으로 열처리의 온도나 시간을 증가시키는 효과를 가진다. 그러므로, 열처리 온도나 시간을 변화시키지 않고 접촉창을 금속으로 완전히 매몰할 수 있다.

Description

접촉창을 용이하게 매몰한 반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도 내지 제10도는 본 발명에 따라서 접촉창을 매몰하는 반도체 장치의 제조 방법을 보여주는 단면도들이다.

Claims (16)

  1. 다층 배선을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 층간 절연층에 형성된 접촉창을 금속으로 용이하게 매몰하기 위하여 상기 접촉창에 인접하여 상기 층간 절연층 내에 보조 도전층 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 상기 접촉창에 인접한 라인 형태로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 상기 접촉창의 둘레를 감싸는 형태로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 열전도가 우수한 물질로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 내화 금속 또는 내화 금속의 실리사이드로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제6항에 있어서, 상기 내화 금속은 텅스텐·티타늄·티타늄 질화막 또는 탄탈륨인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 다층 배선을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 층간 절연층에 형성된 접촉창을 금속으로 매몰하기 위하여 상기 접촉창에 인접하여 보조 도전층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 상기 층간 절연층 내에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 상기 접촉창에 인접한 라인 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 상기 접촉창의 둘레를 감싸는 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 100 내지 3000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 하부 도전층과 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제7항에 있어서, 상기 하부 도전층은 게이트 라인 또는 비트 라인인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제7항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 열전도가 우수한 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제7항 내지 제14항에 있어서, 상기 보조 도전층 패턴은 내화 금속 또는 내화 금속의 실리사이드로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 내화 금속은 텅스텐·티타늄·티타늄 질화막 또는 탄탈륨 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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