KR970007508A - 웨이퍼의 초점맞춤기구를 구비한 투영노광장치 및 웨이퍼 초점맞춤방법 - Google Patents

웨이퍼의 초점맞춤기구를 구비한 투영노광장치 및 웨이퍼 초점맞춤방법 Download PDF

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KR970007508A
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edge
substrate
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detection device
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다카시 미야치
Original Assignee
오노 시게오
니콘 가부시기가이샤
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract

포커스 제어 정정시간을 단축할 수 있음과 동시에 감광기판 둘레를 노광할때에 감광기판의 주사방향에 바깥쪽에서 안쪽 방향일 경우, 감광기판 표면의 면적 이용 효율 향상시킨다. 기판(W)의 둘레를 노광할 때에 기판(W)의 주사 방향에 바깥쪽에서 안쪽으로의 방향일 경우, 주사 방향에서 노광 영역에 선행하는 위치에 배치한 센서(B) 및 에지 검출부(28)로 기판(W)의 에지 및 그 에지 검출 포인트의 투영광학계 광축방향 위치를 검출한다. 그리고 조정 수단(29, 31, 21A, 22A, 23A, 10)에서는 에지 검출 포인트의 광축 방향 위치 및 테이블(10)의 경사

Description

웨이퍼의 초점맞춤기구를 구비한 투영노광장치 및 웨이퍼 초점맞춤방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예에 관한 스텝 앤드 스캔 방식 투영노광장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면.

Claims (7)

  1. 기판테이블에 탑재된 감광기판을 노광하는 투영노광 장치에 있어서, 상기 기판테이블이 소정 주사 방향으로 이동할 때에 상기 감광 기판상의 노광 필드에 선행하여 상기 감광기판 에지를 검출하는 에지 검출 장치와, 상기 에지 검출 장치가 상기 감광기판의 에지 검출시에 그 에지를 검출한 위치의 상기 투영광학계의 광축 방향의 초점어긋남(deforcus amount)을 검출하는 높이 검출 장치와, 상기 에치 검출 장치 및 높이 검출 장치로부터의 정보에 의해서 에지 검출시로부터 상기 감광기판 표면의 초점어긋남을 조정하는 조정장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판테이블의 상기 광축 직교면내의 주사방향으로 직교하는 축회전 경사량을 검출하는 경사 검출 장치를 더 포함하고, 상기 조정 장치는 상기 에지 검출 장치, 높이 검출 장치 및 경사 검출 장치로부터의 정보에 의해, 상기 에지 검출시로부터 상기 감광기판상의 노광 필드에 이르기 까지의 사이에 상기 감광기판 표면의 광축 방향 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 조정 장치는 상기 에지 검출시로부터 상기 감광기판상의 노광 필드에 이르기 까지의 사이에 상기 감광기판 표면의 경사를 조정하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 조정 장치는 상기 감광기판 표면의 광축 방향 위치를 조정할 때에 상기 기판 테이블 주사 속도에 의존한 속도 프로필의 속도 지령치를 구하며 상기 속도 지령치에 의해 상기 초점어긋남을 조정하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 속도 프로필은 가감속시 가속도를 최소로 하는 속도 프로필인 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  6. 기판테이블에 탑재된 감광기판을 노광할 때의 초점맞춤 방법에 있어서, a) 상기 기판 테이블이 소정의 주사 방향으로 이동할 때 상기 감광기판상의 노광 필드에 선행하여 상기 감광기판 에지를 검출하는 공정과, b) 상기 감광기판의 에지 검출시에 그 에지를 검출한 위치에서의 상기 투영광학계 광축 방향의 제1초점 어긋남을 검출하는 공정과, c) 상기 검출한 에지 위치 및 상기 제1초점 어긋남에 의해, 에지 검출시로부터 상기 제1초점 어긋남을 조정하는 공정과, d) 상기 감광기판상의 노광 필드에 도달한 후 상기 노광 필드에서 상기 광축 방향의 제2초점 어긋남을 검출하는 공정과, e) 상기 제2초점 어긋남에 의해 상기 감광기판 표면의 초점어긋남을 조정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초점맞춤방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1초점 어긋남을 조정하는 공정은, c1) 상기 기판 테이블 주사 속도에 관한 경계 조건을 설정하는 공정과, c2) 상기 기판 테이블 주사 속도를 설정하는 공정을 포함하는 포함하는 것을 특징으로 하는 초점맞춤방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960021358A 1995-07-11 1996-06-14 웨이퍼의 초점맞춤기구를 구비한 투영노광장치 및 웨이퍼 초점맞춤방법 KR970007508A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100670390B1 (ko) * 2005-09-14 2007-01-16 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
KR100800774B1 (ko) * 2006-07-14 2008-02-01 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 웨이퍼의 포토리소그래피 장치 및 그 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2886957B2 (ja) * 1990-09-06 1999-04-26 キヤノン株式会社 自動焦点合せ装置
JP2884830B2 (ja) * 1991-05-28 1999-04-19 キヤノン株式会社 自動焦点合せ装置
JPH0629178A (ja) * 1992-07-07 1994-02-04 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP3381313B2 (ja) * 1992-07-28 2003-02-24 株式会社ニコン 露光装置および露光方法並びに素子製造方法
JP3316833B2 (ja) * 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
JP3218484B2 (ja) * 1992-12-25 2001-10-15 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法、及び該方法を用いる半導体製造方法
JP3309927B2 (ja) * 1993-03-03 2002-07-29 株式会社ニコン 露光方法、走査型露光装置、及びデバイス製造方法
JPH06260392A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Hitachi Ltd 投影露光装置
JP3305448B2 (ja) * 1993-09-14 2002-07-22 株式会社ニコン 面位置設定装置、露光装置、及び露光方法
JP3572430B2 (ja) * 1994-11-29 2004-10-06 株式会社ニコン 露光方法及びその装置
JPH08286383A (ja) * 1995-04-17 1996-11-01 Canon Inc 露光装置
JP3520881B2 (ja) * 1995-07-03 2004-04-19 株式会社ニコン 露光装置

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