KR960039107A - 투영노광장치 및 이것을 사용한 마이크로디바이스제조방법 - Google Patents
투영노광장치 및 이것을 사용한 마이크로디바이스제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 투영노광장치는 노광광에 의해 제1물체를 조명하는 조명광학계와 ; 상기 조명광학계에 의해 조명된 상기 제1물체의 패턴을 제2물체상에 투영하는 투영광학계와 ; 상기 노광광과 파자이 다른 얼라인먼트광에 의해 상기 제2물체를 조명하고 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계를 통해 검출하는 얼라인먼트광학계와 ; 상기 얼라인먼트광학계가 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계를 통해 검출하도록, 투영노광시의 상기 제1물체의 위치와 다른 위치로 상기 제1물체를 이동시키는 이동기구를 구비한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 투영노광장치의 주요부분의 개략도.
Claims (12)
- 노광광에 의해 제1물체를 조명하는 조명광학계와 ; 상기 조명광학계에 의해 조명된 상기 제1물체의 패턴을 제2물체상에 투영하는 투영광학계와 ; 상기 노광광과 파장이 다른 얼라인먼트광에 의해 상기 제2물체를 조명하고, 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계를 통해서 검출하는 얼라인먼트광학계와 ; 상기 얼라인먼트광학계가 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계르 통해서 검출하도록, 투영노광시의 상기 제1물체의 위치와 다른 위치로 상기 제1물체를 이동시키는 이동수단을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광은 상기 제2물체의 상기 투영광학계의 광축과 교차하는 영역으로부터의 광인 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제1항에 있어서, 상기 이동수단은 상기 제1물체를 유지 및 이동시키는 유지부재를 지니고, 상기 유지부재는 상기 제1물체를 투영노광시의 위치와 다른 위치로 이동시킬 때 상기 얼라인먼트광을 상기 얼라인먼트광학계로 도광하는 도광수단을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제3항에 있어서, 상기 도광수단은 상기 유지부재내에 형성된 개구부인 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제3항에 있어서, 상기 도광수단은 상기 유지부재상에 설치된 반사부재인 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1물체의 패턴이 상기 제2물체상에 투영되도록 상기 제1물체와 상기 제2물체를 상기 투영광학계에 대해서 동기시켜서 각각 소정방향으로 주사이동시키는 주사수단을 또 구비하고, 상기 주사수단은 상기 이동수단의 기능을 겸비하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 노광광에 의해 제1물체를 조명하고 조명된 상기 제1물체의 패턴을 투영광학계를 통해서 제2물체상에 투영하는 투영노광방법에 있어서 : 상기 노광광과 파장이 다른 얼라인먼트광에 의해 상기 제2물체를 조명하는 단계와 ; 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광이 상기 투영광학계를 통해서 검출되도록 투영노광시의 상기 제1물체의 위치와 다른 위치로 상기 제1물체를 이동시키는 단계와 ; 상기 이동단계후에, 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계를 통해서 검출하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 투여노광장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광은 상기 제2물체의 상기 투영광학계의 광축과 교차하는 영역으로부터의 광인 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 제8항에 있어서, 상기 제1물체의 패턴이 상기 제2물체상에 투영되도록 상기 제1물체와 상기 제2물체를 상기 투영광학계에 대해서 동기시켜서 각각 소정방향으로 주사이동시키는 단계를 또 구비하고, 상기 제1물체의 주사이동방향은 상기 이동단계에 의한 이동방향과 일치하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
- 노광광에 의해 조명된 마스크의 패턴을 투영광학계를 통해 웨이퍼상에 투영하고, 상기 투영노광후에, 상기 웨이퍼에 현상공정을 행하는 반도체디바이스제조방법에 있어서 : 상기 노광광과 파장이 다른 얼라인먼트광에 의해 상기 웨이퍼를 조명하는 단계와 ; 상기 웨이퍼로부터의 얼라인머트광이 상기 투영광학계를 통해 검출되도록 투영노광시의 상기 마스크의 위치와 다른 위치로 상기 마스크를 이동시키는 단계와 ; 상기 이동단계후에, 상기 웨이퍼로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계를 통해 검출하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체디바이스제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 웨이퍼로부터의 얼라인먼트광은 상기 웨이퍼의 상기 투영광학계의 광축과 교차하는 영역으로부터의 광인 것을 특징으로 하는 반도체디바이스제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 마스크의 패턴이 상기 웨이퍼상에 투영되도록 상기 마스크와 상기 웨이퍼를 상기 투영광학계에 대해서 동기시켜서 각각 소정방향으로 주사이동시키는 단계를 더 구비하고, 상기 마스크의 주사이동방향은 상기 이동단계에 의한 이동방향과 일치하는 것을 특징으로 하는 반도체디바이스제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP95-88215 | 1995-04-13 | ||
JP08821595A JP3450509B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 投影露光装置及び該装置を用いて素子を製造する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960039107A true KR960039107A (ko) | 1996-11-21 |
KR100239623B1 KR100239623B1 (ko) | 2000-01-15 |
Family
ID=13936686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960011121A KR100239623B1 (ko) | 1995-04-13 | 1996-04-13 | 투영노광장치, 투영노광방법 및 반도체디바이스 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5999270A (ko) |
EP (1) | EP0737898B1 (ko) |
JP (1) | JP3450509B2 (ko) |
KR (1) | KR100239623B1 (ko) |
DE (1) | DE69603217T2 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW445514B (en) * | 1998-08-18 | 2001-07-11 | United Microelectronics Corp | Synchronous off-axis alignment exposure device |
KR100400510B1 (ko) | 2000-12-28 | 2003-10-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화 장치와 실리콘 결정화 방법 |
KR100478758B1 (ko) * | 2002-04-16 | 2005-03-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화방법 |
KR100833956B1 (ko) * | 2005-05-04 | 2008-05-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 비정질 실리콘 결정화용 광학 마스크 |
US20070196613A1 (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Columbia Forest Products, Inc. | Plywood panel with non-contiguous veneer components |
JP2010106358A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Canon Inc | 成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3542469A (en) * | 1967-09-30 | 1970-11-24 | Telefunken Patent | Photographic production of semiconductor microstructures |
JPS5825638A (ja) * | 1981-08-08 | 1983-02-15 | Canon Inc | 露光装置 |
GB2146427B (en) * | 1983-08-01 | 1987-10-21 | Canon Kk | Semiconductor manufacture |
EP0148477B1 (en) * | 1983-12-26 | 1991-09-04 | Hitachi, Ltd. | Exposure apparatus and method of aligning exposure mask with workpiece |
JPS61100932A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
US5137363A (en) * | 1986-06-04 | 1992-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
JPH0789534B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1995-09-27 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
JPH065663B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1994-01-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体露光方法及びその装置 |
JP2683075B2 (ja) * | 1988-12-23 | 1997-11-26 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置及び方法 |
JP2633028B2 (ja) * | 1989-07-31 | 1997-07-23 | キヤノン株式会社 | 観察方法及び観察装置 |
JP2890882B2 (ja) * | 1990-04-06 | 1999-05-17 | キヤノン株式会社 | 位置付け方法、半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 |
JP3109852B2 (ja) * | 1991-04-16 | 2000-11-20 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
JP3564735B2 (ja) * | 1994-06-16 | 2004-09-15 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び露光方法 |
-
1995
- 1995-04-13 JP JP08821595A patent/JP3450509B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-10 DE DE69603217T patent/DE69603217T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 US US08/630,137 patent/US5999270A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-10 EP EP96302526A patent/EP0737898B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-13 KR KR1019960011121A patent/KR100239623B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0737898B1 (en) | 1999-07-14 |
DE69603217D1 (de) | 1999-08-19 |
KR100239623B1 (ko) | 2000-01-15 |
JP3450509B2 (ja) | 2003-09-29 |
JPH08288194A (ja) | 1996-11-01 |
US5999270A (en) | 1999-12-07 |
EP0737898A1 (en) | 1996-10-16 |
DE69603217T2 (de) | 1999-12-09 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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