KR960039107A - 투영노광장치 및 이것을 사용한 마이크로디바이스제조방법 - Google Patents

투영노광장치 및 이것을 사용한 마이크로디바이스제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 투영노광장치는 노광광에 의해 제1물체를 조명하는 조명광학계와 ; 상기 조명광학계에 의해 조명된 상기 제1물체의 패턴을 제2물체상에 투영하는 투영광학계와 ; 상기 노광광과 파자이 다른 얼라인먼트광에 의해 상기 제2물체를 조명하고 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계를 통해 검출하는 얼라인먼트광학계와 ; 상기 얼라인먼트광학계가 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계를 통해 검출하도록, 투영노광시의 상기 제1물체의 위치와 다른 위치로 상기 제1물체를 이동시키는 이동기구를 구비한다.

Description

투영노광장치 및 이것을 사용한 마이크로디바이스제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 투영노광장치의 주요부분의 개략도.

Claims (12)

  1. 노광광에 의해 제1물체를 조명하는 조명광학계와 ; 상기 조명광학계에 의해 조명된 상기 제1물체의 패턴을 제2물체상에 투영하는 투영광학계와 ; 상기 노광광과 파장이 다른 얼라인먼트광에 의해 상기 제2물체를 조명하고, 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계를 통해서 검출하는 얼라인먼트광학계와 ; 상기 얼라인먼트광학계가 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계르 통해서 검출하도록, 투영노광시의 상기 제1물체의 위치와 다른 위치로 상기 제1물체를 이동시키는 이동수단을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광은 상기 제2물체의 상기 투영광학계의 광축과 교차하는 영역으로부터의 광인 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이동수단은 상기 제1물체를 유지 및 이동시키는 유지부재를 지니고, 상기 유지부재는 상기 제1물체를 투영노광시의 위치와 다른 위치로 이동시킬 때 상기 얼라인먼트광을 상기 얼라인먼트광학계로 도광하는 도광수단을 구비한 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 도광수단은 상기 유지부재내에 형성된 개구부인 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 도광수단은 상기 유지부재상에 설치된 반사부재인 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1물체의 패턴이 상기 제2물체상에 투영되도록 상기 제1물체와 상기 제2물체를 상기 투영광학계에 대해서 동기시켜서 각각 소정방향으로 주사이동시키는 주사수단을 또 구비하고, 상기 주사수단은 상기 이동수단의 기능을 겸비하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  7. 노광광에 의해 제1물체를 조명하고 조명된 상기 제1물체의 패턴을 투영광학계를 통해서 제2물체상에 투영하는 투영노광방법에 있어서 : 상기 노광광과 파장이 다른 얼라인먼트광에 의해 상기 제2물체를 조명하는 단계와 ; 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광이 상기 투영광학계를 통해서 검출되도록 투영노광시의 상기 제1물체의 위치와 다른 위치로 상기 제1물체를 이동시키는 단계와 ; 상기 이동단계후에, 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계를 통해서 검출하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 투여노광장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2물체로부터의 얼라인먼트광은 상기 제2물체의 상기 투영광학계의 광축과 교차하는 영역으로부터의 광인 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1물체의 패턴이 상기 제2물체상에 투영되도록 상기 제1물체와 상기 제2물체를 상기 투영광학계에 대해서 동기시켜서 각각 소정방향으로 주사이동시키는 단계를 또 구비하고, 상기 제1물체의 주사이동방향은 상기 이동단계에 의한 이동방향과 일치하는 것을 특징으로 하는 투영노광장치.
  10. 노광광에 의해 조명된 마스크의 패턴을 투영광학계를 통해 웨이퍼상에 투영하고, 상기 투영노광후에, 상기 웨이퍼에 현상공정을 행하는 반도체디바이스제조방법에 있어서 : 상기 노광광과 파장이 다른 얼라인먼트광에 의해 상기 웨이퍼를 조명하는 단계와 ; 상기 웨이퍼로부터의 얼라인머트광이 상기 투영광학계를 통해 검출되도록 투영노광시의 상기 마스크의 위치와 다른 위치로 상기 마스크를 이동시키는 단계와 ; 상기 이동단계후에, 상기 웨이퍼로부터의 얼라인먼트광을 상기 투영광학계를 통해 검출하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체디바이스제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 웨이퍼로부터의 얼라인먼트광은 상기 웨이퍼의 상기 투영광학계의 광축과 교차하는 영역으로부터의 광인 것을 특징으로 하는 반도체디바이스제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 마스크의 패턴이 상기 웨이퍼상에 투영되도록 상기 마스크와 상기 웨이퍼를 상기 투영광학계에 대해서 동기시켜서 각각 소정방향으로 주사이동시키는 단계를 더 구비하고, 상기 마스크의 주사이동방향은 상기 이동단계에 의한 이동방향과 일치하는 것을 특징으로 하는 반도체디바이스제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960011121A 1995-04-13 1996-04-13 투영노광장치, 투영노광방법 및 반도체디바이스 제조방법 KR100239623B1 (ko)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW445514B (en) * 1998-08-18 2001-07-11 United Microelectronics Corp Synchronous off-axis alignment exposure device
KR100400510B1 (ko) 2000-12-28 2003-10-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화 장치와 실리콘 결정화 방법
KR100478758B1 (ko) * 2002-04-16 2005-03-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법
KR100833956B1 (ko) * 2005-05-04 2008-05-30 엘지디스플레이 주식회사 비정질 실리콘 결정화용 광학 마스크
US20070196613A1 (en) * 2006-02-07 2007-08-23 Columbia Forest Products, Inc. Plywood panel with non-contiguous veneer components
JP2010106358A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Canon Inc 成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3542469A (en) * 1967-09-30 1970-11-24 Telefunken Patent Photographic production of semiconductor microstructures
JPS5825638A (ja) * 1981-08-08 1983-02-15 Canon Inc 露光装置
GB2146427B (en) * 1983-08-01 1987-10-21 Canon Kk Semiconductor manufacture
EP0148477B1 (en) * 1983-12-26 1991-09-04 Hitachi, Ltd. Exposure apparatus and method of aligning exposure mask with workpiece
JPS61100932A (ja) * 1984-10-24 1986-05-19 Hitachi Ltd 露光装置
US5137363A (en) * 1986-06-04 1992-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH0789534B2 (ja) * 1986-07-04 1995-09-27 キヤノン株式会社 露光方法
JPH065663B2 (ja) * 1987-06-30 1994-01-19 株式会社日立製作所 半導体露光方法及びその装置
JP2683075B2 (ja) * 1988-12-23 1997-11-26 キヤノン株式会社 半導体製造装置及び方法
JP2633028B2 (ja) * 1989-07-31 1997-07-23 キヤノン株式会社 観察方法及び観察装置
JP2890882B2 (ja) * 1990-04-06 1999-05-17 キヤノン株式会社 位置付け方法、半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JP3109852B2 (ja) * 1991-04-16 2000-11-20 キヤノン株式会社 投影露光装置
JP3564735B2 (ja) * 1994-06-16 2004-09-15 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法

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