KR970060355A - 노광방법 및 장치. 그리고 그것을 사용한 디바이스 제조방법 - Google Patents
노광방법 및 장치. 그리고 그것을 사용한 디바이스 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970060355A KR970060355A KR1019970000253A KR19970000253A KR970060355A KR 970060355 A KR970060355 A KR 970060355A KR 1019970000253 A KR1019970000253 A KR 1019970000253A KR 19970000253 A KR19970000253 A KR 19970000253A KR 970060355 A KR970060355 A KR 970060355A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- scanning
- mask
- exposure
- acceleration
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명의 노광방법은 웨이퍼가 주사노광을 위하여 소정의 방향으로 주사이동되는 것을 특징으로 하는 제1동작과 상기 소정의 방향과는 다른 방향으로 단계적으로 이동되는 제2동작의 조합에 의해서 웨이퍼상의 다른 영역에 마스크패턴을 전사하는 공정을 포함하고, 상기 제1 및 제2동작중 하나의 동작이 정지하기 이전에 다른 동작이 시작되는 것을 특징으로 하고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 X-Y스테이지제어시스템의 블록도.
Claims (11)
- 웨이퍼가 주사노광을 위하여 소정의 방향으로 주사이동되는 것을 특징으로 하는 제1동작과 상기 소정의 방향과는 다른 방향으로 단계적으로 이동되는 제2동작의 조합에 의해서 웨이퍼상의 다른 영역에 마스크패턴을 전사하는 단계와, 상기 제1 및 제2동작중 하나의 동작이 정지하기 이전에 다른 동작을 시작하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제1항에 있어서, 웨이퍼상의 한 영역에 마스크패턴이 전사되는 마스크 및 웨이퍼의 양쪽이 주사이동되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제2항에 있어서, 또, 마스크상에 슬릿광을 투사하는 단계와, 시간적인 관계와 소정의 속도비로 마스크와 웨이퍼를 주사이동하는 단계와, 웨이퍼상에 마스크패턴을 축소된 규모로 투사하고, 이에 의해 웨이퍼상에 마스크패턴을 축소된 규모로 전사하는 단계로 구비한 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제1항에 있어서, 소정방향으로서의 주사동작이 노광종료위치를 지날 때, 그 다음의 단계 동작의 가속이 시작되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제2항에 있어서, 소정방향으로서의 주사동작이 노광종료위치를 지난 후 그리고 감속이 시작되기 전에, 그 다음 단계 동작의 가속이 시작되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제1항에 있어서, 웨이퍼에 대한 n번째 동작기간이 주사동작기간으로 이루어지고, n+1번째 동작기간이 단계동작기간으로 이루어지고, n+2번째 동작기간이 주사동작기간으로 이루어질 때, n+1번째 동작기간에 있어서의 가속은 n번째 동작기간에 있어서의 노광종료위치를 지날 때 시작되고, 그후 n+2번째 동악기간에 있어서의 가속은 n번째 동작기간에 있어서의 감속이 종료된 후에 시작되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제6항에 있어서, n+2번째 동작기간에 있어서의 가속은 n+1번째 동작기간에 있어서의 단계동작의 감속이 시작되기 이전에 시작되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제1항에 있어서, 다른 동작의 시작타이밍은 가변적인 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제8항에 있어서, 상기 타이밍은 목표가속 및 주사동작의 갑작스런 움직임중 적어도 하나 또는 단계동작, 일정속도주사의 속도 및 가속안정화시간중 적어도 하나에 따라서 가변적으로 설정되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
- 제1항의 노광방법을 포함하는 디바이스의 제조방법.
- 마스크상의 소정의 조명영역을 조명하는 조명수단과, 마스크를 지지하고 이것을 주사이동시키는 마스크 스테이지와, 웨이퍼상에 마스크의 패턴을 투사하는 투사광학시스템과, 웨이퍼를 지지하고 이것을 이동시키는 웨이퍼스테이지와, 상기 마스크스테이지와 상기 웨이퍼스테이지가 시간관계를 가지고 소정의 속도비로 주사이동되어 마스크의 패턴에 웨이퍼를 주사노광하고 상기 웨이퍼스테이지는 웨이퍼상의 주사노광영역을 변경시키기 위하여 단계적으로 이동되는 것을 특징으로 하는 스텝-및-주사동작을 행하며, 주사동작 및 단계동작중 하나가 정지하기 이전에 다른 동작이 시작되도록 스텝-및-주사동작에 있어서 사용되는 제어수단으로 구성된 노광장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1698696A JPH09190224A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | Xyステージ制御装置 |
JP96-16985 | 1996-01-08 | ||
JP1698596 | 1996-01-08 | ||
JP96-16986 | 1996-01-18 | ||
JP8340445A JPH09251955A (ja) | 1996-01-08 | 1996-12-06 | 露光方法および装置、ならびにデバイス製造方法 |
JP96-340445 | 1996-12-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970060355A true KR970060355A (ko) | 1997-08-12 |
KR100219824B1 KR100219824B1 (ko) | 1999-09-01 |
Family
ID=27281646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970000253A KR100219824B1 (ko) | 1996-01-08 | 1997-01-08 | 노광방법 및 장치, 그리고 그것을 사용한 디바이스제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0785571B1 (ko) |
KR (1) | KR100219824B1 (ko) |
DE (1) | DE69610691T2 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL135139A0 (en) | 1997-09-19 | 2001-05-20 | Nikon Corp | Stage apparatus, scanning type exposure apparatus, and device produced with the same |
JP3796367B2 (ja) * | 1999-03-09 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | ステージ制御方法、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
US6285438B1 (en) | 1999-05-19 | 2001-09-04 | Nikon Corporation | Scanning exposure method with reduced time between scans |
JP2004072076A (ja) | 2002-06-10 | 2004-03-04 | Nikon Corp | 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法 |
US7016019B2 (en) | 2003-12-16 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100456136C (zh) * | 2005-12-02 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 一种步进扫描投影光刻机多总线时序同步控制方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4023126A (en) * | 1975-06-26 | 1977-05-10 | Gte Laboratories Incorporated | Scanning photographic printer for integrated circuits |
US5285236A (en) * | 1992-09-30 | 1994-02-08 | Kanti Jain | Large-area, high-throughput, high-resolution projection imaging system |
-
1996
- 1996-12-31 EP EP96309565A patent/EP0785571B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-31 DE DE69610691T patent/DE69610691T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-08 KR KR1019970000253A patent/KR100219824B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69610691T2 (de) | 2001-05-03 |
DE69610691D1 (de) | 2000-11-23 |
KR100219824B1 (ko) | 1999-09-01 |
EP0785571B1 (en) | 2000-10-18 |
EP0785571A2 (en) | 1997-07-23 |
EP0785571A3 (ko) | 1997-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970072026A (ko) | 주사형 노광 장치 | |
KR970007511A (ko) | 주사노광장치 및 이것을 사용한 디바이스 제조방법 | |
EP0811883A3 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
KR970028862A (ko) | 노광 장치 및 노광량 제어방법 | |
KR940015697A (ko) | 노광방법 및 그 장치 | |
KR970012018A (ko) | 면위치검출방법 및 이것을 이용한 주사노광방법 | |
EP1830220A3 (en) | A programmable light beam shape altering device using programmable micromirrors | |
KR940020482A (ko) | 투영 노광 방법 및 그 시스템(Projection Exposure Method and System Used Therefor) | |
KR960015755A (ko) | 주사형 광노출장치 | |
KR950024025A (ko) | 투사 노출 장치 및 디바이스 제조방법 | |
KR970060355A (ko) | 노광방법 및 장치. 그리고 그것을 사용한 디바이스 제조방법 | |
JP2506616B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法 | |
GB2300275A (en) | Controlling stages and scanning type exposure | |
US5883700A (en) | Method for projection exposure to light | |
JPS6221220A (ja) | マスクレス露光装置 | |
KR970077434A (ko) | 콘트롤러, 스테이지 시스템과 주사형 노광 시스템 및 이동체의 위치 결정 방법 | |
TW374940B (en) | Scanning exposure apparatus with surface position detecting system | |
KR970016824A (ko) | 투영노광장치 및 방법 | |
KR970077120A (ko) | 노광 조건 측정 방법 | |
KR970023646A (ko) | 주사형 투영 노광장치 및 방법 | |
EP0833209A3 (en) | Scanning exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
KR970022576A (ko) | 노광방법 및 장치 | |
KR970028863A (ko) | 주사노광방법 및 주사형노광장치 | |
KR960039107A (ko) | 투영노광장치 및 이것을 사용한 마이크로디바이스제조방법 | |
JPH11121328A (ja) | 走査型縮小投影露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100525 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |