KR970060355A - 노광방법 및 장치. 그리고 그것을 사용한 디바이스 제조방법 - Google Patents

노광방법 및 장치. 그리고 그것을 사용한 디바이스 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 노광방법은 웨이퍼가 주사노광을 위하여 소정의 방향으로 주사이동되는 것을 특징으로 하는 제1동작과 상기 소정의 방향과는 다른 방향으로 단계적으로 이동되는 제2동작의 조합에 의해서 웨이퍼상의 다른 영역에 마스크패턴을 전사하는 공정을 포함하고, 상기 제1 및 제2동작중 하나의 동작이 정지하기 이전에 다른 동작이 시작되는 것을 특징으로 하고 있다.

Description

노광방법 및 장치, 그리고 그것을 사용한 디바이스 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 X-Y스테이지제어시스템의 블록도.

Claims (11)

  1. 웨이퍼가 주사노광을 위하여 소정의 방향으로 주사이동되는 것을 특징으로 하는 제1동작과 상기 소정의 방향과는 다른 방향으로 단계적으로 이동되는 제2동작의 조합에 의해서 웨이퍼상의 다른 영역에 마스크패턴을 전사하는 단계와, 상기 제1 및 제2동작중 하나의 동작이 정지하기 이전에 다른 동작을 시작하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광방법.
  2. 제1항에 있어서, 웨이퍼상의 한 영역에 마스크패턴이 전사되는 마스크 및 웨이퍼의 양쪽이 주사이동되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  3. 제2항에 있어서, 또, 마스크상에 슬릿광을 투사하는 단계와, 시간적인 관계와 소정의 속도비로 마스크와 웨이퍼를 주사이동하는 단계와, 웨이퍼상에 마스크패턴을 축소된 규모로 투사하고, 이에 의해 웨이퍼상에 마스크패턴을 축소된 규모로 전사하는 단계로 구비한 것을 특징으로 하는 노광방법.
  4. 제1항에 있어서, 소정방향으로서의 주사동작이 노광종료위치를 지날 때, 그 다음의 단계 동작의 가속이 시작되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  5. 제2항에 있어서, 소정방향으로서의 주사동작이 노광종료위치를 지난 후 그리고 감속이 시작되기 전에, 그 다음 단계 동작의 가속이 시작되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  6. 제1항에 있어서, 웨이퍼에 대한 n번째 동작기간이 주사동작기간으로 이루어지고, n+1번째 동작기간이 단계동작기간으로 이루어지고, n+2번째 동작기간이 주사동작기간으로 이루어질 때, n+1번째 동작기간에 있어서의 가속은 n번째 동작기간에 있어서의 노광종료위치를 지날 때 시작되고, 그후 n+2번째 동악기간에 있어서의 가속은 n번째 동작기간에 있어서의 감속이 종료된 후에 시작되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  7. 제6항에 있어서, n+2번째 동작기간에 있어서의 가속은 n+1번째 동작기간에 있어서의 단계동작의 감속이 시작되기 이전에 시작되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  8. 제1항에 있어서, 다른 동작의 시작타이밍은 가변적인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 타이밍은 목표가속 및 주사동작의 갑작스런 움직임중 적어도 하나 또는 단계동작, 일정속도주사의 속도 및 가속안정화시간중 적어도 하나에 따라서 가변적으로 설정되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  10. 제1항의 노광방법을 포함하는 디바이스의 제조방법.
  11. 마스크상의 소정의 조명영역을 조명하는 조명수단과, 마스크를 지지하고 이것을 주사이동시키는 마스크 스테이지와, 웨이퍼상에 마스크의 패턴을 투사하는 투사광학시스템과, 웨이퍼를 지지하고 이것을 이동시키는 웨이퍼스테이지와, 상기 마스크스테이지와 상기 웨이퍼스테이지가 시간관계를 가지고 소정의 속도비로 주사이동되어 마스크의 패턴에 웨이퍼를 주사노광하고 상기 웨이퍼스테이지는 웨이퍼상의 주사노광영역을 변경시키기 위하여 단계적으로 이동되는 것을 특징으로 하는 스텝-및-주사동작을 행하며, 주사동작 및 단계동작중 하나가 정지하기 이전에 다른 동작이 시작되도록 스텝-및-주사동작에 있어서 사용되는 제어수단으로 구성된 노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970000253A 1996-01-08 1997-01-08 노광방법 및 장치, 그리고 그것을 사용한 디바이스제조방법 KR100219824B1 (ko)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL135139A0 (en) 1997-09-19 2001-05-20 Nikon Corp Stage apparatus, scanning type exposure apparatus, and device produced with the same
JP3796367B2 (ja) * 1999-03-09 2006-07-12 キヤノン株式会社 ステージ制御方法、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法
US6285438B1 (en) 1999-05-19 2001-09-04 Nikon Corporation Scanning exposure method with reduced time between scans
JP2004072076A (ja) 2002-06-10 2004-03-04 Nikon Corp 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法
US7016019B2 (en) 2003-12-16 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100456136C (zh) * 2005-12-02 2009-01-28 上海微电子装备有限公司 一种步进扫描投影光刻机多总线时序同步控制方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4023126A (en) * 1975-06-26 1977-05-10 Gte Laboratories Incorporated Scanning photographic printer for integrated circuits
US5285236A (en) * 1992-09-30 1994-02-08 Kanti Jain Large-area, high-throughput, high-resolution projection imaging system

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