KR970002484A - 주사형 노광 장치 - Google Patents

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KR970002484A
KR970002484A KR1019960019588A KR19960019588A KR970002484A KR 970002484 A KR970002484 A KR 970002484A KR 1019960019588 A KR1019960019588 A KR 1019960019588A KR 19960019588 A KR19960019588 A KR 19960019588A KR 970002484 A KR970002484 A KR 970002484A
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KR
South Korea
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mask
photosensitive substrate
optical axis
positional relationship
adjusting
Prior art date
Application number
KR1019960019588A
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English (en)
Inventor
세이지 미야지키
히데지 고토
무네야스 요코다
Original Assignee
오노 시게오
니콘 가부시키가이샤
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Filing date
Publication date
Application filed by 오노 시게오, 니콘 가부시키가이샤 filed Critical 오노 시게오
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
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    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

조명 광속의 광축의 경사 조정 오차나 평탄도에 급격한 변화가 생성된 경우에도, 높은 처리 능력으로 마스크의 패턴을 감광 기판상에 양호하게 노광한다.
제어계(12)에서는, 마스크(3)와 감광기판(4)이 투영 광학계(2)의 투영 영역을 통과하여 노광 개시 위치에 반송될때, 포커스 센서(8A,8B)의 출력을 모니터하면서 소정의 얼라이먼트 포인트에 구동계(14)를 제어하여 포커스를 조정한 후에 얼라이먼트 센서(7)를 이용한 마스크(3)와 감광 기판(4)의 얼라이먼트 위치를 계측한다. 마스크(3)와 감광기판(4)이 노광이 개시위치에 반송되고, 노광 개시전에, 제어계(12)에서는 적어도 기억장치(11)에 기억된 장소의 얼라이먼트 포인트에 있어서의 얼라이먼트 센서의 검출 정보를 근거로 구동계(13)를 제어하는 마스크(2)와 감광기판(4)의 얼라이먼트를 행한다.

Description

주사형 노광 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 한 실시예의 주사형 노광 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면.

Claims (3)

  1. 마스크와 감광 기판을 소정의 주사 방향으로 동기하여 이동하면서 상기 마스크 상의 패턴을 투영 광학계를 통해 상기 감광 기판 상에 축차 전사하는 주사형 노광 장치에 있어서, 상기 마스크와 상기 감광 기판과의 상기 투영 광학계의 광축에 직교하는 2차원 방향의 상대적인 위치 관계를 검출하는 제1위치 검출 수단; 상기 마스크와 감광 기판과의 상기 광축 방향의 상대적인 위치 관계를 검출하는 제2위치 검출 수단; 상기 제1위치 검출 수단에서 검출된 상기 마스크와 상기 감광 기판과의 상기 광축에 직교하는 2차원 방향의 상대적인 위치관계의 정보인 제1위치 정보와, 상기 제2위치 검출 수단에서 검출된 상기 마스크와 감광 기판과의 상기 광축 방향의 상대적인 위치 관계의 정보인 제2위치 정보가 기억되는 기억 수단; 상기 마스크와 상기 감광 기판과의 상기 광축에 직교하는 2차원 방향의 상대적인 위치 관계를 조정하는 제1조정 수단; 상기 마스크와 상기 감광 기판과의 상기 광축 방향에 대한 상대적인 위치 관계를 조정하는 제2조정 수단; 상기 마스크와 상기 감광 기판이 상기 투영 광학계의 촬영 영역을 통과하여 노광 개시 위치로 반송될 때에, 상기 제2위치 검출 수단의 출력을 모니터하면서 소정의 얼라이먼트 포인트에서 상기 제2조정 수단을 제어하여 상기 마스크와 상기 감광 기판과의 상기 광축 방향에 대한 상대적인 위치 관계를 조정한 후, 상기 제1검출 수단을 통해 상기 마스크와 상기 감광 기관과의 상기 광축에 직교하는 2차원 방향의 상대적인 위치 관계를 검출하는 제1제어 수단 및; 상기 마스크와 상기 감광 기판을 노광 개시 위치로 반송 후, 노광 개시전에 적어도 상기 기억 수단에 기억된 소정의 얼라이먼트 포인트에서 상기 제1위치 정보에 기초하여 상기 제1조정 수단을 제어하여 상기 마스크와 상기 감광 기판과의 상기 광축에 직교하는 2차원 방향의 상대적인 위치를 조정하는 제2제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크와 상기 감광 기판이 노광 개시 위치로 반송된 후, 노광 종료까지의 사이에 상기 기억 수단에 기억된 제2위치 정보에 기초하여 상기 제2조정 수단을 제어하여 상기 마스크와 상기 감광 기판과의 상기 광축 방향에 대한 상대적인 위치 관계를 조정하는 제3제어 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1제어 수단은 소정의 얼라이먼트 포인트에서 상기 제2조정 수단을 제어한 때에, 상기 기억 수단에 상기 제2조정 수단의 제어량을 기억함과 동시에, 상기 제3제어 수단은 기억수단에 기억된 불연속한 상기 제2위치 정보와 상기 제2조정 수단의 제어량에 기초하여. 임의의 위치에서 상기 마스크와 상기 감광 기판과의 상기 광축 방향에 대한 상대적인 위치 관계의 적절한 보정값을 표시하는 보정 맵을 작성하고, 노광 중에 상기 보정 맵에 따라 상기 제2조정 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960019588A 1995-06-02 1996-06-03 주사형 노광 장치 KR970002484A (ko)

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JP95-160063 1995-06-02

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KR100299504B1 (ko) * 1998-07-23 2001-09-22 미다라이 후지오 노광장치

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