KR970016828A - 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법 - Google Patents

노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법 Download PDF

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Abstract

노광장치는 조명광학계와; 상기 조명광학계로부터 노광광의 일부를 수장하는 제1수광수단과; 상기 노광광을 투과하는 투과부를 지닌 이동가능한 레이클스테이지와; 상기 투과부를 통해서 투과된 노광광을 수광하는 제2수광수단을 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 노광장치의 개략도.

Claims (22)

  1. 조명광학계와; 상기 조명광학계로부터 노광광의 일부를 수광하는 제1수광수단과; 상기 노광광을 투과하는 투과부를 지닌 이동가능한 레티클스테이지와; 상기 투과부를 통해서 투과된 노광광을 수광하는 제2수광수단을 구비한 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 투영광학계를 또 구비하고, 상기 제2수광수단은 상기 투영광학계의 적어도 일부를 투과한 노광광을 수광하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제1항에 있어서, 이동가능한 웨이퍼스테이지를 또 구비하고, 상기 제2수광수단은 상기 웨이퍼스테이지상에 설치되어, 웨이퍼와 광학적으로 공액인 위치에 배치된 수광면을 지닌 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2수광수단에 의한 검출결과에 의거해서 상기 제1수광수단의 감도보정에 관한 보정정보를 기억하는 기억수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 보정정보는 상기 제1 및 제2수광수단의 검출치간의 비에 의거한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 노광장치는 레티클과 웨이퍼를 주사하면서 노광을 행하는 주사노광장치인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제1항에 있어서, 노광광을 제공하기 위한 엑시머레이저를 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 조명광학계와, 상기 조명광학계로부터 노광광의 일부를 수광하는 제1수광수단과, 투영광학계와, 상기 투영광학계의 적어도 일부를 통해서 투과된 노광광을 수광하는 제2수광수단을 구비한 노광장치를 사용하여, 상기 조명광학계에 의해 레티클을 조명해서, 해당 레티클의 패턴을 웨이퍼에 전사하는 노광방법에 있어서, 상기 레티클이 노광광의 광로중에 배치되어 있지 않은 상태에서 상기 제1 및 제2수광수단의 검출치간의 제1비와, 상기 레티클이 노광광의 광로중에 배치되어 있는 상태에서 상기 제1 및 제2수광수단의 검출치간의 제2비를 검출하는 공정과; 적어도 1회의 노광을 행한 후, 상기 레티클이 노광광의 광로중에 배치되어 있는 상태에서 상기 제1 및 제2수광수단의 검출치간의 제3비를 검출하는 공정과; 상기 제1, 제2 및 제3비에 의거해서 상기 제1수광수단의 감도를 보정하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 노광방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1수광수단의 검출치는, 레티클과 광학적으로 공액인 면상에서 검출된 것을 특징으로 하는 노광방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 노광광은 엑시머레이저광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  11. 조명광학계와; 상기 조명광학계로부터 노광광의 일부를 수광하는 제1수광수단과; 투영광학계와; 상기 투영광학계의 적어도 일부를 통해서 투과된 노광광을 수광하는 제2수광수단과; 상기 제1수광수단의 검출치의 감도를 보정하는 보정수단을 구비하고, 상기 보정수단은, (i) 레티클이 노광광의 광로중에 배치되어 있지 않은 상태에서 상기 제1 및 제2수광수단의 검출치간의 제1비를 검출하고, (ii) 상기 레티클이 노광광의 광로중에 배치되어 있는 상태에서 상기 제1 및 제2수광수단의 검출치간의 제2비를 검출하고, (iii) 적어도 1회의 노광을 행한 후, 상기 레티클이 노광광의 광로중에 배치되어 있는 상태에서 상기 제1 및 제2수광수단의 검출치간의 제3비를 검출하고, (iv) 상기 제1, 제2 및 제3비에 의거해서 상기 제1수광수단의 감도를 보정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  12. 제11항에 있어서, 제1반사율을 지닌 제1반사면 및 상기 제1반사율과는 다른 제2반사율을 지닌 제2반사면을 또 구비하고, 상기 제1 및 제2반사면은 웨이퍼의 노광면과 대략 동일한 높이로 배치되어 있고, 상기 제2수광수단은 상기 제1 및 제2반사면에 의해 반사된 노광광을 수광하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제2수광수단은 웨이퍼의 노광면과 대략 동일한 높이로 배치된 수광면을 지닌 것을 특징으로 하는 노광장치.
  14. 레티클의 패턴을 레이퍼상에 전사하는 공정을 포함하는 디바이스제조방법에 있어서, 제1광검출수단을 이용해서, 조명광학계로부터의 노광광의 일부의 광량을 검출하는 공정과; 제2광검출수단을 이용해서, 이동가능한 레티클스테이지의 투과부를 투과한 노광광의 광량을 검출하는 공정과; 상기 제1 및 제2광검출수단의 검출치에 의거해서 상기 제1광검출수단의 감도를 보정하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2광검출수단은 투영광학계의 적어도 일부를 투과한 노광광을 수광하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 제2광검출수단은, 웨이퍼상에 설치되고, 이 웨이퍼와 광학적으로 공액인 위치에 배치된 수광면을 지닌 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 제1광검출수단의 감도는 상기 제1 및 제2광검출수단의 검출치 간의 비에 의거해서 보정되는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  18. 제14항에 있어서, 레티클과 웨이퍼를 주사하면서 노광을 행하는 공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  19. 제14항에 있어서, 상기 노광광은 엑시머레이저광인 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  20. 조명광학계와, 상기 조명광학계로부터의 노광광의 일부를 수광하는 제1수광수단과, 투영광학계와, 상기 투영광학계의 적어도 일부를 통해 투과된 노광광을 수광하는 제2수광수단을 구비한 노광장치를 사용하여, 상기 조명광학계에 의해 레티클을 조명하여, 해당 레티클의 패턴을 웨이퍼에 전사하는 디바이스제조방법에 있어서, 상기 레티클이 노광광의 광로중에 배치되어 있지 않은 상태에서 상기 제1 및 제2수광수단의 검출치간의 제1비와, 상기 레티클의 노광광의 광로중에 배치되어 있는 상태에서 상기 제1 및 제2수광수단의 검출치간의 제1비를 검출하는 공정과; 적어도 1화의 노광을 행한 후, 상기 레티클이 노광광의 광로중에 배치되어 있는 상태에서 상기 제1 및 제2수광수단의 검출치간의 제3비를 검출하는 공정과; 상기 제1, 제2 및 제3비에 의거해서 상기 제1수광수단의 감도를 보정하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제1수광수단의 검출치는 레티클과 광학적으로 공액인 면상에서 검출된 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  22. 제20항에 있어서, 상기 노광광은 엑시머레이저광인 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960042416A 1995-09-29 1996-09-25 노광방법 및 노광장치, 그리고 이를 이용한 디바이스제조방법 KR100210569B1 (ko)

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