KR960039641A - 고내압회로 및 전압레벨 변환회로 - Google Patents

고내압회로 및 전압레벨 변환회로 Download PDF

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Abstract

소정의 노드에 저구동능력이지만 고내압의 트랜지스터와, 고구동능력이지만 저내압의 트랜지스터가 병렬로 접속된다. 상기 소정의 노드의 전하를 방전할 때 최초는 상기 고내압의 트랜지스터를 온하고, 그 후에 상기 고구동능력의 트랜지스터를 온시킨다. 따라서, 상기 고구동능력의 스위치회로의 온 타이밍의 설정은 상기 고내압의 스위치회로의 논리전압의 천이과정만을 고려하면 되고, 용이한 타이밍설정이 된다. 또, 상기 고구동능력의 스위치회로가 온한 후는 소정의 노드 전하의 방전경로가 상기 양 스위치회로를 병렬로 거치는 2계통이 되므로 동작속도의 고속화가 도모된다.

Description

고내압회로 및 전압레벨 변환회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 고내압회로의 블럭구성을 나타내는 도면, 제3도는 본 발명의 제1실시예의 제1구체적 회로를 나타내는 도면, 제5도는 본 발명의 제1실시예의 제2구체적 회로를 나타내는 도면.

Claims (20)

  1. 고전압전원을 전압원으로 하여 동작하는 고내압회로에 있어서, 상기 고전압전원과 소정의 노드 사이에 접속된 제1스위치회로와, 상기 소정의 노드와 접지전압원 사이에 접속된 제2 및 제3스위치회로를 구비하고, 상기 제3스위치회로는 상기 제2스위치회로에 비하여 온 동작상태에서의 내전압이 높고, 상기 소정의 노드 전압이 상기 고전압전원의 고전압에 있는 경우에, 이 소정의 노드에 축적된 전하를 방전할 때, 그 당초에 상기 제3스위치회로를 거쳐서 상기 소정의 노드 전하를 방전하는 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  2. 제1항에 있어서, 또한 소정의 노드와 제3스위치회로 사이에는 저항이 배치되는 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  3. 제1항에 있어서, 소정의 노드 전압이 상기 고전압전원의 고전압에 있는 경우에, 이 소정의 노드에 축적된 전하를 방전할 때, 그 당초에 상기 제3스위치회로가 온동작하여 이 제2스위치회로를 거쳐서 상기 소정의 노드 전하를 방전하고, 상기 제3스위치회로의 온 동작시부터 설정시간 경과후에 제2스위치회로가 온 동작하여 제2 및 제3 스위치회로를 거쳐서 상기 소정의 노드 전하를 방전하는 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  4. 제3항에 있어서, 제2스위치회로는 제3스위치회로에 비하여 구동능력을 큰 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  5. 제1항에 있어서, 제3스위치회로는 N채널형 MOS 트랜지스터에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  6. 제1항에 있어서, 제3스위치회로는 P채널형 MOS 트랜지스터에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  7. 제5항 또는 6항에 있어서, 제3스위치회로는 1개의 MOS 트랜지스터에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  8. 제5항 또는 6항에 있어서, 제3스위치회로는 게이트길이가 긴 MOS 트랜지스터가 복수개 병렬접속되어 이루는 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  9. 제5항 또는 6항에 있어서, 제3스위치회로는 게이트폭이 좁은 MOS 트랜지스터가 복수개의 병렬 접속되어 이루는 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  10. 제1항에 있어서, 제3스위치회로는 1개의 N채널형 MOS 트랜지스터에 의하여 구성되고, 상기 N채널형 MOS 트랜지스터는 그 게이트에 고전압전원의 전압보다도 낮은 전압이 인가되어 ON 동작하고, ON 동작시에 상기 N채널형 MOS 트랜지스터를 거치는 전류를 흐르기 어렵게 하는 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  11. 제1항에 있어서, 제3스위치회로는, 소정의 노드와 접지전압원 사이에 배치되고 또 상호 직렬접속된 제1 및 제2N채널형 MOS 트랜지스터와, 게이트가 고전압전원에 접속된 제3채널형 MOS 트랜지스터를 가지고, 상기 제2N채널형 MOS 트랜지스터는 제어신호를 받아서 ON 동작하고, 상기 제1N채널형 MOS 트랜지스터는 상기 제어신호를 상기 제3N채널형 MOS 트랜지스터를 통하여 받아서 ON 동작하는 것을 특징으로 하는 고내압회로.
  12. 소정전압과 접지전압으로 변화하는 외부신호를 입력하고, 이 입력신호가 상기 소정 전압일 때 접지전압의 신호를 상기 입력신호가 접지전압일 때 상기 소정전압보다도 높은 고전압의 신호를 각각 출력하는 전압레벨 변환회로에 있어서, 상기 고전압을 발생하는 고전압전원과, 상기 고전압전원과 출력노드 사이에 접속된 제1스위치회로와, 상기 출력노드와 접지전압원 사이에 접속된 제2 및 제3 스위치회로를 구비하고, 상기 제3스위치회로는 상기 제2스위치회로에 비하여 온동작상태에서의 내전압이 높고, 상기 외부신호가 접지전압일 때 상기 제1스위치회로를 ON 동작시켜서 상기 고전압전원을 상기 출력노드에 접속하고, 한편, 상기 외부신호가 상기 접지전압으로부터 소정 전압으로 천이했을 때, 그 당초에 상기 제3스위치회로를 ON 동작시키고, 그후, 설정기간 경과시에 상기 제2스위치회로를 온동작시켜서 상기 출력노드를 상기 접지전압원에 접속하는 것을 특징으로 하는 접압레벨 변환회로.
  13. 제12항에 있어서, 입력신호를 설정기간 지연시키는 신호지연회로를 구비하고, 상기 입력신호가 소정전압으로 변화했을 때 상기 신호지연회로에 의하여 지연된 신호를 제2스위치회로에 입력하여 상기 제2스위치회로를 ON 동작시키는 것을 특징으로 하는 전압레벨 변환회로.
  14. 제12항에 있어서, 제2스위치회로는 제3스위치회로에 비하여 구동능력이 큰 것을 특징으로 하는 전압레벨 변환신호.
  15. 제12항에 있어서, 제3스위치회로는 N채널형 MOS 트랜지스터에 의하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전압레벨 변환회로.
  16. 제15항에 있어서, 제3스위치회로를 구성하는 N채널형 MOS 트랜지스터 게이트에는 상기 외부신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 전압레벨 변환회로.
  17. 제12항에 있어서, 제3스위치회로는 게이트길이가 긴 MOS 트랜지스터가 복수개 병렬접속되어 이루는 것을 특징으로 하는 전압레벨 변환회로.
  18. 제12항에 있어서, 제3스위치회로는 게이트폭이 좁은 MOS 트랜지스터가 복수개 병렬접속되어 이루는 것을 특징으로 하는 전압레벨 변환회로.
  19. 제15항에 있어서, 별도로 상기 소정 전압을 발생하는 전압원이 게이트에 접속된 다른 N채널형 MOS 트랜지스터를 구비함과 동시에, 제3스위치회로는 직렬접속된 2개의 N채널형 MOS 트랜지스터에 의하여 구성되고, 상기 제3스위치회로를 구성하는 한쪽의 N채널형 MOS 트랜지스터의 게이트에는 상기 외부신호가 직접 입력되고, 다른쪽의 N채널형 MOS 트랜지스터의 게이트에는 상기 외부신호가 상기 다른 N채널형 MOS 트랜지스터를 거쳐서 입력되는 것을 특징으로 하는 전압레벨 변환회로.
  20. 제15항에 있어서, 별도로 상기 소정 전압을 발생하는 전압원이 게이트에 접속된 다른 N채널형 MOS 트랜지스터를 구비하고, 제3스위치회로는 1개의 N채널형 MOS 트랜지스터에 의하여 구성되고, 상기 제3스위치회로를 구성하는 N채널형 MOS 트랜지스터의 게이트에는 상기 외부신호가 상기 다른 N채널형 MOS 트랜지스터를 거쳐서 입력되는 것을 특징으로 하는 전압레벨 변환회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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