KR960038967A - 반도체 메모리장치의 기판 전압 제어회로 - Google Patents

반도체 메모리장치의 기판 전압 제어회로 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 메모리장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 메모리장치의 기판전압을 모드에 따라 제어함
3. 발명의 해결 방법의 요지
감지신호에 의해 활성화되어 기판전압을 발생하는 회로를 구비하는 반도체 메모리장치에서, 감지신호를 발생하는 회로가 제1전원과 제2전원 사이에 공통 연결되고 제어단이 상기 기판전압에 연결되며, 상기 기판전압이 설정된 제1전위레벨 보다 높을시 제1감지신호를 발생하는 수단과, 상기 제1전원과 제2전원 사이에 연결되고 제어단이 특정 모드신호에 연결되며, 상기 모드신호가 활성화될 시 스위칭되어 제2전위레벨의 기판전압을 발생하기 위한 제2감지신호를 발생하는 수단으로 구성함
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리장치에서 특정모드시 노말모드에서 사용하는 기판전압과 다른 전위로 기판전압을 발생할 수 있으며, 기판전압을 사용하지 않는 모드시 기판전압의 발생을 중단시킴

Description

반도체 메모리장치의 기판 전압 제어회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 메모리장치의 기판 전압 발생회로의 구성도, 제3도는 제1도에서 기판 전압 제어신호를 발생하는 본 발명의 구성도.

Claims (12)

  1. 감지신호에 의해 활성화되어 기판전압을 발생하는 회로를 구비하는 반도체 메모리장치에서, 제1전원과 제2전원 사이에 공통 연결되고 제어단이 상기 기판전압에 연결되며, 상기 기판전압이 설정된 제1전위레벨 보다 높을시 제1감지신호를 발생하는 수단과, 상기 제1전원과 제2전원 사이에 연결되고 제어단이 특정 모드신호에 연결되며, 상기 모드신호가 활성화될 시 스위칭되어 제2전위레벨의 기판전압을 발생하기 위한 제2감지신호를 발생하는 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1감지신호를 발생하는 수단이 상기 제1전원과 제2전원 사이에 직렬 연결되고 상기 기판전압에 게이트전극이 공통연결되는 적어도 2개이상의 제2형 모오스트랜지스터로 구성되고, 상기 제2형모오스트랜지스터들의 채널 사이트에 의해 상기 제1전위레벨이 설정되며, 상기 기판전압의 레벨이 상기 제1전위레벨 보다 높을 시 상기 제1감지신호를 발생하며, 상기 제2스위칭수단이 상기 제1전원과 제2전원 사이에 연결되고 게이트전극이 상기 특정모드신호에 연결되는 적어도 하나의 제1형 모오스트랜지스터로 이루어지고, 상기 모드활성화신호 입력시 상기 제2감지신호를 발생하는 것을 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 특정모드신호가 리프레시모드신호인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2형 모오스트랜지스터가 피모오스트랜지스터이고 상기 제1형 모오스트랜지스터가 엔모오스트랜지스터이며, 상기 제1전원이 전원전압이고 상기 제2전원이 접지전압인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  5. 감지신호에 의해 활성화되어 기판전압을 발생하는 회로를 구비하는 반도체 메모리장치에 있어서, 특정모드신호 및 상기 특정모드의 특정구간신호를 입력하여 논리조합하며, 상기 특정모드가 활성화된 상태에서 특정구간일 시 제1논리신호를 발행하고 특정모드가 활성화된 상태에서 특정구간이 아닐시 제2논리신호를 발생하며, 상기 특정모드가 비활성화된 상태에서 제1논리신호를 발생하는 감지제어수단과, 제1전원과 출력노드 사이에 연결되며 제어단이 상기 감지제어수단에 연결되어 상기 제1논리신호 입력시 스위칭되는 전원스위칭수단과, 상기 출력노드와 제2전원 사이에 직렬 연결되며 제어단이 상기 기판전압에 공통 연결되어 제1전위레벨을 설정하는 스위칭소자들을 구비하여, 상기 기판전압이 상기 제1전위레벨 보다 높을시 상기 스위칭소자들이 스위칭되어 제1감지신호를 발생하는 제1감지스위칭수단과, 상기 출력노드와 제2전원사이에 연결되며 제어단이 상기 특정모드신호에 연결되어 제2전위레벨을 설정하는 스위칭소자들을 구비하여, 상기 특정모드신호를 활성화시 스위칭되어 제2전위레벨의 제2감지신호를 발생하는 제2감지스위칭수단과, 상기 출력노드에 연결되어 상기 감지신호를 출력하는 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 출력노드와 제2전원 사이에 연결되며 제어단이 상기 감지제어수단에 연결되며, 상기 제2논리신호 입력시 스위칭되어 상기 출력노드의 전위를 제2전원 레벨로 천이시키는 출력스위칭수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 특정모드신호가 셀프리레시 모드신호이고, 상기 특정구간이 리프레시동작이 수행되고 구간인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전원스위칭수단 및 제1감지스위칭수단들이 피모오스트랜지스터들이고, 상기 제2감지 스위칭수단 및 출력스위칭수단이 엔모오스트랜지스터이며, 상기 제1전원이 전원전압이고 상기 제2전원이 접지전압인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  9. 감지신호에 의해 활성화되어 기판전압를 발생하는 회로를 구비하는 반도체 메모리장치에 있어서, 특정모드신호 및 상기 특정모드의 특정구간신호를 입력하여 논리조합하며, 상기 특정모드가 활성화된 상태에서 특정구간일 시 제1논리신호를 발생하고 특정모드가 활성화된 상태에서 특정구간이 아닐시 제2논리신호를 발생하며, 상기 특정모드가 비활성화된 상태에서 제1논리신호를 발생하는 감지제어수단과, 제1전원과 출력노드 사이에 연결되어 제어단이 상기 감지제어수단에 연결되어 상기 제1논리신호 입력시 스위칭되는 제1스위칭수단과, 상기출력노드와 제1접속노드 사이에 직렬 연결되며 제어단이 상기 기판전압에 공통 연결되는 적어도 하나의 스위칭소자를 구비하며, 상기 기판전압의 레벨에 의해 스위칭되는 제2스위칭수단과, 상기 제1접속노드와 제2접속노드 사이에 직렬 연결되며 제어단이 상기 기판전압에 공통 연결되는 적어도 하나의 스위칭소자들을 구비하며, 상기 기판전압의 레벨에 의해 스위칭되는 제3스위칭수단과, 상기 접속노드와 제2전원 사이에 연결되고 제어단이 상기 제1전원에 연결되는 제4스위칭수단과, 상기 제1접속노드와 제2접속노드 사이에 연결되며 제어단이 상기 특정모드신호에 연결되며, 상기 특정모드신호 활성화시 스위칭되는 제5스위칭수단과, 상기 출력노드에 연결되어 상기 감지신호를 출력하는 수단으로 구성되어, 상기 특정모드가 비활성화 상태일 시 상기 기판전압이 제1스위칭수단과, 제2스위칭수단, 제3스위칭수단 및 제4스위칭수단에 의해 제1전위레벨이 설정되고 상기 기판전압이 제1전위레벨 보다 높을시 제1감지신호를 발생하며 상기 특정모드가 활성화된 상태에서 상기 특정구간일시 상기 제1스위칭수단, 제2스위칭수단, 제4스위칭 및 제5스위칭수단에 의해 설정되는 제2전위레벨로 상기 제2감지신호를 발생하고, 상기 특정모드가 활성화된 상태에 상기 특정 구간이 아닐 시 상기 제1스위칭수단이 오프되어 기판전압 발생 동작을 증지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 출력노드와 제2전원 사이에 연결되며 제어단이 상기 감지제어수단에 연결되며, 상기 제2논리신호 입력시 스위칭되어 상기 출력노드의 전위를 제2전원 레벨로 천이시키는 제6스위칭수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 특정모드신호가 셀프리프레시모드신호이고, 상기 특정구간이 리프레시동작이 수행되는 구간인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1스위칭수단 및 제2스위칭수단들이 피모오스트랜지스터들이고, 상기 제3스위칭수단 및 제4스위칭수단이 엔모오스트랜지스터이며, 상기 제1전원이 전원전압이고 상기 제2전원이 접지전압인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 기판전압 제어회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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