KR960019567A - 표면처리장치 및 표면처리장치 - Google Patents

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Abstract

전자 셰이딩 현상에 기인하는 노치나 차이업 손상, 서브트렌치, 보잉 등의 발생을 억제한다.
바이어스로써 듀티비 5%이하, 반복주파수 400㎑ 이상의 펄스전압을 인가한다. 기판 바이어스에 전자를 가속하는 사이클이 생겨, 전자셰이딩 현상이 일어나지 않는다. 이것에 의해 전자셰이딩 현상에 기인하는 모든 문제가 해소된다.

Description

표면처리장치 및 표면처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 펄스바이어스 인가에 이용하는 표면처리장치의 구성을 나타내는 도면,
제2도는 종래의 RF바이어스 인가에 이용하는 에칭장치의 구성을 나타내는 도면,
제3도는 종래의 RF바이어스 인가시 바이어스 입력전압파형을 나타내는 도면,
제4도는 종래의 RF바이어스 인가시 기판바이어스 파형을 나타내는 도면,
제5도는 국소적 차지업(charge-up)의 발생기구(전자 셰이딩 현상)을 나타내는 도면.

Claims (27)

  1. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리 물에 바이어스전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 처리하는 표면처리방법에 있어서, 상기 바이어스를 전압으로써 펄스파형의 정전압을 인가하고, 동시에 상기 표면처리 중의 상기 피처리물의 전위의 최대치가 상기 플라즈마의 전위보다 커지도록 상기 펄스파형의 듀티비 및 반복주파수를 설정하는 것을 특징으로 하는 표면처리방법.
  2. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 펄스파형의 정전압을 인가하고, 동시에 상기 에칭중의 상기 피처리물의 전위의 최대치가 상기 플라즈마의 전위보다 커지도록 상기 펄스파형의 듀티비 및 반복주파수를 설정하는 것을 특징으로 하는 드라이에칭방법.
  3. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복주파수가 400㎑ 이상이며 동시에 듀티비가 5% 이하의 펄스파형의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  4. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하면 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복주파수가 1㎒ 이상이며, 동시에 듀티비가 1% 이하의 펄스파형의 정전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  5. 제2항의 펄스파형의 상승속도가 109v/㎲ 이상임을 특징으로 하는 에칭방법.
  6. 제3항에 기재한 펄스파형의 듀티비가 0.5% 이상이며, 동시에 상기 퍼스 파형의 반폭주파수가 100㎒ 이하임을 특징으로 하는 에칭방법.
  7. 제3항의 펄스파형의 전압의 크기가 20V 이상이며 동시에 2KV 이하임을 특징으로 하는 에칭방법.
  8. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에, 상기 피처리 물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 에칭중에 상기 바이어스 전압의 파형을 정형파형에서 펄스파형으로 변경하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  9. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리 물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물에 에칭하는 드라이에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복 주파수 400㎑ 이상이며 듀티비 5% 이하의 정의 펄스파에 정현파를 중첩한 파형의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  10. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리 물에 바이어스전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복주파수 1㎒ 이상이며, 동시에 듀티비 1% 이하의 정의 펄스파에 정현파를 중첩한 파형의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  11. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복 주파수 400㎑ 이상이며 듀티비 5% 이하의 정의 펄스파에 정 또는 부의 직류전압을 중접한 파형의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  12. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복주파수 1㎒ 이상이며 듀티비 1% 이하의 정의 펄스파에 정 또는 부의 직류전압을 중첩한 파형의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  13. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물에 에칭하는 드라이에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 펄스파형의 전압을 인가하고, 동시에 펄스파형의 듀티비를 에칭중에서 변환시켜, 상기 피처리물을 실질적으로 수직으로 가공하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  14. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 펄스파형의 전압을 인가하고 또한 상기 펄스파형의 반복주파수를 에칭중에서 변환시키고, 상기 피처리물을 실질적으로 수직으로 가공하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  15. 단윈면적 당 정전용량이 3nF/㎠ 이상의 절연세라믹을 구비하는 정전흡착기구를 이용하여 감압처리실내의 시료대에 피처리물을 유지하고, 상기 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복주파수 4㎑ 이상이며 듀티비 5% 이하의 정의 펄스파의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  16. 제15항에 기재한 펄스파형의 반복주파수가 10㎑ 이상이며, 동시에 상기 펄스파형의 듀티비가 1% 이하임을 특징으로 하는 에칭방법.
  17. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물을 전기적 흡인력에 의해 유지하고, 상기 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 펄스파형의 전압을 인가하고, 시료대에 정의 전압을 인가하는 것에 의해 상기 전기적 흡착력을 발생시키는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  18. 상기 정의 전압이 +500V 이상 임을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  19. 감압처리실내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하는 수단과, 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 가지는 표면처리장치에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인가하는 수단의 일부로써 쓰루에이트 8×102V/μsec 이상의 전력 증폭기 또는 쓰루레이트 104/μsec 이상의 펄스 전압발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  20. 내용 없음.
  21. 감압처리실내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하는 수단, 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 가지는 에칭장치에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인가하는 수단의 일부로써 쓰루에이트 8×102V/μsec 이상의 전력 증폭기 또는 쓰루레이트 8×102V/μsec 이상의 펄스전압발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
  22. 감압처리실내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하는 수단과, 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 가지는 에칭장치에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인기하는 수단의 일부로써 쓰루레이트 104/μsec 이상의 전력 증폭기 또는 쓰루레이트 104V/μsec 이상의 펄스전압발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
  23. 감압처리실내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하는 수단과, 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 가지는 드라이에칭 장치에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인가하는 수단의 일부로써 제5항의 전력증폭기 또는 펄스전압 발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.
  24. 제19항의 표면처리장치에 있어서, 상기 처리실 내에 피처리물의 표면적의 4배 이상의 표면적을 가지는 접지전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  25. 제21항의 드라이에칭장치에 있어서, 상기 처리실 내에 피처리물의 표면적의 4배 이상의 표면적을 가지는 접지전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
  26. 감압처리실내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하는 수단과, 상기 피처리물을 시료대에 흡착시키기 위한 정전흡착기구 및 상기 피처리물에 펄스파형의 바이어스 전압을 인가하는 수단을 가지는 드라이에칭장치에 있어서, 상기 정전흡착기구의 일부로써 단위면적당 정전용량이 3nF/㎠ 이상의 절연세라믹을 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
  27. 제26항에 기재한 절연세라믹이 강유전체 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100521121B1 (ko) * 1998-09-10 2005-10-12 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 시료표면의 처리방법 및 시료표면의 처리장치

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6794301B2 (en) 1995-10-13 2004-09-21 Mattson Technology, Inc. Pulsed plasma processing of semiconductor substrates
US6253704B1 (en) * 1995-10-13 2001-07-03 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
US6902683B1 (en) * 1996-03-01 2005-06-07 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing method
US6258287B1 (en) * 1996-08-28 2001-07-10 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for low energy electron enhanced etching of substrates in an AC or DC plasma environment
JPH10150025A (ja) 1996-11-20 1998-06-02 Mitsubishi Electric Corp プラズマ反応装置
JPH10335314A (ja) * 1997-06-05 1998-12-18 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置及び基板処理方法
CN1161820C (zh) * 1998-07-31 2004-08-11 佳能株式会社 半导体层制造方法和制造设备、光生伏打电池的制造方法
EP1131847B1 (en) * 1998-11-04 2010-02-17 Surface Technology Systems Plc A method for etching a substrate
JP4334723B2 (ja) * 2000-03-21 2009-09-30 新明和工業株式会社 イオンプレーティング成膜装置、及びイオンプレーティング成膜方法。
US20030094239A1 (en) * 2000-06-02 2003-05-22 Quon Bill H. Apparatus and method for improving electron ecceleration
KR100345666B1 (ko) * 2000-07-31 2002-07-24 주식회사 하이닉스반도체 플라즈마의 전자온도 감소를 이용한 강유전체 소자의 열화감소 방법
US6544895B1 (en) 2000-08-17 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Methods for use of pulsed voltage in a plasma reactor
US6485572B1 (en) 2000-08-28 2002-11-26 Micron Technology, Inc. Use of pulsed grounding source in a plasma reactor
EP1336188B1 (en) * 2000-11-20 2004-08-04 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Extraction and deceleration of low energy beam with low beam divergence
KR100733405B1 (ko) * 2000-12-28 2007-06-29 주식회사 하이닉스반도체 디씨 바이어스 조절을 이용한 반도체소자의 식각방법
US6638833B1 (en) 2001-03-09 2003-10-28 Stmicroelectronics S.R.L. Process for the fabrication of integrated devices with reduction of damage from plasma
US20030003748A1 (en) * 2001-05-24 2003-01-02 Anisul Khan Method of eliminating notching when anisotropically etching small linewidth openings in silicon on insulator
DE10309711A1 (de) * 2001-09-14 2004-09-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Einätzen von Strukturen in einem Ätzkörper mit einem Plasma
US6846747B2 (en) * 2002-04-09 2005-01-25 Unaxis Usa Inc. Method for etching vias
US6905626B2 (en) * 2002-07-24 2005-06-14 Unaxis Usa Inc. Notch-free etching of high aspect SOI structures using alternating deposition and etching and pulsed plasma
US7109122B2 (en) * 2002-11-29 2006-09-19 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for reducing substrate charging damage
US7521000B2 (en) 2003-08-28 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Process for etching photomasks
DE102004043233B4 (de) * 2003-09-10 2014-02-13 Denso Corporation Verfahren zum Herstellen eines beweglichen Abschnitts einer Halbleitervorrichtung
GB2417251A (en) * 2004-08-18 2006-02-22 Nanofilm Technologies Int Removing material from a substrate surface using plasma
KR100668956B1 (ko) * 2004-12-22 2007-01-12 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조 방법
US7879510B2 (en) 2005-01-08 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Method for quartz photomask plasma etching
US8293430B2 (en) 2005-01-27 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication
US7829243B2 (en) 2005-01-27 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication
US7790334B2 (en) 2005-01-27 2010-09-07 Applied Materials, Inc. Method for photomask plasma etching using a protected mask
JP4593402B2 (ja) * 2005-08-25 2010-12-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング方法およびエッチング装置
JP4559973B2 (ja) * 2006-01-13 2010-10-13 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US7786019B2 (en) 2006-12-18 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control
US7771606B2 (en) * 2007-02-22 2010-08-10 Applied Materials, Inc. Pulsed-plasma system with pulsed reaction gas replenish for etching semiconductors structures
US7737042B2 (en) * 2007-02-22 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Pulsed-plasma system for etching semiconductor structures
US7718538B2 (en) * 2007-02-21 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Pulsed-plasma system with pulsed sample bias for etching semiconductor substrates
ATE526432T1 (de) * 2007-10-26 2011-10-15 Oc Oerlikon Balzers Ag Anwendung von hipims auf silicium durch metallisierung in einer dreidimensionalen wafer- verpackung
KR101555725B1 (ko) 2007-11-29 2015-09-25 램 리써치 코포레이션 마이크로로딩을 제어하기 위한 펄스화된 바이어스 플라즈마 프로세스
US9059116B2 (en) 2007-11-29 2015-06-16 Lam Research Corporation Etch with pulsed bias
JP5864879B2 (ja) 2011-03-31 2016-02-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその制御方法
KR101328800B1 (ko) * 2011-09-08 2013-11-13 성균관대학교산학협력단 다중 주파수의 ｒｆ 펄스 파워를 이용한 펄스 플라즈마의 특성 제어 방법
CN105269413B (zh) * 2015-09-25 2018-01-16 安庆市凯立金刚石科技有限公司 一种金刚石膜抛光方法
JP6114370B2 (ja) * 2015-12-24 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその制御方法
JP6945388B2 (ja) 2017-08-23 2021-10-06 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング処理装置
KR102550393B1 (ko) * 2017-10-25 2023-06-30 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP7218226B2 (ja) * 2019-03-22 2023-02-06 株式会社アルバック プラズマエッチング方法
CN113035677B (zh) * 2019-12-09 2023-01-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备以及等离子体处理方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3616405A (en) * 1969-10-03 1971-10-26 Int Plasma Corp Continuous sputtering system
JPS55150604A (en) * 1979-05-14 1980-11-22 Trio Kenwood Corp Power amplifier
JPS5613480A (en) * 1979-07-13 1981-02-09 Hitachi Ltd Dry etching apparatus
US4464223A (en) 1983-10-03 1984-08-07 Tegal Corp. Plasma reactor apparatus and method
JPS60126832A (ja) * 1983-12-14 1985-07-06 Hitachi Ltd ドライエツチング方法および装置
KR900007687B1 (ko) * 1986-10-17 1990-10-18 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마처리방법 및 장치
JPS63243265A (ja) * 1987-03-31 1988-10-11 Hitachi Cable Ltd 高周波型イオンプレ−テイング装置
WO1988009054A1 (en) 1987-05-06 1988-11-17 Labtam Limited Electrostatic chuck using ac field excitation
JPH0786441B2 (ja) * 1988-05-26 1995-09-20 横河電機株式会社 振動形トランスデューサの製造方法
US5223337A (en) * 1988-12-10 1993-06-29 Fried. Krupp Gmbh Tool produced by a plasma-activated CVD process
EP0395415B1 (en) 1989-04-27 1995-03-15 Fujitsu Limited Apparatus for and method of processing a semiconductor device using microwave-generated plasma
US4992719A (en) * 1989-07-24 1991-02-12 Hughes Aircraft Company Stable high voltage pulse power supply
US6068784A (en) * 1989-10-03 2000-05-30 Applied Materials, Inc. Process used in an RF coupled plasma reactor
WO1991009150A1 (en) * 1989-12-15 1991-06-27 Canon Kabushiki Kaisha Method of and device for plasma treatment
JP3080385B2 (ja) * 1990-03-12 2000-08-28 株式会社日立製作所 マイクロ波発生装置及びプラズマ処理装置
JPH04180569A (ja) * 1990-11-13 1992-06-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd プラズマｃｖｄ装置の制御方法
JPH04304377A (ja) * 1991-04-01 1992-10-27 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd ダイアモンド薄膜生成方法および装置
US5888414A (en) * 1991-06-27 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control
JP3798808B2 (ja) * 1991-09-27 2006-07-19 ハリス・コーポレーション 高いアーリー電壓，高周波性能及び高降伏電壓特性を具備した相補型バイポーラトランジスター及びその製造方法
WO1993018201A1 (en) * 1992-03-02 1993-09-16 Varian Associates, Inc. Plasma implantation process and equipment
JPH0772342B2 (ja) * 1992-06-18 1995-08-02 栄電子工業株式会社 イオンプレーティング加工方法
JP2941572B2 (ja) 1992-08-11 1999-08-25 三菱電機株式会社 プラズマエッチング装置及び半導体装置の製造方法
KR100276093B1 (ko) * 1992-10-19 2000-12-15 히가시 데쓰로 플라스마 에칭방법
JP3351843B2 (ja) * 1993-02-24 2002-12-03 忠弘 大見 成膜方法
US5384682A (en) * 1993-03-22 1995-01-24 Toto Ltd. Electrostatic chuck
US5648293A (en) * 1993-07-22 1997-07-15 Nec Corporation Method of growing an amorphous silicon film
DE69426003T2 (de) * 1993-07-28 2001-05-17 Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren und Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
US5892264A (en) * 1993-10-04 1999-04-06 Harris Corporation High frequency analog transistors, method of fabrication and circuit implementation
US5467249A (en) * 1993-12-20 1995-11-14 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck with reference electrode
JP3278732B2 (ja) * 1993-12-27 2002-04-30 株式会社アルバック エッチング装置及びエッチング方法
US5550089A (en) * 1994-03-23 1996-08-27 Lucent Technologies Inc. Gallium oxide coatings for optoelectronic devices using electron beam evaporation of a high purity single crystal Gd3 Ga5 O12 source.
US5661043A (en) * 1994-07-25 1997-08-26 Rissman; Paul Forming a buried insulator layer using plasma source ion implantation
US5841623A (en) * 1995-12-22 1998-11-24 Lam Research Corporation Chuck for substrate processing and method for depositing a film in a radio frequency biased plasma chemical depositing system
US5812362A (en) * 1996-06-14 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the use of diamond films as dielectric coatings on electrostatic chucks

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100521121B1 (ko) * 1998-09-10 2005-10-12 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 시료표면의 처리방법 및 시료표면의 처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
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JP3799073B2 (ja) 2006-07-19
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CN1132407A (zh) 1996-10-02
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US6332425B1 (en) 2001-12-25
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DE69515593T2 (de) 2000-11-23
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JPH08139077A (ja) 1996-05-31
EP0710977A1 (en) 1996-05-08
TW280085B (ko) 1996-07-01
EP0710977B1 (en) 2000-03-15
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