KR960019567A - 표면처리장치 및 표면처리장치 - Google Patents

표면처리장치 및 표면처리장치 Download PDF

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Abstract

전자 셰이딩 현상에 기인하는 노치나 차이업 손상, 서브트렌치, 보잉 등의 발생을 억제한다.
바이어스로써 듀티비 5%이하, 반복주파수 400㎑ 이상의 펄스전압을 인가한다. 기판 바이어스에 전자를 가속하는 사이클이 생겨, 전자셰이딩 현상이 일어나지 않는다. 이것에 의해 전자셰이딩 현상에 기인하는 모든 문제가 해소된다.

Description

표면처리장치 및 표면처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 펄스바이어스 인가에 이용하는 표면처리장치의 구성을 나타내는 도면,
제2도는 종래의 RF바이어스 인가에 이용하는 에칭장치의 구성을 나타내는 도면,
제3도는 종래의 RF바이어스 인가시 바이어스 입력전압파형을 나타내는 도면,
제4도는 종래의 RF바이어스 인가시 기판바이어스 파형을 나타내는 도면,
제5도는 국소적 차지업(charge-up)의 발생기구(전자 셰이딩 현상)을 나타내는 도면.

Claims (27)

  1. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리 물에 바이어스전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 처리하는 표면처리방법에 있어서, 상기 바이어스를 전압으로써 펄스파형의 정전압을 인가하고, 동시에 상기 표면처리 중의 상기 피처리물의 전위의 최대치가 상기 플라즈마의 전위보다 커지도록 상기 펄스파형의 듀티비 및 반복주파수를 설정하는 것을 특징으로 하는 표면처리방법.
  2. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 펄스파형의 정전압을 인가하고, 동시에 상기 에칭중의 상기 피처리물의 전위의 최대치가 상기 플라즈마의 전위보다 커지도록 상기 펄스파형의 듀티비 및 반복주파수를 설정하는 것을 특징으로 하는 드라이에칭방법.
  3. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복주파수가 400㎑ 이상이며 동시에 듀티비가 5% 이하의 펄스파형의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  4. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하면 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복주파수가 1㎒ 이상이며, 동시에 듀티비가 1% 이하의 펄스파형의 정전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  5. 제2항의 펄스파형의 상승속도가 109v/㎲ 이상임을 특징으로 하는 에칭방법.
  6. 제3항에 기재한 펄스파형의 듀티비가 0.5% 이상이며, 동시에 상기 퍼스 파형의 반폭주파수가 100㎒ 이하임을 특징으로 하는 에칭방법.
  7. 제3항의 펄스파형의 전압의 크기가 20V 이상이며 동시에 2KV 이하임을 특징으로 하는 에칭방법.
  8. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에, 상기 피처리 물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 에칭중에 상기 바이어스 전압의 파형을 정형파형에서 펄스파형으로 변경하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  9. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리 물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물에 에칭하는 드라이에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복 주파수 400㎑ 이상이며 듀티비 5% 이하의 정의 펄스파에 정현파를 중첩한 파형의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  10. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리 물에 바이어스전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복주파수 1㎒ 이상이며, 동시에 듀티비 1% 이하의 정의 펄스파에 정현파를 중첩한 파형의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  11. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복 주파수 400㎑ 이상이며 듀티비 5% 이하의 정의 펄스파에 정 또는 부의 직류전압을 중접한 파형의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  12. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복주파수 1㎒ 이상이며 듀티비 1% 이하의 정의 펄스파에 정 또는 부의 직류전압을 중첩한 파형의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  13. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물에 에칭하는 드라이에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 펄스파형의 전압을 인가하고, 동시에 펄스파형의 듀티비를 에칭중에서 변환시켜, 상기 피처리물을 실질적으로 수직으로 가공하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  14. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 펄스파형의 전압을 인가하고 또한 상기 펄스파형의 반복주파수를 에칭중에서 변환시키고, 상기 피처리물을 실질적으로 수직으로 가공하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  15. 단윈면적 당 정전용량이 3nF/㎠ 이상의 절연세라믹을 구비하는 정전흡착기구를 이용하여 감압처리실내의 시료대에 피처리물을 유지하고, 상기 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 반복주파수 4㎑ 이상이며 듀티비 5% 이하의 정의 펄스파의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
  16. 제15항에 기재한 펄스파형의 반복주파수가 10㎑ 이상이며, 동시에 상기 펄스파형의 듀티비가 1% 이하임을 특징으로 하는 에칭방법.
  17. 감압처리실 내에 올려놓은 피처리물을 전기적 흡인력에 의해 유지하고, 상기 피처리물에 플라즈마를 공급함과 동시에 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 피처리물을 에칭하는 드라이 에칭방법에 있어서, 상기 바이어스 전압으로써 펄스파형의 전압을 인가하고, 시료대에 정의 전압을 인가하는 것에 의해 상기 전기적 흡착력을 발생시키는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  18. 상기 정의 전압이 +500V 이상 임을 특징으로 하는 드라이 에칭방법.
  19. 감압처리실내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하는 수단과, 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 가지는 표면처리장치에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인가하는 수단의 일부로써 쓰루에이트 8×102V/μsec 이상의 전력 증폭기 또는 쓰루레이트 104/μsec 이상의 펄스 전압발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  20. 내용 없음.
  21. 감압처리실내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하는 수단, 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 가지는 에칭장치에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인가하는 수단의 일부로써 쓰루에이트 8×102V/μsec 이상의 전력 증폭기 또는 쓰루레이트 8×102V/μsec 이상의 펄스전압발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
  22. 감압처리실내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하는 수단과, 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 가지는 에칭장치에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인기하는 수단의 일부로써 쓰루레이트 104/μsec 이상의 전력 증폭기 또는 쓰루레이트 104V/μsec 이상의 펄스전압발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
  23. 감압처리실내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하는 수단과, 상기 피처리물에 바이어스 전압을 인가하는 수단을 가지는 드라이에칭 장치에 있어서, 상기 바이어스 전압을 인가하는 수단의 일부로써 제5항의 전력증폭기 또는 펄스전압 발생기를 구비하는 것을 특징으로 하는 드라이 에칭장치.
  24. 제19항의 표면처리장치에 있어서, 상기 처리실 내에 피처리물의 표면적의 4배 이상의 표면적을 가지는 접지전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  25. 제21항의 드라이에칭장치에 있어서, 상기 처리실 내에 피처리물의 표면적의 4배 이상의 표면적을 가지는 접지전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
  26. 감압처리실내에 올려놓은 피처리물에 플라즈마를 공급하는 수단과, 상기 피처리물을 시료대에 흡착시키기 위한 정전흡착기구 및 상기 피처리물에 펄스파형의 바이어스 전압을 인가하는 수단을 가지는 드라이에칭장치에 있어서, 상기 정전흡착기구의 일부로써 단위면적당 정전용량이 3nF/㎠ 이상의 절연세라믹을 구비하는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
  27. 제26항에 기재한 절연세라믹이 강유전체 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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