CN105269413B - 一种金刚石膜抛光方法 - Google Patents

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    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes

Abstract

本发明公开了一种金刚石膜抛光方法，第一步制作一个密封容器；第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。本发明采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5μm的极薄金刚石膜，加工速度约为10～40nm/min。

Description

一种金刚石膜抛光方法
技术领域
本发明涉及金刚石加工技术领域，具体属于一种金刚石膜抛光方法。
背景技术
近年来，低压化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜技术得到迅速发展,研究开发了诸如灯丝热解CVD法、微波等离子体CVD法、直流等离子体喷射CVD法和燃焰法等多种金刚石薄膜合成方法。根据不同的沉积方法和沉积条件，在1～980μm/h的沉积速度下，可得到厚度为0.5～1000μm的薄(厚)膜，可沉积出直径达300mm的大面积金刚石膜，为金刚石膜的广泛应用奠定了基础。
由于气相沉积的金刚石膜为多晶膜，晶粒较多，表面凸凹不平，在许多情况下不能直接使用，因而金刚石膜的光整加工(抛光)是必不可少的重要工艺步骤。由于金刚石膜硬度高、厚度薄、整体强度低，因此抛光效率低，且膜极易破裂及损伤，加工难度较大。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提供了一种金刚石膜抛光方法，采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5μm的极薄金刚石膜，加工速度约为10～40nm/min。
本发明采用的技术方案如下：
一种金刚石膜抛光方法，所述的金刚石膜抛光方法，第一步制作一个密封容器；
第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，圆弧直径为72mm，曲率为1/36，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；
第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，阴极表面在加工中不断与腔内气体作用而发生氧化，由于阴极为圆弧面，所以等离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束；
第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。
所述的密封容器上端面上设有观察口。
所述的水冷装置为铜制成的冷却套，冷却套上设有进水口和出水口。
所述的密封容器内设有压力传感器。
与已有技术相比，本发明的有益效果如下：
本发明采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5μm的极薄金刚石膜，加工速度约为10～40nm/min。
具体实施方式
一种金刚石膜抛光方法，所述的金刚石膜抛光方法，第一步制作一个密封容器；容器上端面上设有观察口，便于观察容器内加工情况；
第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，圆弧直径为72mm，曲率为1/36，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；水冷装置为铜制成的冷却套，冷却套上设有进水口和出水口；
第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，阴极表面在加工中不断与腔内气体作用而发生氧化，由于阴极为圆弧面，所以等离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束；
第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。所述的密封容器内设有压力传感器，传感器连接控主制板，主控板连接气泵，并控制气泵。采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5μm的极薄金刚石膜，加工速度约为10～40nm/min。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (4)

1.一种金刚石膜抛光方法，其特征在于：所述的金刚石膜抛光方法，第一步制作一个密封容器；
第二步，在密封容器内设置铝板阴极，所述的铝板阴极具有圆弧面，圆弧直径为72mm，曲率为1/36，阴极安装在一个水冷装置上，并与直流电源相连；
第三步在铝板阴极圆弧面正对面设置托架，将金刚石膜安装在托架上；托架上连接等离子体发生装置，阴极表面在加工中不断与腔内气体作用而发生氧化，由于阴极为圆弧面，所以等离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束；
第四步向密封容器内通入氧气和氢气，并保持一定的真空度。
2.根据权利要求1所述的一种金刚石膜抛光方法，其特征在于：所述的密封容器上端面上设有观察口。
3.根据权利要求1所述的一种金刚石膜抛光方法，其特征在于：所述的水冷装置为铜制成的冷却套，冷却套上设有进水口和出水口。
4.根据权利要求1所述的一种金刚石膜抛光方法，其特征在于：所述的密封容器内设有压力传感器。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1097223A (zh) * 1993-07-03 1995-01-11 中国科学院物理研究所 脉冲高能量密度等离子体用于材料表面处理的方法
CN1132407A (zh) * 1994-11-04 1996-10-02 株式会社日立制作所 表面处理的方法和系统
WO1999022049A1 (en) * 1997-10-27 1999-05-06 Advanced Refractory Technologies, Inc. Method of polishing cvd diamond films by oxygen plasma
CN1779001A (zh) * 2005-09-22 2006-05-31 武汉化工学院 一种抛光大面积金刚石膜的方法和装置
CN101112747A (zh) * 2007-08-28 2008-01-30 武汉工程大学 金刚石膜的抛光方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1097223A (zh) * 1993-07-03 1995-01-11 中国科学院物理研究所 脉冲高能量密度等离子体用于材料表面处理的方法
CN1132407A (zh) * 1994-11-04 1996-10-02 株式会社日立制作所 表面处理的方法和系统
WO1999022049A1 (en) * 1997-10-27 1999-05-06 Advanced Refractory Technologies, Inc. Method of polishing cvd diamond films by oxygen plasma
CN1779001A (zh) * 2005-09-22 2006-05-31 武汉化工学院 一种抛光大面积金刚石膜的方法和装置
CN101112747A (zh) * 2007-08-28 2008-01-30 武汉工程大学 金刚石膜的抛光方法

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