JPS63243265A - 高周波型イオンプレ−テイング装置 - Google Patents
高周波型イオンプレ−テイング装置Info
- Publication number
- JPS63243265A JPS63243265A JP7879187A JP7879187A JPS63243265A JP S63243265 A JPS63243265 A JP S63243265A JP 7879187 A JP7879187 A JP 7879187A JP 7879187 A JP7879187 A JP 7879187A JP S63243265 A JPS63243265 A JP S63243265A
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- JP
- Japan
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- film forming
- power source
- ion plating
- forming member
- electric field
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板の損傷を緩和することにより電子部品等に
も適用できるようにした高周波型イオンプレーティング
装置に関する。
も適用できるようにした高周波型イオンプレーティング
装置に関する。
従来の高周波型イオンプレーティング装置として、例え
ば、特公昭５２−２９９７１号に示されるものがある。
ば、特公昭５２−２９９７１号に示されるものがある。
第３図はこの高周波型イオンプレーティング装置を示し
、排気手段１およびガス導入口２を有した真空室３の内
部にブレーティングを受ける基板４およびブレーティン
グ材料を蒸発する蒸発源５が配置されている。真空室３
の内部は高周波電源６によってプラズマ化される。一方
、基板４には直流電源７から負の電圧が印加され、蒸発
源５には電子銃電源として交流電源８から交流電圧が印
加される。
、排気手段１およびガス導入口２を有した真空室３の内
部にブレーティングを受ける基板４およびブレーティン
グ材料を蒸発する蒸発源５が配置されている。真空室３
の内部は高周波電源６によってプラズマ化される。一方
、基板４には直流電源７から負の電圧が印加され、蒸発
源５には電子銃電源として交流電源８から交流電圧が印
加される。
操作においては、排気手段１から排気して真空室３を所
定の気圧にした後ガス導入口２から不活性ガスを導入し
て所定のガス圧にする。高周波電源６から所定の電力を
供給して真空室３の内部をプラズマ化し、交流電源８に
よって蒸発源５を励起し、かつ、直流電源７から基板４
に負のバイアスを印加すると、蒸発源５からブレーティ
ング材料が蒸発して基板４に付着してブレーティングさ
れる。
定の気圧にした後ガス導入口２から不活性ガスを導入し
て所定のガス圧にする。高周波電源６から所定の電力を
供給して真空室３の内部をプラズマ化し、交流電源８に
よって蒸発源５を励起し、かつ、直流電源７から基板４
に負のバイアスを印加すると、蒸発源５からブレーティ
ング材料が蒸発して基板４に付着してブレーティングさ
れる。
しかし、従来の高周波型イオンプレーティング装置によ
れば、蒸発源５から蒸発したブレーティング材料が基板
４に印加された電圧に基づいて電界加速を受けながら基
板４に衝突付着するため、基板４を損傷することがある
。従って、電子部品等のブレーティングに適用できない
不都合がある。
れば、蒸発源５から蒸発したブレーティング材料が基板
４に印加された電圧に基づいて電界加速を受けながら基
板４に衝突付着するため、基板４を損傷することがある
。従って、電子部品等のブレーティングに適用できない
不都合がある。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、成膜材料の
付着に伴う基板の損傷を防ぐため、基板にパルス電源を
接続して印加するパルスのデユーティ比を制御すること
によりイオンプレーティングと蒸着（非電界付着）の時
間比を調節する高周波型イオンプレーティング装置を提
供するものである。
付着に伴う基板の損傷を防ぐため、基板にパルス電源を
接続して印加するパルスのデユーティ比を制御すること
によりイオンプレーティングと蒸着（非電界付着）の時
間比を調節する高周波型イオンプレーティング装置を提
供するものである。
以下、本発明の高周波型イオンプレーティング装置を詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す。ここで、第３図と共通
する部分は共通の引用数字で示されているので重複する
説明は省略するが、直流電源７に代えてパルス電源９が
置かれており、また、そのデユーティ比を制御する制御
部１０を有する構成において相違する。また、基板４と
しては電子部品としてのシリコン基板が、蒸発源５とし
てはアルミニウムが使用される。
する部分は共通の引用数字で示されているので重複する
説明は省略するが、直流電源７に代えてパルス電源９が
置かれており、また、そのデユーティ比を制御する制御
部１０を有する構成において相違する。また、基板４と
しては電子部品としてのシリコン基板が、蒸発源５とし
てはアルミニウムが使用される。
以下、本発明の詳細な説明する。排気手段１から排気し
て真空室３を２Ｘ１０−５Ｔｏｒ−ｒまで減圧して、ガ
ス導入口２からアルゴンガスを導入して２Ｘ１０−’Ｔ
ｏｒｒの圧力とする。高周波電［６から２００Ｗの電力
を供給し、かつ、制御部１０がシリコン基板４に対する
パルス電源９のデユーティ比を制御する。この制御にお
いて、第２図に示すように、負荷電流ｒ、＝ １００Ａ
ｓ Ｔ１１Ｎ＝ １ｍｓ、Ｔｏｙｙ＝９９ｍｓに設定す
る。同時に、蒸発源５としてのアルミニウムに交流電源
８から交流電圧を印加すると、アルミニウムが蒸発し、
Ｔｏ、４の時はイオンプレーティングとして、ＴｏＦＦ
の時は、蒸着によってアルミニウムがシリコン基板４に
付着し、密着性のすぐれた成膜が得られた。
て真空室３を２Ｘ１０−５Ｔｏｒ−ｒまで減圧して、ガ
ス導入口２からアルゴンガスを導入して２Ｘ１０−’Ｔ
ｏｒｒの圧力とする。高周波電［６から２００Ｗの電力
を供給し、かつ、制御部１０がシリコン基板４に対する
パルス電源９のデユーティ比を制御する。この制御にお
いて、第２図に示すように、負荷電流ｒ、＝ １００Ａ
ｓ Ｔ１１Ｎ＝ １ｍｓ、Ｔｏｙｙ＝９９ｍｓに設定す
る。同時に、蒸発源５としてのアルミニウムに交流電源
８から交流電圧を印加すると、アルミニウムが蒸発し、
Ｔｏ、４の時はイオンプレーティングとして、ＴｏＦＦ
の時は、蒸着によってアルミニウムがシリコン基板４に
付着し、密着性のすぐれた成膜が得られた。
以上説明した通り、本発明の高周波型イオンプレーティ
ング装置によれば、基板にパルス電源を接続して印加す
るパルスのデユーティ比を制御するようにしたため、成
膜材料の付着に伴う基板の損傷を防ぎ、その結果、電子
部品等へも適用することができる。
ング装置によれば、基板にパルス電源を接続して印加す
るパルスのデユーティ比を制御するようにしたため、成
膜材料の付着に伴う基板の損傷を防ぎ、その結果、電子
部品等へも適用することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は第１
図におけるパルス電源のパルス波形図、第３図は従来の
高周波型イオンプレーティング装置を示す説明図。 符号の説明 １・・・・・−−−−−一排気手段 ２−−−−−−
−−−−ガス導入口３−−−−−−・・−真空室
４・・・・・−・−・・基板５−−−−−・・−・−蒸
発源 ６−・−・−・・−高周波電源８−−−−・
−・−交流電源 ９−−−−−−・・−・パルス電源
１０−・・・制御部
図におけるパルス電源のパルス波形図、第３図は従来の
高周波型イオンプレーティング装置を示す説明図。 符号の説明 １・・・・・−−−−−一排気手段 ２−−−−−−
−−−−ガス導入口３−−−−−−・・−真空室
４・・・・・−・−・・基板５−−−−−・・−・−蒸
発源 ６−・−・−・・−高周波電源８−−−−・
−・−交流電源 ９−−−−−−・・−・パルス電源
１０−・・・制御部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高周波電源によってプラズマ化された雰囲気において成
膜形成部材に成膜材料を電界付着させる高周波型イオン
プレーティング装置において、 前記成膜形成部材に所定の電位を付与するパルス電源と
、 前記パルス電源のデューティ比を制御して前記成膜材料
の電界付着と蒸着を所定の時間比で行わせる制御手段を
備えたことを特徴とする高周波型イオンプレーティング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7879187A JPS63243265A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 高周波型イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7879187A JPS63243265A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 高周波型イオンプレ−テイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243265A true JPS63243265A (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=13671698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7879187A Pending JPS63243265A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 高周波型イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63243265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0710977A1 (en) * | 1994-11-04 | 1996-05-08 | Hitachi, Ltd. | Surface treatment method and system |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7879187A patent/JPS63243265A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6231777B1 (en) | 1994-11-01 | 2001-05-15 | Hitachi, Ltd. | Surface treatment method and system |
| EP0710977A1 (en) * | 1994-11-04 | 1996-05-08 | Hitachi, Ltd. | Surface treatment method and system |
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