JPS5919327A - イオンボンバ−ドによる表面処理方法 - Google Patents
イオンボンバ−ドによる表面処理方法Info
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- JPS5919327A JPS5919327A JP12756282A JP12756282A JPS5919327A JP S5919327 A JPS5919327 A JP S5919327A JP 12756282 A JP12756282 A JP 12756282A JP 12756282 A JP12756282 A JP 12756282A JP S5919327 A JPS5919327 A JP S5919327A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、イオンブレーティングや蒸着の際の表面清
浄化と加熱昇温のための基板表面処理。
浄化と加熱昇温のための基板表面処理。
及び一種の表面加工であるエツチングを含むイオンボン
バードによる表面処理方法に関する。
バードによる表面処理方法に関する。
蒸着やイオンブレーティングは、基板（薄膜を形成すべ
き部材を総称する）に薄膜を形成する手段として多用さ
れている。
き部材を総称する）に薄膜を形成する手段として多用さ
れている。
この蒸着やイオンブレーティングを行なう際には、予め
基板の表面を清浄化（クリーニング）して加熱昇温する
ために１通常イオンボンバードによる表面処理が行なわ
れている。
基板の表面を清浄化（クリーニング）して加熱昇温する
ために１通常イオンボンバードによる表面処理が行なわ
れている。
第１図は、電子ビーム蒸発源を使用するイオンブレーテ
ィング装置の一例を示す構成図であり、真空容器である
ベルジャ１内に、電子ビーム蒸発源２と基板３とを対向
配置し、その中間にプローブ４を配置すると共に、この
プローブと対向する側部にフィラメント５を設けている
。
ィング装置の一例を示す構成図であり、真空容器である
ベルジャ１内に、電子ビーム蒸発源２と基板３とを対向
配置し、その中間にプローブ４を配置すると共に、この
プローブと対向する側部にフィラメント５を設けている
。
なお、６は蒸発用電源、７はプローブ用直流電源、８は
基板用直流電源、９はフィラメント用交流電源である。
基板用直流電源、９はフィラメント用交流電源である。
このようなイオンブレーティング装置によって、基板３
の表面に薄膜を形成するには、先ず、蒸発用電源７はオ
フにしたままで、交流電源９によってフィラメント５を
加熱して電子を放出させ、直流電源７によってプローブ
４に２０〜５０Ｖの正電圧を印加し、フィラメント５ら
放出された電子を加速してベルジャ１内の雰囲気ガス（
例えばアルゴン）分子に衝突させてイオン化する。
の表面に薄膜を形成するには、先ず、蒸発用電源７はオ
フにしたままで、交流電源９によってフィラメント５を
加熱して電子を放出させ、直流電源７によってプローブ
４に２０〜５０Ｖの正電圧を印加し、フィラメント５ら
放出された電子を加速してベルジャ１内の雰囲気ガス（
例えばアルゴン）分子に衝突させてイオン化する。
このイオンを、直流電源８によって１００〜２００ｖ程
度の負電圧を印加した基板３に引付けてその表面に衝突
させることによってイオンボンバードを行ない、基板３
の表面を清浄化し加熱昇温する。
度の負電圧を印加した基板３に引付けてその表面に衝突
させることによってイオンボンバードを行ない、基板３
の表面を清浄化し加熱昇温する。
次に、フィラメント用交流電源９をオフにして、蒸発用
電源６をオンにし、蒸発源２のフイラメン１〜を加熱す
ると共に５〜１０ ＫＶの負の高電圧によって電子ビー
ムを放出させ、マグネツ１へによって偏向させて水冷し
たるつぼ上の蒸発材（例えばチタン）１０を照射して加
熱し、蒸発させる。
電源６をオンにし、蒸発源２のフイラメン１〜を加熱す
ると共に５〜１０ ＫＶの負の高電圧によって電子ビー
ムを放出させ、マグネツ１へによって偏向させて水冷し
たるつぼ上の蒸発材（例えばチタン）１０を照射して加
熱し、蒸発させる。
同時に、アースされたるつぼから電子を放出させ、プロ
ーブ４に引付けて蒸発物質に衝突させ、プラズマ状態を
つくる。 そして、負電圧を印加した基板３の表面に、
このイオン化した蒸発物質又はそれと雰囲気ガスとの化
合物を付着させて薄膜を形成する。
ーブ４に引付けて蒸発物質に衝突させ、プラズマ状態を
つくる。 そして、負電圧を印加した基板３の表面に、
このイオン化した蒸発物質又はそれと雰囲気ガスとの化
合物を付着させて薄膜を形成する。
このようなイオンブレーティングの前処理としてイオン
ボンバードを行なう際、従来は薄膜形成時と同様に直流
電源８によって負の直流電圧を基板３に印加していた。
ボンバードを行なう際、従来は薄膜形成時と同様に直流
電源８によって負の直流電圧を基板３に印加していた。
そのため、ゴミの付着やその他の原因により基板表面に
異常放電が生ずると、それが持続成長するため基板３の
表面に稲妻状あるいは虫食い状の傷が走り、商品価値が
なくなってしまうことがあった。
異常放電が生ずると、それが持続成長するため基板３の
表面に稲妻状あるいは虫食い状の傷が走り、商品価値が
なくなってしまうことがあった。
このようなことは、第１図に示した装置のようなフィラ
メントやプローブを使わないイオンボンバードにおいて
も、あるいは蒸着の際のクリーニングや、エツチング加
工においても同様である。
メントやプローブを使わないイオンボンバードにおいて
も、あるいは蒸着の際のクリーニングや、エツチング加
工においても同様である。
この発明は、このような問題を解決するためになされた
もので、イオンボンバードによる基板（被処理物品）の
表面処理の際に、異常放電による大きな傷ができないよ
うにすることを目的とする。
もので、イオンボンバードによる基板（被処理物品）の
表面処理の際に、異常放電による大きな傷ができないよ
うにすることを目的とする。
そのため、この発明は、イオンボンバード時に基板に印
加する電圧をパルス状にして、異常放電が起っても持続
しないようにしたイオンボンバードによる表面処理方法
を提供するものである。
加する電圧をパルス状にして、異常放電が起っても持続
しないようにしたイオンボンバードによる表面処理方法
を提供するものである。
第２図は、この発明を実施するイオンブレーティング装
置の一例を示す構成図であり、第１図と異なる点は、基
板３にアース（ベルジャ１．蒸発源２．フィラメント５
もアースしである）に対して負電圧を印加するための電
源回路１１として、３− 直流電圧とを切換えて出力し得るものを使用した点であ
る。
置の一例を示す構成図であり、第１図と異なる点は、基
板３にアース（ベルジャ１．蒸発源２．フィラメント５
もアースしである）に対して負電圧を印加するための電
源回路１１として、３− 直流電圧とを切換えて出力し得るものを使用した点であ
る。
この電源回路１１は、例えば第３図（イ）に示すような
３相全波整流波形の負の直流電圧と、同図（ロ）に示す
ように３相のうちの１相のみの半波整流波形の負のパル
ス電圧とを、手動又は自動的に切換えて出力できるよう
になっている。
３相全波整流波形の負の直流電圧と、同図（ロ）に示す
ように３相のうちの１相のみの半波整流波形の負のパル
ス電圧とを、手動又は自動的に切換えて出力できるよう
になっている。
そして、イオンボンバード時には、基板３にパルス電圧
を印加し、イオンブレーティング時には直流電圧を印加
する。
を印加し、イオンブレーティング時には直流電圧を印加
する。
このようにすれば、イオンボンバードによる基板３の表
面の清浄化及び加熱昇温処理中に、異常放電が起っても
印加電圧が断続するためｌパルス間しか持続せず、大き
く成長することができないので、基板３の表面に目立つ
ような傷ができることはない。
面の清浄化及び加熱昇温処理中に、異常放電が起っても
印加電圧が断続するためｌパルス間しか持続せず、大き
く成長することができないので、基板３の表面に目立つ
ような傷ができることはない。
なお、イオンブレーティング中基板３に電圧を印加しな
い方式のイオンブレーティングや蒸着の前処理、あるい
はエツチング加工のためのイオンボンバード等において
は、基板に電圧を印加する４− ための電源として単にパルス電源を用いればよく、その
パルス波形も単相交流の半波整流波形に限るものではな
い。
い方式のイオンブレーティングや蒸着の前処理、あるい
はエツチング加工のためのイオンボンバード等において
は、基板に電圧を印加する４− ための電源として単にパルス電源を用いればよく、その
パルス波形も単相交流の半波整流波形に限るものではな
い。
以上説明したように、この発明によれば、イオンボンバ
ードによる物品の表面処理中に異常放電が起っても、そ
れが長時間持続することがなくなるので、被処理物品の
表面に稲妻状あるいは虫食い状の目立つ傷ができること
がなく、製品の歩留りが大幅に向上する。
ードによる物品の表面処理中に異常放電が起っても、そ
れが長時間持続することがなくなるので、被処理物品の
表面に稲妻状あるいは虫食い状の目立つ傷ができること
がなく、製品の歩留りが大幅に向上する。
第１図は、従来のイオンブレーティング装置の一例を示
す構成図である。 第２図は、この発明を実施するイオンブレーティング装
置の一例を示す構成図である。 第３図（イ）、（ロ）は、それぞれ第２図の装置におい
て、イオンブレーティング時とイオンボンバード時に基
板に印加する電圧波形の例を示す波形図である。 １・・・ベルジャ（真空容器） ２・・・蒸発源３・・
・基板（被処理物品） ４・・・ブローブ５・・・フ
イラメン１〜 １１・・・電源回路−７＝ 第１図 第２図
す構成図である。 第２図は、この発明を実施するイオンブレーティング装
置の一例を示す構成図である。 第３図（イ）、（ロ）は、それぞれ第２図の装置におい
て、イオンブレーティング時とイオンボンバード時に基
板に印加する電圧波形の例を示す波形図である。 １・・・ベルジャ（真空容器） ２・・・蒸発源３・・
・基板（被処理物品） ４・・・ブローブ５・・・フ
イラメン１〜 １１・・・電源回路−７＝ 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）真空容器内に配設した基板に負電圧を印加してイ
オンボンバードする表面処理方法において、前記基板に
印加する電圧をパルス状にしたことを特徴とするイオン
ボンバードによる表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12756282A JPS5919327A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | イオンボンバ−ドによる表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12756282A JPS5919327A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | イオンボンバ−ドによる表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919327A true JPS5919327A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14963092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12756282A Pending JPS5919327A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | イオンボンバ−ドによる表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919327A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5015493A (en) * | 1987-01-11 | 1991-05-14 | Reinar Gruen | Process and apparatus for coating conducting pieces using a pulsed glow discharge |
| WO2003034525A1 (fr) * | 2001-10-10 | 2003-04-24 | Nippon Metal Industry Co., Ltd. | Separateur plein pour pile a combustible du type a electrolyte polymere solide |
| WO2005124913A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Honda Motor Co., Ltd. | 燃料電池用セパレータの製造方法 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP12756282A patent/JPS5919327A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5015493A (en) * | 1987-01-11 | 1991-05-14 | Reinar Gruen | Process and apparatus for coating conducting pieces using a pulsed glow discharge |
| WO2003034525A1 (fr) * | 2001-10-10 | 2003-04-24 | Nippon Metal Industry Co., Ltd. | Separateur plein pour pile a combustible du type a electrolyte polymere solide |
| WO2005124913A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Honda Motor Co., Ltd. | 燃料電池用セパレータの製造方法 |
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