JPH0715768U - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

Info

Publication number
JPH0715768U
JPH0715768U JP5254093U JP5254093U JPH0715768U JP H0715768 U JPH0715768 U JP H0715768U JP 5254093 U JP5254093 U JP 5254093U JP 5254093 U JP5254093 U JP 5254093U JP H0715768 U JPH0715768 U JP H0715768U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hollow cathode
power source
thin film
power supply
constant voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5254093U
Other languages
English (en)
Inventor
明 鈴木
Original Assignee
宏和エンジニアリング株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 宏和エンジニアリング株式会社 filed Critical 宏和エンジニアリング株式会社
Priority to JP5254093U priority Critical patent/JPH0715768U/ja
Publication of JPH0715768U publication Critical patent/JPH0715768U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ホロカソード型薄膜形成装置に於て、放電電
圧をコントロールすること。 【構成】 ホロカソードガンに定電流電源と定電圧パル
ス電源を並列に接続するか、又はホロカソードガンの近
傍に電極を設け、この電極には前記定電圧電源、ホロカ
ソードガンには前記定電流電源を接続し、この定電圧電
源により放電電圧をコントロールする。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、装飾品、切削工具、金型等に被膜を形成させる為のホロカソード型 薄膜形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般にホロカソードガンに使用される電源は、定電流電源（電流制限型）が用 いられる。単に定電圧電源では電流が暴走するからである。
【０００３】
【考案が解決しょうとする課題】
電流制限回路を有しない電源を用いて放電を起こさせた場合、電圧が降下しな い為に電流は増え続け、短絡状態となって暴走する。その為電源は定電流電源が 用いられる。しかし定電流電源では、放電時の電圧を任意に設定することができ ない為、被膜の特性を任意にコントロールすることが困難であるといった問題が あった。ホロカソードでもグロー放電領域では電圧降下は少ないが、グロー放電 では電流がせいぜいミリアンペアのオーダーであり、金属を溶解させる為の数十 アンペア以上のアーク放電に近い状態とは異なるものである。
【０００４】
【課題を解決する為の手段】
図１によって説明する。ホロカソードガン１に４の定電流電源を接続し放電を 開始させる。このとき通常、高周波電圧を印加して放電を開始させるのであるが 、図中には省略してある。この放電電流は通常低く抑える。その理由は主たる放 電を定電圧電源によって起こさせるのが目的だからである。蒸発源２の近傍に電 極３を設け、５の定電圧電源により定電圧のパルス（間欠波）を印加する。ホロ カソードガンの放電が引き金となって、蒸発源２と電極３の間に放電が起こり、 蒸発源２の金属が溶解し蒸発する。この時の電流値はパルス幅を調節することに より調節される。完全な直流ではない為、暴走することはないのである。 このように定電圧のパルスである為、電圧を設定することが可能となり被膜の 特性をコントロールすることができる。蒸発した金属は蒸発源と電極の間でイオ ンになるが、このときの電圧により電荷数が決まる。即ち被膜の特性、結晶構造 をコントロールする事ができる。図２のようにホロカソードガンに定電流電源４ と、定電圧電源５を並列に接続しても同様の効果が得られる。
【０００５】
【実施例１】 図１によって説明する。Ｔｉの蒸発源を用い、１０−５Ｔｏｒｒまで排気した 後、７のガス源からＡｒガスを６０ＳＣＣＭ（スタンダードキュービックセンチ 毎分）導入し４の電源により８０Ａの放電をおこさせる。この時無負荷状態で− ６２Ｖあったものが約−３５Ｖになった。５の電源に−７０Ｖ，１０ＭＳＥＣ（ ミリセコンド）のパルスで２５０Ａの放電を開始し、Ｔｉを蒸発イオン化させる 。次に窒素ガス５００ＳＣＣＭ、アセチレンガスを５０ＳＣＣＭ導入する。６の 基板には−２０Ｖ印加し、１０分間で約１μの炭窒化チタンを形成した。この被 膜のＣＩＥ（国際照明委員会）Ｌ＊ａ＊ｂ＊表示系による色彩値はそれぞれ５５ ．３１５．１、２０．３であった。
【０００６】
【考案の効果】
従来法ではＬ＊ａ＊の値がせいぜいそれぞれ４５、１０程度までしかなかった が、本考案実施例のように大きい値が出せるようになった。
【図面の簡単な説明】
【 図１ 】 装置の基本構成図。
【 図２ 】 ホロカソードガンに定電流電源、定電圧
電源を並列に接続した場合。
【 図３ 】 ５の電源の出力波形
【 符号の説明】
１、ホロカソードガン ２、蒸発源 ３、電極 ４、定電流電源 ５、定電圧電源 ６、基板 ７、Ａｒガス源 ８、窒素、アセチレンガス源 ９、真空槽

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ホロカソードガンに印加される定電流電
    源とは別に、定電圧電源を印加したことを特徴とするホ
    ロカソード型薄膜形成装置。
  2. 【請求項２】 前記定電圧電源の無負荷状態での波形が
    正弦波、方形波、三角波、鋸波、の間欠波、又はこれ等
    の波形の一部である請求項１記載ホロカソード型薄膜形
    成装置。
  3. 【請求項３】 前記ホロカソードガンに前記定電流電源
    と前記定電圧電源を並列に接続するか、叉はホロカソー
    ドガンの近傍に電極を設け、前記定電流電源をホロカソ
    ードガンに接続し、前記電極に定電圧電源を接続したこ
    とを特徴とするホロカソード型薄膜形成装置。
JP5254093U 1993-08-23 1993-08-23 薄膜形成装置 Pending JPH0715768U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5254093U JPH0715768U (ja) 1993-08-23 1993-08-23 薄膜形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5254093U JPH0715768U (ja) 1993-08-23 1993-08-23 薄膜形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0715768U true JPH0715768U (ja) 1995-03-17

Family

ID=12917621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5254093U Pending JPH0715768U (ja) 1993-08-23 1993-08-23 薄膜形成装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0715768U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4334723B2 (ja) イオンプレーティング成膜装置、及びイオンプレーティング成膜方法。
US8467211B2 (en) Bipolar pulsed power supply and power supply apparatus having plurality of bipolar pulsed power supplies
JP5043824B2 (ja) 真空プラズマ発生器
US5308650A (en) Process and apparatus for the ignition of CVD plasmas
US5917286A (en) Pulsed direct current power supply configurations for generating plasmas
JPH0114312B2 (ja)
JPS60429B2 (ja) 金属の熱化学的処理方法並びにその装置
US5990668A (en) A.C. power supply having combined regulator and pulsing circuits
JPH05222531A (ja) 基板の被覆方法および被覆装置
JPH0715768U (ja) 薄膜形成装置
JP2003129234A (ja) スパッタ装置及び方法
JPH1046324A (ja) アークイオンプレーティング装置
JPH02156083A (ja) スパッタ装置
JP2836072B2 (ja) スパッタリング装置
JP3398447B2 (ja) スパッタ装置用電源
JP3038450B2 (ja) アークイオンプレーティング装置
JPH05331634A (ja) スパッタリング装置
US6740843B2 (en) Method and apparatus for automatically re-igniting vacuum arc plasma source
JPS62279087A (ja) 溶接方法
JPS63243265A (ja) 高周波型イオンプレ−テイング装置
JP2543916Y2 (ja) アーク式蒸発源用のアーク電源装置
US5323089A (en) Method for the pulsed mode of operation of high-pressure discharge lamps
JPS6270567A (ja) トリガ機構
JP2503591Y2 (ja) 薄膜生成装置
JPS6318056A (ja) ア−ク式蒸発源