KR960008338A

KR960008338A - 반도체 시험 장치의 측정 신호의 타이밍 교정 방법 및 그 회로

Info

Publication number: KR960008338A
Application number: KR1019950025404A
Authority: KR
Inventors: 신이치로 구로에
Original assignee: 오우라 히로시; 가부시키가이샤 아드반테스트
Priority date: 1994-08-22
Filing date: 1995-08-18
Publication date: 1996-03-22
Also published as: TW284850B; KR0184041B1; US5703489A; JPH0862308A

Abstract

반도체 시험 장치에 있어서, 측정 신호를 인가하는 각 경로간의 위상 지연 시간의 차이를 현격히 축소하고, 피측정 대상 디바이스의 특성이 적정한 측정이 가능한 측정 신호의 타이밍 교정 방법 및 그 회로 구성을 제공한다. 이 때문에, 타이밍 발생 회로(8)로부터 드라이버(5), 측정점 C점(2), 멀티플렉서(16)를 경유하여 주파수 측정기(10)에 이르는 드라이버 출력점 B점(4)∼측정점 C점(2)을 포함한 귀환 루프(121,122)를 구성하고, 루프법에 의해 측정하여 얻은「기준 측정치」와 동일치가 되도록 전경로의 위상 지연 시간을 조정하며, 동시에 측정하여 얻은 교정용 경로, A점(9)→B점(4)→D점(15)-→F점(11)의 위상 지연 시간을 각 경로의 「교정치」로 하고, 이후 각 경로에서의 경로 조건의 변경이나 주위 온도 조건의 변화가 발생하며, 교정 작업의 필요가 생겼을 때에는 해당 각 교정용 경로의 위상 지연 시간을 이미 취득하고 있는 해단 각 「교정치」에 합치시키는 것으로 교정을 행한다.

Description

반도체 시험 장치의 측정 신호의 타이밍 교정 방법 및 그 회로

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 의한 일시예의 블록도.

제2도는 본 발명의 측정부의 구성도를 도시한 개념도.

제3도는 종래 기술의 타이밍 교정 방법 및 그 회로를 도시한 블록도.

Claims

피측정 디바이스(1)의 측정점 C점(2)에 대하여 복수의 측정 신호(3)를 인가하는 반도체 시험 장치의 측정신호의 타이밍 교정방법에 있어서, 임의의 측정 C1(21)에서 대응하는 가변 지연 회로(61)를 임의의 값으로 설정하여 측정 신호(81)를 측정하여 기준 측정치로서 기록하는 단계와; 멀티플렉서(16)로 측정 신호(31)를 선택하고, A점(9)→드라이버 출력B1(41)→D2점→D점(15)→F점(11)의 루프에 관한 위상 지연 시간을 F점(11)의 주파수 측정기(10)로 측정하여 이 값을 드라이버 1(51)의 교정치로서 기록하는 단계와; 다른 측정점 Cn(23)에서 측정 신호(33)를 측정하여 전술한 기준 측정치와 동일치가 되도록 대응하는 가변 지연 회로 n(63)를 조정하는 단계와; 멀티플렉서(16)로 측정 신호(33)를 선택하여 A점(9)→드라이버 출력 Bn(43)→D2점→D점(15)→F점(11)의 루프에 관한 위상 지연 시간을 해당 주파수 측정기(10)로 측정하여 이 값을 드라이버 n(53)의 교정치로서 기록하는 단계와; 상기 조정 및 기록단계를 반복하여 각 측정 신호의 교정치를 얻고, 각 측정점 C점(21,22.28)에서의 경로 오차를 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 시험 장치의 측정신호의 타이밍 교정 방법.
제1항에 있어서, 멀티플렉서(16)로 측정점 C점(21,22,23)을 선택하고, A점(9)→드라이버 출력 Bn(43)→측정점 Cn(23)→D1점→D점(15)→F점(11)의 루프에 관한 위상 지연 시간을, F정(11)의 주파수 측정기(10)를 이용하여 루프법에 의해 측정한 기군 측정치인 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치의 측정 신호의 타이밍교정 방법.
제1항에 있어서, 상기 교정치를 사용하여, 피측정 대상 디바이스(1)로 인가하는 측정신호(3)의 발생 조건이 다른 경우에, 멀티플렉서(16)로 측정 신호(33)를 선택하여 A점(9)→드라이버 출력 Bn(43)→D2점→D점(15)→F점(11)의 루프에 관한 위상 지연 시간을, 주파수 측정기(10)를 이용하여 측정하고, 이 측정치가 이미 취득한 상술의 교정치 일치하도록, 대응하는 가변 지연 회로 n(63)를 조정하는 것을 특징으로 하는 반도체 시험장치의 측정 신호의 타이밍 교정 방법.
제1항에 있어서, 상기 교정치를 사용하여, 피측정 대상 디바이스(1)로 인가하는 측정신호(3)의 발생 조건이 다른 경우에, 멀티플렉서(16)로 측정 신호(33)를 선택하여 A점(9)→드라이버 출력 Bn(43)→D2점→D점(15)→F점(11)의 루프에 관한 위상 지연 시간을 주파수 측정기(10)를 이용하여 측정하는 단계와; 이 측정치와 다른 측정 신호(31,32)와의 위상차 데이타가 이미 취득한 상기 교정치에 관한 위상차 데이타와 일치하도록 대응하는 가변 지연 회로 n(63)를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 시험 장치의 측정 신호의 타이밍 교정 방법.
피측정 대상 디바이스(1)의 측정점 C점(2)에 대하여 각 가변 지연 회로 n(63)를 가진 복수의 측정 신호(3)를 인가하는 반도체 시험 장치에 있어서, 타이밍 발생기(8)의 출력 신호(3)인 각 드라이브 출력 B(31,32,33)의 출력단을 입력단에 접속한 멀티플랙서(16)를 설치하고, 해당 멀티플렉서(16)의 선택 출력 신호를 인가하여 위상 지연 시간을 측정하는 주파수 측정기(10)를 설치하고, 각 측정 신호의 교정치를 얻는 것을 특징으로 하는 반도체 시험 장치의 측정 신호의 타이밍 교정 회로.
제5항에 있어서, 상기 멀티플렉서는 피측정 디바이스(1)의 측정점 C점(2)도 입력단에 접속하고, 각 드라이버 출력 B(41,42,43)→측정점 C점(2)→D1점→D점(15)의 귀환 루프를 형성하여 경로 오차를 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체 시험 장치의 측정 신호의 타이밍 교정 회로.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.