KR960005827A - 연마 방법 및 그것에 사용하는 연마제 - Google Patents

연마 방법 및 그것에 사용하는 연마제 Download PDF

Info

Publication number
KR960005827A
KR960005827A KR1019950019909A KR19950019909A KR960005827A KR 960005827 A KR960005827 A KR 960005827A KR 1019950019909 A KR1019950019909 A KR 1019950019909A KR 19950019909 A KR19950019909 A KR 19950019909A KR 960005827 A KR960005827 A KR 960005827A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
group
film
substrate
abrasive particles
Prior art date
Application number
KR1019950019909A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100219787B1 (ko
Inventor
하루끼 노조
렘페이 나까다
마사꼬 고데라
노부오 하야사까
Original Assignee
사또 후미오
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=15648493&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR960005827(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 사또 후미오, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 사또 후미오
Publication of KR960005827A publication Critical patent/KR960005827A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100219787B1 publication Critical patent/KR100219787B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Abstract

본 발명은 기판상의 표면에 요철부(凹凸部)를 갖는 피연마막을 형성하는 공정과,피연마막을 갖는 기판을 연마 정반의 연마포로 가압하고, 연마 입자를 포함하는 연마액을 상기 피연마막과 상기 연마포와의 사이에 공급하면서, 기판과 연마 정반을 상대적으로 움직이게 하여 상기 피연마막을 연마하는 공정을 포함하고, 연마액으로 COOH(카르복시기),COOM1(M1은 카르복시기의 수소 원 , 술포기의 수소 원자와 치환하여 염을 형성할 수 있는 원자 또는 관능기)로 이루어지는 군으로 선정된 적어도 1개의 친수기(親水基)를 갖는 분자량100 이상인 유기 화합물을 첨가하는 연마 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 분산매(分散媒)에 연마 입자가 분산된 연마액과 연마액에 첨가된 COOH(카프복시기),COOM1(M1은 카르복시기의 수소 원 , 술포기의 수소 원자와 치환하여 염을 형성할 수 있는 원자 또는 관능기)로 이루어지는 군으로 선정된 적어도 1개의 친수기(親水基)를 갖는 분자량100 이상인 유기 화합물을 첨가하는 연마 방법을 제공한다.

Description

연마 방법 및 그것에 사용하는 연마제
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 연마 방법에 사용되는 연마 장치를 도시한 개략도이다.
제5C도는 본 발명의 연마 방법에 의해 폴리싱된 시료의 단면 형상을 도시한 단면도이다.

Claims (24)

  1. 본 발명은 기판상의 표면에 요철부(凹凸部)를 갖는 피연마막을 형성하는 공정과,피연마막을 갖는 기판을 연마 정반(鍊磨 定盤)의 연마포로 가압하고, 연마 입자를 포함하는 연마액을 상기 피연마막과 상기 연마포와의 사이에 공급하면서, 기판과 연마 정반을 상대적으로 움직이게 하여 상기 피연마막을 연마하는 공정을 구비하고, 연마 중에 있어서의 상기 피연마막의 오목부 표면부 상기 연마포의 표면 사이의 평균적인 간격을 상기 연마 평균 입자 지름보다 넓게 설정하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 재료러서 실리콘, 석영, 사파이어, Al2O3및 주기율표 제 Ⅲ족 원소와 제Ⅳ족 원소의 화합물로 이루어지는 군(群)에서 선정된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 피연마막으로서 SiO2a-Si, poly-Si, SiON, SiOF, BPSG, PSG, SiN, Si3N4, Si, Al, W, Ag, Cu, Ti, TiN, Au 및Pt로 이루어지는 군에서 선정된 어느 하나를 주로 포함하는 막을 이용하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 연마 입자로서 SiO2, CeO2, Al2O3, SiC, SiN, ZrO2및TiO2로 이루어지는 군에서 선정한 어느 하나를 주성분으로 하는 입자인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 연마 입자의 평균 입자 지름은 0.01~5.0㎛인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  6. 기판상의 표면에 요철부를 갖는 피연마막을 형성하는 공정과, 상기 피연마막을 갖는 기판을 연마 정반의 연마포로 가입하고, 연마 입자를 포함하는 연마액을 상기 피연마막과 상기 연마포 사이에 공급하면서, 상기 기판과 상기 연마 정반을 상대적으로 움직이게 하여 상기 피연마막을 연마하는 공정을 구비하고, 연마중에 있어서의 상기 피연마막과 상기 연마액 사이의 마찰 계수가 상기 연마포와 상기 연마액 사이의 마찰 계수 보다도 커지도록 하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판의 재료로서, 실리콘, 석영, 사파이어, Al2O3및 주기율표 제Ⅲ족 원소와 제Ⅴ족 원소의 화합물로 이루어지는 군에서 선정된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 피연마막으로서 SiO2a-Si, poly-Si, SiON, SiOF, BPSG, PSG, SiN, Si3N4, Si, Al, W, Ag, Cu, Ti, TiN, Au 및Pt로 이루어지는 군에서 선정된 어느 하나를 주로 포함하는 막을 이용하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 연마 입자로서 SiO2, CeO2, Al2O3, SiC, SiN, ZrO2및TiO2로 이루어지는 군에서 선정한 어느 하나를 주성분으로 하는 입자인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 연마 입자의 평균 입자 지름은 0.01~5.0㎛인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  11. 기판상의 표면에 요철부를 갖는 피연마막을 형성하는 공정과, 상기 피연마막을 갖는 기판을 연마 정반의 연마포로 가입하고, 연마 입자를 포함하는 연마액을 상기 피연마막과 상기 연마포 사이에 공급하면서, 상기 기판과 상기 연마 정반을 상대적으로 움직이게 하여 상기 피연마막을 연마하는 공정을 구비하고,상기 연마액으로 COOH(카르복시기),COOM1(M1은 카르복시기의 수소 원 , 술포기의 수소 원자와 치환하여 염을 형성할 수 있는 원자 또는 관능기)로 이루어지는 군으로 선정된 적어도 1개의 친수기(親水基)를 갖는 분자량100 이상인 유기 화합물을 첨가하는 연마 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 연마액의 점도가 2.6~4.5cp의 범위내(內)가 되도록 상기 유기 화합물을 상기 연마액에 첨가하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 유기 화합물이 폴리카본산염, 폴리술폰산염으로 이루어지는 군에서 선정된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 기판의 재료로서, 실리콘, 석영, 사파이어, Al2O3및 주기율표 제Ⅲ족 원소와 제Ⅴ족 원소의 화합물로 이루어지는 군에서 선정된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 피연마막으로서 SiO2a-Si, poly-Si, SiON, SiOF, BPSG, PSG, SiN, Si3N4, Si, Al, W, Ag, Cu, Ti, TiN, Au 및Pt로 이루어지는 군에서 선정된 어느 하나를 주로 포함하는 막을 이용하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 연마 입자로서 SiO2, CeO2, Al2O3, SiC, SiN, ZrO2및TiO2로 이루어지는 군에서 선정한 어느 하나를 주성분으로 하는 입자인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 연마 입자의 평균 입자 지름은 0.01~5.0㎛인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  18. 기판상의 표면에 요철부를 갖는 피연마막을 형성하는 공정과, 상기 피연마막을 갖는 기판을 연마 정반의 연마포로 가입하고, 연마 입자를 포함하는 연마액을 상기 피연마막과 상기 연마포 사이에 공급하면서, 상기 기판과 상기 연마 정반을 상대적으로 움직이게 하여 상기 피연마막을 연마하는 공정을 구비하고, 공급하는 연마액에 첨가하는 상기 유기 화합물의 농도를 연마 중에 산화시키는 것을 특징으로 하는 기 연마 방법.
  19. 제18항에 있어서, 연마액과 유기 화합물의 공급량을 조절함으로써 상기 연마액의 유기 화합물 첨가량을 연마 중에 변화시키는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  20. 제18항에 있어서, 각각 상이한 유기 화합물 첨가량을 갖는 적어도 2개의 연마액의 공급을 전환함으로써 상기 연마액의 유기 화합물 첨가량을 연마 중에 변화시키는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 기판의 재료로서, 실리콘, 석영, 사파이어, Al2O3및 주기율표 제Ⅲ족 원소와 제Ⅴ족 원소의 화합물로 이루어지는 군에서 선정된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  22. 제18항에 있어서, 상기 피연마막으로서 SiO2a-Si, poly-Si, SiON, SiOF, BPSG, PSG, SiN, Si3N4, Si, Al, W, Ag, Cu, Ti, TiN, Au 및Pt로 이루어지는 군에서 선정된 어느 하나를 주로 포함하는 막을 이용하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  23. 제18항에 있어서, 상기 연마 입자로서 SiO2, CeO2, Al2O3, SiC, SiN, ZrO2및TiO2로 이루어지는 군에서 선정한 어느 하나를 주성분으로 하는 입자인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  24. 제18항에 있어서, 상기 연마 입자의 평균 입자 지름은 0.01~5.0㎛인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950019909A 1994-07-08 1995-07-07 연마방법 및 그것에 사용하는 연마제 KR100219787B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-157385 1994-07-08
JP15738594A JP3278532B2 (ja) 1994-07-08 1994-07-08 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960005827A true KR960005827A (ko) 1996-02-23
KR100219787B1 KR100219787B1 (ko) 1999-09-01

Family

ID=15648493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950019909A KR100219787B1 (ko) 1994-07-08 1995-07-07 연마방법 및 그것에 사용하는 연마제

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6224464B1 (ko)
JP (1) JP3278532B2 (ko)
KR (1) KR100219787B1 (ko)

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3278532B2 (ja) * 1994-07-08 2002-04-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3462052B2 (ja) * 1996-09-30 2003-11-05 日立化成工業株式会社 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法
RU2178599C2 (ru) 1996-09-30 2002-01-20 Хитачи Кемикал Кампани, Лтд. Абразив из оксида церия и способ полирования подложек
JP3676030B2 (ja) * 1997-04-10 2005-07-27 株式会社東芝 研磨パッドのドレッシング方法及び半導体装置の製造方法
US6322600B1 (en) * 1997-04-23 2001-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Planarization compositions and methods for removing interlayer dielectric films
US6022400A (en) * 1997-05-22 2000-02-08 Nippon Steel Corporation Polishing abrasive grains, polishing agent and polishing method
JPH11181403A (ja) 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
KR100754103B1 (ko) * 1998-12-25 2007-08-31 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Ｃｍｐ 연마제, ｃｍｐ 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법
EP1691401B1 (en) * 1999-06-18 2012-06-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. Method for polishing a substrate using CMP abrasive
JP4491857B2 (ja) * 1999-06-18 2010-06-30 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP3957924B2 (ja) 1999-06-28 2007-08-15 株式会社東芝 Ｃｍｐ研磨方法
EP1077108B1 (en) 1999-08-18 2006-12-20 Ebara Corporation Polishing method and polishing apparatus
JP2001055560A (ja) * 1999-08-18 2001-02-27 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及びそれを用いた基板の研磨方法
JP2001077060A (ja) 1999-09-08 2001-03-23 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP3945964B2 (ja) * 2000-06-01 2007-07-18 株式会社ルネサステクノロジ 研磨剤、研磨方法及び半導体装置の製造方法
JP2002126998A (ja) 2000-10-26 2002-05-08 Hitachi Ltd 研磨方法および研磨装置
JP3768401B2 (ja) * 2000-11-24 2006-04-19 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
JP5017574B2 (ja) * 2001-05-25 2012-09-05 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造方法
MY144587A (en) * 2001-06-21 2011-10-14 Kao Corp Polishing composition
US6677239B2 (en) * 2001-08-24 2004-01-13 Applied Materials Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing
US7199056B2 (en) * 2002-02-08 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Low cost and low dishing slurry for polysilicon CMP
JP2003318140A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Applied Materials Inc 研磨方法及び装置
CN100369211C (zh) * 2002-07-22 2008-02-13 清美化学股份有限公司 半导体用研磨剂、该研磨剂的制造方法和研磨方法
US6641632B1 (en) * 2002-11-18 2003-11-04 International Business Machines Corporation Polishing compositions and use thereof
US7553345B2 (en) * 2002-12-26 2009-06-30 Kao Corporation Polishing composition
TWI278507B (en) 2003-05-28 2007-04-11 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing agent and polishing method
JP3974127B2 (ja) 2003-09-12 2007-09-12 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
CN100503167C (zh) * 2004-05-19 2009-06-24 日产化学工业株式会社 研磨用组合物
CN102585765B (zh) 2004-07-23 2015-01-21 日立化成株式会社 Cmp研磨剂以及衬底的研磨方法
US20070218811A1 (en) * 2004-09-27 2007-09-20 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cmp polishing slurry and method of polishing substrate
CN101333418B (zh) 2004-09-28 2011-05-25 日立化成工业株式会社 Cmp抛光剂以及衬底的抛光方法
JP2006278522A (ja) 2005-03-28 2006-10-12 Seimi Chem Co Ltd 半導体集積回路装置用研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法
KR20080016606A (ko) 2005-05-20 2008-02-21 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 연마용 조성물의 제조 방법
CN101560373B (zh) 2005-11-11 2013-09-04 日立化成株式会社 氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法
JP5290769B2 (ja) * 2006-01-25 2013-09-18 エルジー・ケム・リミテッド Ｃｍｐスラリー及びこれを用いる半導体ウェハーの研磨方法
SG136886A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-29 Asahi Glass Co Ltd Method for producing glass substrate for magnetic disk, and magnetic disk
US20070264829A1 (en) * 2006-05-12 2007-11-15 Hynix Semiconductor Inc. Slurry and method for chemical mechanical polishing
KR101349983B1 (ko) 2006-09-13 2014-01-13 아사히 가라스 가부시키가이샤 반도체 집적 회로 장치용 연마제, 연마 방법 및 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
EP2090400A4 (en) 2006-09-15 2010-11-03 Hitachi Chemical Co Ltd MEANS FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING (CMP), ADDITIVE SOLUTION FOR THE CMP POLISHERS AND METHOD FOR POLISHING A SUBSTRATE THROUGH THE USE OF THE POLISHING AGENT AND THE ADDITIVE SOLUTION
JP4489108B2 (ja) 2007-09-13 2010-06-23 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
WO2009046311A2 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Composite slurries of nano silicon carbide and alumina
JP2008132593A (ja) * 2007-12-14 2008-06-12 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウムスラリー、酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JP2009267367A (ja) * 2008-03-31 2009-11-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
TWI546373B (zh) 2008-04-23 2016-08-21 日立化成股份有限公司 研磨劑及其製造方法、基板研磨方法以及研磨劑套組及其製造方法
JP2009010406A (ja) * 2008-08-18 2009-01-15 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨法
CN103333662A (zh) 2008-12-11 2013-10-02 日立化成工业株式会社 Cmp用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法
JP2009105455A (ja) * 2009-02-10 2009-05-14 Hitachi Chem Co Ltd 素子分離形成方法
CN102627914B (zh) 2009-10-22 2014-10-29 日立化成株式会社 研磨剂、浓缩一液式研磨剂、二液式研磨剂、基板研磨法
JP2010030041A (ja) * 2009-11-04 2010-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法
US20120214307A1 (en) 2009-11-12 2012-08-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. Chemical-mechanical polishing liquid, and semiconductor substrate manufacturing method and polishing method using said polishing liquid
KR101443468B1 (ko) 2010-03-12 2014-09-22 히타치가세이가부시끼가이샤 슬러리, 연마액 세트, 연마액 및 이것들을 이용한 기판의 연마 방법
JP5621854B2 (ja) 2010-11-22 2014-11-12 日立化成株式会社 砥粒の製造方法、スラリーの製造方法及び研磨液の製造方法
KR101886892B1 (ko) 2010-11-22 2018-08-08 히타치가세이가부시끼가이샤 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기판의 연마 방법 및 기판
KR20130129396A (ko) 2010-11-22 2013-11-28 히타치가세이가부시끼가이샤 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기판의 연마 방법 및 기판
WO2012086781A1 (ja) 2010-12-24 2012-06-28 日立化成工業株式会社 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法
CN103339219B (zh) 2011-01-25 2015-01-14 日立化成株式会社 Cmp研磨液及其制造方法、复合粒子的制造方法以及基体的研磨方法
WO2013125446A1 (ja) 2012-02-21 2013-08-29 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
WO2013125445A1 (ja) 2012-02-21 2013-08-29 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
US10557059B2 (en) 2012-05-22 2020-02-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate
CN104334675B (zh) 2012-05-22 2016-10-26 日立化成株式会社 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基体的研磨方法及基体
US9346978B2 (en) 2012-05-22 2016-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate
JP5943072B2 (ja) 2012-05-22 2016-06-29 日立化成株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法
JP2014011408A (ja) * 2012-07-02 2014-01-20 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法および研磨装置
CN104582899B (zh) 2012-08-30 2018-11-09 日立化成株式会社 研磨剂、研磨剂套剂及基体的研磨方法
JP5836992B2 (ja) 2013-03-19 2015-12-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
WO2014199739A1 (ja) 2013-06-12 2014-12-18 日立化成株式会社 Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法
JP6428625B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-28 日立化成株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液、及び、基体の研磨方法
JP6253382B2 (ja) * 2013-12-13 2017-12-27 株式会社ディスコ 研磨方法
JP6243791B2 (ja) 2014-05-09 2017-12-06 信越化学工業株式会社 Ｃｍｐ研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法
JP6170027B2 (ja) 2014-10-09 2017-07-26 信越化学工業株式会社 Ｃｍｐ研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法
CN110462791B (zh) 2017-03-27 2023-06-16 株式会社力森诺科 悬浮液和研磨方法
WO2018179061A1 (ja) 2017-03-27 2018-10-04 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
CN110998800B (zh) 2017-08-14 2023-09-22 株式会社力森诺科 研磨液、研磨液套剂及研磨方法
WO2019043819A1 (ja) 2017-08-30 2019-03-07 日立化成株式会社 スラリ及び研磨方法
WO2019142292A1 (ja) 2018-01-18 2019-07-25 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
WO2019181013A1 (ja) 2018-03-22 2019-09-26 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
WO2020021680A1 (ja) 2018-07-26 2020-01-30 日立化成株式会社 スラリ及び研磨方法
WO2020065723A1 (ja) 2018-09-25 2020-04-02 日立化成株式会社 スラリ及び研磨方法
WO2022070313A1 (ja) 2020-09-30 2022-04-07 昭和電工マテリアルズ株式会社 スラリ及び研磨方法
WO2022070314A1 (ja) 2020-09-30 2022-04-07 昭和電工マテリアルズ株式会社 スラリ及び研磨方法
KR20220066257A (ko) 2020-11-11 2022-05-24 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 연마액 및 연마 방법
KR20220066256A (ko) 2020-11-11 2022-05-24 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 연마액 및 연마 방법
KR20240006690A (ko) 2021-08-31 2024-01-15 가부시끼가이샤 레조낙 연마액, 연마 방법, 부품의 제조 방법, 및, 반도체 부품의 제조 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3979239A (en) * 1974-12-30 1976-09-07 Monsanto Company Process for chemical-mechanical polishing of III-V semiconductor materials
US4759917A (en) * 1987-02-24 1988-07-26 Monsanto Company Oxidative dissolution of gallium arsenide and separation of gallium from arsenic
JPS63245365A (ja) 1987-03-31 1988-10-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4959113C1 (en) * 1989-07-31 2001-03-13 Rodel Inc Method and composition for polishing metal surfaces
US5234867A (en) * 1992-05-27 1993-08-10 Micron Technology, Inc. Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad
US5104828A (en) * 1990-03-01 1992-04-14 Intel Corporation Method of planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate
US5036015A (en) * 1990-09-24 1991-07-30 Micron Technology, Inc. Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH04135167A (ja) 1990-09-25 1992-05-08 Mitsubishi Kasei Corp 平滑面加工方法
JPH04291724A (ja) 1991-03-20 1992-10-15 Asahi Denka Kogyo Kk シリコンウェハーの研摩方法
US5320706A (en) * 1991-10-15 1994-06-14 Texas Instruments Incorporated Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization
US5222329A (en) * 1992-03-26 1993-06-29 Micron Technology, Inc. Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials
US5264010A (en) * 1992-04-27 1993-11-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
US5445996A (en) * 1992-05-26 1995-08-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for planarizing a semiconductor device having a amorphous layer
US5225034A (en) * 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
US5272117A (en) * 1992-12-07 1993-12-21 Motorola, Inc. Method for planarizing a layer of material
US5302233A (en) * 1993-03-19 1994-04-12 Micron Semiconductor, Inc. Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)
JP3554759B2 (ja) 1994-02-02 2004-08-18 東京エレクトロン株式会社 配線の形成方法、及び砥粒液
JP3278532B2 (ja) * 1994-07-08 2002-04-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
CA2152860A1 (en) 1994-07-15 1996-01-16 Argyrios A. Chatzipetros Antenna for communication device
US5693239A (en) * 1995-10-10 1997-12-02 Rodel, Inc. Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US6022400A (en) * 1997-05-22 2000-02-08 Nippon Steel Corporation Polishing abrasive grains, polishing agent and polishing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20010034191A1 (en) 2001-10-25
JPH0822970A (ja) 1996-01-23
KR100219787B1 (ko) 1999-09-01
JP3278532B2 (ja) 2002-04-30
US6224464B1 (en) 2001-05-01
US6419557B2 (en) 2002-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960005827A (ko) 연마 방법 및 그것에 사용하는 연마제
FI118180B (fi) Optisille pinnoille soveltuva kiillotusformulaatio
US5725417A (en) Method and apparatus for conditioning polishing pads used in mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates
US6030899A (en) Apparatus and methods for recirculating chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
TW445535B (en) Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection
KR101333866B1 (ko) 산화인듐주석 표면의 ｃｍｐ를 위한 조성물 및 방법
KR102105844B1 (ko) 사파이어 표면 폴리싱 방법
JP3305557B2 (ja) 研磨テープ、その製造方法および研磨テープ用塗工剤
KR950027995A (ko) 연마천 조절방법 및 표면 처리 장치
TW428225B (en) A method of polishing a surface of a substrate, a method of manufacturing semiconductor device, and an apparatus of manufacturing the same
JP2540080B2 (ja) 研摩布の処理方法
US4284668A (en) Paint sealant with Teflon T.F.E
US6716364B1 (en) Method and apparatus for detecting presence of residual polishing slurry subsequent to polishing of a semiconductor wafer
CN1606486A (zh) 对包含第ⅷ族金属的表面采用固定磨料制品的平面化方法
TWI276498B (en) CMP pad with composite transparent window
US6518188B2 (en) Apparatus and methods for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6537137B2 (en) Methods for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6245679B1 (en) Apparatus and methods for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
FR2667606A1 (fr) Abrasif de polissage mecano-chimique et procede de polissage d'une piece utilisant cet abrasif.
US20030006396A1 (en) Polishing composition for CMP having abrasive particles
JPH09248771A (ja) 光コネクタフェルール端面用研磨テープ、光コネクタフェルール端面の研磨方法および光コネクタフェルール端面用研磨装置
JPH1126404A (ja) 研磨装置
JP7409820B2 (ja) ＩｎＰ半導体材料の研磨加工方法および研磨液
Mahajan et al. Effect of slurry abrasive size on polish rate and surface quality of silicon dioxide films
Singh et al. A symposium

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130520

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140516

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150518

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term