KR960003988B1 - 번-인장치 및 방법 - Google Patents

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KR960003988B1
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테쯔야 하시나가
마사노리 니시구찌
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스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤
쿠라우찌 노리타카
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Abstract

내용 없음.

Description

번-인장치 및 방법
제 1 도는 번-인 테스트에 사용되는 전형적인 번-인 보오드의 사시도,
제 2 도는 복수개의 번-인 보오드가 그속에 배치된 상태의 번-인 테스트챔버를 도시하는 부분절결사시도,
제 3 도는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 번-인장치의 공기흐름시스템을 도시하는 개략도,
제 4 도는 본 발명에 의한 번-인장치의 온도검출 및 제어시스템을 도시하는 개략도,
제 5 도는 제 3 도의 번-인장치의 공기흐름을 조절수단의 일예를 도시하는 사시도,
제 6 도 및 제 7 도는 제 5 도의 공기흐름을 조절수단의 작용을 설명하는 단면도로,
제 6 도는 최대공기흐름율상태를 도시하는 단면도,
제 7 도는 최소공기흐름율상태를 도시하는 단면도,
제 8 도는 테스트될 반도체장치의 반도체칩을 도시하는 사시도,
제 9 도는 어떤 온도에서 반도체칩내의 온도검출다이오드의 I-Ⅴ 특성을 나타내는 그래프,
제 10 도는 번-인 보오드위에 설치되는 소켓위에 테스트될 반도체를 탑재하는 방법을 설명하는 사시도,
제 11 도는 소켓과 소켓위에 탑재된 반도체장치의 단면도,
제 12 도는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 번-인장치의 공기흐름시스템의 개략도,
제 13 도는 제 12 도의 번-인장치에 사용되는 에어노즐을 개폐하는 제어수단을 개방 및 폐쇄하는 일예를 도시하는 사시도,
제 14 도는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 번-인장치의 공기흐름시스템의 개략도,
제 15 도는 제 14 도의 번-인장치의 공기흐름방향 조절수단의 일예를 도시하는 사시도,
제 16 도는 본 발명의 제 4 실시예에 의한 번-인장치의 공기흐름시스템을 도시하는 개략도.
제 17 도는 제 16 도의 번-인장치에서 사용되는 번-인 보오드의 방향을 변경하는 구성의 일예를 도시하는 사시도,
제 18 도는 본 발명의 제 5 실시예에 의한 번-인장치의 공기흐름시스템을 도시하는 개략도,
제 19 도는 제 18 도의 번-인장치에서 사용되는 공기출구의 위치를 변경하는 수단의 일예를 도시하는 사시도,
제 20 도는 본 발명의 제 6 실시예에 의한 번-인장치의 공기흐름시스템을 도시하는 사시도,
제 21 도는 접합온도의 제 1 측정방법을 나타내는 플로우챠아트,
제 22 도는 접합온도의 제 2 측정방법을 나타내는 플로우챠아트,
제 23 도는 TC 값과 n값 사이의 관계의 실험결과를 나타내는 그래프,
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 번-인 보오드 12 : 번-인 테스트챔버
14 : 보오드 16 : 소켓
34 : 반도체칩 36 : 집적회로
38 : 온도 검출다이오드 40 : 온도조절수단
42 : 송풍기 44 : 공기노즐
52 : 스텝모우터 60 : 제어장치
62 : 동력공급유닛 64 : 온도검출유닛
본 발명은 온도부하와 전자부하가 테스트될 반도체장치에 인가되는 번-인 테스트(고온조작테스트)에서 사용되는 번-인장치 및 방법에 관한 것이다.
번-인 테스트는 반도체장치의 수명측정에 필수적이고, 또한 선별처리에서 초기사망율(infant mortality)과 초기생애고장(early lifetime failures)의 검출에 없어서는 아니된다.
일반적으로, 번-인 테스트는 제 1 도의 번-인 보오드(10)를 사용하고 또한 제 2 도의 번-인 테스트쳄버내에서 실행된다. 각각의 번-인 보오드(10)는 열저항 수지 등으로 만들어진 보오드(14)를 포함한다. 이 보오드(14)는 DUTS(테스트중인 장치) 또는 반도체장치(도시하지 않음)를 받기 위하여 그위에 설치된 복수개의 소켓(16)과, 그리고 외부에의 전기접촉을 위하여 보오드의 일단부상에 설치된 외부터어미널(18)을 가진다. 보오드(14)는 조작자에 의한 번-인 보오드의 조작을 위하여 대향단부에 설치된 핸들(20)을 가진다.
소켓(16)의 터어미널(도시하지 않음)은 보오드(14)위의 결선(22),(제 1 도에 부분적으로 도시함)에 의하여 외부터어미널(18)에 연결된다.
그러한 번-인 보오드(10)는 제 2 도에 도시한 바와같이 번-인 테스트챔버(12)내에 설치되고, 더 상세하게 말해서 번-인 테스트챔버(12)는 메인몸체로서 상자몸체(24)와, 힌지기구(28)에 의하여 상자(24)에 부착된 뚜껑(26)과, 그리고 상자몸체(24)내에 설치된 보오드커넥터(30)로 이루어진다.
보오드커넥터(30)는 번-인 보오드(10)의 보오드(14)를 받는 슬릿(32)을 가진다. 보오드(14)가 보오드커넥터(30)의 슬릿(32)속으로 삽입될때, 번-인 보오드(10)의 외부터어미널(18)과 보오드커넥터(30)의 터어미널(도시하지 않음)이 연결된다.
이 연결을 경유하여, 전력이 동력공급수단(도시하지 않음)에 의하여 반도체장치에 공급된다. 도시하지는 않았으나, 번-인 테스트챔버(12)는 온도조절수단을 포함한다. 이 온도조절수단은 일반적으로 번-인 테스트챔버(12)의 내부로 가열공기를 공급하는 수단의 형태, 또는 가열수단의 형태로 되어 있다.
번-인 테스트챔버(12)의 내부온도, 즉, 반도체장치를 에워싸는 대기의 주위온도 Ta는 상자(24)벽의 내면부근에 배치된 온도센서(도시하지 않음)에 의해 측정된다. 종래의 번-인 테스트는 측정된 온도를 감시하면서 온도조절수단을 제어하여 실행되었다(MIL-STD883).
그러나, 다음의 이유로 인하여, 그러한 종래의 기술은 번-인 테스트를 적당하게 실행하기 위하여 충분하지 못하다.
종래 기술에 있어서, 리얼타임(real time)이 감시될 수 있는 것은 반도체 장치의 주위온도 Ta이고, 이 주위온도 Ta는 반도체장치를 구성하는 반도체칩의 표면온도와, 특히 반도체칩의 Pn 접합 또는 쇼트키 접합에서 접합온도 Tj와 일치하지 않는다.
종래의 번-인 테스트에 있어서, 반도체장치의 고장은 이들 접합온도 Tj에 의존하므로, 접합온도 Tj는 측정된 주위온도 Ta에 의거하여 평가되고, 번-인 테스트는 평가된 접합온도에 의거하여 실행된다.
그러나 그것은 주위온도 Ta와 접합온도 Tj 사이의 관계를 체크하기 위하여 매우 복잡한 조작을 필요로 하고, 테스트될 반도체장치의 다른 사이즈형태와 규격에 따라서 다른 평가조작을 필요로 한다. 따라서, 높은 정밀도로 단순한 번-인 테스트를 실행하는 것은 어려웠다. 또한, 주위온도 Ta는 번-인 테스트챔버(12)내에서의 위치에 따라 변하고, 테스트될 각 반도체장치의 열발생량도 같지 않다. 따라서, 균일한 조건하에서 많은 반도체장치를 선별하는 것이 쉽지 않았다.
본 발명의 목적은, 높은 정밀도로, 같은 시간에 번-인 테스트되는 반도체장치내에서 반도체칩, 그들 자신의 표면온도 또는 접합온도를 제어할 수 있는 번-인장치 및 방법을 제공하는데 있다.
이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 복수개의 공기노즐을 가지는 번-인 테스트챔버와; 각각이 적어도 하나의 반도체칩을 포함하는 복수개의 반도체장치를 탑재하기 위하여 상기 번-인 테스트챔버내에 배치되는 적어도 하나의 번-인 보오드와; 반도체칩의 접합온도를 개별적으로 측정하기 위하여 각각의 반도체칩내에 짜넣어진 온도센서의 전자특성을 검출하는 측정수단과; 반도체칩의 접합온도를 조절하기 위하여 반도체칩의 방열(heat radiation)과 전도량을 제어하는 온도조절수단과; 그리고 반도체칩의 접합온도가 소정의 온도범위이내에 있도록 상기 수단을 측정수단의 출력에 의거하여 제어하는 제어수단을 구비하는 번-인장치를 제공한다.
바람직하게, 온도조절수단은 공기노즐로부터 공기흐름율을 조절하는 수단과, 공기노즐의 개방 및 폐쇄를 제어하는 수단과, 공기노즐의 공기흐름방향을 변경하는 수단과, 반도체장치로 그리고 그곳으로부터 공기노즐의 공기출구를 이동시키는 수단, 또는 공기노즐로부터 공기흐름의 온도를 조절하는 수단을 포함한다.
또한, 번-인 보오드가 번-인 테스트챔버내에 회전가능하게 설치되는 경우에 있어서, 온도조절수단은 그것은 방위(Orientation)를 공기노즐의 공기흐름방향으로 변경시키기 위하여 번-인 보오드를 회전시키는 수단을 포함한다.
또한, 본 발명은 복수개의 공기노즐을 구비한 번-인 테스트챔버내에 복수개의 반도체장치를 가진 적어도 하나의 번-인 보오드를 배치하는 공정과, 그리고 반도체장치의 각각은 온도센서가 짜넣어진 상태로 적어도 하나의 반도체칩을 포함하고 ; 반도체칩의 접합온도를 개별적으로 측정하기 위하여 온도센서의 전자 특성을 검출하는 공정과 ; 그리고 반도체칩의 접합온도의 측정결과가 소정의 범위내에 있도록 반도체칩의 방열 및 전도량을 제어하는 공정을 구비하는 번-인방법에 관한 것이다.
본 발명은 단지 예시를 위하여 마련되고 본 발명을 한정하는 것으로서 간주되어서는 아니되는 후술하는 상세한 설명한 첨부도면으로부터 더욱 완전하게 이해될 것이다.
또한, 본 발명의 응용가능성의 범위는 다음에 기재하는 상세한 설명으로부터 명백하게 나타날 것이다.
그러나, 본 발명의 바람직한 실시예를 나타내는 동안, 상세한 설명과 특정예는, 본 발명의 정신과 범위내에서 여러가지의 변경과 변형들이 후술하는 상세한 설명으로부터 본 기술분야에서 능숙한 사람들에게 명백하게 나타날 것이므로, 단지 예시를 위하여 주어진 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
다음 기재에 있어서, 동일 또는 대응부품에는 동일한 참조부호를 기재한다.
제 3 도는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 번-인장치의 공기흐름시스템을 도시하는 개략도이고, 제 4 도는 제 1 실시예의 온도검출시스템과 동력공급시스템을 개략적으로 도시하는 도면이다. 제 1 실시예에 의한 번-인장치는 상술한 종래의 번-인 테스트챔버로서 상자몸체(24)와 뚜껑(제 2 도 참조)을 포함하는 같은 번-인 테스트챔버(12)를 구비한다.
제 4 도에 있어서, 복수개의 번-인 보오드(10)는 번-인 테스트챔버내에서 서로서로와 평행하게 설치되고, 그 내부에 반도체칩(34)을 가지는 하나의 반도체장치가 각각의 번-인 보오드(10)의 보오드(14)위에 설치된 각각의 소켓(16)속에 탑재된다. 반도체칩(34)위에는 온도센서로서 집적회로(36)와 온도검출다이오드(38)가 설치되어 있다. 온도검출다이오드(38)는 가이스쇼트키다이오드(Gaas Schottky diode)가 바람직하다.
번-인 테스트챔버(12)는 반도체칩의 접합온도 Tj의 표면온도를 조절하는 온도조절수단(40)과 결합되어 있다. 제 1 실시예에 의하면, 온도조절수단(40)은 히이터가 짜넣어진 하나의 송풍기(42)와, 송풍기(42)에서 상자몸체(24)로 가열된 공기를 방출하기 위하여 번-인 테스트챔버(12)의 상자몸체속으로 연장하고 그곳에 공정된 공기노즐(14)을 구비한다.
제 4 도의 제 1 실시예에 있어서, 3개의 공기노즐(44)이 번-인 테스트챔버(12)에 부착되어 있다. 또한, 온도조절수단(40)은 각각이 해당 공기노즐(44)속에 설치되는 공기흐름율 조절수단을 포함한다.
공기흐름율 조절수단으로서, 여러가지의 흐름제어장치를 사용할 수 있다. 제 1 실시예에 있어서, 제 5 도에 도시한 바와같이 공기흐름율 조절수단은 두개의 L형 조절판(46a),(46b)으로 구성되고, 각 조절판(46a),(46b)은 수평부(48a),(48b)내에 길다란 개구부(50a),(50b)를 가진다. 조절판(46a),(46b)은 수평부(48a),(48b)가 서로서로 겹쳐 놓이도록 공기노즐(44)속에 배치된다. 이들 조절판(46a),(46b)은 스텝모우터(52)에 의하여 수평으로 왕복운동하게 된다.
스텝모우터(52)는 후술할 제어장치(60)에 의하여 적당하게 제어된다.
제 6 도의 상태에 있어서, 조절판(46a),(46b)의 개구부(50a),(50b)는 서로서로 위에 놓이지 않고, 공기노즐(44)로부터의 공기흐름(air flow)은 최대흐름율을 가진다. 제 7 도의 상태에 있어서, 조절판(46a),(46b)중의 하나(46a)의 개구부(50a)는 조절판(46a),(46b)중의 다른 하나(466)의 수평부(48b)의 고형부(개구되지 않은 섹션)와 부분적으로 겹쳐지고, 공기노즐(44)로부터의 공기흐름은 최소흐름율을 가진다.
따라서, 조절판(46a),(46b)의 수평부(48a),(48b) 사이의 겹침은 스텝모우터(52)의 제어에 의해 가변되므로서, 노즐(44)로부터 공기의 흐름율을 조절할 수 있다. 제 5 도에 있어서, (54)는 개구부(50a),(50b)가 폐쇄되었을때, 노즐(44)내의 극도의 압력증가를 막기 위한 릴리이프밸브를 나타낸다.
더 상세하게, 후술하는 바와같이, 동력공급유닛(62)에 의하여 전자부하(electric load)가 개별적으로 반도체칩(34)의 집적회로(36)에 인가된다. 또한, 온도검출다이오드(38)의 전기특성(특히 상승전압 또는 전진전압((역치전압) VF)은 각 반도체칩(34)의 접합온도 Tj를 측정하기 위하여 온도검출유닛(64)에 의하여 개별적으로 감시된다.
온도검출유닛(64)은 온도검출수단(64)의 감시결과가 입력되는 제어장치(60)에 연결된다. 제어장치(60)는 허용가능범위내에서 집적회로(36)에 동력공급량을 제어하기 위하여 온도검출유닛(64)의 감시결과에 의거하여 제어신호를 동력공급유닛(62)에 출력하고, 또한 공기노즐(44)의 공기흐름율(air folw rate)을 제어하기 위하여 공기흐름율 조절수단을 구동하는 스텝모우터(52)를 제어한다. 제어장치(60)는 번-인 테스트를 위하여 접합온도 Tj의 허용가능한 범위를 저장하고, 허용가능한 범위를 온도검출유닛(64)의 감시결과와 비교하기 위하여 미리 프로그램되며, 또한 공기흐름을 조절수단을 적당하게 제어한다.
그런데, 온도검출다이오드(38)의 전자특성을 측정하는데 있어서 온도검출다이오드(38)의 접합온도가 측정된다. 반도체칩(34)의 열저항은 그것의 주위물질(공기, 또는 모울딩재료)의 열저항보다 충분히 더작고 다음 관계가 산출된다.(온도검출다이오드(38)의 접합온도)7(집적회로(36)의 접합온도)=Tj 이하 양쪽의 접합온도를 공통으로 Tj로 나타낸다.
제 8 도는 상술한 실시예에 포함된 반도체칩(34)의 사시도를 도시하고, 제 9 도는 어떤 온도에서 온도검출다이오드(38)의 I-Ⅴ 특성을 나타내는 그래프이다.
제 8 도에 도시한 바와같이, 반도체칩(34)위에는 집적회로(36)와, 온도검출다이오드(38)와, 집적회로(36)에 연결된 동력공급패드(35) 그리고 온도검출다이오드(38)의 양극과 음극에 연결된 감시패드(37)가 형성되어 있다.
이 반도체칩(34)은 번-인 테스트될 반도체장치(33)로서 플랫패키지 또는 납없는 칩캐리어(LCC)속에 패키지된다. 이 반도체칩(34)의 온도감시는 온도검출다이오드(38)의 I-Ⅴ 특성의 관측에 의거하여 이루어진다. 즉, 제 9 도의 I-Ⅴ 특성의 순방향 또는 전진전압(forward voltage) VF는 반도체장치의 번-인 테스트에서 나타낸 접합온도의 범위내에서 접합온도에 대하여 사실상 선형으로 변한다.
이러한 관계는 대략 다음식(1)로 표현된다.
VF7TcㆍTj+VF0(1)
VF: 온도검출다이오드의 전진전압(또는 순방향전압)
Tc : VF값의 온도계수
Tj : 테스트될 반도체장치 또는 칩의 접합온도(junction tempera-ture)
VF0: 테스트될 각 반도체장치 또는 칩에 대하여 주어진 상수
전진전압 VF가 그곳에 인가될때 온도검출다이오드(38)를 통하여 흐르는 전류는 너무 미소하여 온도검출다이오드는 접합온도의 증가에 많이 기여하지 못한다. 전진전압 VF는 집적회로(36)가 전류가 공급되지 않은 채로 측정될 때, 접합온도 Tj는 주위온도와 일치한다.
1차온도측정기술은 상기 특성을 사용하고, 이 기술의 플로우챠아트를 제 21 도에 도시한다. 먼저, 집적회로(36)가 공급되지 않은 상태로 다른 주위온도에서 전진전압 VF의 값을 측정한다(스텝 101).
전진전압의 측정값과 식(1)에 의거하여, 전진전압 VF의 상수 VFO의 값과 전진전압 VF의 온도계수 Tc의 값을 산출한다(스텝 102). 이 준비에 이어서, 번-인 테스트를 개시하고, 번-인 테스트동안, 반도체칩(34)의 온도를 정확하게 검출한다.
즉, 반도체칩(34)은 번-인장치위에 탑재되고, 집적회로(36)가 그곳에 공급된 전류와 통전되는 동안, 전진전압 VF의 값이 측정된다(스텝 103).
접합온도 Tj의 값은 상수 VFO의 값과, 온도계수 Tc의 값 그리고 전진전압 VF의 측정값에 의거하여 산출된다(스텝 104).
또한 다음에 기재하는 2차 접합온도 측정기술은 1차기술과 같이 높은 정밀도의 측정값을 산출할 수 있다.
제 22 도는 2차 접합온도 측정기술의 플로우챠아트를 도시한다.
먼저, 반도체칩(34)위에 형성된 온도검출다이오드(38)의 상수 VFO값과 그것의 이상값(ideal value) n은 루움온도에서 산출된다(스텝 201).
여기에서, 쇼트키형 온도검출다이오드(38)의 전진전류 IF는 다음식 (2)에 의하여 산출된다.
S : 쇼트키 접합면적
A*: 유효리처드슨상수
T : 절대온도
K : 볼츠만상수
q : 전자전하(Electron charge)
ψB: 배장벽높이(Barrier height)
n : 이상인자(ideal factor)
온도검출다이오드(38)의 전진역치전압 VF와 그것의 이상인자 n는 온도검출다이오드(38)의 I-Ⅴ 특성에 의거하여 산출될 수 있다.
온도검출다이오드(38)의 온도계수 Tc는 다음식(3)에 의해 산출된다.
식(3)의 괄호내의 두번째 표현의 값변화는 번-인 테스트의 접합온도범위내에서 충분히 작으므로, TC 값은 거의 n 값에 비례한다. TC 값과 n 값 사이의 이러한 관계는 제 23 도에 도시한 실험결과에 의하여 확인되었다.
전진전압 VF의 온도계수 TC는 번-인동안 반도체칩(34)의 정확한 온도를 검출하기 위하여 식(1) 및 (2)에 의하여 산출된다(스텝 202).
즉, 반도체칩(34)은 번-인장치위에 탑재되고, 집적회로(36)는 그곳에 공급된 전류와 통전하게 되는 동안, 전진역치전압 VF의 값은 측정된다(스텝 203).
그다음, 루움온도에서 주어진 상수 VFO의 값에 의거하여, 역치전압 VF의 값은 번-인동안 리얼타임에서, 산출되고, 이상인자 n의 값과, 온도검출다이오드(38)의 접합온도 Tj, 즉, 반도체칩(34)의 표면온도는 리얼타임에서 산출된다(스텝 204). 따라서, 접합온도 Tj의 전진전압 VF의 변경에 의거하여 정확하게 산출될 수 있다.
제 10 도와 제 11 도는 상술한 제 1 실시예에 의한 번-인장치의 소켓(16)내에 반도체칩(33)를 탑재하는 방법을 도시한다. 번-인 보오드(10)위에 설치된 각 소켓(16)은 베이스(70)와 힌지(74)에 의하여 열릴 수 있게 베이스(70)에 연결된 뚜껑(72)으로 구성된다. 뚜껑(72)에 부착된 레버(76)가 베이스(70)위에 형성된 후크(78)와 록될 때, 베이스(70)는 뚜껑(72)에 의하여 폐쇄된다.
베이스(70)의 중심부내에는 십자형 콘캐비티(concavity),(80)가 형성되어 있다. 복수개의 터미널(82)은 콘캐비티(80)의 아암부의 바닥위에 설치되어 있다.
각 터미널(82)의 일단부는 번-인 보오드(10)의 보오드(14)위에서 배선부에 연결되도록 베이스(70)의 하면에서 돌출된다. 십자형 콘캐비티(80)의 중심부내에는 관통공(84)이 형성된다.
방열 및 전도부재(86)는 스크루우(88)에 의하여 뚜껑(72)의 중심부에 고정된다.
이 부재(86)는 베이스에 대향되는 뚜껑(72)쪽의 플랫패널(90)과, 플랫패널(90)과 일체적으로 형성되고 뚜껑(72)을 통하여 연장된 방열패널(92)로 구성된다.
반도체장치(33)는 그 하면에 설치된 복수개의 터미널(39)을 가진다.
이들 터미널(39)은 반도체장치(33)가 소켓(16)내에 탑재될때 소켓(16)의 해당터미널(82)과 접촉하게 된다. 뚜껑(72)이 콘캐비티(80)내에 반도체장치(33)가 수용된 상태로 폐쇄될때, 방열 및 전도부재(86)의 플랫패널(90)은 반도체장치(33)의 상부면과 접촉하게 되어 반도체장치(33) 또는 반도체칩(34)의 열은 전도 및 방열될 수 있다. 따라서, 방열 및 전도부재(86)의 패널(92)에 가해진 공기의 흐름율은 변경될 수 있으므로 반도체장치(33)의 열방열 및 전도량을 제어하고 또한 그것의 온도를 조정할 수 있다.
반도체칩(34)의 접합온도는 번-인 테스트챔버(12)내의 위치에 따라 변하는 주위 온도 Ta 뿐만 아니라 집적회로(36)의 열발생량과 외부로 집적회로(36)의 방열 및 전도량에 따라 변하고, 또한 열발생량과 방열 및 전도량은 반도체장치(34)의 탑재 조건 등에 따라서 크게 변한다.
그러나, 본 실시예에 있어서, 개별반도체칩(34)위에 설치된 온도검출다이오드(38)의 온도는 개별적으로 감시되고, 모든 반도체칩(34)의 접합온도 Tj는 직접 측정될 수 있다. 따라서, 반도체칩(34) 그들자신의 접합 온도는 복수개의 반도체장치(34)의 각각에 높은 정밀도로 감시될 수 있다.
이들 감시결과에 의거하여, 공기노즐(44)의 공기흐름율은 개별적으로 제어될 수 있어 상대적으로 균일하게 되도록 모든 반도체칩(34)의 표면온도 또는 접합온도 Tj를 매우 정확하게 규제할 수 있다.
즉, 공기흐름율은 많은 반도체칩이 높은 온도를 가지는 면적과 많은 반도체칩이 낮은 온도를 가지는 면적 사이에서 변경될 수 있으므로, 반도체칩의 온도는 균일하게 된다. 특히, 반도체칩이 높은 접합온도를 가질때, 이들 칩에 대한 공기흐름율은 공기흐름 조절수단의 스텝모우터(54)를 제어하여 증가되고, 온도가 적당한 온도범위로 떨어질 때 공기흐름율은 정상작용의 것으로 복귀된다. 그러나, 공기노즐(44)로부터의 공기흐름율 제어에 의한 반도체칩(34)의 접합온도의 그러한 조절에 의해서조차, 사실상 몇몇 접합온도 편차는 번-인 보오드(10)위의 반도체칩(34) 사이에서 일어난다.
이 경우에 있어서, 반도체칩(34)의 집적회로(36)에 대한 동력공급량을 제어장치(60)에 의하여 변경할 수 있으므로, 반도체칩(34)의 열발생은 개별적으로 제어되고 반도체칩(34)의 접합온도는 더욱 균일하게 된다.
집적회로(36)에 대한 동력공급은 실제의 정상작동하에서 동력공급량의 허용범위내에 있게 되는 것은 당연하다. 이러한 방법으로, 정확한 선별을 성취할 수 있다.
본 발명에 포함된 온도센서는 집적회로(36)으로부터 별개로 반도체칩(34)위에 형성된 온도검출다이오드(38)에 한정되는 것이 아니라, 집적회로(36)속에 짜넣어진 어떤 다이오드도 될 수 있다. 그렇지 않으면, 온도센서는 집적회로내에 짜넣어진 트랜지스터가 될 수 있다. 대신에, NiCr 또는 WSi 메탈필름레지스터가 온도센서로서 메탈필름레지스터를 사용하기 위하여 반도체칩위에 형성된다. 더나아가, 공기노즐(44)의 수는 특히 한정되지 않고, 또한 공기흐름율 조절수단은 어떤 형태로 될 수 있다.
제 1 실시예에 있어서, 반도체장치(33)의 접합온도 Tj는 공기노즐(44)로부터 가열된 공기의 흐름율을 제어하여 조절된다.
그러나, 접합온도 Tj는 공기노즐(44)로부터 공기흐름의 온/오프를 선택적으로 제어하여 조절될 수 있다.
제 12 도는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 번-인장치를 도시한다.
제 2 실시예에 의한 번-인장치는 공기흐름의 온/오프제어를 위하여 공기노즐을 개방 및 폐쇄하는 제어수단을 포함한다.
제 12 도의 제 2 실시예는 제 1 실시예의 공기흐름율 조절수단이 공기노즐을 개방 및 폐쇄하기 위한 제어수단으로 대체된 것을 제외하고는 제 3 도 내지 제 11 도에 도시한 제 1 실시예와 같다. 제 1 실시예와 제 2 실시예의 공통부재는 공통부호를 사용하고 그들의 설명은 생략한다.
공기노즐을 개폐하는 제어수단의 여러가지의 형태가 제안될 수 있다.
그러나, 제 13 도에 도시한 바와같이, 이 수단은 결합된 공기노즐(44)내에 설치된 셔터(100)을 가지고, 열린 위치(가상선으로 나타낸)와 폐쇄된 위치(실선으로 나타낸) 사이에서 그것이 회전될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
셔터(100)는 공기노즐(44)로부터 공기흐름의 온/오프를 제어하기 위하여, 링크기구(104)에 의하여 셔터(100)의 회전축(106)에 연결될 솔레노이드작동기(102)와 같은 구동수단에 의하여 회전된다.
작동기(102)는 제어장치(60)에 의하여 제어된다.
제 4 도로 돌아가서, 제 1 실시예와 유사하게, 제어장치(60)는 반도체칩(34)의 집적회로(36)에 동력공급유닛(62)에 의해 공급되는 동력량을 제어하고, 또한 온도검출유닛(64)의 감시결과에 의거하여 공기노즐(44)를 선택적으로 개폐하기 위하여 제 4 도의 구동수단(52)에 대응하는 작동기(102)를 제어한다.
작동시에, 셔터(100)는 결합된 공기노즐(44)이 개방되는 위치를 평상시에 취한다. 그러나, 제어장치(60)는 접합온도 Tj가 적당한 값보다 더낮은 반도체장치(제 12 도에는 도시하진 않음)를 인지할때, 온도검출유닛(64)으로부터의 신호에 의거하여, 제어장치(60)는 이들 반도체장치가 탑재되는 번-인 보오드(10) 부근에서 결합된 공기노즐(44)의 셔터(100)를 회전시키기 위하여 결합작동기(102)에 지령을 공급하고, 결합된 공기노즐(44)에서 공기흐름을 정지시킨다.
따라서, 반도체장치(33)의 방열(heat radiation)은 감소되고 접합온도 Tj는 상승한다. 접합온도 Tj가 적당한 온도범위에 도달했을때, 제어장치(60)는 결합된 공기노즐(44)을 열기 위하여 반대방향으로 셔터(100)를 회전시킨다. 허용범위이내로 동력공급량을 변경하여 반도체장치(33)의 접합온도 Tj를 또한 미세하게 또한 조절할 수 있다.
제 14 도는 본 발명의 제 3 실시예를 도시한다. 이 실시예에서는, 제 3 도의 공기흐름 조절수단 대신에 공기 흐름방향 조절수단이 각각의 공기노즐(44)에 설치된다.
제 14 도와 제 15 도는 각각의 공기노즐(44)내에서 흔들릴 수 있게 탑재된 복수개의 제어플레이트를 포함하는 공기흐름방향 조절수단의 일예를 도시한다.
제어플레이트(110)는 두개의 연결로드(112)에 의하여 서로서로와 평행하게 연결되고 또한 그들의 구동수단인 결합된 스텝모우터(114)에 의하여 그들의 방향을 변경할 수 있다. 제어플레이트(110)의 방향은 변경되므로 결합된 공기노즐(44)로부터 가열된 공기의 방향을 변경할 수 있다.
스텝모우터(114)는 제어장치(60)에 연결된다.
상술한 두개의 실시예에서와 같이, 온도검출유닛(64)의 감시결과에 의거하여, 제 4 도의 구동수단(52)에 대응하는 스텝모우터(114)는 노즐(44)로부터 공기흐름의 방향을 바꾸기 위하여 적당하게 제어된다(제 4 도 참조). 제어장치(60)은 모든 반도체칩의 표면온도 또는 접합온도 Tj를 균일하고 높은 정밀도로 제어하기 위하여 복수개의 공기노즐(44)로부터 공기흐름의 방향을 개별적으로 제어한다.
즉, 많은 반도체가 높은 온도를 가지는 몇개의 면적에서 그리고 많은 반도체가 낮은 온도를 가지는 다른 면적에서 각 공기노즐(44)로부터 공기흐름의 방향이 가변되는 경우에 있어서, 반도체장치(33)의 각 그룹에 다른 흐름율로 공기를 흐르게 하여 반도체장치(33)의 접합온도를 균일하게 만들 수 있다.
구체적으로 말하면, 반도체장치(33)의 한그룹이 적당한 값보다 더높은 접합온도 Tj를 가지는 경우에 있어서, 제어장치(60)는 온도검출유닛(64)의 감시결과에 의거하여 그러한 반도체장치의 존재를 인지하고, 반도체장치(33)와 결합된 방열 및 전도부재(90),(제 10 도 참조)에 공기흐름율을 증가시키며, 또한 결합된 공기노즐(44)내의 제어플레이트(110)의 방향을 변경시키기 위하여 결합된 스텝모우터(114)를 제어한다. 따라서, 방열 및 전도는 반도체장치(33)의 접합온도 Tj를 하강시킨다.
반대로, 접합온도 Tj가 적당한 값보다 더낮게 되는 경우에 있어서, 제어장치(60)는 그러한 장치에 가해진 공기흐름율을 감소시키기 위하여 제어플레이트(110)의 방향을 조정한다. 접합온도 Tj가 적당한 범위에 도달했을때, 제어장치(60)는 제어플레이트(110)를 그들의 평상시의 방향으로 복귀시킨다.
따라서, 정확한 선별(screening)을 할 수 있다.
각각의 번-인 보오드(10)에 대하여 공기흐름율을 조절하는 수단으로서, 공기노즐(44)로부터 공기흐름의 방향을 변경시키는 방법이외에 각각의 번-인 보오드(10)의 방향을 개별적으로 제어하는 방법을 제안한다.
제 16 도는 번-인 보오드의 방향을 제어하는 수단을 포함하는 본 발명의 제 4 실시예에 의한 번-인장치를 도시한다. 제 16 도의 제 4 실시예에 있어서, 번-인 테스트챔버(12)의 상자몸체(24)는 복수개의 공기노즐(120)을 가진다.
히이터(도시하지 않음)로 크로스플로우팬(122)과 같은 송풍기에 의해 발생된 가열공기는 공기노즐(120)을 경유하여 챔버(12)의 내부에 공급된다.
제 17 도에 도시한 바와같이, 각각의 번-인 보오드(10)의 보오드(14)는 번-인 테스트챔버(12)내에 수평으로 설치된 회전축(124)에 고정된다. 회전축(124)은 구동수단인 스텝모우터(126)에 연결되고, 필요각도만큼 회전되도록 제어장치(60)에 의해 제어된다. 소켓(16)은 테스트될 반도체장치를 받기 위하여 보오드(14)에 고정된다.
이 실시예에 있어서, 번-인 보오드(10)가 회전되므로, 소켓(16)의 터미널에 연결된 외부터미널은 연결케이블(128)을 경유하여 번-인 테스트챔버내에 설치되는 보오드 커넥터(30),(제 2 도)에 연결된다.
제 4 도를 돌아가서, 허용가능한 접합온도범위는 제어장치(60)내에서 조작자에 의하여 미리 설정되고 또한 메모리에 의해 저장된다.
번-인 테스트가 개시될때, 각 반도체장치(33)의 온도검출다이오드(38)의 전자특성이 측정되고, 각 반도체장치(33)의 접합온도 Tj는 온도검출다이오드(64)에 의하여 개별적으로 감시된다. 그다음, 제어장치(60)는 각 반도체장치(33)의 접합온도(Tj)의 실질적인 측정값을 소정치(preset values)와 비교한다.
번-인 테스트는 각 반도체장치(33)의 접합온도 Tj의 실질적인 측정값이 소정치를 초과할 때까지 그들의 최초위치 또는 수직위치에 번-인 보오드(10)의 방향이 유지된 상태로 계속된다.
몇몇 반도체장치(33)의 실제의 측정값이 소정치를 초과한 경우에 있어서, 그러한 반도체장치(33)와 결합된 번-인 보오드(10)는 접합온도 Tj를 적당한 범위내에 있게 수정하기 위하여 회전된다.
즉, 번-인 보오드(10)위의 소켓(16)이 결합된 공기노즐(120)로 향하게 되면, 결합된 소켓(16)에 가해질 공기흐름율은 증가되므로 각 소켓(16)내의 반도체장치(33)의 온도를 하강시킨다.
이러한 방법에 있어서, 다른 목적의 테스트로 선별테스트의 축소는 예방될 수 있고, 정확한 선별을 할 수 있다. 번-인 테스트가 실행되는 번-인 테스트챔버(12)내의 주위온도 Ta는 내부위치 사이에서 변하므로, 히이터와 공기노즐(120)의 위치와 방향, 그리고 공기의 흐름율 등에 따라, 몇몇의 반도체장치(33)는 높은 온도를 가지고 다른 것들(33)은 낮은 온도를 가지는 일이 발생할 수 있다.
그러나, 그러한 경우에 있어서, 반도체장치의 온도를 번-인 보오드(10)의 방향이 스텝모우터(126)에 의하여 변경될 수 있기 때문에 균일하게 될 수 있고, 소켓에 가해질 공기흐름율과 그에 따른 반도체장치(33)에 가해질 공기흐름율은 각 반도체장치의 방열과 전도량을 개별적으로 제어하기 위하여 조절된다.
그결과, 번-인 테스트는 불필요하게 높은 온도 또는 낮은 온도에서는 실행되지 않아 정확한 선별을 할 수 있다.
제 18 도와 제 19 도는 본 발명의 제 5 실시예에 의한 번-인장치를 도시한다.
이 실시예에 있어서, 가이드파이프(130)는 각각의 공기노즐(44)내에서 슬라이드할 수 있다. 가이드파이프(130)는 피니온과 랙기구(134)와 같은 전동기구를 경유하여 구동수단으로서의 스텝모우터(132)에 연결된다.
스텝모우터(132)가 구동될때, 가이드파이프(130)는 개구부를 가져오기 위하여 또는 번-인 보오드(10)로부터 접근 또는 이반하게 그것의 끝단부로 공기출구를 가져오도록 수직으로 슬라이드된다.
스텝모우터(132)는 제어장치(60)에 연결되어 그것에 의해 제어된다.
상술한 실시예에서와 같이, 제어장치(60)는 온도조절수단(64)의 감시결과에 의하여 동력공급유닛(62)에 의하여 집적회로(36)에 공급될 동력량을 제어하고, 또한 제 4 도의 구동수단(52)에 대응하는 스텝모우터(132)를 제어한다.
제어장치(60)는 번-인 테스트용 접합온도의 허용가능한 범위를 저장하고, 동력공급유닛(62)과 스텝모우터(132)를 제어할 목적으로 온도검출유닛(64)의 감시결과를 비교하기 위하여 프로그램되어 있다.
제어장치(60)는 온도검출유닛(64)의 감시결과에 의거하여 많은 반도체장치가 높은 접합온도 Tj를 가지는 면적과 많은 반도체장치가 낮은 온도를 가지는 면적을 인지하고, 이러한 인지에 의거하여, 결합된 가이드파이프(130)를 슬라이드시키기 위하여 스텝모우터(32)를 제어한다.
따라서, 결합된 공기노즐(44)의 공기출구의 위치가 변경되어 접합온도 Tj를 균일하게 만들 수 있다. 상세하게, 몇개의 반도체장치(33)가 높은 접합온도 Tj를 가지는 경우에 있어서, 이들 반도체장치 부근의 가이드파이프(13)는 공기출구를 장치(33)에 접근시키기 위하여 결합된 공기노즐(44)에서 돌출된다.
따라서, 반도체장치(33)에 대한 공기흐름율은 증가되고, 장치의 방열 및 전도는 접합온도 Tj를 하강시킨다.
접합온도 Tj가 적당한 범위까지 하강될때, 가이드파이프는 그것의 정상위치까지 철수된다. 역으로, 몇개의 반도체장치(33)가 낮은 접합온도 Tj를 가지는 경우에 있어서, 이들 장치(33) 근처의 가이드파이프는 장치(33)으로부터 멀리 이동된다.
제 20 도는 본 발명의 제 6 실시예에 의한 번-인장치를 도시한다.
이 실시예에 있어서, 히이터(140)가 번-인 테스트챔버(12)내의 온도를 증가시키기 위하여 각각의 공기노즐(44)내에 설치된다. 히이터(140)는 그것의 열발생량을 변경시키는 제어장치(60)에 의하여 제어될 전압조절회로(142)를 경유하여 제어장치(60)에 연결된다.
제 4 도를 다시 참조하여, 제어장치(60)는 제 4 도에서 구동수단(52)에 대응하는 전압조절회로(142)를 제어하고 히이터의 열발생량을 조절하기 위하여 온도검출유닛(64)으로부터의 감시결과를 번-인 테스트용 접합온도 Tj의 미리 저장된 허용가능한 범위와 비교한다.
따라서, 공기흐름의 온도는 많은 반도체장치가 높은 접합온도를 가지는 면적과 많은 반도체장치가 낮은 접합온도를 가지는 면적 사이에서 변화될 수 있다.
따라서, 접합온도는 균일하게 될 수 있다. 상세하게 말하면, 높은 접합온도를 가지는 반도체장치(33)에 대하여, 장치(33) 부근에 있는 공기노즐(44)내의 히이터(140)의 열발생량은 고온의 공기흐름을 공급하기 위하여 증가된다.
한편, 낮은 온도를 가지는 반도체장치(33)에 대하여, 반도체장치(33) 부근의 공기노즐(44)내의 히이터(140)의 온도는 하강되어 저온의 공기흐름을 공급한다. 모든 장치(33)의 접합온도가 적당한 범위에 도달할때, 히이터는 정상작용에서의 히이터온도를 복귀된다.
이 경우에 있어서 역시, 제어장치(60)는 그들의 접합온도를 미세하게 조절하기 위하여 각 반도체장치(33)의 집적회로(36)에 대한 동력공급량을 변경할 목적으로 동력공급유닛(62)을 제어한다. 따라서, 정확한 선별을 성취할 수 있다.
이렇게 기술한 본 발명으로부터, 본 발명은 많은 방식으로 변형될 수 있음은 명백하다. 그러한 변형들은 본 발명의 정신과 범위에서 벗어나는 것으로 간주되어서는 아니되며, 본 기술분야에서 숙련된 사람들에게 자명하게될 그러한 모든 변형들은 다음에 기재하는 특허청구범위내에 포함된다.

Claims (27)

  1. 복수개의 공기노즐을 가지는 번-인 테스트챔버와, 각각이 적어도 하나의 반도체칩을 포함하는 복수개의 반도체장치를 탑재하기 위하여 상기 번-인 테스트챔버내에 배치되는 적어도 하나의 번-인 보오드와 ; 반도체칩의 접합온도를 개별적으로 측정하기 위하여 각각의 반도체칩내에 짜넣어진 온도센서의 전자특성을 검출하는 측정수단과 ; 반도체칩의 접합온도를 조절하기 위하여 반도체칩의 방열과 전도량을 제어하는 온도조절수단과 ; 그리고 반도체칩의 접합온도가 소정의 온도범위이내에 있도록 상기 수단을 상기 측정수단의 출력에 의거하여 제어하는 제어수단을 구비하는 번-인장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 온도조절수단은 각각 상기 공기노즐로부터 공기흐름율을 조절하기 위하여 상기 공기노즐속에 배치되는 공기흐름율 조절수단을 포함하고, 상기 제어수단은 상기 공기흐름율 조절수단을 개별적으로 제어하는 번-인 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 온도조절수단은 상기 공기노즐로부터 각각 공기흐름의 온/오프를 제어하기 위하여 상기 공기노즐에 배치되고 상기 공기노즐의 개방 및 폐쇄를 제어하는 개방 및 폐쇄제어수단을 포함하고, 상기 제어수단은 상기 개방 및 폐쇄제어수단을 개별적으로 제어하는 번-인장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 온도조절수단은 상기 공기노즐의 공기흐름방향을 각각 변경시키기 위하여 상기 공기노즐내에 배치되는 공기흐름방향 조절수단을 포함하고, 제어수단은 개별적으로 상기 공기흐름 조절수단을 제어하는 번-인장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 온도조절수단은 상기 반도체장치로 그리고 그것으로부터 멀리 상기 공기노즐의 공기출구를 이동시키기 위하여 각각 상기 공기노즐내에 배치되는 공기출구위치 변경수단을 포함하고 상기 제어수단은 개별적으로 상기 공기출구 위치변경수단을 제어하는 번-인장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 온도제어수단은 각각 상기 노즐로부터 공기흐름의 온도를 조절하기 위하여 상기 공기노즐속에 배치되는 가열수단을 포함하고, 상기 제어수단은 개별적으로 상기 가열수단을 제어하는 번-인장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 번-인 보오드는 상기 번-인 테스트챔버내에 회전가능하게 설치되고, 상기 온도조절수단은 상기 번-인 보오드의 방위를 상기 공기노즐의 공기흐름방향으로 변경시키기 위하여 상기 번-인 보오드를 회전시키는 회전수단을 포함하며, 상기 제어수단은 상기 회전수단을 개별적으로 제어하는 번-인장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 반도체칩에 전력을 공급하는 동력공급수단과, 그리고 반도체칩의 열발생을 개별적으로 제어하고 반도체칩의 접합온도를 소정의 온도범위이내에 유지하기 위하여 상기 측정수단의 출력에 의거하여 상기 동력공급수단을 제어하는 제 2의 제어수단을 포함하는 번-인장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 온도센서의 각각은 반도체칩의 각각 위에 형성된 쇼트키접합다이오드인 번-인장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 온도센서의 각각은 반도체칩의 각각 위에 형성된 Pn 접합다이오드인 번-인장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 온도센서의 각각은 반도체칩의 각각 위에 형성된 트랜지스터인 번-인장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 온도센서의 각각은 반도체칩의 각각 위에 형성된 메탈필름레지스터인 번-인장치.
  13. 제 1 항에 있어서 상기 측정수단은 고유전류치를 생산하는 전압값을 측정하고 그것에 의하여 결합된 반도체장치의 접합온도를 측정하기 위하여 상기 온도센서의 각각에 여러 가지의 전압을 인가하는 번-인장치.
  14. 복수개의 공기노즐을 구비한 번-인 테스트챔버내에 복수개의 반도체장치를 가진 적어도 하나의 번-인 보오드를 배치하는 공정과, 그리고 반도체장치의 각각은 온도센서가 짜넣어진 상태로 적어도 하나의 반도체칩을 포함하고 ; 반도체칩의 접합온도를 개별적으로 측정하기 위하여 온도센서의 전자특성을 검출하는 공정과 ; 그리고 반도체칩의 접합온도의 측정결과가 소정의 범위내에 있도록 반도체칩의 방열 및 전도량을 제어하는 공정을 구비하는 번-인방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 반도체칩의 방열 및 전도량은 상기 공기노즐의 공기흐름율을 개별적으로 제어하여 제어되는 번-인방법.
  16. 제 14 항에 있어서, 반도체칩의 방열 및 전도량은 상기 공기노즐로부터 공기흐름의 온/오프를 개별적으로 제어하여 제어되는 번-인방법.
  17. 제 14 항에 있어서, 반도체칩의 방열 및 전도량은 상기 공기노즐로부터 공기흐름의 방향을 개별적으로 제어하여 제어되는 번-인방법.
  18. 제 14 항에 있어서, 반도체칩의 방열 및 전도량은 반도체장치에 대하여 상기 공기노즐의 공기출구위치를 개별적으로 제어하여 제어되는 번-인방법.
  19. 제 14 항에 있어서, 반도체칩의 방열 및 전도량은 상기 공기노즐로부터 공기흐름의 온도를 개별적으로 제어하여 제어되는 번-인방법.
  20. 제 14 항에 있어서, 상기 번-인 보오드는 상기 번-인 테스트챔버내에 회전가능하게 설치되고, 반도체칩의 방열 및 전도량은 상기 공기노즐의 공기흐름방향으로 상기 번-인 보오드의 방위를 변경시키기 위하여 상기 번-인 보오드를 회전시켜 제어되는 번-인방법.
  21. 제 14 항에 있어서, 각 반도체칩의 접합온도의 측정결과를 소정범위내에 유지하기 위하여 반도체칩에 공급되는 전력을 제어하는 공정을 포함하는 번-인방법.
  22. 제 14 항에 있어서, 각 반도체칩의 접합온도는 필요한 매개변수에 의거하여 반도체칩과 결합된 상기 온도센서의 전자특성으로부터 얻어지는 번-인방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 온도센서는 쇼트키접합다이오드이고, 그것의 접합온도를 얻기 위한 각 온도센서의 매개변수는 고유값의 미소한 전류가 흐르게 하는 고유접합온도에서 인가된 전압이며, 인가된 전압의 온도계수와 매개변수는 고유값의 미소한 전류가 흐르게 하기 위하여 반도체장치가 공급되지 않은 상태로 여러 가지의 주위온도에서 측정하여 산출되는 번-인방법.
  24. 제 22 항에 있어서, 상기 온도센서는 쇼트키접합다이오드이고, 그것의 접합온도를 얻는 각 온도센서의 매개변수는 미세한 전류가 흐르게 하는 고유접합온도에서 인가된 전압이며, 다음식에서의 n 값과 매개변수는 반도체장치가 공급되지 않은 상태에서 여러가지 값의 미소한 전류를 일으키는 루움온도에서 인가된 전압을 측정하고, 또한 다음식
    IF: 전진전류
    VF: 전진전압
    S : 쇼트키접합면적
    A*: 유효리처드슨상수
    T : 절대온도
    K : 볼츠만상수
    q : 전자전하
    ψB: 장벽높이
    에의하여 표현된 관계를 사용하여 산출되는 번-인방법.
  25. 제 22 항에 있어서, 상기 온도센서는 pn 접합다이오드이고, 그것의 접합온도를 얻는 각 온도센서의 매개변수는 고유값의 미소한 전류가 흐르게 하는 고유접합온도에서 인가된 전압이며, 인가된 전압의 온도계수와 매개변수는 반도체장치가 공급되지 않은 상태로 여러가지의 주위 온도에서 고유치의 미소한 전류가 흐르게 하는 인가전압을 측정하여 산출되는 번-인방법.
  26. 제 22 항에 있어서, 상기 온도센서는 트랜지스터이고, 각 온도센서의 접합온도를 얻는 매개변수는 고유값의 미소한 전류를 일으키는 고유접합온도에서 인가전압이며, 인가전압의 온도계수와 매개변수는 반도체장치가 공급되지 않은 상태로 여러가지의 주위온도에서 고유값의 미소한 전류가 흐르게 하는 인가전압을 측정하는 산출되는 번-인방법.
  27. 제 22 항에 있어서, 상기 온도센서는 메탈필름이고, 각 온도센서의 접합온도를 얻는 매개변수는 고유값의 미소한 전류가 흐르게 하는 고유접합온도에서의 인가전압이며, 인가전압의 온도계수와 매개변수는 반도체장치가 공급되지 않은 상태로 여러 가지의 주위온도에서 고유값의 미소한 전류가 흐르게 하는 인가전압을 측정하여 산출되는 번-인방법.
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