JPH0536786A - バーンイン方法および装置 - Google Patents
バーンイン方法および装置Info
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- JPH0536786A JPH0536786A JP3192295A JP19229591A JPH0536786A JP H0536786 A JPH0536786 A JP H0536786A JP 3192295 A JP3192295 A JP 3192295A JP 19229591 A JP19229591 A JP 19229591A JP H0536786 A JPH0536786 A JP H0536786A
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バーンイン試験の歩留りと高精度化を図る。
【構成】 半導体チップを内部に有する被試験デバイス
としての複数の半導体デバイスを複数の送風口を有する
試験容器内の所定温度の環境下に置き、複数の半導体チ
ップに通電することで試験を行なう。ここで、複数の半
導体チップのそれぞれに温度センサをあらかじめ形成し
ておき、試験中に複数の温度センサの電気特性を検出す
ることにより複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定
する。そして、温度の測定結果にもとづき、複数の半導
体デバイスの温度が略同一となるよう、複数の送風口に
おける風向きを独立に制御する。
としての複数の半導体デバイスを複数の送風口を有する
試験容器内の所定温度の環境下に置き、複数の半導体チ
ップに通電することで試験を行なう。ここで、複数の半
導体チップのそれぞれに温度センサをあらかじめ形成し
ておき、試験中に複数の温度センサの電気特性を検出す
ることにより複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定
する。そして、温度の測定結果にもとづき、複数の半導
体デバイスの温度が略同一となるよう、複数の送風口に
おける風向きを独立に制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバーンイン方法および装
置に関し、特に、被試験デバイスたる半導体デバイスに
温度負荷と電気負荷を与えるバーンイン（高温連続動
作）試験に使用される。
置に関し、特に、被試験デバイスたる半導体デバイスに
温度負荷と電気負荷を与えるバーンイン（高温連続動
作）試験に使用される。
【０００２】
【従来の技術】バーンイン試験は、半導体デバイスの寿
命予測やスクリーニング工程における初期故障の検出に
不可欠のものである。一般に、バーンイン試験は次のよ
うにして行なわれる。図６はバーンインボード１の斜視
図である。耐熱性の樹脂等からなるボード２上には、被
試験デバイスたる半導体デバイス（図示せず）がセット
される複数のソケット３が設けられ、ボード２の一端に
は外部と電気接触をとる外部端子４が設けられている。
また、ボード２の他端には、オペレータがバーンインボ
ード１を操作するための取手５が設けられている。そし
て、ソケット３の端子（図示せず）と外部端子４は、ボ
ード２上の配線（一部のみ図示）によって接続される。
命予測やスクリーニング工程における初期故障の検出に
不可欠のものである。一般に、バーンイン試験は次のよ
うにして行なわれる。図６はバーンインボード１の斜視
図である。耐熱性の樹脂等からなるボード２上には、被
試験デバイスたる半導体デバイス（図示せず）がセット
される複数のソケット３が設けられ、ボード２の一端に
は外部と電気接触をとる外部端子４が設けられている。
また、ボード２の他端には、オペレータがバーンインボ
ード１を操作するための取手５が設けられている。そし
て、ソケット３の端子（図示せず）と外部端子４は、ボ
ード２上の配線（一部のみ図示）によって接続される。
【０００３】このようなバーンインボード１は、図７の
ようにバーンイン試験容器６にセットされる。すなわ
ち、バーンイン試験容器６は本体たる筐体６１に蓋体６
２がヒンジ機構６３によって結合された構造をなし、内
部に設けられたボードコネクタ６４の挿入スリット６５
にバーンインボード１が差し込まれる。これにより、バ
ーンインボード１の外部端子４とボードコネクタ６４の
端子（図示せず）との接続がとられる。この接続を介し
て、半導体デバイスへの通電が図示しない通電装置によ
りなされる。なお、図示しないが、バーンイン試験容器
６には温度調整装置が付設されており、通常は、バーン
イン試験容器６の内部に温風を供給するか、あるいはヒ
ータを設ける構造となっている。
ようにバーンイン試験容器６にセットされる。すなわ
ち、バーンイン試験容器６は本体たる筐体６１に蓋体６
２がヒンジ機構６３によって結合された構造をなし、内
部に設けられたボードコネクタ６４の挿入スリット６５
にバーンインボード１が差し込まれる。これにより、バ
ーンインボード１の外部端子４とボードコネクタ６４の
端子（図示せず）との接続がとられる。この接続を介し
て、半導体デバイスへの通電が図示しない通電装置によ
りなされる。なお、図示しないが、バーンイン試験容器
６には温度調整装置が付設されており、通常は、バーン
イン試験容器６の内部に温風を供給するか、あるいはヒ
ータを設ける構造となっている。
【０００４】なお、バーンイン試験容器６の内部温度す
なわち被試験デバイスたる半導体デバイスの環境温度Ｔ
a は、筐体６１の内壁近傍などに設けられた温度センサ
により測定されている。この測定温度をモニタし、温度
調整装置をコントロールすることで、従来はバーンイン
試験を行なっている。
なわち被試験デバイスたる半導体デバイスの環境温度Ｔ
a は、筐体６１の内壁近傍などに設けられた温度センサ
により測定されている。この測定温度をモニタし、温度
調整装置をコントロールすることで、従来はバーンイン
試験を行なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、下記の理由でバーンイン試験を好適に行
なうことができなかった。すなわち、従来技術でリアル
タイムにモニタできるのは被試験デバイスの環境温度Ｔ
a であり、これは半導体チップの表面温度、とりわけｐ
ｎ接合部分、あるいはショットキ接合部分などにおける
ジャンクション温度Ｔj とは一致しない。半導体デバイ
スの故障は、このジャンクション温度Ｔj に依存するた
め、従来は、環境温度Ｔａを測定した結果からジャンク
ション温度Ｔj を推定し、バーンイン試験を行なってい
た。ところが、この環境温度Ｔa とジャンクション温度
Ｔj の関係を調べるのは極めて繁雑な作業を要し、半導
体デバイスのサイズ、形式、仕様などが異なるごとに別
の推定作業が必要になる。このため、簡単かつ精度の良
いバーンイン試験を行なうことが困難であった。また、
環境温度Ｔa は試験容器６内の位置によって異なり、各
々の半導体デバイスの発熱量も同一でないので、同一条
件下で多数のデバイスのスクリーニングを行なうのは容
易でなかった。
従来技術では、下記の理由でバーンイン試験を好適に行
なうことができなかった。すなわち、従来技術でリアル
タイムにモニタできるのは被試験デバイスの環境温度Ｔ
a であり、これは半導体チップの表面温度、とりわけｐ
ｎ接合部分、あるいはショットキ接合部分などにおける
ジャンクション温度Ｔj とは一致しない。半導体デバイ
スの故障は、このジャンクション温度Ｔj に依存するた
め、従来は、環境温度Ｔａを測定した結果からジャンク
ション温度Ｔj を推定し、バーンイン試験を行なってい
た。ところが、この環境温度Ｔa とジャンクション温度
Ｔj の関係を調べるのは極めて繁雑な作業を要し、半導
体デバイスのサイズ、形式、仕様などが異なるごとに別
の推定作業が必要になる。このため、簡単かつ精度の良
いバーンイン試験を行なうことが困難であった。また、
環境温度Ｔa は試験容器６内の位置によって異なり、各
々の半導体デバイスの発熱量も同一でないので、同一条
件下で多数のデバイスのスクリーニングを行なうのは容
易でなかった。
【０００６】そこで本発明は、バーンイン試験が同時に
施される複数の被試験デバイス中のチップ自体の温度
を、精度よくコントロールできるバーンイン方法および
装置を提供することを目的とする。
施される複数の被試験デバイス中のチップ自体の温度
を、精度よくコントロールできるバーンイン方法および
装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
を内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デ
バイスを複数の送風口を有する試験容器内の所定温度の
環境下に置き、複数の半導体チップに通電することで試
験を行なうバーンイン方法において、複数の半導体チッ
プのそれぞれに温度センサをあらかじめ形成しておき、
試験中に複数の温度センサの電気特性を検出することに
より複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定し、温度
の測定結果にもとづき、複数の半導体デバイスの温度が
略同一となるよう複数の送風口における風の吹き出し方
向を独立に制御することを特徴とする。
を内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デ
バイスを複数の送風口を有する試験容器内の所定温度の
環境下に置き、複数の半導体チップに通電することで試
験を行なうバーンイン方法において、複数の半導体チッ
プのそれぞれに温度センサをあらかじめ形成しておき、
試験中に複数の温度センサの電気特性を検出することに
より複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定し、温度
の測定結果にもとづき、複数の半導体デバイスの温度が
略同一となるよう複数の送風口における風の吹き出し方
向を独立に制御することを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、半導体チップを内部に有
する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスが収
容され、複数の送風口を有する試験容器と、複数の半導
体チップに電力を供給する通電手段とを備えるバーンイ
ン装置において、複数の半導体チップのそれぞれにあら
かじめ形成された温度センサの電気特性を試験中に検出
することにより、当該複数の半導体チップの温度をそれ
ぞれ測定する測定手段と、この測定手段の出力にもとづ
き、複数の半導体チップの温度が略同一となるよう、複
数の送風口からの送風方向を独立に設定する制御手段と
を備えることを特徴とする。
する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスが収
容され、複数の送風口を有する試験容器と、複数の半導
体チップに電力を供給する通電手段とを備えるバーンイ
ン装置において、複数の半導体チップのそれぞれにあら
かじめ形成された温度センサの電気特性を試験中に検出
することにより、当該複数の半導体チップの温度をそれ
ぞれ測定する測定手段と、この測定手段の出力にもとづ
き、複数の半導体チップの温度が略同一となるよう、複
数の送風口からの送風方向を独立に設定する制御手段と
を備えることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明のバーンイン方法によれば、半導体デバ
イス内部の半導体チップ自体に温度センサが各デバイス
ごとに設けられ、これをモニタし、その結果に応じて送
風方向を送風口ごとに設定しているため、複数の半導体
チップにおける風量がコントロールされ、したがって各
々のチップ自体の温度を精度よく略均一にコントロール
できる。
イス内部の半導体チップ自体に温度センサが各デバイス
ごとに設けられ、これをモニタし、その結果に応じて送
風方向を送風口ごとに設定しているため、複数の半導体
チップにおける風量がコントロールされ、したがって各
々のチップ自体の温度を精度よく略均一にコントロール
できる。
【００１０】また、本発明のバーンイン装置では、測定
手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモ
ニタし、その結果にもとづいて複数の送風口における風
向が設定される。したがって、制御手段に風向制御によ
って温度均一化のコントロールをするためのプログラム
を設定しておくことで、自動的に精度よく略均一の温度
コントロールができることになる。
手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモ
ニタし、その結果にもとづいて複数の送風口における風
向が設定される。したがって、制御手段に風向制御によ
って温度均一化のコントロールをするためのプログラム
を設定しておくことで、自動的に精度よく略均一の温度
コントロールができることになる。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面により本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１２】図１は実施例に係るバーンイン装置の送風
系の概念図であり、図２は温度検出および通電系の概念
図である。バーンイン試験容器６の内部には複数のバー
ンインボード１が設けられ、これには半導体チップ７1
〜７3 を内部に有する半導体デバイス（図示せず）がソ
ケット３1 〜３3 によってセットされ、この半導体チッ
プ７1 〜７3 には集積回路７１1 〜７１3 と温度センサ
としての温度検出用ダイオード７２1 〜７２3 が形成さ
れている。バーンイン試験容器６には温度調整装置とし
ての送風機８１と送風方向制御部８２ａ〜８２ｃが付設
され、温風の供給方向がコントロールされるようになっ
ている。半導体チップ７の集積回路７１には通電装置９
１から独立に電気負荷が与えられるようになっており、
温度検出用ダイオード７２の電気特性（特に立ち上がり
電圧ＶF の変化）は温度検出器９２で個別にモニタさ
れ、ジャンクション温度Ｔj がデバイスごとに測定され
るようになっている。
系の概念図であり、図２は温度検出および通電系の概念
図である。バーンイン試験容器６の内部には複数のバー
ンインボード１が設けられ、これには半導体チップ７1
〜７3 を内部に有する半導体デバイス（図示せず）がソ
ケット３1 〜３3 によってセットされ、この半導体チッ
プ７1 〜７3 には集積回路７１1 〜７１3 と温度センサ
としての温度検出用ダイオード７２1 〜７２3 が形成さ
れている。バーンイン試験容器６には温度調整装置とし
ての送風機８１と送風方向制御部８２ａ〜８２ｃが付設
され、温風の供給方向がコントロールされるようになっ
ている。半導体チップ７の集積回路７１には通電装置９
１から独立に電気負荷が与えられるようになっており、
温度検出用ダイオード７２の電気特性（特に立ち上がり
電圧ＶF の変化）は温度検出器９２で個別にモニタさ
れ、ジャンクション温度Ｔj がデバイスごとに測定され
るようになっている。
【００１３】制御装置９３は温度検出器９２のモニタ結
果にもとづき、通電装置９１による通電量と送風口８３
ａ〜８３ｃからの送風方向を、送風方向制御部８２ａ〜
８２ｃを介してコントロールしている。なお、この送風
方向制御は送風口８３ａ〜８３ｃに設けられた制御板８
４ａ〜８４ｃをスイング駆動することでなされる。ま
た、制御装置９３にはバーンイン試験におけるジャンク
ション温度Ｔj の許容範囲が記憶され、モニタ結果と対
比して通電装置９１のコントロールと、温度調整装置に
おける制御板８４ａ〜８４ｃの方向のコントロールをす
るようあらかじめプログラムされている。
果にもとづき、通電装置９１による通電量と送風口８３
ａ〜８３ｃからの送風方向を、送風方向制御部８２ａ〜
８２ｃを介してコントロールしている。なお、この送風
方向制御は送風口８３ａ〜８３ｃに設けられた制御板８
４ａ〜８４ｃをスイング駆動することでなされる。ま
た、制御装置９３にはバーンイン試験におけるジャンク
ション温度Ｔj の許容範囲が記憶され、モニタ結果と対
比して通電装置９１のコントロールと、温度調整装置に
おける制御板８４ａ〜８４ｃの方向のコントロールをす
るようあらかじめプログラムされている。
【００１４】図３は上記実施例における半導体チップ７
の斜視構成（同図（ａ）参照）と、温度検出用ダイオー
ド７２のＩ−Ｖ特性（同図（ｂ）参照）を示している。
図示の通り、半導体チップ７には集積回路７１と温度検
出用ダイオード７２が形成されると共に、集積回路７１
に接続された通電用パッド７３と、温度検出用ダイオー
ド７２のアノードおよびカソードに接続されたモニタ用
パッド７４が設けられている。このような半導体チップ
７はフラットパッケージとして、あるいはリードレスチ
ップキャリア（ＬＣＣ）としてパッケージングされ、被
試験デバイスとしての半導体デバイスが構成される。こ
のような半導体チップ７における温度モニタは、温度検
出用ダイオード７２のＩ−Ｖ特性の観測によりなされ
る。すなわち、図２（ａ）に示すＩ−Ｖ特性の立ち上が
り電圧ＶF は、温度によってリニアに変化するので、こ
の立ち上がり電圧ＶF の変化からジャンクション温度Ｔ
j を正確に求めることができる。
の斜視構成（同図（ａ）参照）と、温度検出用ダイオー
ド７２のＩ−Ｖ特性（同図（ｂ）参照）を示している。
図示の通り、半導体チップ７には集積回路７１と温度検
出用ダイオード７２が形成されると共に、集積回路７１
に接続された通電用パッド７３と、温度検出用ダイオー
ド７２のアノードおよびカソードに接続されたモニタ用
パッド７４が設けられている。このような半導体チップ
７はフラットパッケージとして、あるいはリードレスチ
ップキャリア（ＬＣＣ）としてパッケージングされ、被
試験デバイスとしての半導体デバイスが構成される。こ
のような半導体チップ７における温度モニタは、温度検
出用ダイオード７２のＩ−Ｖ特性の観測によりなされ
る。すなわち、図２（ａ）に示すＩ−Ｖ特性の立ち上が
り電圧ＶF は、温度によってリニアに変化するので、こ
の立ち上がり電圧ＶF の変化からジャンクション温度Ｔ
j を正確に求めることができる。
【００１５】図４および図５は、上記実施例のバーンイ
ン装置において、被試験デバイスたる半導体デバイス７
０をソケット３にマウントする様子を示し、図３は斜視
図、図４は断面図である。ソケット３は基体３１と蓋体
３２を有し、これらはヒンジ３３により開閉自在に結合
され、レバー３４とフック３５の係合により閉じられ
る。基体３１の中央部には貫通口３６が形成されると上
に、上面から十字状の凹部３７が形成され、ここに端子
３８が設けられる。そして、端子３８の一端は基体３１
の下面に突出し、バーンインボード１上の配線に接続さ
れている。また、蓋体３２の中央部には、放熱部材３９
がねじ止めされている。一方、半導体デバイス７０の底
面には端子７６が設けられ、ソケット３にマウントされ
ることでソケット３の端子３８と接触する。半導体デバ
イス７０を凹部３７にマウントし、蓋体３２を閉じる
と、放熱部材３９の底面が半導体デバイス７０の上面に
接触し、放熱が達成される。したがって、風量によって
放熱量がコントロールされ、結果として、デバイス温度
がコントロールされる。
ン装置において、被試験デバイスたる半導体デバイス７
０をソケット３にマウントする様子を示し、図３は斜視
図、図４は断面図である。ソケット３は基体３１と蓋体
３２を有し、これらはヒンジ３３により開閉自在に結合
され、レバー３４とフック３５の係合により閉じられ
る。基体３１の中央部には貫通口３６が形成されると上
に、上面から十字状の凹部３７が形成され、ここに端子
３８が設けられる。そして、端子３８の一端は基体３１
の下面に突出し、バーンインボード１上の配線に接続さ
れている。また、蓋体３２の中央部には、放熱部材３９
がねじ止めされている。一方、半導体デバイス７０の底
面には端子７６が設けられ、ソケット３にマウントされ
ることでソケット３の端子３８と接触する。半導体デバ
イス７０を凹部３７にマウントし、蓋体３２を閉じる
と、放熱部材３９の底面が半導体デバイス７０の上面に
接触し、放熱が達成される。したがって、風量によって
放熱量がコントロールされ、結果として、デバイス温度
がコントロールされる。
【００１６】上記実施例によれば、半導体チップ７自体
の温度を、複数のチップのいずれについても極めて精度
よくモニタできる。すなわち、この半導体チップ７自体
の温度は、試験装置内部の位置によって異なる環境温度
Ｔa に依存するだけでなく、集積回路７１における発熱
と外部への放熱にも依存し、この発熱量および放熱量は
装着状態等によるバラツキが極めて大きい。ところが、
本実施例では、半導体チップ７に設けた温度検出用ダイ
オード７２のジャンクション温度Ｔj を個別のモニタし
ているので、全ての半導体チップ７の温度の直接測定が
できる。
の温度を、複数のチップのいずれについても極めて精度
よくモニタできる。すなわち、この半導体チップ７自体
の温度は、試験装置内部の位置によって異なる環境温度
Ｔa に依存するだけでなく、集積回路７１における発熱
と外部への放熱にも依存し、この発熱量および放熱量は
装着状態等によるバラツキが極めて大きい。ところが、
本実施例では、半導体チップ７に設けた温度検出用ダイ
オード７２のジャンクション温度Ｔj を個別のモニタし
ているので、全ての半導体チップ７の温度の直接測定が
できる。
【００１７】したがって、このモニタ結果を用いること
により、複数の送風口８３ａ〜８３ｃにおける風向きを
独立にコントロールして、全体の半導体チップ７の表面
温度（ジャンクション温度Ｔj ）を精度よく均一にコン
トロールできる。すなわち、温度の高いデバイスの多い
部分と温度の低いデバイスの多い部分とがあるときは、
個々の送風口８３ａ〜８３ｃで送風方向を異ならせるこ
とにより、結果として各々のデバイスにおける風量を異
ならせて、温度の均一化が図られる。具体的には、高温
のデバイスがあるときは、ここでの風量が増加するよう
に風向きを設定し、温度が適正値に下ったら定常運転の
風向きに戻せばよい。これにより、スクリーニングの正
確化と、歩留りの向上を同時に実現できる。
により、複数の送風口８３ａ〜８３ｃにおける風向きを
独立にコントロールして、全体の半導体チップ７の表面
温度（ジャンクション温度Ｔj ）を精度よく均一にコン
トロールできる。すなわち、温度の高いデバイスの多い
部分と温度の低いデバイスの多い部分とがあるときは、
個々の送風口８３ａ〜８３ｃで送風方向を異ならせるこ
とにより、結果として各々のデバイスにおける風量を異
ならせて、温度の均一化が図られる。具体的には、高温
のデバイスがあるときは、ここでの風量が増加するよう
に風向きを設定し、温度が適正値に下ったら定常運転の
風向きに戻せばよい。これにより、スクリーニングの正
確化と、歩留りの向上を同時に実現できる。
【００１８】例えば５０Ｗ発熱の複数の半導体デバイス
のスクリーニングで、温度抵抗θja＝２℃／Ｗであると
きには、ジャンクション温度Ｔｊ＝１５０℃にしたいと
きは環境温度Ｔa ＝５０℃に設定すればよい。そして、
あるデバイスの温度が１６０℃になったときは、ここで
の風量を増加させるように風向きをコントロールして温
度が１５０℃に戻ったら、定常の風量になるよう風向き
を設定すればよい。
のスクリーニングで、温度抵抗θja＝２℃／Ｗであると
きには、ジャンクション温度Ｔｊ＝１５０℃にしたいと
きは環境温度Ｔa ＝５０℃に設定すればよい。そして、
あるデバイスの温度が１６０℃になったときは、ここで
の風量を増加させるように風向きをコントロールして温
度が１５０℃に戻ったら、定常の風量になるよう風向き
を設定すればよい。
【００１９】なお、本発明における温度センサとして
は、集積回路７１とは別に半導体チップに形成された温
度検出用ダイオードに限定されず、集積回路の内部のダ
イオードを利用してもよく、またトランジスタとしても
よい。また、ＮｉＣｒ系の金属薄膜抵抗を半導体チップ
に形成してもよい。さらに、送風口の数や具体的な送風
方向の制御機構については、各種の態様を採用し得る。
は、集積回路７１とは別に半導体チップに形成された温
度検出用ダイオードに限定されず、集積回路の内部のダ
イオードを利用してもよく、またトランジスタとしても
よい。また、ＮｉＣｒ系の金属薄膜抵抗を半導体チップ
に形成してもよい。さらに、送風口の数や具体的な送風
方向の制御機構については、各種の態様を採用し得る。
【００２０】
【発明の効果】以上の通り本発明のバーンイン方法によ
れば、半導体デバイス内部の半導体チップ自体に温度セ
ンサが設けられ、これをモニタし、これによって風向き
を複数の送風口ごとに設定しているため、結果として半
導体チップでの風量が個別に異なり、従って各々のチッ
プ自体の温度を精度よく均一にコントロールできる。こ
のため、高歩留りであって、簡単かつ精度の良いバーン
イン試験を行なうことが可能になる。
れば、半導体デバイス内部の半導体チップ自体に温度セ
ンサが設けられ、これをモニタし、これによって風向き
を複数の送風口ごとに設定しているため、結果として半
導体チップでの風量が個別に異なり、従って各々のチッ
プ自体の温度を精度よく均一にコントロールできる。こ
のため、高歩留りであって、簡単かつ精度の良いバーン
イン試験を行なうことが可能になる。
【００２１】また、本発明のバーンイン装置では、測定
手段によって複数の半導体チップの個々に設けられた温
度センサをモニタし、その結果にもとづいて温調手段が
コントロールされ、複数の送風口からの風向きが個別に
調節される。したがって、制御手段に温度コントロール
のプログラムを設定しておくことで、自動的に精度よく
均一な温度コントロールができることになる。
手段によって複数の半導体チップの個々に設けられた温
度センサをモニタし、その結果にもとづいて温調手段が
コントロールされ、複数の送風口からの風向きが個別に
調節される。したがって、制御手段に温度コントロール
のプログラムを設定しておくことで、自動的に精度よく
均一な温度コントロールができることになる。
【図１】実施例に係るバーンイン装置の送風系の概念図
である。
である。
【図２】実施例に係るバーンイン装置の温度測定および
通電系の概念図である。
通電系の概念図である。
【図３】実施例における半導体チップ７の構成と温度検
出用ダイオード７２の特性を示す図である。
出用ダイオード７２の特性を示す図である。
【図４】実施例におけるソケット３の斜視図である。
【図５】実施例におけるソケット３の断面図である。
【図６】バーンインボード１の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】バーンイン試験容器６の斜視図である。
１…バーンインボード
２…ボード
３…ソケット
３１…基体
３２…蓋体
３４…レバー
３５…フック
３８…端子
３９…放熱部材
６…バーンイン試験容器
７…半導体チップ
７０…半導体デバイス
７１…集積回路
７２…温度検出用ダイオード
８１…送風機
８２…送風方向制御部
８３…送風口
８４…風向制御板
９１…通電装置
９２…温度検出器
９３…制御装置
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを内部に有する被試験デバ
イスとしての複数の半導体デバイスを複数の送風口を有
する試験容器内の所定温度の環境下に置き、前記複数の
半導体チップに通電することで試験を行なうバーンイン
方法において、 前記複数の半導体チップのそれぞれに温度センサをあら
かじめ形成しておき、 試験中に前記複数の温度センサの電気特性を検出するこ
とにより前記複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定
し、 前記温度の測定結果にもとづき、前記複数の半導体デバ
イスの温度が略同一となるよう前記複数の送風口におけ
る風の吹き出し方向を独立に制御することを特徴とする
バーンイン方法。 - 【請求項２】 半導体チップを内部に有する被試験デバ
イスとしての複数の半導体デバイスが収容され、複数の
送風口を有する試験容器と、前記複数の半導体チップに
電力を供給する通電手段とを備えるバーンイン装置にお
いて、 前記複数の半導体チップのそれぞれにあらかじめ形成さ
れた温度センサの電気特性を試験中に検出することによ
り、当該複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定する
測定手段と、 この測定手段の出力にもとづき、前記複数の半導体チッ
プの温度が略同一となるよう、前記複数の送風口からの
送風の方向を独立に設定する制御手段とを備えることを
特徴とするバーンイン装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192295A JPH0536786A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | バーンイン方法および装置 |
| CA002073899A CA2073899A1 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-15 | Burn-in apparatus and method |
| AU20336/92A AU657977B2 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method |
| US07/914,556 US5359285A (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Method and apparatus for varying temperature and electronic load conditions of a semiconductor device in a burn-in test chamber while performing a burn-in test |
| EP92112257A EP0523729A1 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method |
| KR1019920012832A KR960003988B1 (ko) | 1991-07-19 | 1992-07-18 | 번-인장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192295A JPH0536786A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | バーンイン方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536786A true JPH0536786A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16288902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3192295A Pending JPH0536786A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-31 | バーンイン方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536786A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100867888B1 (ko) * | 2007-03-27 | 2008-11-10 | 미래산업 주식회사 | 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트 및 이를 포함하는테스트 핸들러 |
| JP2020030151A (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | スガ試験機株式会社 | 耐候性試験機 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3192295A patent/JPH0536786A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100867888B1 (ko) * | 2007-03-27 | 2008-11-10 | 미래산업 주식회사 | 반도체 소자 테스트 핸들러용 덕트 및 이를 포함하는테스트 핸들러 |
| JP2020030151A (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | スガ試験機株式会社 | 耐候性試験機 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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