JPH0536793A - バーンイン方法および装置 - Google Patents
バーンイン方法および装置Info
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- JPH0536793A JPH0536793A JP3192312A JP19231291A JPH0536793A JP H0536793 A JPH0536793 A JP H0536793A JP 3192312 A JP3192312 A JP 3192312A JP 19231291 A JP19231291 A JP 19231291A JP H0536793 A JPH0536793 A JP H0536793A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2856—Internal circuit aspects, e.g. built-in test features; Test chips; Measuring material aspects, e.g. electro migration [EM]
-
- G—PHYSICS
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- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 バーンイン試験の歩留り向上と高精度化を図
る。 【構成】 半導体チップ７を内部に有する被試験デバイ
スとしての複数の半導体デバイスをソケットに収容して
試験容器６内の所定温度の環境下に置き、複数の半導体
チップに通電することで試験を行なう。ここで、複数の
半導体チップのそれぞれに温度センサ７２を形成してお
き、試験中に電気特性を検出することにより複数の半導
体チップの温度をそれぞれ測定する。そして、温度の測
定結果にもとづき、複数の半導体デバイスの温度が略同
一となるよう、複数の半導体デバイスごとのヒータ８１
の発熱量を独立に制御する。
る。 【構成】 半導体チップ７を内部に有する被試験デバイ
スとしての複数の半導体デバイスをソケットに収容して
試験容器６内の所定温度の環境下に置き、複数の半導体
チップに通電することで試験を行なう。ここで、複数の
半導体チップのそれぞれに温度センサ７２を形成してお
き、試験中に電気特性を検出することにより複数の半導
体チップの温度をそれぞれ測定する。そして、温度の測
定結果にもとづき、複数の半導体デバイスの温度が略同
一となるよう、複数の半導体デバイスごとのヒータ８１
の発熱量を独立に制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバーンイン方法および装
置に関し、特に、被試験デバイスたる半導体デバイスに
温度負荷と電気負荷を与えるバーンイン（高温連続動
作）試験に使用される。
置に関し、特に、被試験デバイスたる半導体デバイスに
温度負荷と電気負荷を与えるバーンイン（高温連続動
作）試験に使用される。
【０００２】
【従来の技術】バーンイン試験は、半導体デバイスの寿
命予測やスクリーニング工程における初期故障の検出に
不可欠のものである。一般に、バーンイン試験は次のよ
うにして行なわれる。図５はバーンインボード１の斜視
図である。耐熱性の樹脂等からなるボード２上には、被
試験デバイスたる半導体デバイス（図示せず）がセット
される複数のソケット３が設けられ、ボード２の一端に
は外部と電気接触をとる外部端子４が設けられている。
また、ボード２の他端には、オペレータがバーンインボ
ード１を操作するための取手５が設けられている。そし
て、ソケット３の端子（図示せず）と外部端子４は、ボ
ード２上の配線（一部のみ図示）によって接続される。
命予測やスクリーニング工程における初期故障の検出に
不可欠のものである。一般に、バーンイン試験は次のよ
うにして行なわれる。図５はバーンインボード１の斜視
図である。耐熱性の樹脂等からなるボード２上には、被
試験デバイスたる半導体デバイス（図示せず）がセット
される複数のソケット３が設けられ、ボード２の一端に
は外部と電気接触をとる外部端子４が設けられている。
また、ボード２の他端には、オペレータがバーンインボ
ード１を操作するための取手５が設けられている。そし
て、ソケット３の端子（図示せず）と外部端子４は、ボ
ード２上の配線（一部のみ図示）によって接続される。
【０００３】このようなバーンインボード１は、図６の
ようにバーンイン試験容器６にセットされる。すなわ
ち、バーンイン試験容器６は本体たる筐体６１に蓋体６
２がヒンジ機構６３によって結合された構造をなし、内
部に設けられたボードコネクタ６４の挿入スリット６５
にバーンインボード１が差し込まれる。これにより、バ
ーンインボード１の外部端子４とボードコネクタ６４の
端子（図示せず）との接続がとられる。この接続を介し
て、半導体デバイスへの通電が図示しない通電装置によ
りなされる。なお、図示しないが、バーンイン試験容器
６には温度調整装置が付設されており、通常は、バーン
イン試験容器６の内部に温風を供給するか、あるいはヒ
ータを設ける構造となっている。
ようにバーンイン試験容器６にセットされる。すなわ
ち、バーンイン試験容器６は本体たる筐体６１に蓋体６
２がヒンジ機構６３によって結合された構造をなし、内
部に設けられたボードコネクタ６４の挿入スリット６５
にバーンインボード１が差し込まれる。これにより、バ
ーンインボード１の外部端子４とボードコネクタ６４の
端子（図示せず）との接続がとられる。この接続を介し
て、半導体デバイスへの通電が図示しない通電装置によ
りなされる。なお、図示しないが、バーンイン試験容器
６には温度調整装置が付設されており、通常は、バーン
イン試験容器６の内部に温風を供給するか、あるいはヒ
ータを設ける構造となっている。
【０００４】なお、バーンイン試験容器６の内部温度す
なわち被試験デバイスたる半導体デバイスの環境温度Ｔ
a は、筐体６１の内壁近傍などに設けられた温度センサ
により測定されている。この測定温度をモニタし、温度
調整装置をコントロールすることで、従来はバーンイン
試験を行なっている。
なわち被試験デバイスたる半導体デバイスの環境温度Ｔ
a は、筐体６１の内壁近傍などに設けられた温度センサ
により測定されている。この測定温度をモニタし、温度
調整装置をコントロールすることで、従来はバーンイン
試験を行なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、下記の理由でバーンイン試験を好適に行
なうことができなかった。すなわち、従来技術でリアル
タイムにモニタできるのは被試験デバイスの環境温度Ｔ
a であり、これは半導体チップの表面温度、とりわけｐ
ｎ接合部分、あるいはショットキ接合部分などにおける
ジャンクション温度Ｔj とは一致しない。半導体デバイ
スの故障は、このジャンクション温度Ｔj に依存するた
め、従来は、環境温度Ｔａを測定した結果からジャンク
ション温度Ｔj を推定し、バーンイン試験を行なってい
た。ところが、この環境温度Ｔa とジャンクション温度
Ｔj の関係を調べるのは極めて繁雑な作業を要し、半導
体デバイスのサイズ、形式、仕様などが異なるごとに別
の推定作業が必要になる。このため、簡単かつ精度の良
いバーンイン試験を行なうことが困難であった。また、
環境温度Ｔa は試験容器６内の位置によって異なり、各
々の半導体デバイスの発熱量も同一でないので、同一条
件下で多数のデバイスのスクリーニングを行なうのは容
易でなかった。
従来技術では、下記の理由でバーンイン試験を好適に行
なうことができなかった。すなわち、従来技術でリアル
タイムにモニタできるのは被試験デバイスの環境温度Ｔ
a であり、これは半導体チップの表面温度、とりわけｐ
ｎ接合部分、あるいはショットキ接合部分などにおける
ジャンクション温度Ｔj とは一致しない。半導体デバイ
スの故障は、このジャンクション温度Ｔj に依存するた
め、従来は、環境温度Ｔａを測定した結果からジャンク
ション温度Ｔj を推定し、バーンイン試験を行なってい
た。ところが、この環境温度Ｔa とジャンクション温度
Ｔj の関係を調べるのは極めて繁雑な作業を要し、半導
体デバイスのサイズ、形式、仕様などが異なるごとに別
の推定作業が必要になる。このため、簡単かつ精度の良
いバーンイン試験を行なうことが困難であった。また、
環境温度Ｔa は試験容器６内の位置によって異なり、各
々の半導体デバイスの発熱量も同一でないので、同一条
件下で多数のデバイスのスクリーニングを行なうのは容
易でなかった。
【０００６】そこで本発明は、バーンイン試験が同時に
施される複数の被試験デバイス中のチップ自体の温度
を、精度よくコントロールできるバーンイン方法および
装置を提供することを目的とする。
施される複数の被試験デバイス中のチップ自体の温度
を、精度よくコントロールできるバーンイン方法および
装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
を内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デ
バイスを複数のソケットに収容して試験容器内の所定温
度の環境下に置き、複数の半導体チップに通電すること
で試験を行なうバーンイン方法において、複数の半導体
チップのそれぞれに温度センサをあらかじめ形成してお
き、複数のソケットのそれぞれにヒータをあらかじめ設
けておき、試験中に複数の温度センサの電気特性を検出
することにより複数の半導体チップの温度をそれぞれ測
定し、温度の測定結果にもとづき、複数の半導体デバイ
スの温度が略同一となるよう複数のソケットにおけるヒ
ータへの通電を独立に制御することを特徴とするまた、
本発明は、半導体チップを内部に有する被試験デバイス
としての複数の半導体デバイスが収容された複数のソケ
ットが配置される試験容器と、複数の半導体チップに電
力を供給する通電手段とを備えるバーンイン装置におい
て、複数の半導体チップのそれぞれにあらかじめ形成さ
れた温度センサの電気特性を試験中に検出することによ
り、当該複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定する
測定手段と、この測定手段の出力にもとづき、複数の半
導体チップの温度が略同一となるよう、複数のソケット
にそれぞれ設けられたヒータへの通電量を独立に設定す
る制御手段とを備えることを特徴とする。
を内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デ
バイスを複数のソケットに収容して試験容器内の所定温
度の環境下に置き、複数の半導体チップに通電すること
で試験を行なうバーンイン方法において、複数の半導体
チップのそれぞれに温度センサをあらかじめ形成してお
き、複数のソケットのそれぞれにヒータをあらかじめ設
けておき、試験中に複数の温度センサの電気特性を検出
することにより複数の半導体チップの温度をそれぞれ測
定し、温度の測定結果にもとづき、複数の半導体デバイ
スの温度が略同一となるよう複数のソケットにおけるヒ
ータへの通電を独立に制御することを特徴とするまた、
本発明は、半導体チップを内部に有する被試験デバイス
としての複数の半導体デバイスが収容された複数のソケ
ットが配置される試験容器と、複数の半導体チップに電
力を供給する通電手段とを備えるバーンイン装置におい
て、複数の半導体チップのそれぞれにあらかじめ形成さ
れた温度センサの電気特性を試験中に検出することによ
り、当該複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定する
測定手段と、この測定手段の出力にもとづき、複数の半
導体チップの温度が略同一となるよう、複数のソケット
にそれぞれ設けられたヒータへの通電量を独立に設定す
る制御手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明のバーンイン方法によれば、ソケットに
収容された半導体デバイス内部の半導体チップ自体に温
度センサが各デバイスごとに設けられ、これをモニタ
し、その結果に応じてヒータへの通電量をソケットごと
に設定しているため、複数の半導体チップ自体の温度を
精度よく略均一にコントロールできる。
収容された半導体デバイス内部の半導体チップ自体に温
度センサが各デバイスごとに設けられ、これをモニタ
し、その結果に応じてヒータへの通電量をソケットごと
に設定しているため、複数の半導体チップ自体の温度を
精度よく略均一にコントロールできる。
【０００９】また、本発明のバーンイン装置では、測定
手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモ
ニタし、その結果にもとづいて、上記ヒータにおける通
電量が設定される。したがって、制御手段にヒータ加熱
によって温度を均一にコントロールするためのプログラ
ムを設定しておくことで、自動的に精度よく略均一の温
度コントロールができることになる。
手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモ
ニタし、その結果にもとづいて、上記ヒータにおける通
電量が設定される。したがって、制御手段にヒータ加熱
によって温度を均一にコントロールするためのプログラ
ムを設定しておくことで、自動的に精度よく略均一の温
度コントロールができることになる。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面により本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１１】図１は実施例に係るバーンイン装置の概念
図である。バーンイン試験容器６の内部には複数のバー
ンインボード（図示せず）が設けられ、これには半導体
チップ７1 〜７3 を内部に有する半導体デバイス（図示
せず）がソケット（図示せず）によってセットされ、こ
の半導体チップ７1 〜７3 には集積回路７１1 〜７１3
と、温度センサとしての温度検出用ダイオード７２1 〜
７２3 が形成されている。また、各々の半導体チップ７
1 〜７3 の近傍には、個別にヒータ８１1 〜８１3 が付
設されている。バーンイン試験容器６には温度調整装置
８が付設され、温風の供給がされるようになっている。
半導体チップ７の集積回路７１には通電装置９１から独
立に電気負荷が与えられるようになっており、温度検出
用ダイオード７２の電気特性（特に立ち上がり電圧ＶF
の変化）は温度検出器９２で個別にモニタされ、ジャン
クション温度Ｔj がデバイスごとに測定されるようにな
っている。
図である。バーンイン試験容器６の内部には複数のバー
ンインボード（図示せず）が設けられ、これには半導体
チップ７1 〜７3 を内部に有する半導体デバイス（図示
せず）がソケット（図示せず）によってセットされ、こ
の半導体チップ７1 〜７3 には集積回路７１1 〜７１3
と、温度センサとしての温度検出用ダイオード７２1 〜
７２3 が形成されている。また、各々の半導体チップ７
1 〜７3 の近傍には、個別にヒータ８１1 〜８１3 が付
設されている。バーンイン試験容器６には温度調整装置
８が付設され、温風の供給がされるようになっている。
半導体チップ７の集積回路７１には通電装置９１から独
立に電気負荷が与えられるようになっており、温度検出
用ダイオード７２の電気特性（特に立ち上がり電圧ＶF
の変化）は温度検出器９２で個別にモニタされ、ジャン
クション温度Ｔj がデバイスごとに測定されるようにな
っている。
【００１２】制御装置９３は温度検出器９２のモニタ結
果にもとづき、通電装置９１による通電量をコントロー
ルし、また温度調整装置８からの送風量をコントロール
し、さらにソケット用ヒータ給電装置８２を介して各々
のヒータ８１1 〜８１3 への通電量をコントロールして
いる。このために、制御装置９３にはバーンイン試験に
おけるジャンクション温度Ｔj の許容範囲が記憶され、
モニタ結果と対比して通電装置９１と温度調整装置８と
ソケット用ヒータ給電装置８２とをコントロールするよ
う、あらかじめプログラムされている。
果にもとづき、通電装置９１による通電量をコントロー
ルし、また温度調整装置８からの送風量をコントロール
し、さらにソケット用ヒータ給電装置８２を介して各々
のヒータ８１1 〜８１3 への通電量をコントロールして
いる。このために、制御装置９３にはバーンイン試験に
おけるジャンクション温度Ｔj の許容範囲が記憶され、
モニタ結果と対比して通電装置９１と温度調整装置８と
ソケット用ヒータ給電装置８２とをコントロールするよ
う、あらかじめプログラムされている。
【００１３】図２は上記実施例における半導体チップ７
の斜視構成（同図（ａ）参照）と、温度検出用ダイオー
ド７２のＩ−Ｖ特性（同図（ｂ）参照）を示している。
図示の通り、半導体チップ７には集積回路７１と温度検
出用ダイオード７２が形成されると共に、集積回路７１
に接続された通電用パッド７３と、温度検出用ダイオー
ド７２のアノードおよびカソードに接続されたモニタ用
パッド７４が設けられている。このような半導体チップ
７はフラットパッケージとして、あるいはリードレスチ
ップキャリア（ＬＣＣ）としてパッケージングされ、被
試験デバイスとしての半導体デバイスが構成される。こ
のような半導体チップ７における温度モニタは、温度検
出用ダイオード７２のＩ−Ｖ特性の観測によりなされ
る。すなわち、図２（ａ）に示すＩ−Ｖ特性の立ち上が
り電圧ＶF は、温度によってリニアに変化するので、こ
の立ち上がり電圧ＶF の変化からジャンクション温度Ｔ
j を正確に求めることができる。
の斜視構成（同図（ａ）参照）と、温度検出用ダイオー
ド７２のＩ−Ｖ特性（同図（ｂ）参照）を示している。
図示の通り、半導体チップ７には集積回路７１と温度検
出用ダイオード７２が形成されると共に、集積回路７１
に接続された通電用パッド７３と、温度検出用ダイオー
ド７２のアノードおよびカソードに接続されたモニタ用
パッド７４が設けられている。このような半導体チップ
７はフラットパッケージとして、あるいはリードレスチ
ップキャリア（ＬＣＣ）としてパッケージングされ、被
試験デバイスとしての半導体デバイスが構成される。こ
のような半導体チップ７における温度モニタは、温度検
出用ダイオード７２のＩ−Ｖ特性の観測によりなされ
る。すなわち、図２（ａ）に示すＩ−Ｖ特性の立ち上が
り電圧ＶF は、温度によってリニアに変化するので、こ
の立ち上がり電圧ＶF の変化からジャンクション温度Ｔ
j を正確に求めることができる。
【００１４】図３および図４は、上記実施例のバーンイ
ン装置において、被試験デバイスたる半導体デバイス７
０をソケット３にマウントする様子を示し、図３は斜視
図、図４は断面図である。ソケット３は基体３１と蓋体
３２を有し、これらはヒンジ３３により開閉自在に結合
され、レバー３４とフック３５の係合により閉じられ
る。基体３１の中央部には貫通口３６が形成されると共
に、上面から十字状の凹部３７が形成され、ここに端子
３８が設けられる。そして、端子３８の一端は基体３１
の下面に突出し、バーンインボード１上の配線に接続さ
れている。また、蓋体３２の中央部には、発熱部材８１
がねじ止めされ、この発熱部材８１の両側には導電性の
放熱部材３９が固定されている。一方、半導体デバイス
７０の底面には端子７６が設けられ、ソケット３にマウ
ントされることでソケット３の端子３８と接触する。
ン装置において、被試験デバイスたる半導体デバイス７
０をソケット３にマウントする様子を示し、図３は斜視
図、図４は断面図である。ソケット３は基体３１と蓋体
３２を有し、これらはヒンジ３３により開閉自在に結合
され、レバー３４とフック３５の係合により閉じられ
る。基体３１の中央部には貫通口３６が形成されると共
に、上面から十字状の凹部３７が形成され、ここに端子
３８が設けられる。そして、端子３８の一端は基体３１
の下面に突出し、バーンインボード１上の配線に接続さ
れている。また、蓋体３２の中央部には、発熱部材８１
がねじ止めされ、この発熱部材８１の両側には導電性の
放熱部材３９が固定されている。一方、半導体デバイス
７０の底面には端子７６が設けられ、ソケット３にマウ
ントされることでソケット３の端子３８と接触する。
【００１５】半導体デバイス７０を凹部３７にマウント
し、蓋体３２を閉じると、一対の放熱部材３９に挟まれ
た発熱部材８１の底面が半導体デバイス７０の上面に接
触する。そこで、放熱部材３９先端の端子８３を介して
発熱部材８１に通電することで、半導体デバイス７０の
加熱が達成されると共に、通電オフ時には半導体デバイ
ス７０の放熱が達成される。
し、蓋体３２を閉じると、一対の放熱部材３９に挟まれ
た発熱部材８１の底面が半導体デバイス７０の上面に接
触する。そこで、放熱部材３９先端の端子８３を介して
発熱部材８１に通電することで、半導体デバイス７０の
加熱が達成されると共に、通電オフ時には半導体デバイ
ス７０の放熱が達成される。
【００１６】上記実施例によれば、半導体チップ７自体
の温度を、複数のチップのいずれについても極めて精度
よくモニタできる。すなわち、この半導体チップ７自体
の温度は、試験装置内部の位置によって異なる環境温度
Ｔa に依存するだけでなく、集積回路７１における発熱
と外部への放熱にも依存し、この発熱量および放熱量は
装着状態等によるバラツキが極めて大きい。ところが、
本実施例では、半導体チップ７に設けた温度検出用ダイ
オード７２のジャンクション温度Ｔj を個別のモニタし
ているので、全ての半導体チップ７の温度の直接測定が
できる。
の温度を、複数のチップのいずれについても極めて精度
よくモニタできる。すなわち、この半導体チップ７自体
の温度は、試験装置内部の位置によって異なる環境温度
Ｔa に依存するだけでなく、集積回路７１における発熱
と外部への放熱にも依存し、この発熱量および放熱量は
装着状態等によるバラツキが極めて大きい。ところが、
本実施例では、半導体チップ７に設けた温度検出用ダイ
オード７２のジャンクション温度Ｔj を個別のモニタし
ているので、全ての半導体チップ７の温度の直接測定が
できる。
【００１７】したがって、このモニタ結果を用いること
により、ヒータ８１の発熱風量を独立にコントロールし
て、全体の複数の半導体チップ７の表面温度（ジャンク
ション温度Ｔj ）を精度よく均一にコントロールでき
る。すなわち、温度の高いデバイスと温度の低いデバイ
スとでヒータ８１の発熱量を異ならせることにより、温
度の均一化が図られる。具体的には、低温のデバイスが
あるときは発熱量を増加し、温度が適正値に上ったらヒ
ータへの通電を止めればよい。これにより、スクリーニ
ングの正確化と、歩留りの向上を同時に実現できる。
により、ヒータ８１の発熱風量を独立にコントロールし
て、全体の複数の半導体チップ７の表面温度（ジャンク
ション温度Ｔj ）を精度よく均一にコントロールでき
る。すなわち、温度の高いデバイスと温度の低いデバイ
スとでヒータ８１の発熱量を異ならせることにより、温
度の均一化が図られる。具体的には、低温のデバイスが
あるときは発熱量を増加し、温度が適正値に上ったらヒ
ータへの通電を止めればよい。これにより、スクリーニ
ングの正確化と、歩留りの向上を同時に実現できる。
【００１８】例えば５０Ｗ発熱の半導体デバイスで、温
度抵抗θja＝２℃／Ｗであるときには、ジャンクション
温度Ｔｊ＝１５０℃にしたいときは環境温度Ｔa ＝５０
℃に設定すればよい。そして、あるデバイスの温度が１
４０℃になったときは、ここでのヒータ８１の通電量を
増加させて加熱し、温度が１５０℃に戻ったら、ヒータ
８１への通電を停止すればよい。
度抵抗θja＝２℃／Ｗであるときには、ジャンクション
温度Ｔｊ＝１５０℃にしたいときは環境温度Ｔa ＝５０
℃に設定すればよい。そして、あるデバイスの温度が１
４０℃になったときは、ここでのヒータ８１の通電量を
増加させて加熱し、温度が１５０℃に戻ったら、ヒータ
８１への通電を停止すればよい。
【００１９】なお、本発明における温度センサとして
は、集積回路７１とは別に半導体チップに形成された温
度検出用ダイオードに限定されず、集積回路の内部のダ
イオードを利用してもよく、またトランジスタとしても
よい。また、ＮｉＣｒ系の金属薄膜抵抗を半導体チップ
に形成してもよい。さらに、ソケットにおける発熱機構
については、各種の態様を採用し得る。
は、集積回路７１とは別に半導体チップに形成された温
度検出用ダイオードに限定されず、集積回路の内部のダ
イオードを利用してもよく、またトランジスタとしても
よい。また、ＮｉＣｒ系の金属薄膜抵抗を半導体チップ
に形成してもよい。さらに、ソケットにおける発熱機構
については、各種の態様を採用し得る。
【００２０】
【発明の効果】以上の通り本発明のバーンイン方法によ
れば、半導体デバイス内部の半導体チップ自体に温度セ
ンサが設けられ、これをモニタし、これによってヒータ
の発熱量を複数のデバイスごとに設定しているため、半
導体チップ自体の温度を精度よく均一にコントロールで
きる。このため、高歩留りであって、簡単かつ精度の良
いバーンイン試験を行なうことが可能になる。
れば、半導体デバイス内部の半導体チップ自体に温度セ
ンサが設けられ、これをモニタし、これによってヒータ
の発熱量を複数のデバイスごとに設定しているため、半
導体チップ自体の温度を精度よく均一にコントロールで
きる。このため、高歩留りであって、簡単かつ精度の良
いバーンイン試験を行なうことが可能になる。
【００２１】また、本発明のバーンイン装置では、測定
手段によって複数の半導体チップの個々に設けられた温
度センサをモニタし、その結果にもとづいてソケットに
設けられたヒータの発熱量が個別に調節される。したが
って、制御手段に温度コントロールのプログラムを設定
しておくことで、自動的に精度よく均一な温度コントロ
ールができることになる。
手段によって複数の半導体チップの個々に設けられた温
度センサをモニタし、その結果にもとづいてソケットに
設けられたヒータの発熱量が個別に調節される。したが
って、制御手段に温度コントロールのプログラムを設定
しておくことで、自動的に精度よく均一な温度コントロ
ールができることになる。
【図１】実施例に係るバーンイン装置の概念図である。
【図２】実施例における半導体チップ７の構成と温度検
出用ダイオード７２の特性を示す図である。
出用ダイオード７２の特性を示す図である。
【図３】実施例におけるソケット３の斜視図である。
【図４】実施例におけるソケット３の断面図である。
【図５】バーンインボード１の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】バーンイン試験容器６の斜視図である。
１…バーンインボード
２…ボード
３…ソケット
３１…基体
３２…蓋体
３４…レバー
３５…フック
３８…端子
３９…放熱部材
６…バーンイン試験容器
７…半導体チップ
７０…半導体デバイス
７１…集積回路
７２…温度検出用ダイオード
８１…ヒータ
８２…ソケット用ヒータ給電装置
９１…通電装置
９２…温度検出器
９３…制御装置
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを内部に有する被試験デバ
イスとしての複数の半導体デバイスを複数のソケットに
収容して試験容器内の所定温度の環境下に置き、前記複
数の半導体チップに通電することで試験を行なうバーン
イン方法において、 前記複数の半導体チップのそれぞれに温度センサをあら
かじめ形成しておき、 前記複数のソケットのそれぞれにヒータをあらかじめ設
けておき、 試験中に前記複数の温度センサの電気特性を検出するこ
とにより前記複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定
し、 前記温度の測定結果にもとづき、前記複数の半導体デバ
イスの温度が略同一となるよう前記複数のソケットにお
ける前記ヒータへの通電を独立に制御することを特徴と
するバーンイン方法。 - 【請求項２】 半導体チップを内部に有する被試験デバ
イスとしての複数の半導体デバイスが収容された複数の
ソケットが配置される試験容器と、前記複数の半導体チ
ップに電力を供給する通電手段とを備えるバーンイン装
置において、 前記複数の半導体チップのそれぞれにあらかじめ形成さ
れた温度センサの電気特性を試験中に検出することによ
り、当該複数の半導体チップの温度をそれぞれ測定する
測定手段と、 この測定手段の出力にもとづき、前記複数の半導体チッ
プの温度が略同一となるよう、前記複数のソケットにそ
れぞれ設けられたヒータへの通電量を独立に設定する制
御手段とを備えることを特徴とするバーンイン装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192312A JPH0536793A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | バーンイン方法および装置 |
| CA002073886A CA2073886A1 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-15 | Burn-in apparatus and method |
| EP92112264A EP0523735B1 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method |
| DE69201923T DE69201923T2 (de) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Gerät und Verfahren zum Einbrennen. |
| AU20335/92A AU657976B2 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method |
| US07/914,559 US5327075A (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method for semiconductor devices |
| MYPI92001261A MY131275A (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method |
| KR1019920012833A KR960003989B1 (ko) | 1991-07-19 | 1992-07-18 | 번-인장치 및 방법 |
| US08/191,539 US5414370A (en) | 1991-07-19 | 1994-02-04 | Burn-in apparatus and method which individually controls the temperature of a plurality of semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192312A JPH0536793A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | バーンイン方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536793A true JPH0536793A (ja) | 1993-02-12 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JPH0536793A (ja) |
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1991
- 1991-07-31 JP JP3192312A patent/JPH0536793A/ja active Pending
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