JPH0536773A - バーンイン方法および装置 - Google Patents
バーンイン方法および装置Info
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- JPH0536773A JPH0536773A JP3187881A JP18788191A JPH0536773A JP H0536773 A JPH0536773 A JP H0536773A JP 3187881 A JP3187881 A JP 3187881A JP 18788191 A JP18788191 A JP 18788191A JP H0536773 A JPH0536773 A JP H0536773A
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- JP
- Japan
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- burn
- semiconductor
- semiconductor chip
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 バーンイン試験の精度を向上する。
【構成】 半導体チップ７１を内部に有する被試験デバ
イスとしての半導体デバイス７１〜７３を所定温度の環
境下に置き、半導体チップに通電することで試験を行な
うに際して、最高温度になる半導体チップにダイオード
などの温度センサ７２をあらかじめ形成しておき、試験
中に温度センサの電気特性（例えばダイオードの順方向
立ち上り電圧）を検出することにより半導体チップの温
度を測定し、温度の測定結果にもとづき、半導体デバイ
スの環境温度および／もしくは半導体チップへの通電量
を制御する。
イスとしての半導体デバイス７１〜７３を所定温度の環
境下に置き、半導体チップに通電することで試験を行な
うに際して、最高温度になる半導体チップにダイオード
などの温度センサ７２をあらかじめ形成しておき、試験
中に温度センサの電気特性（例えばダイオードの順方向
立ち上り電圧）を検出することにより半導体チップの温
度を測定し、温度の測定結果にもとづき、半導体デバイ
スの環境温度および／もしくは半導体チップへの通電量
を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバーンイン方法および装
置に関し、特に、被試験デバイスたる半導体デバイスに
温度負荷と電気負荷を与えるバーンイン（高温連続動
作）試験に使用される。
置に関し、特に、被試験デバイスたる半導体デバイスに
温度負荷と電気負荷を与えるバーンイン（高温連続動
作）試験に使用される。
【０００２】
【従来の技術】バーンイン試験は、半導体デバイスの寿
命予測やスクリーニング工程における初期故障の検出に
不可欠のものである。一般に、バーンイン試験は次のよ
うにして行なわれる。図５はバーンインボード１の斜視
図である。耐熱性の樹脂等からなるボード２上には、被
試験デバイスたる半導体デバイス（図示せず）がセット
される複数のソケット３が設けられ、ボード２の一端に
は外部と電気接触をとる外部端子４が設けられている。
また、ボード２の他端には、オペレータがバーンインボ
ード１を操作するための取手５が設けられている。そし
て、ソケット３の端子（図示せず）と外部端子４は、ボ
ード２上の配線（一部のみ図示）によって接続される。
命予測やスクリーニング工程における初期故障の検出に
不可欠のものである。一般に、バーンイン試験は次のよ
うにして行なわれる。図５はバーンインボード１の斜視
図である。耐熱性の樹脂等からなるボード２上には、被
試験デバイスたる半導体デバイス（図示せず）がセット
される複数のソケット３が設けられ、ボード２の一端に
は外部と電気接触をとる外部端子４が設けられている。
また、ボード２の他端には、オペレータがバーンインボ
ード１を操作するための取手５が設けられている。そし
て、ソケット３の端子（図示せず）と外部端子４は、ボ
ード２上の配線（一部のみ図示）によって接続される。
【０００３】このようなバーンインボード１は、図６の
ようにバーンイン試験容器６にセットされる。すなわ
ち、バーンイン試験容器６は本体たる筐体６１に蓋体６
２がヒンジ機構６３によって結合された構造をなし、内
部に設けられたボードコネクタ６４の挿入スリット６５
にバーンインボード１が差し込まれる。これにより、バ
ーンインボード１の外部端子４とボードコネクタ６４の
端子（図示せず）との接続がとられる。この接続を介し
て、半導体デバイスへの通電が図示しない通電装置によ
りなされる。なお、図示しないが、バーンイン試験容器
６には温度調整装置が付設されており、通常は、バーン
イン試験容器６の内部に温風を供給するか、あるいはヒ
ータを設ける構造となっている。
ようにバーンイン試験容器６にセットされる。すなわ
ち、バーンイン試験容器６は本体たる筐体６１に蓋体６
２がヒンジ機構６３によって結合された構造をなし、内
部に設けられたボードコネクタ６４の挿入スリット６５
にバーンインボード１が差し込まれる。これにより、バ
ーンインボード１の外部端子４とボードコネクタ６４の
端子（図示せず）との接続がとられる。この接続を介し
て、半導体デバイスへの通電が図示しない通電装置によ
りなされる。なお、図示しないが、バーンイン試験容器
６には温度調整装置が付設されており、通常は、バーン
イン試験容器６の内部に温風を供給するか、あるいはヒ
ータを設ける構造となっている。
【０００４】なお、バーンイン試験容器６の内部温度す
なわち被試験デバイスたる半導体デバイスの環境温度Ｔ
a は、筐体６１の内壁近傍などに設けられた温度センサ
により測定されている。この測定温度をモニタし、温度
調整装置をコントロールすることで、従来はバーンイン
試験を行なっている。
なわち被試験デバイスたる半導体デバイスの環境温度Ｔ
a は、筐体６１の内壁近傍などに設けられた温度センサ
により測定されている。この測定温度をモニタし、温度
調整装置をコントロールすることで、従来はバーンイン
試験を行なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、下記の理由でバーンイン試験を好適に行
なうことができなかった。すなわち、従来技術でリアル
タイムにモニタできるのは被試験デバイスの環境温度Ｔ
a であり、これは半導体チップの表面温度、とりわけｐ
ｎ接合部分、あるいはショットキ接合部分などにおける
ジャンクション温度Ｔj とは一致しない。半導体デバイ
スの故障は、このジャンクション温度Ｔj に依存するた
め、従来は環境温度Ｔａを測定した結果からジャンクシ
ョン温度Ｔj を推定し、バーンイン試験を行なってい
た。ところが、この環境温度Ｔa とジャンクション温度
Ｔj の関係を調べるのは極めて繁雑な作業を要し、半導
体デバイスのサイズ、形式、仕様などが異なるごとに別
の推定作業が必要になる。また、環境温度はバーンイン
試験容器６の内部において一様でなく、従って半導体デ
バイスの温度もそれぞれが微妙に異なっている。このた
め、簡単かつ精度の良いバーンイン試験を行なうことが
困難であった。
従来技術では、下記の理由でバーンイン試験を好適に行
なうことができなかった。すなわち、従来技術でリアル
タイムにモニタできるのは被試験デバイスの環境温度Ｔ
a であり、これは半導体チップの表面温度、とりわけｐ
ｎ接合部分、あるいはショットキ接合部分などにおける
ジャンクション温度Ｔj とは一致しない。半導体デバイ
スの故障は、このジャンクション温度Ｔj に依存するた
め、従来は環境温度Ｔａを測定した結果からジャンクシ
ョン温度Ｔj を推定し、バーンイン試験を行なってい
た。ところが、この環境温度Ｔa とジャンクション温度
Ｔj の関係を調べるのは極めて繁雑な作業を要し、半導
体デバイスのサイズ、形式、仕様などが異なるごとに別
の推定作業が必要になる。また、環境温度はバーンイン
試験容器６の内部において一様でなく、従って半導体デ
バイスの温度もそれぞれが微妙に異なっている。このた
め、簡単かつ精度の良いバーンイン試験を行なうことが
困難であった。
【０００６】そこで本発明は、バーンイン試験が施され
る被試験デバイス中のチップ自体の温度を、精度よくコ
ントロールできるバーンイン方法および装置を提供する
ことを目的とする。
る被試験デバイス中のチップ自体の温度を、精度よくコ
ントロールできるバーンイン方法および装置を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
を内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デ
バイスを所定温度の環境下に置き、複数の半導体チップ
にそれぞれ通電することで試験を行なうバーンイン方法
において、複数の半導体チップのうち、環境温度が最高
となる位置にセットされた半導体チップに温度センサを
あらかじめ形成しておき、試験中にこの温度センサの電
気特性を検出することにより半導体チップの温度を測定
し、温度の測定結果にもとづき、環境温度および／もし
くは複数の半導体チップのそれぞれへの通電量を制御す
ることを特徴とする。
を内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デ
バイスを所定温度の環境下に置き、複数の半導体チップ
にそれぞれ通電することで試験を行なうバーンイン方法
において、複数の半導体チップのうち、環境温度が最高
となる位置にセットされた半導体チップに温度センサを
あらかじめ形成しておき、試験中にこの温度センサの電
気特性を検出することにより半導体チップの温度を測定
し、温度の測定結果にもとづき、環境温度および／もし
くは複数の半導体チップのそれぞれへの通電量を制御す
ることを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、半導体チップを内部に有
する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスが収
容される試験容器と、この試験容器の内部の温度を所定
値に調整する温調手段と、複数の半導体チップにそれぞ
れ電力を供給する通電手段とを備えるバーンイン装置に
おいて、複数の半導体チップのうち、環境温度が最高と
なる位置にセットされた半導体チップにあらかじめ形成
された温度センサの電気特性を試験中に検出することに
より、当該半導体チップの温度を測定する測定手段と、
この測定手段の出力にもとづき、複数の半導体チップの
温度があらかじめ設定された許容範囲となるよう、温調
手段および／もしくは通電手段を制御する制御手段とを
備えることを特徴とする。
する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスが収
容される試験容器と、この試験容器の内部の温度を所定
値に調整する温調手段と、複数の半導体チップにそれぞ
れ電力を供給する通電手段とを備えるバーンイン装置に
おいて、複数の半導体チップのうち、環境温度が最高と
なる位置にセットされた半導体チップにあらかじめ形成
された温度センサの電気特性を試験中に検出することに
より、当該半導体チップの温度を測定する測定手段と、
この測定手段の出力にもとづき、複数の半導体チップの
温度があらかじめ設定された許容範囲となるよう、温調
手段および／もしくは通電手段を制御する制御手段とを
備えることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明のバーンイン方法によれば、半導体デバ
イス内部の半導体チップ自体に温度センサが設けられ、
これをモニタしているため、半導体チップ自体の温度を
精度よくコントロールできる。特に、この温度センサが
設けられる半導体デバイスは、環境温度が最高となる位
置にセットされているので、他の半導体デバイスはこの
温度以上になることがない。
イス内部の半導体チップ自体に温度センサが設けられ、
これをモニタしているため、半導体チップ自体の温度を
精度よくコントロールできる。特に、この温度センサが
設けられる半導体デバイスは、環境温度が最高となる位
置にセットされているので、他の半導体デバイスはこの
温度以上になることがない。
【００１０】また、本発明のバーンイン装置では、測定
手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモ
ニタし、その結果にもとづいて通電手段、温調手段がコ
ントロールされる。ここで、温度センサは環境温度が最
高となる位置にセットされている。したがって、制御手
段に温度コントロールのためのプログラムを設定してお
くことで、自動的に精度よく温度コントロールができる
ことになる。
手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモ
ニタし、その結果にもとづいて通電手段、温調手段がコ
ントロールされる。ここで、温度センサは環境温度が最
高となる位置にセットされている。したがって、制御手
段に温度コントロールのためのプログラムを設定してお
くことで、自動的に精度よく温度コントロールができる
ことになる。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面により本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１２】図１は実施例に関るバーンイン装置の概念
図である。バーンイン試験容器６の内部には半導体チッ
プ７1 〜７3 を内部に有する複数の半導体デバイス（図
示せず）がセットされ、温度が最高となる位置にセット
された半導体チップ７1 には集積回路７１と温度センサ
としての温度検出用ダイオード７２が形成されている。
これに対し、他の半導体チップ７2 ，７3 には集積回路
７１のみが設けられている。バーンイン試験容器６には
温度調整装置８が付設され、温風の供給あるいはヒータ
加熱等がされるようになっている。この加熱による温度
は、バーンイン試験容器６の内部において一様でなく、
最高温度の位置にセンサ付きの半導体デバイス７1 がセ
ットされる。
図である。バーンイン試験容器６の内部には半導体チッ
プ７1 〜７3 を内部に有する複数の半導体デバイス（図
示せず）がセットされ、温度が最高となる位置にセット
された半導体チップ７1 には集積回路７１と温度センサ
としての温度検出用ダイオード７２が形成されている。
これに対し、他の半導体チップ７2 ，７3 には集積回路
７１のみが設けられている。バーンイン試験容器６には
温度調整装置８が付設され、温風の供給あるいはヒータ
加熱等がされるようになっている。この加熱による温度
は、バーンイン試験容器６の内部において一様でなく、
最高温度の位置にセンサ付きの半導体デバイス７1 がセ
ットされる。
【００１３】ここで、バーンイン試験容器６中で最高温
度になる位置は、通常は上部の温風の流れが悪い位置に
なるので、温風の吹き出し口の位置や形状がわかれば、
容易に見出すことができる。半導体チップ７の集積回路
７１には通電装置９１から電気負荷が与えられるように
なっており、温度検出用ダイオード７２の電気特性（特
に立ち上がり電圧ＶF の変化）は温度検出器９２でモニ
タされ、ジャンクション温度Ｔj が測定されるようにな
っている。
度になる位置は、通常は上部の温風の流れが悪い位置に
なるので、温風の吹き出し口の位置や形状がわかれば、
容易に見出すことができる。半導体チップ７の集積回路
７１には通電装置９１から電気負荷が与えられるように
なっており、温度検出用ダイオード７２の電気特性（特
に立ち上がり電圧ＶF の変化）は温度検出器９２でモニ
タされ、ジャンクション温度Ｔj が測定されるようにな
っている。
【００１４】制御装置９３は温度検出器９２による最高
温度のモニタ結果にもとづき、通電装置９１による通電
量と温度調整装置８による送風量、あるいはヒータへの
通電量をコントロールしている。なお、制御装置９３に
はバーンイン試験におけるジャンクション温度Ｔj の許
容範囲が記憶され、モニタ結果と対比して通電装置９１
と温度調整装置８をコントロールするようあらかじめプ
ログラムされている。
温度のモニタ結果にもとづき、通電装置９１による通電
量と温度調整装置８による送風量、あるいはヒータへの
通電量をコントロールしている。なお、制御装置９３に
はバーンイン試験におけるジャンクション温度Ｔj の許
容範囲が記憶され、モニタ結果と対比して通電装置９１
と温度調整装置８をコントロールするようあらかじめプ
ログラムされている。
【００１５】図２は上記実施例における半導体チップ７
の斜視構成（同図（ａ）参照）と、温度検出用ダイオー
ド７２のＩ−Ｖ特性（同図（ｂ）参照）を示している。
図示の通り、環境温度が最高となる位置にセットされた
半導体チップ７には、集積回路７１と温度検出用ダイオ
ード７２が形成されると共に、集積回路７１に接続され
た通電用パッド７３と、温度検出用ダイオード７２のア
ノードおよびカソードに接続されたモニタ用パッド７４
が設けられている。
の斜視構成（同図（ａ）参照）と、温度検出用ダイオー
ド７２のＩ−Ｖ特性（同図（ｂ）参照）を示している。
図示の通り、環境温度が最高となる位置にセットされた
半導体チップ７には、集積回路７１と温度検出用ダイオ
ード７２が形成されると共に、集積回路７１に接続され
た通電用パッド７３と、温度検出用ダイオード７２のア
ノードおよびカソードに接続されたモニタ用パッド７４
が設けられている。
【００１６】このような半導体チップ７1 は、温度検出
用ダイオード７２が設けられていない他の半導体チップ
７2 ，７3 と同様に、フラットパッケージとして、ある
いはリードレスチップキャリア（ＬＣＣ）としてパッケ
ージングされ、被試験デバイスとしての半導体デバイス
が構成される。このような半導体チップ７1 における温
度モニタは、温度検出用ダイオード７２のＩ−Ｖ特性の
観測によりなされる。すなわち、図２（ａ）に示すＩ−
Ｖ特性の立ち上がり電圧ＶF は、温度によってリニアに
変化するので、この立ち上がり電圧ＶF の変化からジャ
ンクション温度Ｔj を正確に求めることができる。
用ダイオード７２が設けられていない他の半導体チップ
７2 ，７3 と同様に、フラットパッケージとして、ある
いはリードレスチップキャリア（ＬＣＣ）としてパッケ
ージングされ、被試験デバイスとしての半導体デバイス
が構成される。このような半導体チップ７1 における温
度モニタは、温度検出用ダイオード７２のＩ−Ｖ特性の
観測によりなされる。すなわち、図２（ａ）に示すＩ−
Ｖ特性の立ち上がり電圧ＶF は、温度によってリニアに
変化するので、この立ち上がり電圧ＶF の変化からジャ
ンクション温度Ｔj を正確に求めることができる。
【００１７】図３および図４は、上記実施例のバーンイ
ン装置において、被試験デバイスたる半導体デバイス７
０をソケット３にマウントする様子を示し、図３は斜視
図、図４は断面図である。ソケット３は基体３１と蓋体
３２を有し、これらはヒンジ３３により開閉自在に結合
され、レバー３４とフック３５の係合により閉じられ
る。基体３１の中央部には貫通口３６が形成されると上
に、上面から十字状の凹部３７が形成され、ここに端子
３８が設けられる。そして、端子３８の一端は基体３１
の下面に突出し、バーンインボード１上の配線に接続さ
れている。また、蓋体３２の中央部には、放熱部材３９
がねじ止めされている。一方、半導体デバイス７０の底
面には端子７６が設けられ、ソケット３にマウントされ
ることでソケット３の端子３８と接触する。半導体デバ
イス７０を凹部３７にマウントし、蓋体３２を閉じる
と、放熱部材３９の底面が半導体デバイス７０の上面に
接触し、放熱が達成される。
ン装置において、被試験デバイスたる半導体デバイス７
０をソケット３にマウントする様子を示し、図３は斜視
図、図４は断面図である。ソケット３は基体３１と蓋体
３２を有し、これらはヒンジ３３により開閉自在に結合
され、レバー３４とフック３５の係合により閉じられ
る。基体３１の中央部には貫通口３６が形成されると上
に、上面から十字状の凹部３７が形成され、ここに端子
３８が設けられる。そして、端子３８の一端は基体３１
の下面に突出し、バーンインボード１上の配線に接続さ
れている。また、蓋体３２の中央部には、放熱部材３９
がねじ止めされている。一方、半導体デバイス７０の底
面には端子７６が設けられ、ソケット３にマウントされ
ることでソケット３の端子３８と接触する。半導体デバ
イス７０を凹部３７にマウントし、蓋体３２を閉じる
と、放熱部材３９の底面が半導体デバイス７０の上面に
接触し、放熱が達成される。
【００１８】上記実施例によれば、最高の環境温度にあ
る半導体チップ７1自体の温度を極めて精度よくモニタ
できる。すなわち、この半導体チップ７1 自体の温度は
環境温度Ｔa に依存するだけでなく、集積回路７１にお
ける発熱と外部への放熱にも依存し、この発熱量および
放熱量は装着状態等によるバラツキが極めて大きい。と
ころが、本実施例では、最高温度となるはずの半導体チ
ップ７1 に設けた温度検出用ダイオード７２のジャンク
ション温度Ｔj をモニタしているので、半導体チップ７
1の温度（すなわち試験されるデバイスの最高温度）の
直接測定ができる。
る半導体チップ７1自体の温度を極めて精度よくモニタ
できる。すなわち、この半導体チップ７1 自体の温度は
環境温度Ｔa に依存するだけでなく、集積回路７１にお
ける発熱と外部への放熱にも依存し、この発熱量および
放熱量は装着状態等によるバラツキが極めて大きい。と
ころが、本実施例では、最高温度となるはずの半導体チ
ップ７1 に設けた温度検出用ダイオード７２のジャンク
ション温度Ｔj をモニタしているので、半導体チップ７
1の温度（すなわち試験されるデバイスの最高温度）の
直接測定ができる。
【００１９】したがって、例えば５０Ｗ発熱の半導体デ
バイスで、最高の環境温度が１００℃、最低の環境温度
が９０℃であって、温度抵抗θja＝２℃／Ｗであるとき
には、ジャンクション温度Ｔj は、最高の環境温度の下
で２００℃、最低の環境温度の下で１９０℃となる。な
お、最高温度となる位置は、ヒータの位置や送風口の位
置、あるいは風向きや風量によって異なるが、これらは
あらかじめ求めておくことができる。
バイスで、最高の環境温度が１００℃、最低の環境温度
が９０℃であって、温度抵抗θja＝２℃／Ｗであるとき
には、ジャンクション温度Ｔj は、最高の環境温度の下
で２００℃、最低の環境温度の下で１９０℃となる。な
お、最高温度となる位置は、ヒータの位置や送風口の位
置、あるいは風向きや風量によって異なるが、これらは
あらかじめ求めておくことができる。
【００２０】なお、本発明における温度センサとして
は、集積回路７１とは別に半導体チップに形成された温
度検出用ダイオードに限定されず、集積回路の内部のダ
イオードを利用してもよく、またトランジスタとしても
よい。また、ＮｉＣｒ系の金属薄膜抵抗を半導体チップ
に形成してもよい。なお、全てのチップに温度センサを
設けておいて、最高温度のものだけをモニタしてもよ
い。
は、集積回路７１とは別に半導体チップに形成された温
度検出用ダイオードに限定されず、集積回路の内部のダ
イオードを利用してもよく、またトランジスタとしても
よい。また、ＮｉＣｒ系の金属薄膜抵抗を半導体チップ
に形成してもよい。なお、全てのチップに温度センサを
設けておいて、最高温度のものだけをモニタしてもよ
い。
【００２１】
【発明の効果】以上の通り本発明のバーンイン方法によ
れば、環境温度が、最高となる位置の半導体デバイス内
部の半導体チップ自体に温度センサが設けられ、これを
モニタしているため、全ての半導体チップ自体の温度を
精度よく所定温度以下にコントロールできる。このた
め、簡単かつ精度の良いバーンイン試験を行なうことが
可能になる。
れば、環境温度が、最高となる位置の半導体デバイス内
部の半導体チップ自体に温度センサが設けられ、これを
モニタしているため、全ての半導体チップ自体の温度を
精度よく所定温度以下にコントロールできる。このた
め、簡単かつ精度の良いバーンイン試験を行なうことが
可能になる。
【００２２】また、本発明のバーンイン装置では、測定
手段によって最高温度位置に半導体チップに設けられた
温度センサをモニタし、その結果にもとづいて通電手
段、温調手段がコントロールされる。したがって、制御
手段に温度コントロールのプログラムを設定しておくこ
とで、自動的に精度よく所定レベル以下に温度コントロ
ールができることになる。
手段によって最高温度位置に半導体チップに設けられた
温度センサをモニタし、その結果にもとづいて通電手
段、温調手段がコントロールされる。したがって、制御
手段に温度コントロールのプログラムを設定しておくこ
とで、自動的に精度よく所定レベル以下に温度コントロ
ールができることになる。
【図１】実施例に係るバーンイン装置の概念図である。
【図２】実施例における最高温度環境下にある半導体チ
ップ７1 の構成と温度検出用ダイオード７２の特性を示
す図である。
ップ７1 の構成と温度検出用ダイオード７２の特性を示
す図である。
【図３】実施例におけるソケット３の斜視図である。
【図４】実施例におけるソケット３の断面図である。
【図５】バーンインボード１の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】バーンイン試験容器６の斜視図である。
１…バーンインボード
２…ボード
３…ソケット
３１…基体
３２…蓋体
３４…レバー
３５…フック
３８…端子
３９…放熱部材
６…バーンイン試験容器
７…半導体チップ
７０…半導体デバイス
７１…集積回路
７２…温度検出用ダイオード
８…温度調整装置
９１…通電装置
９２…温度検出器
９３…制御装置
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを内部に有する被試験デバ
イスとしての複数の半導体デバイスを所定温度の環境下
に置き、前記複数の半導体チップにそれぞれ通電するこ
とで試験を行なうバーンイン方法において、 前記複数の半導体チップのうち、環境温度が最高となる
位置にセットされた半導体チップに温度センサをあらか
じめ形成しておき、 試験中に前記温度センサの電気特性を検出することによ
り前記半導体チップの温度を測定し、 前記温度の測定結果にもとづき、前記環境温度および／
もしくは前記複数の半導体チップのそれぞれへの通電量
を制御することを特徴とするバーンイン方法。 - 【請求項２】 半導体チップを内部に有する被試験デバ
イスとしての複数の半導体デバイスが収容される試験容
器と、この試験容器の内部の温度を所定値に調整する温
調手段と、前記複数の半導体チップにそれぞれ電力を供
給する通電手段とを備えるバーンイン装置において、 前記複数の半導体チップのうち、環境温度が最高となる
位置にセットされた半導体チップにあらかじめ形成され
た温度センサの電気特性を試験中に検出することによ
り、当該半導体チップの温度を測定する測定手段と、 この測定手段の出力にもとづき、前記複数の半導体チッ
プの温度があらかじめ設定された許容範囲となるよう、
前記温調手段および／もしくは通電手段を制御する制御
手段とを備えることを特徴とするバーンイン装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187881A JPH0536773A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | バーンイン方法および装置 |
| CA002073916A CA2073916A1 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-15 | Burn-in apparatus and method |
| AU20334/92A AU657975B2 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method |
| EP92112271A EP0523736A1 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method |
| US07/914,563 US5406212A (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method for self-heating semiconductor devices having built-in temperature sensors |
| KR1019920012831A KR960003987B1 (ko) | 1991-07-19 | 1992-07-18 | 번-인장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187881A JPH0536773A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | バーンイン方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536773A true JPH0536773A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16213838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3187881A Pending JPH0536773A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-26 | バーンイン方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536773A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5603624A (en) * | 1993-12-20 | 1997-02-18 | Yazki Corporation | Connector with fitting operation lever |
| KR19990025828A (ko) * | 1997-09-18 | 1999-04-06 | 윤종용 | 이중 포트 집적회로 소자의 번-인 검사방법 |
| JP2009097968A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Akim Kk | 温度特性計測装置および温度特性計測方法 |
| JP2018179720A (ja) * | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 富士通株式会社 | 試験制御装置、試験制御システム、及び試験方法 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3187881A patent/JPH0536773A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5603624A (en) * | 1993-12-20 | 1997-02-18 | Yazki Corporation | Connector with fitting operation lever |
| KR19990025828A (ko) * | 1997-09-18 | 1999-04-06 | 윤종용 | 이중 포트 집적회로 소자의 번-인 검사방법 |
| JP2009097968A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Akim Kk | 温度特性計測装置および温度特性計測方法 |
| JP2018179720A (ja) * | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 富士通株式会社 | 試験制御装置、試験制御システム、及び試験方法 |
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