JPH0536788A - バーンイン方法および装置 - Google Patents
バーンイン方法および装置Info
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- JPH0536788A JPH0536788A JP3192303A JP19230391A JPH0536788A JP H0536788 A JPH0536788 A JP H0536788A JP 3192303 A JP3192303 A JP 3192303A JP 19230391 A JP19230391 A JP 19230391A JP H0536788 A JPH0536788 A JP H0536788A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 バーンイン試験を改良する。
【構成】 本発明は、半導体チップ７を内部に有する被
試験デバイスとしての複数の半導体デバイスをバーンイ
ンボード１に搭載して所定温度Ｔa の環境下に置き、複
数の半導体チップに通電することで試験を行なうバーン
イン方法において、複数の半導体チップに温度センサ
（例えばダイオード）を形成しておき、試験中に温度セ
ンサの電気特性（例えばＩ−Ｖ特性）をそれぞれ検出す
ることにより半導体チップの温度をそれぞれ測定し、温
度の測定結果が許容範囲外となったときは、バーンイン
ボードの向きを変更する。
試験デバイスとしての複数の半導体デバイスをバーンイ
ンボード１に搭載して所定温度Ｔa の環境下に置き、複
数の半導体チップに通電することで試験を行なうバーン
イン方法において、複数の半導体チップに温度センサ
（例えばダイオード）を形成しておき、試験中に温度セ
ンサの電気特性（例えばＩ−Ｖ特性）をそれぞれ検出す
ることにより半導体チップの温度をそれぞれ測定し、温
度の測定結果が許容範囲外となったときは、バーンイン
ボードの向きを変更する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバーンイン方法および装
置に関し、特に、被試験デバイスたる半導体デバイスに
温度負荷と電気負荷を与えるバーンイン（高温連続動
作）試験に使用される。
置に関し、特に、被試験デバイスたる半導体デバイスに
温度負荷と電気負荷を与えるバーンイン（高温連続動
作）試験に使用される。
【０００２】
【従来の技術】バーンイン試験は、半導体デバイスの寿
命予測やスクリーニング工程における初期故障の検出に
不可欠のものである。一般に、バーンイン試験は次のよ
うにして行なわれる。図６はバーンインボード１の斜視
図である。耐熱性の樹脂等からなるボード２上には、被
試験デバイスたる半導体デバイス（図示せず）がセット
される複数のソケット３が設けられ、ボード２の一端に
は外部と電気接触をとる外部端子４が設けられている。
また、ボード２の他端には、オペレータがバーンインボ
ード１を操作するための取手５が設けられている。そし
て、ソケット３の端子（図示せず）と外部端子４は、ボ
ード２上の配線（一部のみ図示）によって接続される。
命予測やスクリーニング工程における初期故障の検出に
不可欠のものである。一般に、バーンイン試験は次のよ
うにして行なわれる。図６はバーンインボード１の斜視
図である。耐熱性の樹脂等からなるボード２上には、被
試験デバイスたる半導体デバイス（図示せず）がセット
される複数のソケット３が設けられ、ボード２の一端に
は外部と電気接触をとる外部端子４が設けられている。
また、ボード２の他端には、オペレータがバーンインボ
ード１を操作するための取手５が設けられている。そし
て、ソケット３の端子（図示せず）と外部端子４は、ボ
ード２上の配線（一部のみ図示）によって接続される。
【０００３】このようなバーンインボード１は、図７の
ようにバーンイン試験容器６にセットされる。すなわ
ち、バーンイン試験容器６は本体たる筐体６１に蓋体６
２がヒンジ機構６３によって結合された構造をなし、内
部に設けられたボードコネクタ６４の挿入スリット６５
にバーンインボード１が差し込まれる。これにより、バ
ーンインボード１の外部端子４とボードコネクタ６４の
端子（図示せず）との接続がとられる。この接続を介し
て、半導体デバイスへの通電が図示しない通電装置によ
りなされる。なお、図示しないが、バーンイン試験容器
６には温度調整装置が付設されており、通常は、バーン
イン試験容器６の内部に温風を供給するか、あるいはヒ
ータを設ける構造となっている。
ようにバーンイン試験容器６にセットされる。すなわ
ち、バーンイン試験容器６は本体たる筐体６１に蓋体６
２がヒンジ機構６３によって結合された構造をなし、内
部に設けられたボードコネクタ６４の挿入スリット６５
にバーンインボード１が差し込まれる。これにより、バ
ーンインボード１の外部端子４とボードコネクタ６４の
端子（図示せず）との接続がとられる。この接続を介し
て、半導体デバイスへの通電が図示しない通電装置によ
りなされる。なお、図示しないが、バーンイン試験容器
６には温度調整装置が付設されており、通常は、バーン
イン試験容器６の内部に温風を供給するか、あるいはヒ
ータを設ける構造となっている。
【０００４】なお、バーンイン試験容器６の内部温度す
なわち被試験デバイスたる半導体デバイスの環境温度Ｔ
a は、筐体６１の内壁近傍などに設けられた温度センサ
により測定されている。この測定温度をモニタし、温度
調整装置をコントロールすることで、従来はバーンイン
試験を行なっている。
なわち被試験デバイスたる半導体デバイスの環境温度Ｔ
a は、筐体６１の内壁近傍などに設けられた温度センサ
により測定されている。この測定温度をモニタし、温度
調整装置をコントロールすることで、従来はバーンイン
試験を行なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術では、下記の理由でバーンイン試験を好適に行
なうことができなかった。すなわち、従来技術でリアル
タイムにモニタできるのは被試験デバイスの環境温度Ｔ
a であり、これは半導体チップの表面温度、とりわけｐ
ｎ接合部分、あるいはショットキ接合部分などにおける
ジャンクション温度Ｔj とは一致しない。半導体デバイ
スの故障は、このジャンクション温度Ｔj に依存するた
め、従来は、環境温度Ｔa を測定した結果からジャンク
ション温度Ｔj を推定し、バーンイン試験を行なってい
た。ところが、この環境温度Ｔa とジャンクション温度
Ｔj の関係を調べるのは極めて繁雑な作業を要し、半導
体デバイスのサイズ、形式、仕様などが異なるごとに別
の推定作業が必要になる。しかも、温度は試験装置中の
位置において均一ではなく、またデバイスの発熱量も同
一でなく、従って被試験デバイスの温度も各々の間で同
一ではなかった。このため、簡単かつ精度の良いバーン
イン試験を、高い歩留りで行なうことが困難であった。
従来技術では、下記の理由でバーンイン試験を好適に行
なうことができなかった。すなわち、従来技術でリアル
タイムにモニタできるのは被試験デバイスの環境温度Ｔ
a であり、これは半導体チップの表面温度、とりわけｐ
ｎ接合部分、あるいはショットキ接合部分などにおける
ジャンクション温度Ｔj とは一致しない。半導体デバイ
スの故障は、このジャンクション温度Ｔj に依存するた
め、従来は、環境温度Ｔa を測定した結果からジャンク
ション温度Ｔj を推定し、バーンイン試験を行なってい
た。ところが、この環境温度Ｔa とジャンクション温度
Ｔj の関係を調べるのは極めて繁雑な作業を要し、半導
体デバイスのサイズ、形式、仕様などが異なるごとに別
の推定作業が必要になる。しかも、温度は試験装置中の
位置において均一ではなく、またデバイスの発熱量も同
一でなく、従って被試験デバイスの温度も各々の間で同
一ではなかった。このため、簡単かつ精度の良いバーン
イン試験を、高い歩留りで行なうことが困難であった。
【０００６】そこで本発明は、バーンイン試験が施され
る被試験デバイス中のチップ自体の温度を精度よくコン
トロールでき、しかもスクリーニング試験の歩留りを向
上させることのできるバーンイン方法および装置を提供
することを目的とする。
る被試験デバイス中のチップ自体の温度を精度よくコン
トロールでき、しかもスクリーニング試験の歩留りを向
上させることのできるバーンイン方法および装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
を内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デ
バイスをバーンインボードに搭載して所定温度の送風環
境下に置き、複数の半導体チップに通電することで試験
を行なうバーンイン方法において、複数の半導体チップ
に温度センサをあらかじめ形成しておき、試験中に温度
センサの電気特性をそれぞれ検出することにより半導体
チップの温度をそれぞれ測定し、複数の半導体チップの
温度の測定結果が、あらかじめ設定された許容範囲内と
なるようバーンインボードの向きを制御することを特徴
とする。
を内部に有する被試験デバイスとしての複数の半導体デ
バイスをバーンインボードに搭載して所定温度の送風環
境下に置き、複数の半導体チップに通電することで試験
を行なうバーンイン方法において、複数の半導体チップ
に温度センサをあらかじめ形成しておき、試験中に温度
センサの電気特性をそれぞれ検出することにより半導体
チップの温度をそれぞれ測定し、複数の半導体チップの
温度の測定結果が、あらかじめ設定された許容範囲内と
なるようバーンインボードの向きを制御することを特徴
とする。
【０００８】また、本発明は、半導体チップを内部に有
する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスを搭
載したバーンインボードが収容される試験容器と、この
試験容器の内部に送風することにより半導体チップの温
度を所定値に調整する温調手段と、複数の半導体チップ
に電力を供給する通電手段とを備えるバーンイン装置に
おいて、複数の半導体チップにあらかじめ形成された温
度センサの電気特性を試験中にそれぞれ検出することに
より、当該半導体チップの温度をそれぞれ測定する測定
手段と、この測定手段の出力による測定値が、あらかじ
め設定された許容範囲内となるようバーンインボードの
向きを制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
する被試験デバイスとしての複数の半導体デバイスを搭
載したバーンインボードが収容される試験容器と、この
試験容器の内部に送風することにより半導体チップの温
度を所定値に調整する温調手段と、複数の半導体チップ
に電力を供給する通電手段とを備えるバーンイン装置に
おいて、複数の半導体チップにあらかじめ形成された温
度センサの電気特性を試験中にそれぞれ検出することに
より、当該半導体チップの温度をそれぞれ測定する測定
手段と、この測定手段の出力による測定値が、あらかじ
め設定された許容範囲内となるようバーンインボードの
向きを制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明のバーンイン方法によれば、半導体デバ
イス内部の半導体チップ自体に温度センサが設けられ、
これをモニタしているため、半導体チップ自体の温度を
精度よくコントロールできる。そして、デバイスの温度
が設定範囲内となるよう、バーンインボードの向きを制
御して各デバイスからの放熱を調整させることで、温度
を均一にしてスクリーニングの歩留りの向上を図ること
ができる。
イス内部の半導体チップ自体に温度センサが設けられ、
これをモニタしているため、半導体チップ自体の温度を
精度よくコントロールできる。そして、デバイスの温度
が設定範囲内となるよう、バーンインボードの向きを制
御して各デバイスからの放熱を調整させることで、温度
を均一にしてスクリーニングの歩留りの向上を図ること
ができる。
【００１０】また、本発明のバーンイン装置では、測定
手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモ
ニタし、その結果、デバイスの温度が設定範囲外になる
と、バーンインボードの向きがコントロールされる。し
たがって、制御手段にコントロールのためのプログラム
を設定しておくことで、自動的に精度よく温度コントロ
ールができることになる。
手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモ
ニタし、その結果、デバイスの温度が設定範囲外になる
と、バーンインボードの向きがコントロールされる。し
たがって、制御手段にコントロールのためのプログラム
を設定しておくことで、自動的に精度よく温度コントロ
ールができることになる。
【００１１】
【実施例】以下、添付図面により本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１２】図１は実施例に関るバーンイン装置を示す
断面図、図２はこれに用いるバーンインボードの概念を
示す斜視図である。図２のように、バーンインボード１
には半導体チップを内部に有する半導体デバイスがソケ
ット３を介してセットされ、この半導体チップには、後
述のように集積回路と温度センサとしての温度検出用ダ
イオードが形成されている。バーンインボード１は回転
軸１１に固定され、この回転軸１１はモータ１２に連結
され、制御装置（図示せず）からの指令で回転される。
断面図、図２はこれに用いるバーンインボードの概念を
示す斜視図である。図２のように、バーンインボード１
には半導体チップを内部に有する半導体デバイスがソケ
ット３を介してセットされ、この半導体チップには、後
述のように集積回路と温度センサとしての温度検出用ダ
イオードが形成されている。バーンインボード１は回転
軸１１に固定され、この回転軸１１はモータ１２に連結
され、制御装置（図示せず）からの指令で回転される。
【００１３】バーンイン試験容器６には温風送出装置８
が付設され、複数の送風口８１から温風の供給がされる
ようになっている。各々の半導体チップの集積回路には
通電装置（図示せず）から電気負荷が与えられるように
なっており、温度検出用ダイオードの電気特性（特に立
ち上がり電圧ＶF の変化）は温度検出器（図示せず）で
個別にモニタされ、ジャンクション温度Ｔj が半導体チ
ップごとに測定されるようになっている。
が付設され、複数の送風口８１から温風の供給がされる
ようになっている。各々の半導体チップの集積回路には
通電装置（図示せず）から電気負荷が与えられるように
なっており、温度検出用ダイオードの電気特性（特に立
ち上がり電圧ＶF の変化）は温度検出器（図示せず）で
個別にモニタされ、ジャンクション温度Ｔj が半導体チ
ップごとに測定されるようになっている。
【００１４】制御装置は温度検出器のモニタ結果にもと
づき、通電装置９１による通電量と、温度調整装置８に
よる送風量とをコントロールすると共に、モータ１２に
よってバーンインボード１の向きをコントロールしてい
る。なお、制御装置９３にはバーンイン試験におけるジ
ャンクション温度Ｔj1〜Ｔj3の許容範囲が記憶され、か
つ制御用ソフトウェアがあらかじめプログラムされてい
る。
づき、通電装置９１による通電量と、温度調整装置８に
よる送風量とをコントロールすると共に、モータ１２に
よってバーンインボード１の向きをコントロールしてい
る。なお、制御装置９３にはバーンイン試験におけるジ
ャンクション温度Ｔj1〜Ｔj3の許容範囲が記憶され、か
つ制御用ソフトウェアがあらかじめプログラムされてい
る。
【００１５】上記の試験動作におけるコントロールをよ
り詳しく説明すると、次のようになる。まず、許容され
る温度範囲がオペレータによりセットされ、メモリなど
に記憶される。試験が始まると、複数の温度検出用ダイ
オードの電気特性が測定され、デバイスのジャンクショ
ン温度Ｔj1〜Ｔj3が個別にモニタされる。そして、各々
のデバイスの温度の実測値と設定値が比較される。設定
値（許容値）を越えるまではバーンインボード１の向き
を変えることなく試験が続行され、許容値を越えたら、
この温度を適正値に補正する方向にバーンインボード１
が回転され、試験が続行される。
り詳しく説明すると、次のようになる。まず、許容され
る温度範囲がオペレータによりセットされ、メモリなど
に記憶される。試験が始まると、複数の温度検出用ダイ
オードの電気特性が測定され、デバイスのジャンクショ
ン温度Ｔj1〜Ｔj3が個別にモニタされる。そして、各々
のデバイスの温度の実測値と設定値が比較される。設定
値（許容値）を越えるまではバーンインボード１の向き
を変えることなく試験が続行され、許容値を越えたら、
この温度を適正値に補正する方向にバーンインボード１
が回転され、試験が続行される。
【００１６】これにより、スクリーニング試験が異なる
目的の試験に変質することが防止され、また試験の歩留
りが向上する。特に、試験が実行されるバーンイン試験
容器６内部の環境温度Ｔa は、加熱用ヒータや送風口の
位置、あるいは風向きや風量によって位置的に異なるの
で、あるデバイスにとっては高温になりすぎ、他のデバ
イスにとっては低温になりすぎることがある。本発明で
は、このような場合にバーンインボード１の向きをモー
タ１２で変えて、デバイスに当る風量をデバイスごとに
調整して、放熱量を個別にコントロールしているので、
温度を均一にしてスクリーニングの確実化が可能にな
る。
目的の試験に変質することが防止され、また試験の歩留
りが向上する。特に、試験が実行されるバーンイン試験
容器６内部の環境温度Ｔa は、加熱用ヒータや送風口の
位置、あるいは風向きや風量によって位置的に異なるの
で、あるデバイスにとっては高温になりすぎ、他のデバ
イスにとっては低温になりすぎることがある。本発明で
は、このような場合にバーンインボード１の向きをモー
タ１２で変えて、デバイスに当る風量をデバイスごとに
調整して、放熱量を個別にコントロールしているので、
温度を均一にしてスクリーニングの確実化が可能にな
る。
【００１７】図３は上記実施例における半導体チップ７
の斜視構成（同図（ａ）参照）と、温度検出用ダイオー
ド７２のＩ−Ｖ特性（同図（ｂ）参照）を示している。
図示の通り、半導体チップ７には集積回路７１と温度検
出用ダイオード７２が形成されると共に、集積回路７１
に接続された通電用パッド７３と、温度検出用ダイオー
ド７２のアノードおよびカソードに接続されたモニタ用
パッド７４が設けられている。このような半導体チップ
７はフラットパッケージとして、あるいはリードレスチ
ップキャリア（ＬＣＣ）としてパッケージングされ、被
試験デバイスとしての半導体デバイスが構成される。こ
のような半導体チップ７における温度モニタは、温度検
出用ダイオード７２のＩ−Ｖ特性の観測によりなされ
る。すなわち、図３（ｂ）に示すＩ−Ｖ特性の立ち上が
り電圧ＶF は、温度によってリニアに変化するので、こ
の立ち上がり電圧ＶF の変化からジャンクション温度Ｔ
j を正確に求めることができる。
の斜視構成（同図（ａ）参照）と、温度検出用ダイオー
ド７２のＩ−Ｖ特性（同図（ｂ）参照）を示している。
図示の通り、半導体チップ７には集積回路７１と温度検
出用ダイオード７２が形成されると共に、集積回路７１
に接続された通電用パッド７３と、温度検出用ダイオー
ド７２のアノードおよびカソードに接続されたモニタ用
パッド７４が設けられている。このような半導体チップ
７はフラットパッケージとして、あるいはリードレスチ
ップキャリア（ＬＣＣ）としてパッケージングされ、被
試験デバイスとしての半導体デバイスが構成される。こ
のような半導体チップ７における温度モニタは、温度検
出用ダイオード７２のＩ−Ｖ特性の観測によりなされ
る。すなわち、図３（ｂ）に示すＩ−Ｖ特性の立ち上が
り電圧ＶF は、温度によってリニアに変化するので、こ
の立ち上がり電圧ＶF の変化からジャンクション温度Ｔ
j を正確に求めることができる。
【００１８】図４および図５は、上記実施例のバーンイ
ン装置において、被試験デバイスたる半導体デバイス７
０をソケット３にマウントする様子を示し、図４は斜視
図、図５は断面図である。ソケット３は基体３１と蓋体
３２を有し、これらはヒンジ３３により開閉自在に結合
され、レバー３４とフック３５の係合により閉じられ
る。基体３１の中央部には貫通口３６が形成されると上
に、上面から十字状の凹部３７が形成され、ここに端子
３８が設けられる。そして、端子３８の一端は基体３１
の下面に突出し、バーンインボード１上の配線に接続さ
れている。また、蓋体３２の中央部には、放熱部材３９
がねじ止めされている。一方、半導体デバイス７０の底
面には端子７６が設けられ、ソケット３にマウントされ
ることでソケット３の端子３８と接触する。半導体デバ
イス７０を凹部３７にマウントし、蓋体３２を閉じる
と、放熱部材３９の底面が半導体デバイス７０の上面に
接触し、放熱が達成される。
ン装置において、被試験デバイスたる半導体デバイス７
０をソケット３にマウントする様子を示し、図４は斜視
図、図５は断面図である。ソケット３は基体３１と蓋体
３２を有し、これらはヒンジ３３により開閉自在に結合
され、レバー３４とフック３５の係合により閉じられ
る。基体３１の中央部には貫通口３６が形成されると上
に、上面から十字状の凹部３７が形成され、ここに端子
３８が設けられる。そして、端子３８の一端は基体３１
の下面に突出し、バーンインボード１上の配線に接続さ
れている。また、蓋体３２の中央部には、放熱部材３９
がねじ止めされている。一方、半導体デバイス７０の底
面には端子７６が設けられ、ソケット３にマウントされ
ることでソケット３の端子３８と接触する。半導体デバ
イス７０を凹部３７にマウントし、蓋体３２を閉じる
と、放熱部材３９の底面が半導体デバイス７０の上面に
接触し、放熱が達成される。
【００１９】上記実施例によれば、半導体チップ７自体
の温度を極めて精度よくモニタできる。すなわち、この
半導体チップ７自体の温度は環境温度Ｔa に依存するだ
けでなく、集積回路７１における発熱と外部への放熱に
も依存し、この発熱量および放熱量は装着状態等による
バラツキが極めて大きい。ところが、本実施例では、半
導体チップ７に設けた温度検出用ダイオード７２のジャ
ンクション温度Ｔj をモニタしているので、半導体チッ
プ７の温度の直接測定ができる。そして、半導体チップ
の温度が設定値を越えたら、バーンインボード１の向き
を変えて試験を続行させるようにしているので、風当り
が変って温度が均一化され、不必要に高い温度あるいは
低い温度で試験するようなことがなくなる。
の温度を極めて精度よくモニタできる。すなわち、この
半導体チップ７自体の温度は環境温度Ｔa に依存するだ
けでなく、集積回路７１における発熱と外部への放熱に
も依存し、この発熱量および放熱量は装着状態等による
バラツキが極めて大きい。ところが、本実施例では、半
導体チップ７に設けた温度検出用ダイオード７２のジャ
ンクション温度Ｔj をモニタしているので、半導体チッ
プ７の温度の直接測定ができる。そして、半導体チップ
の温度が設定値を越えたら、バーンインボード１の向き
を変えて試験を続行させるようにしているので、風当り
が変って温度が均一化され、不必要に高い温度あるいは
低い温度で試験するようなことがなくなる。
【００２０】なお、本発明における温度センサとして
は、集積回路７１とは別に半導体チップに形成された温
度検出用ダイオードに限定されず、集積回路の内部のダ
イオードを利用してもよく、またトランジスタとしても
よい。また、ＮｉＣｒ系の金属薄膜抵抗を半導体チップ
に形成してもよい。
は、集積回路７１とは別に半導体チップに形成された温
度検出用ダイオードに限定されず、集積回路の内部のダ
イオードを利用してもよく、またトランジスタとしても
よい。また、ＮｉＣｒ系の金属薄膜抵抗を半導体チップ
に形成してもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上の通り本発明のバーンイン方法によ
れば、半導体デバイス内部の半導体チップ自体に温度セ
ンサが設けられ、これをモニタしているため、半導体チ
ップ自体の温度を精度よくコントロールできる。そし
て、一部のデバイスの温度が高温あるいは低温になりす
ぎたら、バーンインボードの向きを変更して各々のデバ
イスへの風当りを調節している。このため、デバイスの
放熱量をデバイスごとに変えることで、簡単かつ精度の
良いバーンイン試験を、高い歩留りと信頼性の下で行な
うことが可能になる。
れば、半導体デバイス内部の半導体チップ自体に温度セ
ンサが設けられ、これをモニタしているため、半導体チ
ップ自体の温度を精度よくコントロールできる。そし
て、一部のデバイスの温度が高温あるいは低温になりす
ぎたら、バーンインボードの向きを変更して各々のデバ
イスへの風当りを調節している。このため、デバイスの
放熱量をデバイスごとに変えることで、簡単かつ精度の
良いバーンイン試験を、高い歩留りと信頼性の下で行な
うことが可能になる。
【００２２】また、本発明のバーンイン装置では、測定
手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモ
ニタし、その結果にもとづいてバーンインボードの向き
がコントロールされる。したがって、制御手段にバーン
インボードの方向の変更による温度コントロールのため
のプログラムを設定しておくことで、自動的に精度よく
バーンイン試験ができることになる。
手段によって半導体チップに設けられた温度センサをモ
ニタし、その結果にもとづいてバーンインボードの向き
がコントロールされる。したがって、制御手段にバーン
インボードの方向の変更による温度コントロールのため
のプログラムを設定しておくことで、自動的に精度よく
バーンイン試験ができることになる。
【図１】実施例に係るバーンイン装置の概念である。
【図２】実施例に係るバーンインボードの斜視図であ
る。
る。
【図３】実施例における半導体チップ７の構成と温度検
出用ダイオード７２の特性を示す図である。
出用ダイオード７２の特性を示す図である。
【図４】実施例におけるソケット３の斜視図である。
【図５】実施例におけるソケット３の断面図である。
【図６】バーンインボード１の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】バーンイン試験容器６の斜視図である。
１…バーンインボード
１１…回転軸
１２…モータ
３…ソケット
３１…基体
３２…蓋体
３４…レバー
３５…フック
３８…端子
３９…放熱部材
６…バーンイン試験容器
７…半導体チップ
７０…半導体デバイス
７１…集積回路
７２…温度検出用ダイオード
８…温度調整装置
８１…送風口
９１…通電装置
９２…温度検出器
９３…制御装置
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを内部に有する被試験デバ
イスとしての複数の半導体デバイスをバーンインボード
に搭載して所定温度の送風環境下に置き、前記複数の半
導体チップに通電することで試験を行なうバーンイン方
法において、 前記複数の半導体チップに温度センサをあらかじめ形成
しておき、 試験中に前記温度センサの電気特性をそれぞれ検出する
ことにより前記半導体チップの温度をそれぞれ測定し、 前記複数の半導体チップの温度の測定結果が、あらかじ
め設定された許容範囲内となるよう前記バーンインボー
ドの向きを制御することを特徴とするバーンイン方法。 - 【請求項２】 半導体チップを内部に有する被試験デバ
イスとしての複数の半導体デバイスを搭載したバーンイ
ンボードが収容される試験容器と、この試験容器の内部
に送風することにより前記半導体チップの温度を所定値
に調整する温調手段と、前記複数の半導体チップに電力
を供給する通電手段とを備えるバーンイン装置におい
て、 前記複数の半導体チップにあらかじめ形成された温度セ
ンサの電気特性を試験中にそれぞれ検出することによ
り、当該半導体チップの温度をそれぞれ測定する測定手
段と、 この測定手段の出力による測定値が、あらかじめ設定さ
れた許容範囲内となるよう、前記バーンインボードの向
きを制御する制御手段とを備えることを特徴とするバー
ンイン装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192303A JPH0536788A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | バーンイン方法および装置 |
| CA002073899A CA2073899A1 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-15 | Burn-in apparatus and method |
| AU20336/92A AU657977B2 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method |
| US07/914,556 US5359285A (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Method and apparatus for varying temperature and electronic load conditions of a semiconductor device in a burn-in test chamber while performing a burn-in test |
| EP92112257A EP0523729A1 (en) | 1991-07-19 | 1992-07-17 | Burn-in apparatus and method |
| KR1019920012832A KR960003988B1 (ko) | 1991-07-19 | 1992-07-18 | 번-인장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192303A JPH0536788A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | バーンイン方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536788A true JPH0536788A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16289035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3192303A Pending JPH0536788A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-31 | バーンイン方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536788A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012169159A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機ｅｌデバイスの駆動寿命測定法 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3192303A patent/JPH0536788A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012169159A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機ｅｌデバイスの駆動寿命測定法 |
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