KR930002837A - 번-인장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

번-인장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 번-인 테스트에 사용되는 전형인 번-인 보오드의 사시도.
제2도는 복수개의 번-인 보오드가 고속에 배치된 상태의 번-인테스트챔버를 도시하는 부분절결사시도.
제3도는 본 발명의 제1실시예에 의한 번-인장치의 공기흐름시스템을 도시하는 개략도.

Claims (27)

  1. 복수개의 공기노즐을 가지는 번-인테스트챔버와: 각각이 적어도 하나의 반도체칩을 포함하는 복수개의 반도체장치를 탑재하기 위하여 상기 번-인 테스트챔버내에 배치되는 적어도 하나의 번-인 보오드와; 반도체칩의 접합온도를 개별적으로 측정하기 위하여 각각의 반도체칩내에 파넣어진 온도센서의 전자특성을 검출하는 측정수단과;반도체칩의 접합온도를 조절하기 위하여 반도체칩의 방열과 전도량을 제어하는 온도조절수단과: 그리고 반도체칩의 접합온도가 소정의 온도범위이내에 있도록 상기 수단을 상기 측정수단의 출력에 의거하여 제어하는 제어수단을 구비한는 번-인장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 온도조절수단은 각각 상기 공기 노즐로부터 공기흐름을 조절하기 위하여 상기 공기노즐속에 배치되는 공기흐름을 조절수단을 포함하고, 상기 제어수단은 상기 공기흐름을 조절수단을 개별적으로 제어하는 번-인장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 온도조절수단은 상기 공기노즐로부터 각각 공기흐름의 온/오프를 제어하기 위하여 상기 공기노즐내에 배치되고 상기 공기노즐의 개방 및 폐쇄를 제어하는 개방 및 폐쇄제어수단을 포함하고, 상기제어수단은 상기 개방 및 폐쇄제어수단을 개별적으로 제어하는 번-인장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 온도조절수단은 상기 공기노즐의 공기흐름방향을 각각 변경시키기 위하여 상기 공기 노즐내에 배치되는 공기흐름방향 조절수단을 포함하고, 제어수단은 개별적으로 상기 공기흐름방향조절수단을 제어하는 번-인장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 온도조절수단은 상기 반도체장치로 그리고 그것으로부터 멀리 상기 공기노즐의 공기출구를 이동시키기 위하여 각각 상기 공기노즐내에 배치되는 공기출구위치 변경수단을 포함하고, 상기 제어수단은 개별적으로 상기 공기출구위치변경수단을 제어하는 번-인장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 온도제어수단은 각각 상기 노즐로부터 공기흐름의 온도를 조절하기 위하여 상기 공기 노즐속에 배치되는 가열수단을 포함하고, 상기 제어수단은 개별적으로 상기 가열수단을 제어하는 번-인장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 번-인 보오드는 상기 번-인 테스트챔버내에 회전가능하게 설치되고, 상기 온도조절수단은 상기 번-인 보오드의 방위를 상기 공기노즐의 공기흐름방향으로 변경시키기 위하여 상기 번-인 보오드를 회전시키는 회전수단을 포함하며, 상기 제어수단은 상기 회전수단을 개별적으로 제어하는 번-인장치.
  8. 제1항에 있어서, 반도체집에 전력을 공급하는 동력공급수단과, 그리고 반도체칩의 열발생을 개별적으로제어하고 반도체칩의 접합온도를 소정의 온도 범위이내에 유지하기 위하여 상기 측정순간의 출력에 의거하여 상기 동력공급수단을 제어하는 제2의 제어수단을 포함하는 번-인장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 온도 센서의 각각은 반도체칩의 각각 위에 형성된 쇼토키접합다이오드인 번-인장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 온도 센서의 각각은 반도체칩의 각각 위에 형성된 Pn접합다이오드인 번-인장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 온도 센서의 각각은 반도체칩의 각각 위에 형성된 트랜지스터인 번-인장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 온도 센서의 각각은 반도체칩의 각각 위에 형성된 메탈필름트랜지스터인 번-인장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 측정수단은 고유전류치를 생상하는 전압값을 측정하고 그것에 의하여 결합된 반도체 장치의 접합온도를 측정하기 위하여 온도센서의 각각에 여러 가지의 전압을 인가하는 번-인장치.
  14. 복수개의 공기노즐을 구비한 번-인 테스트챔버내에 복수개의 반도체 장치를 가진 적어도 하나의 번-인보오드를 배치하는 공정과, 그리고 반도체장치의 각각은 온도센서가 짜넣어진 상태로 적어도 하나의 반도체칩을 포함하고;반도체칩의 접합온도를 개별적으로 측정하기 위하여 온도센서의 전자특성을 검출하는 공정과;그리고 반도체칩의 접합온도의 측정결과가 소정의 범위내에 있도록 반도체칩의 방열 및 전도량을 제어하는 공정을 구비하는 번-인방법.
  15. 제14항에 있어서, 반도체칩의 방열 및 전도량은 상기 공기노즐의 공기흐름을 개별적으로 제어하여 제어되는 번-인방법.
  16. 제14항에 있어서, 반도체장치의 방열 및 전도량은 상기 공기노즐로부터 공기흐름의 온/오프를 개별적으로 제어하여 제어되는 번-인방법.
  17. 제14항에 있어서, 반도체칩의 방열 및 전도량은 상기 공기노즐로부터 공기흐름의 방향을 개별적으로 제거하여 제어되는 번-인방법.
  18. 제14항에 있어서, 반도체칩의 방열 및 전도량은 상기 공기노즐로의 공기출구위치를 개별적을 제어하여 제어되는 번-인방법.
  19. 제14항에 있어서, 반도체칩의 방열 및 전도량은 상기 공기 노즐로의 공기출구위치를 개별적을 제어하여 제어되는 번-인방법.
  20. 제14항에 있어서, 상기 번-인 보오드는 상기 번-인 테스트챔버내에 회전가능하게 설치되고, 반도체칩의 방열 및 전도량은 상기 공기노즐의 공기흐름방향으로 상기 번-인 보오드의 방위를 변경시키기위하여 상기 번-인 보오드를 회전시켜 제어되는 번-인방법.
  21. 제14항에 있어서, 반도체칩의 접합온도의 측정결과를 소정범위내에 유지하기 위하여 반도체칩에 공급되는 전력을 제어하는 공정을 포함하는 번-인방법.
  22. 제14항에 있어서, 반도체칩의 접합온도는 필요한 매개변수에 의거하여 반도체칩과 결합된 상기 온도센서의 전자특성으로부터 떨어지는 번-인방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 온도센서는 쇼트키접합다이오드이고, 그것의 접합온도를 얻기 위한 각 온도 센서의 매개변수는 고유값의 미소한 전류의 흐르게하는 고유접합은 도에서 인가된 전압이며, 인가된 전압의 온도계수와 매개변수는 고유값의 미소한 전류의 흐르게 하기 위하여 반도체장치가 공급되지 않은 상태로 여러 가지의 주위온도에서 측정하여 산출되는 번-인방법.
  24. 제22항에 있어서, 상기 온도센서는 쇼트키접합다이오드이고, 그것의 접합온도를 얻는 각 온도센서의 매개변수는 미세한 전류의 흐르게하는 고유접합온도에서 인가된 전압이며, 다음식에서의 n값과 매개변수는 반도체장치가 공급되지 않은 상태에서 여러 가지값의 미소한 전류를 일으키는 루움온도에서 전압을 측정하고, 또한 다음식
    IF:전진전류, VF: 전진전압, S: 쇼트키접합면적, A*:유효리처드슨상수, T:절대온도, K: 볼츠만상수, q: 전자전하, ∮B: 장벽높이에 의하여 표현된 관계를 사용하여 산출되는 번-인방법.
  25. 제22항에 있어서, 상기 온도 센서는 pn접합다이오드이고, 그것의 접합온도를 얻는 각 온도센서의 매개변수는 고유값의 미소한 전류가 흐르게 하는 고유결합온도에서 인가된 전압이며, 인가된 전압의 온도 계수와 매개변수는 반도체장치가 공급되지 않은 상태로 여러 가지의 주위 온도에서 고유치의 미소한 전류가 흐르게 하는 인가전압을측정하여 산출되는 번-인방법.
  26. 제22항에 있어서, 상기 온도센서는 트랜지스터이고,그것의 결합온도를 얻는 각 온도센서의 매개변수는 고유값의 미소한 전류가 흐르게 하는 고유접합온도에서 인가된 전압이며, 인가된 전압의 온도계수와 매개변수는 반도체장치가 공급되지 않은 상태로 여러 가지의 주위의 오도에서 고유치의 미소한 전류가 흐르게 하는 인가전압을 측정하여 산출되는 번-인방법.
  27. 제22항에 있어서, 상기 오도 센서는 트랜지스터이고, 각 온도센서의 접합온도를 얻는 매개변수는 고유값의미소한 전류를 일으키는 고유접합 온도에서 인가전압이며, 인가전압의 온도계수와 매개변수는 반도체장치가 공급되지 않은 상태로 여러 가지의 주위 온도에서 고유값의 미소한 전류가 홀게하는 인가전압을 측정하여 산출되는 번-인 방법.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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