CN113777474B - 用于集成电路耐温老化测试的测试方法及系统 - Google Patents
用于集成电路耐温老化测试的测试方法及系统 Download PDFInfo
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Abstract
本申请涉及一种用于集成电路耐温老化测试的测试方法及系统,属于集成电路测试的领域,用于解决相关技术中集成电路耐温老化测试的结果可靠性偏低的问题,在该方法和系统中,控制器接收温度采集模块采集所得的温度检测数据,并根据工作温度与发热功率的映射曲线,确定待测集成电路的发热功率数据,再结合目标温度数据,确定温度控制模块的控制命令数据,控制命令数据使温度控制模块能够在响应时间数据内将待测集成电路的工作温度数据调整至目标温度数据,以实现在耐温老化测试中较为精准的控制待测集成电路的温度,提高耐温老化测试的测试结果的可靠性。
Description
技术领域
本申请涉及集成电路测试的技术领域,具体涉及一种用于集成电路耐温老化测试的测试方法及系统。
背景技术
集成电路耐温老化测试是集成电路测试中的一个重要测试项目,其用于测试集成电路的寿命。集成电路耐温老化测试的具体原理为:使集成电路工作在高于标准工作温度的高温状态下工作,直至集成电路损坏,从而获知集成电路在高于标准工作温度的高温状态下的使用寿命,继而能够确定集成电路在标准工作温度下的使用寿命。
相关技术中,集成电路耐温老化测试的实验中的高温状态一般通过反馈调节的方式维持,例如,在集成电路上配置温度采集模块,并为集成电路配置用于控制集成电路的温度的温度控制模块,通过温度采集模块与温度控制模块的配合,在集成电路耐温老化测试的实验中将集成电路的温度控制在预设温度。
然而,由于反馈调节存在滞后性,在实际的实验中难以将集成电路的温度精准的控制在预设温度,最终导致实验结果的可靠性偏低。
发明内容
有鉴于此,本申请的目的在于克服相关技术的不足,提供一种用于集成电路耐温老化测试的测试方法及系统,以提高集成电路耐温老化测试的实验结果的可靠性。
第一方面,本申请提供了一种用于集成电路耐温老化测试的测试方法。该测试方法应用于集成电路耐温老化测试的测试系统中的控制器,所述测试系统还包括用于采集待测集成电路的温度检测数据的温度采集模块以及用于控制待测集成电路的工作温度数据的温度控制模块,其特征在于,所述测试方法包括:
获取所述温度采集模块采集的温度检测数据;
基于预训练的所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线,确定所述待测集成电路与所述温度检测数据对应的发热功率数据;
基于所述温度检测数据和发热功率数据以及预获取的目标温度数据,确定所述温度控制模块的控制命令数据;
其中,所述基于所述温度检测数据和发热功率数据以及预获取的目标温度数据,确定所述温度控制模块的控制命令数据包括:
计算确定目标温度数据与温度检测数据的温度差值数据;
基于所述工作温度与发热功率的映射曲线,确定所述目标温度数据与温度检测数据之间的局部映射曲线;
根据所述局部映射曲线以及预获取的响应时间数据,确定发热升温数据;
根据所述温度差值数据、发热升温数据以及响应时间数据,确定所述控制命令数据;所述控制命令数据用于控制所述温度控制模块以温控功率数据控制所述待测集成电路的工作温度数据变化,以使所述待测集成电路的工作温度数据在响应时间数据内变化为目标温度数据。
通过采用上述技术方案,在控制待测集成电路的温度时,由于考虑了集成电路本身在实际温度下的发热功率,有利于一定程度上克服反馈调节的调节滞后时间,从而能够较为准确的将待测集成电路的实际温度控制在实验需要的目标温度。
进一步地,所述测试方法还包括:训练所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线;
所述训练所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线包括:
生成触发命令数据,所述触发命令数据用于触发所述待测集成电路开始运行;
在所述待测集成电路的运行过程中,获取所述温度采集模块采集所得的温度检测数据;
在温度检测数据达到预获取的测试上限数据时,生成停止命令数据,所述停止命令数据用于触发所述待测集成电路停止运行;
在所述待测集成电路开始运行至停止运行过程中,根据获取的温度检测数据训练形成所述工作温度与发热功率的映射曲线。
进一步地,所述测试方法还包括:
针对至少两个相同的待测集成电路,分别执行所述测试方法;
在执行所述测试方法的过程中:
存在一组至少两个互不相同的测试温度数据,一组所述测试温度数据的数量等于待测集成电路的数量;
针对每一待测集成电路,以所述一组至少两个互不相同的测试温度数据分别为所述目标温度数据执行所述测试方法预设时长;
根据所有所述待测集成电路的测试结果数据,确定所述待测集成电路所属种类的集成电路的测试结果数据。
进一步地,所述测试系统还包括显示器;所述测试方法还包括:
根据所述温度检测数据生成第一显示控制指令,所述第一显示控制指令用于控制所述显示器显示所述温度检测数据反映的温度值;
和/或根据所述温度检测数据以及目标温度数据生成第二显示控制指令,所述第二显示控制指令用于控制所述显示器指示所述温度检测数据反映的温度高于目标温度数据反映的温度、或所述温度检测数据反映的温度等于目标温度数据反映的温度、或所述温度检测数据反映的温度低于目标温度数据反映的温度。
进一步地,在所述测试系统中,所述温度采集模块和温度控制模块具有一一对应的多个;所述测试方法还包括:
基于预存储的温度采集标识和温度控制标识的对应关系,根据获取的所述温度采集模块的温度采集标识以及所述温度控制模块的温度控制标识,确定所述温度采集模块与所述温度控制模块的对应关系。
第二方面,本申请提供了一种用于集成电路耐温老化测试的测试系统。该测试系统包括控制器以及分别连接控制器的用于采集待测集成电路的温度检测数据的温度采集模块以及用于控制待测集成电路的工作温度数据的温度控制模块;其特征在于,所述控制器被配置为用于执行一种测试方法,所述测试方法包括:
获取所述温度采集模块采集所得温度检测数据;
基于预训练的所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线,确定所述待测集成电路与所述温度检测数据对应的发热功率数据;
基于所述温度检测数据和发热功率数据以及预获取的目标温度数据,确定所述温度控制模块的控制命令数据;
其中,所述基于所述温度检测数据和发热功率数据以及预获取的目标温度数据,确定所述温度控制模块的控制命令数据包括:
计算确定目标温度数据与温度检测数据的温度差值数据;
基于所述工作温度与发热功率的映射曲线,确定所述目标温度数据与温度检测数据之间的局部映射曲线;
根据所述局部映射曲线以及预获取的响应时间数据,确定发热升温数据;
根据所述温度差值数据、发热升温数据以及响应时间数据,确定所述控制命令数据;所述控制命令数据用于控制所述温度控制模块以温控功率数据控制所述待测集成电路的工作温度数据变化,以使所述待测集成电路的工作温度数据在响应时间数据内变化为目标温度数据。
进一步地,所述控制器被进一步配置为:训练所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线;
所述训练所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线包括:
生成触发命令数据,所述触发命令数据用于触发所述待测集成电路开始运行;
在所述待测集成电路的运行过程中,获取所述温度采集模块采集所得的温度检测数据;
在温度检测数据达到预获取的测试上限数据时,生成停止命令数据,所述停止命令数据用于触发所述待测集成电路停止运行;
根据所述待测集成电路在开始运行至停止运行过程中获取所得的温度检测数据,训练形成所述工作温度与发热功率的映射曲线。
进一步地,所述控制器被进一步配置为:
针对至少两个相同的待测集成电路,分别执行所述测试方法;
在执行所述测试方法的过程中:
存在一组至少两个互不相同的测试温度数据,一组所述测试温度数据的数量等于待测集成电路的数量;
针对每一待测集成电路,以所述一组至少两个互不相同的测试温度数据分别为所述目标温度数据执行所述测试方法预设时长;
根据所有所述待测集成电路的测试结果数据,确定所述待测集成电路所属种类的集成电路的测试结果数据。
进一步地,所述系统还包括显示器;所述控制器被进一步配置为:
根据所述温度检测数据生成第一显示控制指令,所述第一显示控制指令用于控制所述显示器显示所述温度检测数据反映的温度值;
和/或根据所述温度检测数据以及目标温度数据生成第二显示控制指令,所述第二显示控制指令用于控制所述显示器指示所述温度检测数据反映的温度高于目标温度数据反映的温度、或所述温度检测数据反映的温度等于目标温度数据反映的温度、或所述温度检测数据反映的温度低于目标温度数据反映的温度。
进一步地,所述温度采集模块和温度控制模块具有一一对应的多个;所述控制器被进一步配置为:
基于预存储的温度采集标识和温度控制标识的对应关系,根据获取的所述温度采集模块的温度采集标识以及所述温度控制模块的温度控制标识,确定所述温度采集模块与所述温度控制模块的对应关系。
综上所述,本申请至少包含以下技术效果:
1、在控制待测集成电路的温度时考虑待测集成电路本身的发热功率,有利于更为精确的将待测集成电路的温度控制在目标温度;
2、能够较为合理的确定待测集成电路本身的发热功率;
3、通过多个待测集成电路在不同目标温度下的测试结果,能够较为合理的确定同一种类的待测集成电路的测试结果。
应当理解,发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本申请的实施例的关键或重要特征,亦非用于限制本申请的范围。本申请的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素,其中:
图1示出了用于集成电路耐温老化测试的测试系统的原理图;
图2示出了用于集成电路耐温老化测试的测试方法的流程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例中的附图,对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的全部其他实施例,都属于本公开保护的范围。
另外,本文中术语“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
在本申请中,考虑待测集成电路本身的发热功率,以便在集成电路耐温老化测试中更为精准的控制待测集成电路的温度。
图1示出了用于集成电路耐温老化测试的测试系统100的原理图。
参照图1,测试系统100包括控制器110、温度采集模块120以及温度控制模块130。
温度采集模块120用于采集待测集成电路的温度,以生成温度检测数据。温度采集模块120可以包括温度传感器、温度变送器、温感探头等具有温度采集功能的设备。在本申请实施例中,温度采集模块120具体选择为温度传感器,温度传感器用于配置于待测集成电路,以采集待测集成电路的温度。
温度控制模块130用于调控待测集成电路的温度,以改变工作温度数据。温度控制模块130可以包括散热风扇、散热器、半导体制冷片等降温设备,当然,温度控制模块130也可以包括热风机、加热器等升温设备。在本申请实施例中,温度控制模块130包括散热风扇。
控制器110连接温度采集模块120和温度控制模块130,以接收温度采集模块采集所得的温度检测数据,以及用于生成控制温度控制模块130的控制命数据。控制器110可以为单片机控制器、PLC控制器、FPGA控制器等任意控制器,在本申请实施例中,控制器110具体选择为FPGA控制器;FPGA控制器以PWM波控制散热风扇的转速,以实现对温度控制模块130调温速度的控制。
测试系统100还可以包括显示器140以及连接器150。显示器140连接控制器110,控制器110能够控制显示器140的显示内容数据。连接器150一端连接控制器110,另一端用于连接待测集成电路,以使控制器110能够获取待测集成电路输出的工作数据,继而使控制器110能够判断待测集成电路的好坏。
当然,测试系统100还可以包按键、操作按钮等操作外设,或者可以将显示器140配置为可触控的液晶显示器,以实现测试系统100的操作控制为准。自然,测试系统100还可以包括其他常规的机构;例如,为降低待测集成电路的温度受外界温度环境影响的可能,也可以为待测集成电路配置具有一定温度隔绝功能的测试箱,为提高待测集成电路的测试效率,也可以配合多组温度采集模块120和温度控制模块130,每一温度采集模块120具有一温度采集标识,每一温度控制模块130具有一温度控制标识,在控制器110内预存储温度采集标识和温度控制标识的对应关系。
以上即为对测试系统100的系统结构的介绍,测试系统100的功能实现还依托于控制器110内功能程序实现,下面对控制器110内的功能程序进行介绍。
图2示出了用于集成电路耐温老化测试的测试方法200的流程图。
参照图2,测试方法200能够有图1中的控制器110执行,即测试方法200能够被实现为控制器110内的功能程序,以支撑测试系统100的功能实现。
测试方法200具体包括以下步骤:
S210:获取温度采集模块120采集所得温度检测数据。
在待测集成电路的测试过程中,温度采集模块120实时获取待测集成电路的温度检测数据,控制器110连接温度采集模块120,控制器110即可实时接收温度采集模块120采集所得的温度检测数据,从而实现温度检测数据的获取。
S220:基于预训练的待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线,确定待测集成电路与温度检测数据对应的发热功率数据。
由于待测集成电路上的电气元件及线路在不同温度下的阻抗不同,故待测集成电路在,不同工作温度下的发热功率也不同,待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线即反映待测集成电路的工作温度数据与发热功率数据的对应关系。其中,发热功率数据反映待测集成电路的发热速率,也可以理解为待测集成电路在单位时间的发热量。
在本步骤的方法之前,测试方法200还包括:训练待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线。
训练待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线具体包括:在待测集成电路测试之前,控制器110生成触发命令数据,触发命令数据用于触发待测集成电路开始运行;在待测集成电路的运行过程中,控制器110获取温度采集模块采集所得的温度检测数据,将温度检测数据认定为待测集成电路的工作温度数据;在温度检测数据达到预获取的测试上限数据时,控制器110生成停止命令数据,停止命令数据用于触发待测集成电路停止运行;控制器110根据待测集成电路在开始运行至停止运行过程中获取所得的温度检测数据,训练形成工作温度数据与发热功率数据的映射曲线。
具体来说,控制器110内预存储有单位时间,例如0.1s,针对一温度检测数据,在单位时间后温度检测数据升高至另一较高的温度检测数据,则该一温度检测数据的发热功率数据的计算方式为:以另一较高的温度检测数据减去该一温度检测数据的结果,乘以根据待测集成电路确定的比热容常数,再除以单位时间。其中,比热容常数反映待测集成电路提高单位温度需要的热量。
基于以上方式,即可训练得到待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线。工作温度与发热功率的映射曲线存储于控制器110内。
在本步骤的方法中,执行测试方法200时,控制器110每采集得到一个温度检测数据,将温度检测数据认定为待测集成电路的工作温度数据,控制器110即可根据工作温度与发热功率的映射曲线查询得到一个发热功率数据。即每一温度检测数据对应的发热功率数据均能够确定。
S230:基于温度检测数据和发热功率数据以及预获取的目标温度数据,确定温度控制模块130的控制命令数据。
目标温度数据可以预存储于控制器110中,也可以由操作外设或可触控的显示器140输入,目标温度数据反映欲将待测集成电路控制在的温度,该温度一般高于待测集成电路的正常工作温度,而又不会直接使待测集成电路损坏,目标温度数据具体可由待测集成电路的种类结合本领域技术人员的经验而定,一般为待测集成电路运行理论上可达到的最高温度。
控制命令数据用于控制温度控制模块130的调温速度,调温速度也可以称为调温功率,可以被解释为单位时间内改变的温度量。
本步骤的方法具体包括:控制器110计算确定目标温度数据与温度检测数据的温度差值数据;控制器110基于工作温度与发热功率的映射曲线,确定目标温度数据与温度检测数据之间的局部映射曲线;控制器110根据局部映射曲线以及预获取的响应时间数据,确定发热升温数据;控制器110根据温度差值数据、发热升温数据以及响应时间数据,确定控制命令数据;控制命令数据用于控制温度控制模块以温控功率数据控制待测集成电路的工作温度数据变化,以使待测集成电路的工作温度数据在响应时间数据内变化为目标温度数据。
以目标温度数据高于当前时刻的温度检测数据为例对本步骤的算法进行具体说明。
具体来说,针对当前时刻的温度检测数据,控制器110先计算确定目标温度数据减去温度检测数据的结果,再确定工作温度与发热功率的映射曲线中当前时刻的温度检测数据至目标温度数据之间的局部映射曲线;控制器110内预存储有响应时间数据,响应时间数据反映控制器110预计将待测集成电路由当前时刻温度检测数据反映的温度调节至目标温度数据反映的温度所需的时间。
根据局部映射曲线和响应时间数据确定发热升温数据具体包括:确定响应时间数据对应的时长△T;以时间为横轴参量构建横轴,在横轴上标记△T时刻以及0时刻到△T时刻之间每隔单位时长(0.1s)的每一时刻;以发热功率数据为纵轴参量构建纵轴;根据局部映射曲线,确定0时刻的纵轴参量为当前时刻的温度检测数据对应的发热功率数据,确定△T时刻的纵轴参量为目标温度数据对应的发热功率数据;确定0时刻到△T时刻之间单位时长的份数,在局部映射曲线的工作温度数据参量轴上,以当前时刻的温度检测数据为起点,向△T时刻划分同样多份数的单位温度数据变量,得到每一个标记的工作温度数据;在标记的工作温度数据中当前时刻的温度检测数据的下一工作温度数据对应的发热功率数据为标记的时刻中0时刻的下一时刻的纵轴参量,再下一个工作温度数据对应的发热功率数据为再下一时刻的纵轴参量……以此类推,即可确定每一时刻的发热功率数据。确定发热功率数据在0时刻到△T时刻的时间积分,得到的结果即为发热升温数据。发热升温数据反映待测集成电路在响应时间数据反映的时长内产生的热量。
控制器110根据温度差值数据以及待测集成电路的比热容常数能够确定将待测集成电路由当前时刻的温度升高至目标温度数据反映的温度所需要的总热量。根据该总热量以及发热升温数据反映的热量,即可确定温度控制模块130需要的调温量。
具体的,若总热量减去发热升温数据反映的热量为负值,则调温量为负值,温度控制模块130在响应时间数据反映的时长内需要消除的热量值为发热升温数据反映的热量减去总热量的热量结果,从而能够确定该热量结果除以该时长即为温度控制模块130需要的调温速度;若总热量减去发热升温数据反映的热量为非负值,则调温量为非负值,温度控制模块130在响应时间数据反映的时长内需要生成的热量值为总热量减去发热升温数据反映的热量的热量结果,从而能够确定该热量结果除以该时长即为温度控制模块130需要的调温速度。
控制器110根据计算确定的调温速度生成控制命令数据即可。控制器110以控制命令数据控制温度控制模块130能够在响应时间数据反映的时长内将待测集成电路的温度控制在目标温度数据反映的温度。
目标温度数据不高于当前时刻的温度检测数据(包括待测集成电路的温度检测数据与目标温度数据相等的情况)的控制逻辑同理可得、不作赘述。
测试方法200还可以包括:根据温度检测数据生成第一显示控制指令,第一显示控制指令用于控制显示器140显示温度检测数据反映的温度值。基于前述,测试方法200能够实现对待测集成电路温度的监测。
测试方法200还可以包括:根据温度检测数据以及目标温度数据生成第二显示控制指令,第二显示控制指令用于控制显示器指示温度检测数据反映的温度高于目标温度数据反映的温度、或温度检测数据反映的温度等于目标温度数据反映的温度、或温度检测数据反映的温度低于目标温度数据反映的温度。基于前述,测试方法200能够更为直观的指示待测集成电路的实际工作温度与目标温度数据反映的温度之间的关系。
在测试方法200中,控制器110通过连接器150接收待测集成电路输出的工作数据,并控制显示器140上显示工作数据。测试人员能够根据显示的工作数据判断待测集成电路的好坏。控制器110还可以预获取待测集成电路的工作数据正常范围,也能够判断工作数据是否在工作数据正常范围内,从而实现自动判断待测集成电路的好坏。
应理解,测试方法200以待测集成电路的损坏为终止,并且控制器110能够基于内置的时钟确定待测集成电路在目标温度数据下工作的时长,继而完成待测集成电路的耐温老化测试。在耐温老化测试过程中,由于调控待测集成电路的温度时考虑待测集成电路本身发热量,能够较为准确灵敏的调节待测集成电路的温度,从而能够将待测集成电路的工作温度更大概率的保持在目标温度或尽可能靠近目标温度,进而提高待测集成电路的测试结果的可靠性。
另外,由于部分集成电路存在两种或两种以上工作模式,例如,集成电路可能包括节能模式、标准模式、高性能模式等。集成电路在不同工作模式下的功耗不同,相应的理论上可达到的最高温度也不同,即不同工作模式需要以不同的目标温度进行测试。基于此,在测试包含至少两种工作模式的待测集成电路时:
针对至少两个相同的待测集成电路,分别执行测试方法;在执行测试方法的过程中:存在一组至少两个互不相同的测试温度数据,一组测试温度数据的数量等于待测集成电路的数量;针对每一待测集成电路,以一组至少两个互不相同的测试温度数据分别为目标温度数据执行测试方法预设时长;根据所有待测集成电路的测试结果数据,确定待测集成电路所属种类的集成电路的测试结果数据。
具体来说,若待测集成电路包含三种工作模式,则需要取该种待测集成电路三块,对第一块待测集成电路执行测试方法200,以第一种工作模式对应的第一个目标温度数据为目标温度数据,执行测试方法200第一时长,以第二种工作模式对应的第二个目标温度数据为目标温度数据,执行测试方法200第二时长,以第三种公祖模式对应的第三个目标温度数据为目标温度数据,执行测试方法第三时长;对第二块待测集成电路执行测试方法200,以第一种工作模式对应的第一个目标温度数据为目标温度数据,执行测试方法200第四时长,以第二种工作模式对应的第二个目标温度数据为目标温度数据,执行测试方法200第五时长,以第三种公祖模式对应的第三个目标温度数据为目标温度数据,执行测试方法第六时长;对第三块待测集成电路执行测试方法200,以第一种工作模式对应的第一个目标温度数据为目标温度数据,执行测试方法200第七时长,以第二种工作模式对应的第二个目标温度数据为目标温度数据,执行测试方法200第八时长,以第三种公祖模式对应的第三个目标温度数据为目标温度数据,执行测试方法第九时长。
其中,第一时长、第二时长、第三时长、第四时长、第五时长、第六时长、第七时长、第八时长和第九时长均不为零。第一时长、第二时长、第三时长累计终止时刻为第一块待测集成电路损坏时刻;第四时长、第五时长、第六时长累计终止时刻为第二块待测集成电路损坏的时刻;第七时长、第八时长和第九时长累计终止时刻为第三课待测集成电路板损坏的时刻。
通过采用上述方式执行测试方法200,能够确定三块待测集成电路的三个方程:
第一时长×第一个目标温度数据的损坏系数+第二时长×第二个目标温度数据的损坏系数+第三时长×第三个目标温度数据的损坏系数=损坏达标常数;
第四时长×第一个目标温度数据的损坏系数+第五时长×第二个目标温度数据的损坏系数+第六时长×第三个目标温度数据的损坏系数=损坏达标常数;
第七时长×第一个目标温度数据的损坏系数+第八时长×第二个目标温度数据的损坏系数+第九时长×第三个目标温度数据的损坏系数=损坏达标常数。
根据上述三个方程,能够确定第一个目标温度数据的损坏系数、第二个目标温度数据的损坏系数以及第三个目标温度数据的损坏系数,从而能够确定待测集成电路在第一个目标温度数据下工作损坏所需的时长、在第二个目标温度数据下工作损坏所需的时长以及在第三个目标温度数据下工作损坏所需的时长。
上述方式能够较为准确的实现多模式的集成电路每个工作模式下的耐温老化测试。在待测集成电路的工作模式的工作时长模型确定的情况下,也可以计算待测集成电路在多个工作模式交替工作时的使用寿命。
例如,待测集成电路的第一工作模式、第二工作模式、第三工作模式的工作时长比例为第一常数:第二常数:第三常数,根据第一常数、第二常数和第三常数能够确定第一工作模式的工作时长占待测集成电路使用寿命时长的比值的第一占比,同理也能够确定第二工作模式的第二占比、第三工作模式的第三占比。
则该待测集成电路的耐温老化测试时长可以通过以下方式确定:第一个目标温度数据的损坏系数乘以第一占比得到第一结果,第二个目标温度数据的损坏系数乘以第二占比得到第二结果,第三个目标温度数据的损坏系数乘以第三占比得到第三结果,求得第一结果、第二结果与第三结果的和结果,损坏达标常数除以和结果即可得到耐温老化测试时长。通过该耐温老化测试时长能够估计待测集成电路的使用寿命。
需要说明的是,对于前述的各方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本申请并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本申请实施例,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于可选实施例,所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。
以上均为本申请的较佳实施例,并非依此限制本申请的保护范围,故:凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于集成电路耐温老化测试的测试方法,应用于集成电路耐温老化测试的测试系统(100)中的控制器(110),所述测试系统(100)还包括用于采集待测集成电路的温度检测数据的温度采集模块(120)以及用于控制待测集成电路的工作温度数据的温度控制模块(130),其特征在于,所述测试方法包括:
获取所述温度采集模块(120)采集的温度检测数据;
基于预训练的所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线,确定所述待测集成电路与所述温度检测数据对应的发热功率数据;
基于所述温度检测数据和发热功率数据以及预获取的目标温度数据,确定所述温度控制模块(130)的控制命令数据;
其中,所述基于所述温度检测数据和发热功率数据以及预获取的目标温度数据,确定所述温度控制模块(130)的控制命令数据包括:
计算确定目标温度数据与温度检测数据的温度差值数据;
基于所述工作温度与发热功率的映射曲线,确定所述目标温度数据与温度检测数据之间的局部映射曲线;
根据所述局部映射曲线以及预获取的响应时间数据,确定发热升温数据;
根据所述温度差值数据、发热升温数据以及响应时间数据,确定所述控制命令数据;所述控制命令数据用于控制所述温度控制模块(130)以温控功率数据控制所述待测集成电路的工作温度数据变化,以使所述待测集成电路的工作温度数据在响应时间数据内变化为目标温度数据。
2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述测试方法还包括:训练所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线;
所述训练所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线包括:
生成触发命令数据,所述触发命令数据用于触发所述待测集成电路开始运行;
在所述待测集成电路的运行过程中,获取所述温度采集模块(120)采集所得的温度检测数据;
在温度检测数据达到预获取的测试上限数据时,生成停止命令数据,所述停止命令数据用于触发所述待测集成电路停止运行;
在所述待测集成电路开始运行至停止运行过程中,根据获取的温度检测数据训练形成所述工作温度与发热功率的映射曲线。
3.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述测试方法还包括:
针对至少两个相同的待测集成电路,分别执行所述测试方法;
在执行所述测试方法的过程中:
存在一组至少两个互不相同的测试温度数据,一组所述测试温度数据的数量等于待测集成电路的数量;
针对每一待测集成电路,以所述一组至少两个互不相同的测试温度数据分别为所述目标温度数据执行所述测试方法预设时长;
根据所有所述待测集成电路的测试结果数据,确定所述待测集成电路所属种类的集成电路的测试结果数据。
4.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述测试系统(100)还包括显示器(140);所述测试方法还包括:
根据所述温度检测数据生成第一显示控制指令,所述第一显示控制指令用于控制所述显示器(140)显示所述温度检测数据反映的温度值;
和/或根据所述温度检测数据以及目标温度数据生成第二显示控制指令,所述第二显示控制指令用于控制所述显示器(140)指示所述温度检测数据反映的温度高于目标温度数据反映的温度、或所述温度检测数据反映的温度等于目标温度数据反映的温度、或所述温度检测数据反映的温度低于目标温度数据反映的温度。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的测试方法,其特征在于,在所述测试系统(100)中,所述温度采集模块(120)和温度控制模块(130)具有一一对应的多个;所述测试方法还包括:
基于预存储的温度采集标识和温度控制标识的对应关系,根据获取的所述温度采集模块(120)的温度采集标识以及所述温度控制模块(130)的温度控制标识,确定所述温度采集模块(120)与所述温度控制模块(130)的对应关系。
6.一种用于集成电路耐温老化测试的测试系统(100),包括控制器(110)以及分别连接控制器(110)的用于采集待测集成电路的温度检测数据的温度采集模块(120)以及用于控制待测集成电路的工作温度数据的温度控制模块(130);其特征在于,所述控制器(110)被配置为用于执行一种测试方法,所述测试方法包括:
获取所述温度采集模块(120)采集所得温度检测数据;
基于预训练的所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线,确定所述待测集成电路与所述温度检测数据对应的发热功率数据;
基于所述温度检测数据和发热功率数据以及预获取的目标温度数据,确定所述温度控制模块(130)的控制命令数据;
其中,所述基于所述温度检测数据和发热功率数据以及预获取的目标温度数据,确定所述温度控制模块(130)的控制命令数据包括:
计算确定目标温度数据与温度检测数据的温度差值数据;
基于所述工作温度与发热功率的映射曲线,确定所述目标温度数据与温度检测数据之间的局部映射曲线;
根据所述局部映射曲线以及预获取的响应时间数据,确定发热升温数据;
根据所述温度差值数据、发热升温数据以及响应时间数据,确定所述控制命令数据;所述控制命令数据用于控制所述温度控制模块(130)以温控功率数据控制所述待测集成电路的工作温度数据变化,以使所述待测集成电路的工作温度数据在响应时间数据内变化为目标温度数据。
7.根据权利要求6所述的测试系统(100),其特征在于,所述控制器(110)被进一步配置为:训练所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线;
所述训练所述待测集成电路的工作温度与发热功率的映射曲线包括:
生成触发命令数据,所述触发命令数据用于触发所述待测集成电路开始运行;
在所述待测集成电路的运行过程中,获取所述温度采集模块(120)采集所得的温度检测数据;
在温度检测数据达到预获取的测试上限数据时,生成停止命令数据,所述停止命令数据用于触发所述待测集成电路停止运行;
根据所述待测集成电路在开始运行至停止运行过程中获取所得的温度检测数据,训练形成所述工作温度与发热功率的映射曲线。
8.根据权利要求6所述的测试系统(100),其特征在于,所述控制器(110)被进一步配置为:
针对至少两个相同的待测集成电路,分别执行所述测试方法;
在执行所述测试方法的过程中:
存在一组至少两个互不相同的测试温度数据,一组所述测试温度数据的数量等于待测集成电路的数量;
针对每一待测集成电路,以所述一组至少两个互不相同的测试温度数据分别为所述目标温度数据执行所述测试方法预设时长;
根据所有所述待测集成电路的测试结果数据,确定所述待测集成电路所属种类的集成电路的测试结果数据。
9.根据权利要求6所述的测试系统(100),其特征在于,所述系统还包括显示器(140);所述控制器(110)被进一步配置为:
根据所述温度检测数据生成第一显示控制指令,所述第一显示控制指令用于控制所述显示器(140)显示所述温度检测数据反映的温度值;
和/或根据所述温度检测数据以及目标温度数据生成第二显示控制指令,所述第二显示控制指令用于控制所述显示器(140)指示所述温度检测数据反映的温度高于目标温度数据反映的温度、或所述温度检测数据反映的温度等于目标温度数据反映的温度、或所述温度检测数据反映的温度低于目标温度数据反映的温度。
10.根据权利要求6至9中任意一项所述的测试系统(100),其特征在于,所述温度采集模块(120)和温度控制模块(130)具有一一对应的多个;所述控制器(110)被进一步配置为:
基于预存储的温度采集标识和温度控制标识的对应关系,根据获取的所述温度采集模块(120)的温度采集标识以及所述温度控制模块(130)的温度控制标识,确定所述温度采集模块(120)与所述温度控制模块(130)的对应关系。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202111329575.4A CN113777474B (zh) | 2021-11-10 | 2021-11-10 | 用于集成电路耐温老化测试的测试方法及系统 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113777474A CN113777474A (zh) | 2021-12-10 |
CN113777474B true CN113777474B (zh) | 2022-03-15 |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113777474B (zh) |
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